JPS63164216A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に写真蝕刻工
程中のベーク処理に改良を施したものでるる。

（従来の技術） 周知の如く、半導体製造工程中の写真蝕刻技術ではいか
に安定な微細パターンを作るかが問題でアリ、エツチン
グ用マスクを作成するのに様々な要素について近年特に
高いレベルｔ−要求されている。しかし、全てに完全な
レジストはなかなか存在しない。そこで不充分な要素を
補う為に一部の工程で違うレジストを使用した。り、Ｃ
ＥＬ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ　Ｅｎｈａｎｃ＠ｄ　Ｌａｙｅ
ｒ）等多層プロセスを利用したりしている。また、それ
に伴い塗布用ノズルの２本有るコーターマシン、現像液
用ノズルの２本有るデベロッノや−マシンが市販されて
いる。

これらは複数種のレジスト＠を一ラインで使用する事を
目的としたものである。しかるに、ベーク板は１枚もし
くは複数枚有りても搬送系が１個体で共通になっている
（第２図（ａ）　＃　（ｂ）　）なお、同図（ａ）　＃
　（ｂ）において１はカバー、２はウェハ、３は搬送系
であシ、同図（ｂ）は同図（、）の状態からクエハ２が
左方向に搬送された状態を示す。その為、ぺ一り板が一
枚の場合は、ベーク温度・時間が１種類に固定されてし
まい、耐熱性の高いレジストのベーク処理後、耐熱性の
低いレジストのベーク処理を行おうとすると、ベーク板
の温度を変えるのに時間がかかり、スループットが著し
く落ちる。一方、ベーク板が複数の場合でも、搬送系が
共通なので、ウェハは全てのベーク板上に一定の時間ず
つ留らねばならない。従って、上記耐熱性の異なるレジ
ストもしくは、ベーク温度・時間の異なった多層構造の
有＠膜のベーク処理を行う為には、温度が各々の設定値
になるまで待つか、温度毎にラインを設けるかしなけれ
ばならなく、やはり効率が悪い。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、耐熱性の異
なる有機Ｍあるいは２層以上の有機膜のベーク処理を行
う際、温度・時間の異なるベーク処理を連続的且つ迅速
になし得、ウェハ処理効率を向上し得る半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、写真蝕刻工程中、複数のウェハ上の耐熱性の
異なる有機膜、又は複数層の有機膜をベーク処理する半
導体装置の製造方法において、複数のベーク板を配置し
、各々の搬送系、温調。

ウェハ密着固定用減圧機構を独立に制御するぺ一り処理
工程を具備することを要旨とする。

（作用） 本発明においては、まずベーク板の温度をどれか（２枚
以上でもよい）使用する事によってベーク処理ができる
ように適当に設足し、各々のベーク時間をプログラムに
入力する。そして、（０秒含む）前の処理ウェハーが流
れたらプログラムを変更して次の処理ウェハーを流す。

このように１台のマージンにて連続且つ迅速に処理する
事によってウェハー処理効率の向上を図シ、異なりた耐
熱性を持つレジスト及び２層または３層の有機膜（、？
ｌＪえばＣＥＬとレジスト）で各々異なったぺ一り処理
を必要とする写真蝕刻工程に適用するものである。

（実施例） 以下、本発明の実施例を第２図を参照して説明する。な
お１図においてＶｉ３枚のベーク板Ｉ　Ｊ　ａ〜１１ａ
が配置され、各々には密閉可能なカバー１２ａ〜１２ｃ
がついておシ、中は常にＮ２パージ及び排気されている
。なお、図中の１３は搬送系、１４はウェルである。

（実施例１） まず、３枚のベーク板１１　ｍ　、　１　ｌ　ｂ　、　
ｌｌｃの温度を下記表に示す如く夫々１００℃、１００
Ｃ，１３０℃に設定した。また、プログラムＩにはベー
ク板１１＊、ｌｌｂは夫々６０　ｓｅｃ　、ぺ一り板ｌ
ｉｅは０８・Ｃと入力し、プログラム■にはベーク板１
１ａ〜ｌｉｅは全て６０　ｓ＠ｅ　ｔ−人力した。つづ
いて、ＯＡＰ処理後第ルジスト（商品名ＴＳＭＲ８８０
０；東京応化工業（！ｌ１Ｉ）　）　、第２レジスト（
商品名０ＦＰＲ８００ｃ　；東京応化工業（製））を塗
布したウェハ１４ｔ−％光、現像する。そして、プログ
ラム■で第２レジストを塗布したウェハ１４を、プログ
ラム■で第２レジストを塗布したウェハ１４をベーク処
理した。次いで、処理の終了したウェハ１４は次工程が
おいていれば速やかに次工程へ搬送し、耐熱性の異なっ
た２種類のレジストのポストベークを連続的に処理した
。

上記実施例１によれば、ベーク板１１ａ〜ｌｌｃの枚数
分の種類の温度が設定でき、プログラムを変よることに
よシそれぞれのベーク時間を変え、複数棟類のベータ処
理上連続的かつ迅速に行える。

従って、温度変更にかかる時間を省くことができる０例
えば、耐熱性の異なるレジストについては、実施例１に
示したように、レジストによりて温度・時間を変える必
要がめシ、その度ごとにベーク板の温度を設足し直すと
、第３図の昇温特性に示した様に時間がかなシかかシ、
（降温時には、よシ多くの時間を要する）マｙ・ン稼動
率がダウンする。

しかし実施例１ではあらかじめ温度の異なったペークポ
ジシ冒ンを用意しであるので、耐熱性の異なったレジス
トが連続的にきても効果的にベーク処理可能となシ、ウ
ェハー処理効率向上及び１台で複数種類をこなすとｈう
マシーン効率の向上が可能である。

（実施例２） まず、３枚のベーク板１１ａ〜ｌｌａの温度を夫々上記
表に示す如く夫々１００℃、１１０℃。

１１０℃に設定した。また、プログラム■にはベーク板
１１ａは２０　ｓｅｃ、ベーク板Ｊｌｂ、ｌｌａは夫々
３０　ｓｅｃと入力し、プログラム■にはぺ一り板ＪＪ
ａは４５　＠ｓＣ，ベーク板１１板上１ｂｓ＠ｃ。

ベーク板１１’ｃは５ｓ・Ｃと入力した。つづいて、Ｏ
ＡＰ処理後前記第２レジストを塗布したウェハをプログ
ラム■でベーク処理し、すぐＣＥＬ′ｔ−塗布し、プロ
グラム■でベーク処理を行なりた。その後、露光、現像
を行なった。ことで、次ポジシ璽ンにウェハがつまって
いる時はそのポジションのベーク板上翌で待機する。こ
のようにしてベーク温度・時間の異なりた多層有機膜の
ベーク処理を実行した。

上記実施例２によれば、　ＣＥＬ　、オーバーコート等
とレジストの組合わせによる多層プロセスにおいても同
様となシ、今後の複雑なレジストプロセスに対応可能な
マシートとなる効果を有する。なお、実施例２に示した
空中待機中のウェハーに対する温度影響はＮ２　／？−
ジ及び排気している為、１３０℃のベーク板５■上空で
の５　ｍｉｎ待機で、クエハーの温度４０℃となシ、影
響無しと言える。

なお、上記実施例１，２において上記ｉ４ターンのグロ
ファイルは通常のベーク条件時と差はなく良好でめった
。

［発明の効果コ 以上詳述した如く本発明によれば、耐熱性の異なる有機
膜あるいは複数層の有機膜のベーク処理の際、温度Φ時
間の異なるベーク処理を連続的かつ迅速になし得、ウェ
ハ処理効率を向上し得る半導体装置の製造方法を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るベーク処理工程の説明
図、第２図（ａ）　＃　（ｂ）は夫々従来法に係るベー
ク処理工程の説明図、第３図は本弛明法に係るベーク板
の昇温特性図である。 １１１〜ｌｌａ・・・ベーク板、１２ｈ〜１２ｃ・・・
ウェハ、　１３−・・搬送系。 出劇人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 第３図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）写真蝕刻工程中、複数のウェハ上の耐熱性の異な
   る有機膜、又は複数層の有機膜をベーク処理する半導体
   装置の製造方法において、複数のベーク板を配置し、各
   々の搬送系、温調、ウェハ密着固定用減圧機構を独立に
   制御するベーク処理工程を具備することを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
2. （２）前記ベーク処理工程が、不要なベーク板上空を通
   過させるパス機能、及びベーク板上空でウェハを待機さ
   せる空中保持機能を持つことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の半導体装置の製造方法。