KR20230099544A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20230099544A
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heating
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이현희
박민정
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 가열 유닛에서 기판을 열처리하는 열처리 단계; 상기 가열 유닛에서 열처리된 상기 기판을 냉각 유닛에서 냉각처리하는 냉각 단계를 포함하되; 상기 냉각 단계는 팬유닛으로부터 쿨링 가스를 상기 기판으로 제공할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{A substrate processing method and a substrate processing apparatus}
본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포 공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다.
일반적으로 베이크 공정은 베이크 챔버 내에서 수행된다. 베이크 공정은 웨이퍼를 가열하는 가열 처리 공정과 웨이퍼를 냉각하는 냉각 처리 공정을 포함한다. 가열 처리 공정과 냉각 처리 공정은 순차적으로 수행된다. 가열 처리 공정은 웨이퍼가 가열 플레이트에 놓이고, 가열 플레이트가 웨이퍼에 온열을 전달하여 수행된다. 냉각 처리 공정은 웨이퍼가 냉각 플레이트에 놓이고, 냉각 플레이트가 웨이퍼에 냉열을 전달하여 수행된다. 냉각 처리 공정이 완료된 웨이퍼는 반송 로봇이 가지는 핸드에 의해 베이크 공정 외의 공정을 수행하는 챔버들 중 어느 하나로 반송된다.
그러나, 가열 처리 공정이 수행되면서 웨이퍼에는 휨 현상(Warpage)이 발생한다. 가열 처리 공정 이후에 수행되는 냉각 처리 공정은 정해진 레시피 대로 공정이 수행되기 때문에, 웨이퍼에 발생한 휨(Warpage) 현상을 적절히 제거하지 못한다. 이에, 냉각 처리 이후 웨이퍼가 반송시, 웨이퍼가 반송 로봇의 핸드에 적절히 안착되지 못한다.
따라서, 가열 처리 공정에서 웨이퍼의 냉각을 위한 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 열처리된 기판의 냉각 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 가열 유닛에서 기판을 열처리하는 열처리 단계; 상기 가열 유닛에서 열처리된 상기 기판을 냉각 유닛에서 냉각처리하는 냉각 단계를 포함하되; 상기 냉각 단계는 팬유닛으로부터 쿨링 가스를 상기 기판으로 제공하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 냉각 단계는, 상기 기판이 냉각 플레이트에 놓여지고, 상기 냉각 플레이트에 의해 상기 기판이 냉각 처리되어 수행될 수 있다.
또한, 상기 가열 단계는, 상기 기판이 상기 가열 유닛 내의 가열 플레이트에 놓여지고, 상기 가열 플레이트에 의해 상기 기판이 열처리될 수 있다.
또한, 상기 냉각 단계는 상기 가열 유닛의 커버가 오픈된 상태에서 상기 가열 유닛 내의 기류 형성 유닛이 작동되도록 할 수 있다.
또한, 상기 냉각 단계에서 상기 팬유닛으로부터 공급되는 쿨링 가스체의 유량은 상기 가열 단계에서 상기 팬유닛으로부터 공급되는 쿨링 가스의 유량보다 상대적으로 많을 수 있다.
또한, 상기 가열 단계는 상기 기판이 상기 가열 유닛 내의 가열 플레이트 상면으로부터 이격된 핀업 상태에서 예열되는 단계; 및 상기 기판이 상기 가열 플레이트의 상면에 안착된 핀다운 상태에서 베이킹되는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 쿨링 가스는 상온 또는 저온의 비활성 가스일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부 공간을 가지는 하우징; 상기 내부 공간에서 기판을 가열하는 가열 유닛; 상기 내부 공간에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛; 상기 내부 공간으로 온도가 조절된 쿨링 가스를 공급하는 팬 유닛; 상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛 그리고 팬 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되; 상기 제어기는 기판이 상기 냉각 유닛의 냉각 플레이트 안착된 상태에서 냉각되는 동안 상기 내부 공간으로 쿨링 가스가 공급되도록 상기 팬 유닛을 제어하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 가열 유닛은 내부에 열처리 공간이 형성되고, 개폐 가능한 커버를 갖는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 처리 공간에서 상기 기판 지지 유닛과 마주하도록 상기 커버에 제공되며, 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하고 상기 처리 공간의 기체를 배기하는 기류 형성 유닛을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제어기는 기판이 상기 냉각 유닛의 냉각 플레이트 안착된 상태에서 냉각되는 동안, 상기 커버를 오픈 한 상태에서 상기 기류 형성 유닛을 작동시킬 수 있다.
또한, 상기 제어기는 기판이 상기 냉각 유닛의 냉각 플레이트 안착된 상태에서 냉각 처리되는 동안 상기 팬유닛으로부터 공급되는 쿨링 가스의 유량이 상기 가열 유닛에서 기판이 열처리되는 동안 상기 내부 공간으로 공급되는 쿨링 가스의 유량보다 상대적으로 많도록 상기 팬유닛을 제어할 수 있다.
또한, 상기 쿨링 가스 및 상기 퍼지 가스는 상온 또는 저온의 비활성 가tm 일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 냉각시간을 단축할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 지지 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 9는 가열 유닛의 절단 사시도이다.
도 10은 열처리 챔버에서의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 표이다.
도 11은 냉각 단계의 열처리 챔버를 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
다시 도 2를 참고하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열 처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열 처리 챔버(3200)들은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 처리 용기(하우징)(3201), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 팬 유닛(3250), 그리고 제어기(3260)를 포함한다.
처리 용기(3201)는 내부 공간(3202)을 가진다. 처리 용기(3201)는 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 처리 용기(3201)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(미도시)가 형성된다. 또한, 반입구를 개폐하도록 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 반입구는 선택적으로 개방된 상태로 유지될 수 있다. 반입구는 냉각 유닛(3220)과 인접한 영역에 형성될 수 있다.
냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240)은 처리 용기(3201)의 내부 공간(3202) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다.
처리 용기(3201)에는 배기 라인(3210)이 연결될 수 있다. 배기 라인(3210)은 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스를 처리 용기(3201)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 하부에 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 측부 등에 연결될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각 플레이트(3222)를 가진다. 냉각 플레이트(3222)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형에 가까운 형상을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)에는 냉각 부재(미도시)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각 부재는 냉각 플레이트(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 이에 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)을 냉각시킬 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 대응하는 직경을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)의 가장 자리에는 노치가 형성될 수 있다. 노치는 상술한 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치는 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 지지 돌기(3429)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 냉각 플레이트(3222)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3224)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)의 끝단에서 냉각 플레이트(3222)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3224)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3224)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 냉각 플레이트(3222)와 리프트 핀(3236)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
냉각 플레이트(3222)는 지지 부재(3237)에 의해 지지될 수 있다. 지지 부재(3237)는 막대 형상의 제1지지 부재와 제1지지 부재의 중단에 결합되는 제2지지 부재를 포함할 수 있다. 제1지지 부재의 일단과 타단은 구동기(3226)와 결합된다. 구동기(3226)는 가이드 레일(3229) 상에 장착된다. 가이드 레일(3229)은 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 Y축 방향(14)이고 처리 용기(3201)의 양측에 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)에 장착되는 구동기(3226)에 의해 Y축 방향(14)을 따라 이동할 수 있다.
팬 유닛(3250)은 내부 공간(3202)으로 가스를 공급할 수 있다. 팬 유닛(3250)은 팬(3252)과 가스 공급 라인(3254)을 포함할 수 있다. 가스 공급 라인(3254)은 팬(3252)과 연결될 수 있다. 팬(3252)의 회전으로 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 가스의 공급 출력을 조절할 수 있다. 예컨대, 팬(3252)의 단위 시간당 회전수가 증가하는 경우 내부 공간(3202)으로 공급되는 가스의 공급 출력은 증가 수 있다. 이와 반대로 팬(3252)의 단위 시간당 회전수가 감소하는 경우 내부 공간(3202)으로 공급되는 가스의 공급 출력은 감소할 수 있다.
팬 유닛(3250)은 내부 공간(3202)으로 온도 및/또는 습도가 조절된 쿨링 가스를 공급할 수 있다. 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 쿨링 가스는 CDA(Clean Dry Air) 또는 불활성 가스(상온 이하의 온도로 조절된 가스)일 수 있다. 팬 유닛(3250)이 내부 공간(3202)으로 공급하는 쿨링 가스는 배기 라인(3210)을 통해 처리 용기(3201)의 외부로 배기될 수 있다. 팬 유닛(3250)이 공급하는 쿨링 가스는 처리 용기(3201) 내의 파티클(Particle)을 외부로 배기할 수 있다. 팬 유닛(3250)이 공급하는 쿨링 가스는 기판을 냉각시킬 수 있다. 즉, 쿨링 가스는 냉각 플레이트(3222)에 안착되어 냉각처리되는 기판(W)의 냉각 속도에 긍정적인 영향을 줄 수 있다. 즉, 냉각 플레이트(3222)에 안착된 기판의 냉각 시간은 팬유닛(3250)으로부터 공급되는 쿨링 가스에 의해 단축될 수 있다.
본 실시예에서 팬 유닛(3250)은 처리 용기(3201)의 상부에 제공되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또 다른 예로, 팬 유닛(3250)은 처리 용기의 일측면에서 수평한 방향으로 쿨링 가스를 공급할 수 있도록 제공될 수 있다. 팬 유닛이 일측면에 제공되는 경우 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 타측면에 제공되는 것이 바람직하다.
제어기(3260)는 열 처리 챔버(3200)를 제어할 수 있다. 제어기(3260)는 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230) 그리고 팬 유닛(3250)을 제어할 수 있다. 제어기(3260) 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행하도록 열 처리 챔버(3200)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(3260)는 기판이 열처리되는 동안 그리고 기판이 냉각처리되는 동안 내부 공간(3202)으로 공급되는 쿨링 가스의 공급 출력을 조절하도록 팬 유닛(3250)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기는 가열 유닛 내의 기류 형성 부재를 제어할 수 있다.
가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다.
도 7은 도 6의 가열 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 8은 도 7의 지지 플레이트를 보여주는 평면도며, 도 9는 가열 유닛의 절단 사시도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 가열 유닛(3230)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1420), 기류 형성 유닛, 가스 공급 유닛, 그리고 가스 배기 유닛을 포함할 수 있다.
챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 커버(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다.
커버(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 커버(1120)의 상면에는 유입홀(1122), 제1배출홀(1124), 그리고 제2배출홀(1126)이 형성된다. 제1배출홀(1124)은 커버(1120)의 중앙 영역에 위치되며, 제2배출홀(1126)은 커버(1120)의 중앙 영역을 벗어나게 위치된다. 각각의 배출홀(1124,1126)은 처리 공간(1110)을 배기하도록 가스 배기 유닛(1700)에 연결된다. 유입홀(1122)은 처리 공간(1110) 내에 외기가 유입되는 통로로 기능한다. 유입홀(1122)에는 가스 공급 유닛(1620)이 연결된다. 일 예에 의하면, 외기는 청정 에어일 수 있다.
하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 커버(1120)의 아래에 위치된다. 커버(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 커버(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 커버(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 커버(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 커버(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.
커버(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 커버(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 커버(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 커버(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다.
예컨대, 기판(W)이 처리 공간(1110)으로 반입 또는 반입되는 경우 커버(1120)는 상승하여, 처리 공간(1110)을 개방할 수 있다. 또한, 기판(W)이 처리 공간(1110)에서 처리되는 경우 커버(1120)를 하강하여 처리 공간(1110)을 폐쇄할 수 있다. 도 11에서와 같이, 본 발명에서 기판이 냉각 플레이트(3222) 상에서 냉각 처리되는 동안 커버(1120)는 상승된 상태로 처리 공간(1110)을 개방한다.
실링 부재(1160)는 커버(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 커버(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다.
기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 그리고 지지핀(1360)을 포함한다.
지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1420)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면으로 기능한다. 안착면에는 복수의 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(미도시)이 형성된다. 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(미도시)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(미도시)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 진공홀들(미도시)은 안착면과 기판(W) 사이에 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 삽입홀들(1324)은 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)과 다르게 배열된다. 삽입홀들(1324)은 안착면의 전체 영역에 균등하게 배열될 수 있다.
예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(미도시)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1340)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1340)의 상단이 안착면보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1340)의 상단이 안착면과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.
지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.
가이드(1380)는 기판(W)이 안착면의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 안착면의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.
히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1420)은 복수 개의 히터들을 포함한다. 일 예에 의하면, 각 히터들은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 히터들은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다.
기류 형성 유닛(1500)은 처리 공간의 기류 흐름을 조절한다. 기류 형성 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내의 기류가 영역 별로 균일하게 유량을 가지도록 기류 흐름을 조절한다.
기류 형성 유닛(1500)은 플레이트(1520), 중간 바디(1560), 배기관(1590)을 포함한다. 플레이트(1520)는 처리 공간(1110) 내에서 기판 지지 유닛(1300)에 놓여진 기판(W)과 마주하게 위치된다. 플레이트(1520)는 기판(W)의 상부에 위치된다. 예컨대, 플레이트(1520)는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 플레이트(1520)는 챔버의 내경과 동일한 직경을 가질 수 있다. 이에 따라 챔버의 내부 공간은 플레이트(1520)의 하부 공간(1110)과 상부 공간으로 구획될 수 있다. 여기서 기판(W)을 처리하는 공간은 플레이트(1520)의 하부 공간(1110)으로 제공될 수 있다.
플레이트(1520)는 기판(W)과 마주하는 저면에 복수의 홀들(1522 내지 1528)이 형성된다. 플레이트(1520)의 저면에는 영역 별로 다른 기능을 수행하는 홀들(1522 내지 1528)이 형성된다. 플레이트(1520)의 저면에는 복수의 공급홀(1522, 1526) 및 배기홀(1524,1528)이 형성된다. 공급홀(1522,1526)은 가스를 토출하는 홀로 기능하고, 배기홀(1524,1528)은 플레이트(1520)와 기판 지지 유닛(1300)의 사이 공간을 배기하는 홀로 기능한다.
플레이트(1520)의 내부에는 공급홀(1522,1526)에 연통되는 확산 공간(1530)이 형성된다. 확산 공간(1530)은 가스가 공급홀(1522,1526) 각각에 균일 공급되도록 확산되는 공간으로 제공된다.
중간 바디(1560)는 챔버와 플레이트(1520)를 서로 연결한다. 중간 바디(1560)는 챔버의 천장면과 플레이트(1520)의 사이에 위치된다. 중간 바디(1560)는 상면이 천장면에 결합되고, 저면이 플레이트(1520)에 결합된다. 중간 바디(1560)는 상면에 홈이 형성된 원통 형상을 가진다. 중간 바디(1560)의 상면은 중앙 영역이 가장자리 영역에 비해 낮은 높이를 가진다.
배기관(1590)은 배기홀(1524)을 확산 공간(1530)으로부터 구획시킨다. 배기관(1590)은 배기홀(1524)과 동일한 개수로 제공될 수 있다. 예컨대, 배기관(1590)은 4 개 일 수 있다. 배기관(1590)은 플레이트(1520)의 저면에서 중간 바디(1560)의 홈까지 연장되는 길이를 가진다. 상부에서 바라볼 때 배기관(1590)은 배기홀(1524)과 중첩되게 위치된다. 배기관(1590)은 배기홀(1524)에 삽입되어 확산 공간(1530)을 관통하도록 위치된다.
가스 공급 유닛(1620)은 유입홀에 연결되는 가스 공급 라인(1620)을 포함한다. 가스 공급 라인(1620)은 유입홀(1122)로 가스를 공급한다. 가스는 유입홀(1122)을 통해 확산 공간(1530)을 거쳐 공급홀(1522,1526)로 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(1620)에는 필터가 설치되며, 가스에 포함된 파티클을 제거할 수 있다. 여기서 가스는 상온 이하의 불활성 가스일 수 있다.
가스 배기 유닛(1700)은 제1배기 라인(1720) 및 제2배기 라인(1740)을 포함한다. 제1배기 라인(1720)은 제1배출홀(1124)에 연결되고, 제2배기 라인(1740)은 제2배출홀(1126)에 연결된다. 제1배기 라인(1720)에는 제1감압 부재(1722)가 설치되고, 제2배기 라인(1740)에는 제2감압 부재(1742)가 설치되며, 각각의 감압 부재(1722,1742)는 독립 제어가 가능하다.
이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 10은 열처리 챔버에서의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 표이고, 도 11은 냉각 단계의 열처리 챔버를 보여주는 도면이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 가열 단계(스탭1, 스탭2) 그리고 냉각 단계(스탭3)를 포함할 수 있다.
가열 단계는 제1가열 단계(스탭1)와 제2가열 단계(스탭2)를 포함할 수 있다. 제1가열 단계(스탭 1), 제2가열 단계(스탭2), 그리고 냉각 단계(스탭3)는 순차적으로 수행될 수 있다. 가열 단계는 기판(W)을 가열 처리하는 단계이고, 냉각 단계(스탭3)는 기판(W)을 냉각하는 단계이다.
제1가열 단계(스탭 1)는 기판이 지지 플레이트(1320)의 상면으로부터 이격된 핀업 상태에서 기판(W)을 예열한다. 제1가열 단계(스탭 1)는 30초 동안 수행될 수 있다.
제2가열 단계(스탭 2)는 기판이 지지 플레이트(1320)의 상면에 안착된 핀 다움 상태에서 기판(W)을 가열한다. 제2가열 단계(스탭 2)는 90초 동안 수행될 수 있다.
제2가열 단계(스탭 2)의 수행이 완료되면, 기판(W)은 냉각 유닛(3220)으로 전달될 수 있다. 제2가열 단계(스탭2)의 수행이 완료되면, 리프트 핀(1340)은 기판(W)을 상방향으로 이동시킬 수 있다. 이후 커버(1120)가 승강 부재(1130)에 의해 위 방향으로 이동될 수 있다. 이에 처리 공간(1110)은 개방된다. 이후 냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)을 따라 지지 플레이트(1320)의 상부로 이동될 수 있다. 이때, 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 지지 플레이트(1320)의 사이 공간으로 이동될 수 있다. 이후 리프트 핀(1340)은 하강하여 기판(W)을 냉각 플레이트(3222)에 안착시킬 수 있다. 이후, 냉각 플레이트(3222)는 가열 유닛으로부터 벗어나도록 이동될 수 있다.
냉각 단계(스탭 3)는 가열 유닛(3230)에서 열처리된 기판이 냉각 유닛(3220)의 냉각 플레이트(3222)에 안착된 상태에서 냉각처리된다.
냉각 단계(스탭 3)는 냉각 플레이트(3222)가 전달하는 냉열과 쿨링 가스에 의해 기판(W)이 냉각될 수 있다. 기판(W)을 냉각 시키는 쿨링 가스는 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스일 수 있다. 냉각 단계에서 팬 유닛은 가스의 공급 출력을 가열 단계보다 증가시킬 수 있다. 예를 들어 가열 단계에서의 팬 유닛(3250)의 가스 공급 출력이 50%라고 가정하며, 냉각 단계에서의 팬 유닛(3250)의 가스 공급 출력은 100%일 수 있다.
또한, 냉각 단계(스탭 3)에서는 가열 유닛(3230)의 커버(1120)가 오픈된 상태에서 가열 유닛(3230)의 기류 형성 유닛(1500)이 동작하여 처리 공간의 기류 흐름을 형성한다. 이러한 기류 형성 유닛(1500)의 동작은 제어기(3260)에 의해 제어된다. 이처럼, 기류 형성 유닛은 기판의 열처리 공정시 불활성 기체를 처리 공간으로 공급하는 것이 목적이지만, 냉각 단계에서는 기판의 냉각 시간 단축을 위하여 커버(1120)가 오픈된 상태에서 작동될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
열 처리 챔버: 3200
처리 용기 : 3201
냉각 유닛 : 3220
가열 유닛 : 3230
팬 유닛 : 3250
제어기 : 3260

Claims (13)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    가열 유닛에서 기판을 열처리하는 열처리 단계;
    상기 가열 유닛에서 열처리된 상기 기판을 냉각 유닛에서 냉각처리하는 냉각 단계를 포함하되;
    상기 냉각 단계는
    팬유닛으로부터 쿨링 가스를 상기 기판으로 제공하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 단계는,
    상기 기판이 냉각 플레이트에 놓여지고, 상기 냉각 플레이트에 의해 상기 기판이 냉각 처리되어 수행되는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가열 단계는,
    상기 기판이 상기 가열 유닛 내의 가열 플레이트에 놓여지고, 상기 가열 플레이트에 의해 상기 기판이 열처리되는 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 단계는
    상기 가열 유닛의 커버가 오픈된 상태에서 상기 가열 유닛 내의 기류 형성 유닛이 작동되도록 하는 기판 처리 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 냉각 단계에서
    상기 팬유닛으로부터 공급되는 쿨링 가스체의 유량은 상기 가열 단계에서 상기 팬유닛으로부터 공급되는 쿨링 가스의 유량보다 상대적으로 많은 기판 처리 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 가열 단계는
    상기 기판이 상기 가열 유닛 내의 가열 플레이트 상면으로부터 이격된 핀업 상태에서 예열되는 단계; 및
    상기 기판이 상기 가열 플레이트의 상면에 안착된 핀다운 상태에서 베이킹되는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 쿨링 가스는 상온 또는 저온의 비활성 가스인 기판 처리 방법.
  8. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부 공간을 가지는 하우징;
    상기 내부 공간에서 기판을 가열하는 가열 유닛;
    상기 내부 공간에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛;
    상기 내부 공간으로 온도가 조절된 쿨링 가스를 공급하는 팬 유닛;
    상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛 그리고 팬 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되;
    상기 제어기는
    기판이 상기 냉각 유닛의 냉각 플레이트 안착된 상태에서 냉각되는 동안 상기 내부 공간으로 쿨링 가스가 공급되도록 상기 팬 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가열 유닛은
    내부에 열처리 공간이 형성되고, 개폐 가능한 커버를 갖는 챔버;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및
    상기 처리 공간에서 상기 기판 지지 유닛과 마주하도록 상기 커버에 제공되며, 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하고 상기 처리 공간의 기체를 배기하는 기류 형성 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제9에 있어서,
    상기 제어기는
    기판이 상기 냉각 유닛의 냉각 플레이트 안착된 상태에서 냉각되는 동안, 상기 커버를 오픈 한 상태에서 상기 기류 형성 유닛을 작동시키는 기판 처리 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제어기는
    기판이 상기 냉각 유닛의 냉각 플레이트 안착된 상태에서 냉각 처리되는 동안 상기 팬유닛으로부터 공급되는 쿨링 가스의 유량이 상기 가열 유닛에서 기판이 열처리되는 동안 상기 내부 공간으로 공급되는 쿨링 가스의 유량보다 상대적으로 많도록 상기 팬유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 쿨링 가스 및 상기 퍼지 가스는 상온 또는 저온의 비활성 가스인 기판 처리 장치.
  13. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    가열 유닛에서 기판을 열처리하는 열처리 단계;
    상기 가열 유닛에서 열처리된 상기 기판을 냉각 유닛에서 냉각처리하는 냉각 단계를 포함하되;
    상기 가열 단계는,
    상기 기판이 상기 가열 유닛 내의 가열 플레이트에 놓여지고, 상기 가열 플레이트에 의해 상기 기판이 열처리되며,
    상기 냉각 단계는
    상기 기판이 냉각 플레이트에 놓여지고, 상기 냉각 플레이트가 전달하는 냉열과 쿨링 가스에 의해 상기 기판이 냉각 처리되고, 상기 가열 유닛의 커버가 오픈된 상태에서 상기 가열 유닛 내의 기류 형성 유닛이 작동되는 상태에서 진행되며,
    상기 쿨링 가스는 팬유닛으로부터 제공되는 기판 처리 방법.


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