JP3337677B2 - フォトリソグラフィ工程のための半導体製造装置 - Google Patents
フォトリソグラフィ工程のための半導体製造装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトリソグラフィ
工程のための半導体製造装置に関するものであり、より
具体的には半導体製造工程のうちで塗布工程と現像工程
を有する半導体製造装置に関するものである。
工程のための半導体製造装置に関するものであり、より
具体的には半導体製造工程のうちで塗布工程と現像工程
を有する半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程は多様な方法が適用され
る工程を使用して半導体基板、ガラス基板或いは液晶パ
ネル等のような基板上に必要な電子回路を形成する。半
導体製造におけるフォトリソグラフィ工程は大別して、
感光液塗布工程、露光工程、現像工程から成る。感光液
塗布工程は光に敏感な物質である感光液（フォトレジス
ト）を基板表面に均一に塗布させる工程である。露光工
程はステッパを使用してマスクに描かれた回路パターン
に光を通過させフォトレジスト膜が形成された基板上に
回路パターンを露光する工程である。現像工程は露光工
程を通じて基板の表面で光を受けた部分のフォトレジス
ト膜を現像させる工程である。
る工程を使用して半導体基板、ガラス基板或いは液晶パ
ネル等のような基板上に必要な電子回路を形成する。半
導体製造におけるフォトリソグラフィ工程は大別して、
感光液塗布工程、露光工程、現像工程から成る。感光液
塗布工程は光に敏感な物質である感光液（フォトレジス
ト）を基板表面に均一に塗布させる工程である。露光工
程はステッパを使用してマスクに描かれた回路パターン
に光を通過させフォトレジスト膜が形成された基板上に
回路パターンを露光する工程である。現像工程は露光工
程を通じて基板の表面で光を受けた部分のフォトレジス
ト膜を現像させる工程である。
【０００３】図１は従来の半導体製造のためのフォトリ
ソグラフィ装置の一例を説明するためのブロックダイア
グラムであり、図２は従来の半導体製造のためのフォト
リソグラフィ装置の他例を説明するためのブロックダイ
アグラムである。
ソグラフィ装置の一例を説明するためのブロックダイア
グラムであり、図２は従来の半導体製造のためのフォト
リソグラフィ装置の他例を説明するためのブロックダイ
アグラムである。
【０００４】図１を参照すると、従来の半導体製造のた
めのフォトリソグラフィ装置（２００）は一般的に基板
がローディングされアンローディングされるポート（２
１０）と、基板に感光液を塗布するためのスピン塗布機
（ＳＣＷ）（２２０）、基板の現像工程のためのスピン
現像機（ＳＤＷ）（２３０）、基板を加熱するためのベ
ークユニット（ＢＡＫＥ）（２４０）、そして基板の円
周部位に残る不必要な感光液を除去させるためのユニッ
トＷＥＥＷ（２５０）等の各ユニットが工程の流れに合
わせて横列に配置されている。そして、このようなユニ
ットは中心の通路（２６０）の両側に分けられて配置さ
れる。通路（２６０）には基板の移送のためのキャリア
としての一つのロボット（２７０）が使用され、このロ
ボット（２７０）は基板をポート（２１０）、インタフ
ェース部（２８０）或いは各工程ユニットに基板を移送
する。インタフェース部（２８０）は露光システム（２
９０）と基板の出入を行うポートである。
めのフォトリソグラフィ装置（２００）は一般的に基板
がローディングされアンローディングされるポート（２
１０）と、基板に感光液を塗布するためのスピン塗布機
（ＳＣＷ）（２２０）、基板の現像工程のためのスピン
現像機（ＳＤＷ）（２３０）、基板を加熱するためのベ
ークユニット（ＢＡＫＥ）（２４０）、そして基板の円
周部位に残る不必要な感光液を除去させるためのユニッ
トＷＥＥＷ（２５０）等の各ユニットが工程の流れに合
わせて横列に配置されている。そして、このようなユニ
ットは中心の通路（２６０）の両側に分けられて配置さ
れる。通路（２６０）には基板の移送のためのキャリア
としての一つのロボット（２７０）が使用され、このロ
ボット（２７０）は基板をポート（２１０）、インタフ
ェース部（２８０）或いは各工程ユニットに基板を移送
する。インタフェース部（２８０）は露光システム（２
９０）と基板の出入を行うポートである。
【０００５】図２を参照すると、従来の他例による半導
体製造のためのフォトリソグラフィ装置（３００）は図
１で示された装置（２００）と同様に、ポート（３１
０）、塗布機（ＳＣＷ）（３２０）、現像機（ＳＤＷ）
（３３０）、ベークユニット（ＢＡＫＥ）（３４０）そ
してＷＥＥＷ（３５０）等の各工程ユニットが工程の流
れに合わせて横列に配置されている。そして、このよう
な工程ユニットは中心通路（３７０，３８０）の両側に
分けられて配置される。この時、この装置（３００）は
前述した装置（２００）より稼動率を増大させるために
基板を移送させるためのキャリアに２個のロボット（３
６０，３９０）を使用している。そして、塗布工程のた
めのユニットと現像工程のためのユニットは横列に分け
て配置して各々の工程に一つのロボットを配置し、その
間には第１インタフェース部（４００）を設ける。この
装置（３００）で塗布工程領域にある第１ロボット（３
６０）は基板をポート（３１０）、第１インタフェース
部（４００）及び塗布工程領域の各工程ユニットへ移送
し、現像工程領域にある第２ロボット（３９０）は基板
を第１インタフェース部（４００）、第２インタフェー
ス部（４１０）及び現像工程の各工程ユニットへ移送す
る。第２インタフェース部（４１０）は露光システム
（４９０）と基板の入出力を行うポートである。
体製造のためのフォトリソグラフィ装置（３００）は図
１で示された装置（２００）と同様に、ポート（３１
０）、塗布機（ＳＣＷ）（３２０）、現像機（ＳＤＷ）
（３３０）、ベークユニット（ＢＡＫＥ）（３４０）そ
してＷＥＥＷ（３５０）等の各工程ユニットが工程の流
れに合わせて横列に配置されている。そして、このよう
な工程ユニットは中心通路（３７０，３８０）の両側に
分けられて配置される。この時、この装置（３００）は
前述した装置（２００）より稼動率を増大させるために
基板を移送させるためのキャリアに２個のロボット（３
６０，３９０）を使用している。そして、塗布工程のた
めのユニットと現像工程のためのユニットは横列に分け
て配置して各々の工程に一つのロボットを配置し、その
間には第１インタフェース部（４００）を設ける。この
装置（３００）で塗布工程領域にある第１ロボット（３
６０）は基板をポート（３１０）、第１インタフェース
部（４００）及び塗布工程領域の各工程ユニットへ移送
し、現像工程領域にある第２ロボット（３９０）は基板
を第１インタフェース部（４００）、第２インタフェー
ス部（４１０）及び現像工程の各工程ユニットへ移送す
る。第２インタフェース部（４１０）は露光システム
（４９０）と基板の入出力を行うポートである。
【０００６】一方、米国特許Ｎｏ．５，３９９，５３１
では前述した半導体製造のためのフォトリソグラフィ装
置と関連して参照することができる装置を構成する基本
的な多様な技術的事項を提示している。
では前述した半導体製造のためのフォトリソグラフィ装
置と関連して参照することができる装置を構成する基本
的な多様な技術的事項を提示している。
【０００７】しかし、このような構成は設備の稼動率を
増大させる限界を有している。何故なら、このような従
来の半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置（２０
０，３００）では、塗布工程が完了された基板を露光シ
ステムへ移送し、露光システムで露光工程が実行された
基板を現像工程で完了して外部に移送させることができ
るように構成され、フォトリソグラフィ工程が進行され
る順序に従って順次に基板を移送させることができるよ
うに構成されている。従って、従来のフォトリソグラフ
ィ装置では、いずれか一つ工程ユニットの工程が遅滞す
る場合、他の工程ユニットの工程も遅滞する場合が発生
するになって稼動率が下がる。特に、このような装置で
特定な工程（一例として、現像工程のみを進行しようと
する場合）のみを進行しようとする場合には、他の工程
ユニットが配置された経路を通じて移送されなければな
らないため稼動率が下がる。一方、稼動率を増加させる
ために図１の装置（２００）や図２の装置（３００）へ
各ユニットを更に追加する場合には設備の面積が増加さ
れる問題点が発生され、このような場合にも全体の稼動
率が増加されることはなくて、工程を処理するユニット
の増加に伴う稼動率が上昇されるのみである。
増大させる限界を有している。何故なら、このような従
来の半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置（２０
０，３００）では、塗布工程が完了された基板を露光シ
ステムへ移送し、露光システムで露光工程が実行された
基板を現像工程で完了して外部に移送させることができ
るように構成され、フォトリソグラフィ工程が進行され
る順序に従って順次に基板を移送させることができるよ
うに構成されている。従って、従来のフォトリソグラフ
ィ装置では、いずれか一つ工程ユニットの工程が遅滞す
る場合、他の工程ユニットの工程も遅滞する場合が発生
するになって稼動率が下がる。特に、このような装置で
特定な工程（一例として、現像工程のみを進行しようと
する場合）のみを進行しようとする場合には、他の工程
ユニットが配置された経路を通じて移送されなければな
らないため稼動率が下がる。一方、稼動率を増加させる
ために図１の装置（２００）や図２の装置（３００）へ
各ユニットを更に追加する場合には設備の面積が増加さ
れる問題点が発生され、このような場合にも全体の稼動
率が増加されることはなくて、工程を処理するユニット
の増加に伴う稼動率が上昇されるのみである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来の問題点を解決するためのもので、その目的は設備の
稼動率を極大化させることができる新しい形態のフォト
リソグラフィ工程のための半導体製造装置を提供するも
のである。かつ、本発明の他の目的は従来の半導体製造
のためのフォトリソグラフィ装置より比較的小さい面積
に設置することができ、新規工程の導入時にも容易に適
用させることができる新しい形態のフォトリソグラフィ
工程のための半導体製造装置を提供するものである。
来の問題点を解決するためのもので、その目的は設備の
稼動率を極大化させることができる新しい形態のフォト
リソグラフィ工程のための半導体製造装置を提供するも
のである。かつ、本発明の他の目的は従来の半導体製造
のためのフォトリソグラフィ装置より比較的小さい面積
に設置することができ、新規工程の導入時にも容易に適
用させることができる新しい形態のフォトリソグラフィ
工程のための半導体製造装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ための本発明の特徴によると、本発明は塗布工程と現像
工程を有するフォトリソグラフィ工程のための半導体製
造装置を提供する。この装置はローディング／アンロー
ディングポート、インターフェースポート、塗布手段そ
して現像手段を含む。ローディング／アンローディング
ポートとインターフェースポートは基板が出入する出入
口であり、インターフェースポートはローディング／ア
ンローディングポートから一定距離に配置される。塗布
手段はローディング／アンローディングポートとインタ
ーフェースポートの間を連結するように配置され、ロー
ディング／アンローディングポートとインターフェース
ポートの間で基板を移送させて塗布工程を実行する。現
像手段は塗布手段と積層されるように位置されると共に
ローディング／アンローディングポートとインターフェ
ースポートの間を連結するように配置され、ローディン
グ／アンローディングポートとインターフェースポート
の間で基板を移送させて現像工程を実行する。
ための本発明の特徴によると、本発明は塗布工程と現像
工程を有するフォトリソグラフィ工程のための半導体製
造装置を提供する。この装置はローディング／アンロー
ディングポート、インターフェースポート、塗布手段そ
して現像手段を含む。ローディング／アンローディング
ポートとインターフェースポートは基板が出入する出入
口であり、インターフェースポートはローディング／ア
ンローディングポートから一定距離に配置される。塗布
手段はローディング／アンローディングポートとインタ
ーフェースポートの間を連結するように配置され、ロー
ディング／アンローディングポートとインターフェース
ポートの間で基板を移送させて塗布工程を実行する。現
像手段は塗布手段と積層されるように位置されると共に
ローディング／アンローディングポートとインターフェ
ースポートの間を連結するように配置され、ローディン
グ／アンローディングポートとインターフェースポート
の間で基板を移送させて現像工程を実行する。
【００１０】本発明に係るフォトリソグラフィ工程のた
めの半導体製造装置の好ましい実施態様において、塗布
手段はローディング／アンローディングポートとインタ
ーフェースポートの間を連結して配置される第１通路
と、第１通路に沿って配置される塗布モジュール及び、
第１通路を通じてローディング／アンローディングポー
トとインターフェースポートの間を移動して基板をロー
ディング／アンローディングポート、インターフェース
ポート及び塗布モジュールに移送させるための第１ロボ
ットを含み、現像手段はローディング／アンローディン
グポートとインターフェースポートの間を連結して配置
される第２通路と、第２通路に沿って配置される現像モ
ジュール及び、第２通路を通じてローディング／アンロ
ーディングポートとインターフェースポートの間を移動
して基板をローディング／アンローディングポート、イ
ンターフェースポート及び現像モジュールに移送させる
ための第２ロボットを含むことができる。塗布モジュー
ルは第１通路の一側に配置される塗布機及び、塗布機と
反対側となる第１通路の他側に配置されるベークユニッ
トを含み、現像モジュールは第２通路の一側に配置され
る現像機及び、現像機と反対側となる第２通路の他側に
配置されるベークユニットを含むことができる。又、ベ
ークユニットは基板を加熱するための少なくとも一つの
加熱プレート及び、加熱プレートで加熱された基板を冷
却させるための少なくとも一つの冷却プレートを含むこ
とができる。
めの半導体製造装置の好ましい実施態様において、塗布
手段はローディング／アンローディングポートとインタ
ーフェースポートの間を連結して配置される第１通路
と、第１通路に沿って配置される塗布モジュール及び、
第１通路を通じてローディング／アンローディングポー
トとインターフェースポートの間を移動して基板をロー
ディング／アンローディングポート、インターフェース
ポート及び塗布モジュールに移送させるための第１ロボ
ットを含み、現像手段はローディング／アンローディン
グポートとインターフェースポートの間を連結して配置
される第２通路と、第２通路に沿って配置される現像モ
ジュール及び、第２通路を通じてローディング／アンロ
ーディングポートとインターフェースポートの間を移動
して基板をローディング／アンローディングポート、イ
ンターフェースポート及び現像モジュールに移送させる
ための第２ロボットを含むことができる。塗布モジュー
ルは第１通路の一側に配置される塗布機及び、塗布機と
反対側となる第１通路の他側に配置されるベークユニッ
トを含み、現像モジュールは第２通路の一側に配置され
る現像機及び、現像機と反対側となる第２通路の他側に
配置されるベークユニットを含むことができる。又、ベ
ークユニットは基板を加熱するための少なくとも一つの
加熱プレート及び、加熱プレートで加熱された基板を冷
却させるための少なくとも一つの冷却プレートを含むこ
とができる。
【００１１】本発明の好ましい実施態様では、インター
フェースポートが露光システムと連結されて設けられ
る。
フェースポートが露光システムと連結されて設けられ
る。
【００１２】また、本発明の好ましい実施態様では、塗
布手段と現像手段は中間壁によって相互隔離されること
ができる。更に、塗布手段と現像手段で発生されるパー
チクルを除去するための除去手段を中間壁に設けられ
る。
布手段と現像手段は中間壁によって相互隔離されること
ができる。更に、塗布手段と現像手段で発生されるパー
チクルを除去するための除去手段を中間壁に設けられ
る。
【００１３】本発明の装置によると、塗布工程と現像工
程が完全に分離されて進行されるので工程の遅滞が殆ど
発生されない。特に、基板の移送時に発生される遅滞を
効果的に除去することができる、かつ、塗布工程と現像
工程とが分離されて進行されるので、各ユニットの活用
を最大に高めることができる。従って、設備の稼動率を
安定的に維持することができる。かつ、従来の装置に比
べて相対的に狭い面積に設けることができ、新規工程或
いは追加工程が必要な時にも容易に適用させることがで
きる。
程が完全に分離されて進行されるので工程の遅滞が殆ど
発生されない。特に、基板の移送時に発生される遅滞を
効果的に除去することができる、かつ、塗布工程と現像
工程とが分離されて進行されるので、各ユニットの活用
を最大に高めることができる。従って、設備の稼動率を
安定的に維持することができる。かつ、従来の装置に比
べて相対的に狭い面積に設けることができ、新規工程或
いは追加工程が必要な時にも容易に適用させることがで
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図３乃至図６を参照して、
本発明の好適な実施形態を説明する。又、図面で同一な
機能を実行する構成要素に対しては同一な参照番号を付
与する。
本発明の好適な実施形態を説明する。又、図面で同一な
機能を実行する構成要素に対しては同一な参照番号を付
与する。
【００１５】図３は本発明の好ましい実施態様に基づく
フォトリソグラフィ工程のための半導体製造装置の概略
的な透視図であり、図４は図３の装置での上層の平面図
であり、図５は図３の装置での下層の平面図である。
フォトリソグラフィ工程のための半導体製造装置の概略
的な透視図であり、図４は図３の装置での上層の平面図
であり、図５は図３の装置での下層の平面図である。
【００１６】図３乃至図５を参照すると、本発明のフォ
トリソグラフィ工程のための半導体製造装置（１０）は
塗布工程を実行するユニットを塗布モジュール（４０）
にて構成し、現像工程を実行するユニットを現像モジュ
ール（７０）にて構成して各々異なる層に配置されるよ
うにする。特に、本実施態様では塗布モジュール（４
０）を上層に配置し、現像モジュール（７０）を下層に
配置した。勿論、このような配置は塗布モジュール（４
０）を下層に配置し現像モジュール（７０）を上層に配
置することもでき、二層だけでなく多層の構造に構成す
ることもできる。そして、各モジュール（４０、７０）
には塗布工程と現像工程を別々に行うことができるよう
に基板の移送のための通路とキャリアを別々に構成す
る。即ち、塗布モジュール（４０）を通じて基板を移送
させるための第１通路（６０）が塗布モジュール（４
０）に応じて配置され、現像モジュール（７０）を通じ
て基板を移送させるための第２通路（８０）が現像モジ
ュール（７０）に応じて配置される、第１通路（６０）
に対した塗布モジュール（４０）の配置と第２通路（８
０）に対した現像モジュール（７０）の配置は多様な方
法に構成することができる。本実施態様では、塗布モジ
ュール（４０）は第１通路（６０）の両側に配置され、
現像モジュール（７０）は第２通路（８０）の両側に配
置される。塗布モジュール（４０）が設けられる上層と
現像モジュール（７０）が設けられる下層は中間壁（１
００）によって相互隔離されるようにした。中間壁（１
００）は一般的な層間壁であり、上層或いは下層で発生
される残留感光物質や残量現像物質のような不純物パー
チクルを処理するためのフィルタのような除去手段が設
けられる。中間壁（１００）に除去手段を設ける技術は
当業者に周知のように容易に実施することができるので
詳細な説明は省略する。第１通路（６０）には第１通路
（６０）を移動しながら基板を移送させるためのキャリ
アである第１ロボット（６２）が配置され、第２通路
（８０）には第２通路（８０）を移動しながら基板を移
送させるためのキャリアである第２ロボット（８２）が
配置される。このような構成を通じて本発明の好ましい
実施態様による装置（１０）では、基板がローディング
／アンローディングされるポート（２０）と、露光シス
テム（１５０）と基板を出し入れするインタフェース部
（３０）との間で基板を自由に移送させることができ
る。
トリソグラフィ工程のための半導体製造装置（１０）は
塗布工程を実行するユニットを塗布モジュール（４０）
にて構成し、現像工程を実行するユニットを現像モジュ
ール（７０）にて構成して各々異なる層に配置されるよ
うにする。特に、本実施態様では塗布モジュール（４
０）を上層に配置し、現像モジュール（７０）を下層に
配置した。勿論、このような配置は塗布モジュール（４
０）を下層に配置し現像モジュール（７０）を上層に配
置することもでき、二層だけでなく多層の構造に構成す
ることもできる。そして、各モジュール（４０、７０）
には塗布工程と現像工程を別々に行うことができるよう
に基板の移送のための通路とキャリアを別々に構成す
る。即ち、塗布モジュール（４０）を通じて基板を移送
させるための第１通路（６０）が塗布モジュール（４
０）に応じて配置され、現像モジュール（７０）を通じ
て基板を移送させるための第２通路（８０）が現像モジ
ュール（７０）に応じて配置される、第１通路（６０）
に対した塗布モジュール（４０）の配置と第２通路（８
０）に対した現像モジュール（７０）の配置は多様な方
法に構成することができる。本実施態様では、塗布モジ
ュール（４０）は第１通路（６０）の両側に配置され、
現像モジュール（７０）は第２通路（８０）の両側に配
置される。塗布モジュール（４０）が設けられる上層と
現像モジュール（７０）が設けられる下層は中間壁（１
００）によって相互隔離されるようにした。中間壁（１
００）は一般的な層間壁であり、上層或いは下層で発生
される残留感光物質や残量現像物質のような不純物パー
チクルを処理するためのフィルタのような除去手段が設
けられる。中間壁（１００）に除去手段を設ける技術は
当業者に周知のように容易に実施することができるので
詳細な説明は省略する。第１通路（６０）には第１通路
（６０）を移動しながら基板を移送させるためのキャリ
アである第１ロボット（６２）が配置され、第２通路
（８０）には第２通路（８０）を移動しながら基板を移
送させるためのキャリアである第２ロボット（８２）が
配置される。このような構成を通じて本発明の好ましい
実施態様による装置（１０）では、基板がローディング
／アンローディングされるポート（２０）と、露光シス
テム（１５０）と基板を出し入れするインタフェース部
（３０）との間で基板を自由に移送させることができ
る。
【００１７】再び、図３乃至図５を参照すると、本発明
の好ましい実施態様に基づく装置（１０）では、基板が
出入される２個のポートを有する。これら２つのポート
の内の一つはフォトリソグラフィ工程を進行するための
基板がローディング／アンローディングされるポート
（２０）である。そして、他の１つのポートは、ポート
（２０）から一定な距離に配置され基板が出入されるポ
ートであるインタフェース部（３０）である。ポート
（２０）にはポート駆動部（２２）が設けられ、インタ
フェース部（３０）にはインタフェース駆動部（３２）
が各々設けられ基板が円滑に移送されるようにする。こ
の時、ポート駆動部（２２）とインタフェース駆動部
（３２）は上層と下層のロボットと同時に対応されるよ
うに構成することができ、上層と下層のロボットが各々
対応されるように別に構成することもできる。本実施態
様でポート（２０）とインタフェース部（３０）は各々
一つの駆動部（２２，３２）へ上層と下層の基板を移送
することができるように構成した。勿論、このような駆
動部の構成は当業者ならば多様な形態に構成することが
できる。
の好ましい実施態様に基づく装置（１０）では、基板が
出入される２個のポートを有する。これら２つのポート
の内の一つはフォトリソグラフィ工程を進行するための
基板がローディング／アンローディングされるポート
（２０）である。そして、他の１つのポートは、ポート
（２０）から一定な距離に配置され基板が出入されるポ
ートであるインタフェース部（３０）である。ポート
（２０）にはポート駆動部（２２）が設けられ、インタ
フェース部（３０）にはインタフェース駆動部（３２）
が各々設けられ基板が円滑に移送されるようにする。こ
の時、ポート駆動部（２２）とインタフェース駆動部
（３２）は上層と下層のロボットと同時に対応されるよ
うに構成することができ、上層と下層のロボットが各々
対応されるように別に構成することもできる。本実施態
様でポート（２０）とインタフェース部（３０）は各々
一つの駆動部（２２，３２）へ上層と下層の基板を移送
することができるように構成した。勿論、このような駆
動部の構成は当業者ならば多様な形態に構成することが
できる。
【００１８】このような本発明の装置（１０）にあって
は、塗布モジュール（４０）、第１通路（６０）及び第
１ロボット（６２）がポート（２０）とインタフェース
部（３０）の間を連結されるように配置されて設けら
れ、ポート（２０）とインタフェース部（３０）の間で
基板を移送させて塗布工程を実行するための塗布手段を
構成する。そして、現像モジュール（７０）、第２通路
（８０）及び第２ロボット（８２）は塗布手段を積層さ
れるように位置されると共に、ポート（２０）とインタ
フェース部（３０）の間を連結するように配置されて設
けられ、ポート（２０）とインタフェース部（３０）の
間で基板を移送させて現像工程を実行するための現像手
段を構成する。
は、塗布モジュール（４０）、第１通路（６０）及び第
１ロボット（６２）がポート（２０）とインタフェース
部（３０）の間を連結されるように配置されて設けら
れ、ポート（２０）とインタフェース部（３０）の間で
基板を移送させて塗布工程を実行するための塗布手段を
構成する。そして、現像モジュール（７０）、第２通路
（８０）及び第２ロボット（８２）は塗布手段を積層さ
れるように位置されると共に、ポート（２０）とインタ
フェース部（３０）の間を連結するように配置されて設
けられ、ポート（２０）とインタフェース部（３０）の
間で基板を移送させて現像工程を実行するための現像手
段を構成する。
【００１９】本発明の装置では、塗布工程と現像工程と
が別に処理される。従って、現像工程のみを進行しよう
とする場合にも従来のように必ず塗布工程が実行される
領域を通じて現像工程の領域に移送されるという問題点
を解決することができるので、工程の効率性を極大化さ
せることができる。
が別に処理される。従って、現像工程のみを進行しよう
とする場合にも従来のように必ず塗布工程が実行される
領域を通じて現像工程の領域に移送されるという問題点
を解決することができるので、工程の効率性を極大化さ
せることができる。
【００２０】図６は図３の半導体製造装置に使用される
ベークユニットの一例を概略的に示す斜視図である。
ベークユニットの一例を概略的に示す斜視図である。
【００２１】図４乃至図６を参照すると、本発明の好ま
しい実施態様に基づく装置（１０）は上述したような構
成を有すると同時に、図４及び図５で示されたように、
塗布モジュール（４０）を構成するユニットが第１通路
（６０）の両側に設けられ、現像モジュール（７０）を
構成するユニットが第２通路（８０）の両側に設けられ
るようにする。即ち、図４で示されたように、塗布モジ
ュール（４０）は第１通路（６０）の一側にベークユニ
ット（５０）を配置し、その反対側（即ち、第１通路
（６０）の他側）に塗布機（４２）を配置する。そし
て、図５で示されたように、現像モジュール（７０）は
第２通路（８０）の一側にベークユニット（５０）を配
置し、その反対側（即ち、第２通路（８０）の他側）に
現像機（７２）を配置する。また、塗布モジュール（４
０）と現像モジュール（７０）を構成するユニットは基
板の大きさに適合に調節されることができる。例えば、
ウェーハの場合６インチ、８インチ、１２インチ、１５
インチそして１６インチ等の多様な直径が適用され、そ
の大きさはだんだん増大されている趨勢である。従っ
て、塗布モジュール（４０）と現像モジュール（７０）
は工程に直接適用される基板を参照して構成すべきもの
である。
しい実施態様に基づく装置（１０）は上述したような構
成を有すると同時に、図４及び図５で示されたように、
塗布モジュール（４０）を構成するユニットが第１通路
（６０）の両側に設けられ、現像モジュール（７０）を
構成するユニットが第２通路（８０）の両側に設けられ
るようにする。即ち、図４で示されたように、塗布モジ
ュール（４０）は第１通路（６０）の一側にベークユニ
ット（５０）を配置し、その反対側（即ち、第１通路
（６０）の他側）に塗布機（４２）を配置する。そし
て、図５で示されたように、現像モジュール（７０）は
第２通路（８０）の一側にベークユニット（５０）を配
置し、その反対側（即ち、第２通路（８０）の他側）に
現像機（７２）を配置する。また、塗布モジュール（４
０）と現像モジュール（７０）を構成するユニットは基
板の大きさに適合に調節されることができる。例えば、
ウェーハの場合６インチ、８インチ、１２インチ、１５
インチそして１６インチ等の多様な直径が適用され、そ
の大きさはだんだん増大されている趨勢である。従っ
て、塗布モジュール（４０）と現像モジュール（７０）
は工程に直接適用される基板を参照して構成すべきもの
である。
【００２２】このような構成により、本発明のフォトリ
ソグラフィ工程のための半導体製造装置（１０）にあっ
ては、設置面積を減らすことができる上、新規工程のた
めのユニットを設ける時でも他のユニットを変更しなく
ても容易に適用することができるものである。一方、ベ
ークユニット（５０）は基板を加熱するための加熱プレ
ート（Ｈ／Ｐ）（５２）と加熱プレート（５２）で加熱
された基板を一定な温度に冷却させるための冷却プレー
ト（Ｃ／Ｐ）（５４）を多数個具備する。そして、加熱
プレート（５２）と冷却プレート（５４）は、図６で示
されたように、一対ずつ積層されるように構成する。例
えば、加熱プレート（５２）と冷却プレート（５４）を
２行２段乃至２行５段の形態に構成することができる。
ソグラフィ工程のための半導体製造装置（１０）にあっ
ては、設置面積を減らすことができる上、新規工程のた
めのユニットを設ける時でも他のユニットを変更しなく
ても容易に適用することができるものである。一方、ベ
ークユニット（５０）は基板を加熱するための加熱プレ
ート（Ｈ／Ｐ）（５２）と加熱プレート（５２）で加熱
された基板を一定な温度に冷却させるための冷却プレー
ト（Ｃ／Ｐ）（５４）を多数個具備する。そして、加熱
プレート（５２）と冷却プレート（５４）は、図６で示
されたように、一対ずつ積層されるように構成する。例
えば、加熱プレート（５２）と冷却プレート（５４）を
２行２段乃至２行５段の形態に構成することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明にあって
は、塗布工程と現像工程が完全に分離されて進行される
ので工程の遅滞が殆ど発生されない。特に、基板の移送
時に発生される遅滞を効果的に除去することができる。
かつ、塗布工程と現像工程とが分離されて進行されるの
で、各ユニットの活用を最大な高めることができる。従
って、設備の稼動を安定的に維持することができる。か
つ、従来の装置に比べて相対的に狭い面積に設けること
ができ、新規工程或いは追加工程が発生される時でも容
易に適用させることができる。
は、塗布工程と現像工程が完全に分離されて進行される
ので工程の遅滞が殆ど発生されない。特に、基板の移送
時に発生される遅滞を効果的に除去することができる。
かつ、塗布工程と現像工程とが分離されて進行されるの
で、各ユニットの活用を最大な高めることができる。従
って、設備の稼動を安定的に維持することができる。か
つ、従来の装置に比べて相対的に狭い面積に設けること
ができ、新規工程或いは追加工程が発生される時でも容
易に適用させることができる。
【図１】従来の半導体製造のためのフォトリソグラフィ
装置の一例を説明するためのブロックダイアグラムであ
る。
装置の一例を説明するためのブロックダイアグラムであ
る。
【図２】従来の半導体製造のためのフォトリソグラフィ
装置の他例を説明するためのブロックダイアグラムであ
る。
装置の他例を説明するためのブロックダイアグラムであ
る。
【図３】本発明の好ましい実施態様に基づくフォトリソ
グラフィ工程のための半導体製造装置の概略的な透視図
である。
グラフィ工程のための半導体製造装置の概略的な透視図
である。
【図４】図３の装置における上層の平面図である。
【図５】図３の装置における下層の平面図である。
【図６】本発明の装置に適用されるベークユニットの一
例を概略的に示す斜視図である。
例を概略的に示す斜視図である。
１０：フォトリソグラフィ装置 ２０：ポート ３０：インタフェース部 ４０：塗布モジュール ４２：塗布機 ５０：ベークユニット ６０：第１通路 ６２；第１ロボット ７０：現像モジュール ７２：現像機 ８０：第２通路 ８２；第２ロボット １５０：露光システム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チョ キスン 大韓民国 チュンチョンナムド チョン アンシ ウッスンドン 623−５ (56)参考文献 特開 平11−191524（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−186358（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−179317（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−260883（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 フォトリソグラフィ工程のための半導体
製造装置において、前記半導体製造装置の内に又はそこ
から基板をローディング又はアンローディングするため
のローディング／アンローディングポートと、 前記基板に塗布工程を遂行するための塗布モジュール
と、 前記塗布工程で処理された基板に露光工程を遂行するた
めの露光システムと、 前記露光工程で処理された基板に現像工程を遂行するた
めの現像モジュールと、前記塗布モジュールから前記露
光システムへ、又は前記露光システムから前記現像モジ
ュールへ基板移送するためのインターフェースポート
と、 前記ローディング／アンローディングポートと前記イン
ターフェースポートを連結する第１通路と、 第１通路とは異なる層に設けられ、前記ローディング／
アンローディングポートと前記インターフェースポート
を連結する第２通路とを具備し、 しかるに、前記塗布モジュールは第１通路に沿って配置
され、前記現像モジュールは第２通路に沿って配置さ
れ、基板が、前記ローディング／アンローディングポー
トから第１通路を介して前記塗布モジュールへ送られ、
次いで前記インターフェースポートと連結された前記露
光システムへ送られ、次いで第２通路を介して前記現像
モジュールへ送られ、最終的に前記ローディング／アン
ローディングポートに戻る移送経路を構成してなること
を特徴とするフォトリソグラフィ工程のための半導体製
造装置。 - 【請求項２】 上記第１通路は、上記塗布モジュールで
の塗布工程を遂行するため基板を搬送する第１ロボット
を備え、上記第２通路は、現像モジュールでの現像工程
を遂行するため基板を搬送する第２ロボットを備え、上
記ローディング／アンローディングポートでの基板のロ
ーディング／アンローディングが第１通路と、第２通路
で独立して行えることを特徴とする請求項１に記載のフ
ォトリソグラフィ工程のための半導体製造装置。 - 【請求項３】 上記塗布モジュールと上記現像モジュー
ルは、中間壁によって相互隔離されることを特徴とする
請求項１に記載のフォトリソグラフィ工程のための半導
体製造装置。 - 【請求項４】 上記塗布モジュールは、上記第１通路の
一側に配置される塗布機および前記塗布機と対向する第
１通路の他側に配置されるベークユニットを含み、上記
現像モジュールは、上記第２通路の一側に配置される現
像機および前記現像機と対向する第２通路の他側に配置
されるベークユニットを含むことを特徴とする請求項１
に記載のフォトリソグラフィ工程のための半導体製造装
置。 - 【請求項５】 上記中間壁に設けられ、上記塗布モジュ
ールと上記現像モジュールで発生するパーチクルを除去
するための除去手段を含むことを特徴とする請求項３に
記載のフォトリソグラフィ工程のための半導体製造装
置。 - 【請求項６】 上記ベークユニットは基板を加熱するた
めの少なくとも一つの加熱プレート及び、前記加熱プレ
ートで加熱された基板を冷却させるための少なくとも一
つの冷却プレートを含むことを特徴とする請求項４に記
載のフォトリソグラフィ工程のための半導体製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990055236A KR100348938B1 (ko) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치 |
| KR1999-55236 | 1999-12-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176792A JP2001176792A (ja) | 2001-06-29 |
| JP3337677B2 true JP3337677B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=19623804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000245090A Ceased JP3337677B2 (ja) | 1999-12-06 | 2000-08-11 | フォトリソグラフィ工程のための半導体製造装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6454472B1 (ja) |
| JP (1) | JP3337677B2 (ja) |
| KR (1) | KR100348938B1 (ja) |
| TW (1) | TW459287B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006229184A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びその方法 |
| EP1701215A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing system |
| JP2006310732A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006310733A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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| US7267497B2 (en) | 2005-01-21 | 2007-09-11 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing system and coating and developing method |
| US7287920B2 (en) | 2005-02-17 | 2007-10-30 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
| US7403260B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-07-22 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing system |
| US7661894B2 (en) | 2005-10-19 | 2010-02-16 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus, and coating and developing method |
| US8408158B2 (en) | 2005-03-11 | 2013-04-02 | Tokyo Electron Limited | Coating/developing device and method |
| US8496761B2 (en) | 2004-11-10 | 2013-07-30 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8540824B2 (en) | 2005-09-25 | 2013-09-24 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing method |
| US8585830B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-11-19 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US10181417B2 (en) | 2014-03-31 | 2019-01-15 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate transporting method |
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|---|---|---|---|---|
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| EP1384067B1 (en) * | 2001-05-02 | 2007-07-18 | Applera Corporation | Concentration and purification of analytes using electric fields |
| JP4408606B2 (ja) * | 2002-06-11 | 2010-02-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| CN100465788C (zh) * | 2003-10-27 | 2009-03-04 | 三星电子株式会社 | 光刻装置 |
| JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
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| JP4459831B2 (ja) | 2005-02-01 | 2010-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
| JP4414909B2 (ja) | 2005-02-14 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
| JP4535499B2 (ja) | 2005-04-19 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
| KR100966434B1 (ko) | 2005-06-20 | 2010-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 카세트 적재장비 |
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| KR100809966B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 제조장치 및 이에 대한 수평 감지 방법 |
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