JP2002313699A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを低下させることなく、かつ装
置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さく
することができる、複数の処理ユニットを備えた処理装
置を提供すること。 【解決手段】 処理装置100は、基板Gが略水平に搬送さ
れ液処理が行われる第１の液処理ユニット21と、基板G
が略水平に搬送され液処理が行われる第２の液処理ユニ
ット23と、第１の液処理後に熱的処理を行う複数の熱的
処理ユニットが集約した第１の熱的処理ユニットセクシ
ョン26と、第２の液処理後に熱的処理を行う複数の熱的
処理ユニットが集約した第２の熱的処理ユニットセクシ
ョン27と、第１の液処理ユニット21から搬出された基板
Gを第１の熱的処理ユニットセクション26へ搬送する第
１の搬送装置34と、第２の液処理ユニット23から搬出さ
れた基板Gを第２の熱的処理ユニットセクション27へ搬
送する第２の搬送装置37とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジス
ト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後
に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤの製造においては、被処理基板で
あるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォ
トレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パタ
ーンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理す
るという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回
路パターンを形成する。

【０００３】このフォトリソグラフィー技術では、被処
理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理
→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジス
ト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという
一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形
成する。

【０００４】従来、このような処理は、各処理を行う処
理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した
形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により
各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセス
ブロックを一または複数配置してなる処理システムによ
り行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶ
ような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平
面的な配置を有する処理システムではフットプリントが
極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点か
らフットプリントの縮小が強く求められている。

【０００６】フットプリントを小さくするためには、処
理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現
行の処理システムにおいては、スループット向上の観点
から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度
に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ
高精度に移動させることには自ずから限界がある。ま
た、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化して
おり、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等
のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困
難である。

【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、スループットを低下させることなく、かつ装
置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さく
することができる、複数の処理ユニットを備えた処理装
置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決する手段】上記課題を解決するために、本
発明の第１の観点では、被処理基板に対して複数の液処
理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基
板が略水平に搬送されつつ第１の液処理が行われる第１
の液処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつ
つ第２の液処理が行われる第２の液処理ユニットと、第
１の液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユ
ニットが集約して設けられた第１の熱的処理ユニットセ
クションと、第２の液処理後に所定の熱的処理を行う複
数の熱的処理ユニットが集約して設けられた第２の熱的
処理ユニットセクションと、前記第１の液処理ユニット
から搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニッ
トセクションへ搬送する第１の搬送装置と、前記第２の
液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の
熱的処理ユニットセクションへ搬送する第２の搬送装置
とを具備することを特徴とする処理装置を提供する。

【０００９】本発明の第２の観点では、被処理基板に対
して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であ
って、前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対し
て所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部
と、処理前の被処理基板および／または処理後の被処理
基板が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対し
て被処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、前記処
理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ第１の液処
理が行われる第１の液処理ユニットと、被処理基板が略
水平に搬送されつつ第２の液処理が行われる第２の液処
理ユニットと、第１の液処理後に熱的処理を行う複数の
熱的処理ユニットが垂直方向に積層されて構成された第
１の熱的処理ユニットセクションと、第２の液処理後に
熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積
層されて構成された第２の熱的処理ユニットセクション
と、前記第１の液処理ユニットから搬出された被処理基
板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送する
第１の搬送装置と、前記第２の液処理ユニットから搬出
された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクシ
ョンへ搬送する第２の搬送装置とを有することを特徴と
する処理装置が提供される。

【００１０】これら処理装置において、前記第１および
第２の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ第１お
よび第２の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的
処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理
ユニットセクションを有することが好ましい。

【００１１】本発明の第３の観点では、被処理基板に対
して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連
の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応
して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処
理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板およ
び／または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載
置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入
出部と、処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡
しを行うインターフェイス部とを具備し、前記処理部
は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗
浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
トと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板
に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニット
が集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、前
記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対
し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
約された第２の熱的処理ユニットセクションと、前記現
像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定
の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された
第３の熱的処理ユニットセクションと、前記洗浄処理ユ
ニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理
ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第１の熱
的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記レジ
スト処理ユニットへ搬送する第１の搬送装置と、前記レ
ジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第
２の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、
前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被処理基
板を前記インターフェイス部へ搬送する第２の搬送装置
と、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を
前記第３の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとと
もに、前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被
処理基板を前記搬入出部へ搬送する第３の搬送装置とを
具備することを特徴とする処理装置を提供する。

【００１２】この本発明の第３の観点の処理装置におい
て、前記第１、第２および第３の熱的処理ユニットセク
ションは、それぞれ、第１、第２および第３の搬送装置
に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直
方向に積層して構成された熱的処理ユニットセクション
を有することが好ましく、また、前記洗浄処理ユニット
と前記レジスト処理ユニットとの間に基板受け渡し部が
設けられ、前記第１の搬送装置は、この受け渡し部に対
して被処理基板を受け渡すように構成されることが好ま
しい。さらに、前記処理部における各処理ユニットは、
被処理基板の搬送ラインが２列となるように構成され、
被処理基板は、前記インターフェイス部でＵターンする
ように搬送されて処理されるように構成することが好ま
しい。さらにまた、前記第３の搬送装置は、前記現像処
理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の搬送
装置を介して受け取るように構成することができる。

【００１３】本発明によれば、洗浄処理、レジスト処
理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニッ
トをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の
液処理が行われるように構成し、従来のような処理ユニ
ットの間の中央搬送路およびその中央搬送路を走行する
中央搬送装置をなくすることができるのでその分省スペ
ース化を図ることができ、また、各液処理ユニット毎
に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを
集約して設けたので、複数の処理ユニットを被処理基板
の処理の流れに沿って配置しつつ極力省スペースを図る
ことができる。したがって、装置全体のフットプリント
を小さくしつつ、スループットを高く維持することがで
きる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の
実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処
理装置を示す平面図、図２はその装置の一方（図１の矢
印Ａ）の側面から見た状態を示す側面図、図３はその装
置の他方（図１の矢印Ｂ）の側面から見た状態を示す側
面図である。

【００１５】このレジスト塗布現像処理装置１００は、
複数のＬＣＤガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置
するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇに
レジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための
複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理
部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行う
ためのインターフェイスステーション（インターフェイ
ス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端に
それぞれカセットステーション１およびインターフェイ
スステーション３が配置されている。なお、図１におい
て、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方
向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とす
る。

【００１６】カセットステーション１は、カセットＣと
処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行
うための搬送装置１１を備えており、このカセットステ
ーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が
行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有
し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けら
れた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａ
によりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇ
の搬入出が行われる。

【００１７】処理ステーション２は、基本的にＸ方向に
沿って伸びる平行な２列のライン２ａ，２ｂを有してお
り、一方のライン２ａ側にカセットステーション１側か
らインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗
浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびレジスト処理ユニ
ット２３が配列され、他方のライン２ｂのインターフェ
イスステーション３側には現像処理ユニット（ＤＥＶ）
２４が設けられている。また、上記ライン２ａにおける
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびレジス
ト処理ユニット２３の間の部分から上記ライン２ｂの現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４下流側の部分にかけて第
１の熱的処理ユニットセクション２６が設けられ、ライ
ン２ａのインターフェイスステーション３側の部分には
第２の熱的処理ユニットセクション２７が設けられ、ラ
イン２ｂのカセットステーション１側には第３の熱的処
理ユニットセクション２８が設けられている。さらに、
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部に
はエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けら
れ、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の下流側に隣接し
てｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５が設けられて
いる。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２
２はスクラブ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去する
ためのものであり、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）
２５は現像の脱色処理を行うためのものである。

【００１８】上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）
２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されること
なく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を
行うようになっている。このスクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送ま
たはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬
出口は相対向する短辺に設けられている。また、スクラ
ブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１への基板Ｇの搬入は
カセットステーション１の搬送装置１１により行われ
る。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の
上に設けられたエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）
２２もカセットステーション１側に搬入口が設けられ、
搬送装置１１により基板Ｇが搬入される。

【００１９】上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、
その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送さ
れつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処
理を行うようになっている。この現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）２４においても、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送
またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および
搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線
ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送
は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様
の機構により連続して行われる。

【００２０】レジスト処理ユニット２３は、図４のその
内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをス
ピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズル
からレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理
装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜
を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）
２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺
をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周
縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除
去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイ
ドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム
５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。
このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基
板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、
ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８
から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡
しが可能となっている。

【００２１】第１の熱的処理ユニットセクション２６
は、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびレ
ジスト処理ユニット２３の間に設けられた基板の受け渡
しを行う受け渡しブロック（ＰＢ）３１と、上記他方の
ラインのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の下流
側に設けられた、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニ
ットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロ
ック（ＴＢ）３２，３３とを有しており、熱的処理ユニ
ットブロック（ＴＢ）３２はｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ
−ＵＶ）２５に隣接して設けられ、熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３３はカセットステーション１側に設け
られている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３２，３３の間に第１の搬送装置３４が
設けられている。

【００２２】第２の熱的処理ユニットセクション２７
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３５，３６を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３５はレジスト処理ユニット２３側に設けら
れ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３６はインター
フェイスステーション３側に設けられている。そして、
これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５，
３６の間に第２の搬送装置３７が設けられている。

【００２３】第３の熱的処理ユニットセクション２８
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３８，３９を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３８は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設
けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９はカセ
ットステーション１側に設けられている。そして、これ
ら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８，３９
の間に第３の搬送装置４０が設けられている。

【００２４】第１の熱的処理ユニットセクション２６の
受け渡しブロック（ＰＢ）３１は、図２に示すように、
下から順にスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１か
らの基板Ｇが受け渡されるエクステンションユニット
（ＥＸＴ）６１と、レジスト処理装置２３に基板Ｇを搬
入するために基板Ｇが受け渡されるエクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）６２と、基板Ｇを冷却するクーリング
ユニット（ＣＯＬ）６３が３段積層して構成されてい
る。一方、第１の熱的処理ユニットセクション２６の熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、図３に示すよ
うに、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）６４、クーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）６５、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う脱水
ベークユニット（ＤＨＰ）６６、基板Ｇに対して疎水化
処理（アドヒージョン処理）を施すアドーヒージョン処
理ユニット（ＡＤ）６７が４段積層して構成されてお
り、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３は、下から
順に２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６８，６９、
およびアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）７０が３
段積層して構成されており、さらにその上に第３の熱的
処理ユニットセクション２８の熱的処理ユニットブロッ
ク３８にも共通に設けられたパスユニット（ＰＡＳＳ）
７１が設けられている（図３参照）。

【００２５】第２の熱的処理ユニットセクション２７の
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、図２に示す
ように、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）７２、基板Ｇに対してプリベ
ーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）７３，７４が３段積層して構成されており、熱的
処理ユニットブロック（ＴＢ）３６も図２に示すよう
に、下から順に基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行う２つ
のエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・Ｃ
ＯＬ）７５，７６、２つのプリベークユニット（ＰＲＥ
ＢＡＫＥ）７７，７８が４段積層して構成されている。

【００２６】第３の熱処理ユニットセクション２８の熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、図３に示すよ
うに、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポ
ストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７９，８０，８１
が３段積層して構成され、その上に上述したパスユニッ
ト（ＰＡＳＳ）７１が設けられており、熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３９も図３に示すように、下から順
にエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・Ｃ
ＯＬ）８２、および３つのポストベークユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）８３，８４，８５が４段積層して構成されて
いる。

【００２７】上記第１の搬送装置３４は、受け渡しブロ
ック（ＰＢ）３１および熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３２，３３の各ユニットにアクセス可能に構成され
ており、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１から
搬出されてエクステンションユニット（ＥＸＴ）６１に
受け渡された基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット
間の基板Ｇの搬入出、およびエクステンションユニット
（ＥＸＴ）６２への基板Ｇの受け渡し、さらにはｉ線Ｕ
Ｖ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５から搬出されてエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）６４に受け渡された基板
Ｇのパスユニット（ＰＡＳＳ）７１への搬送を行う。

【００２８】第２の搬送装置３７は、熱的処理ユニット
ブロック（ＴＢ）３５，３６の各ユニットにアクセス可
能に構成されており、レジスト処理ユニット２３から搬
出されてエクステンションユニット（ＥＸＴ）７２に受
け渡された基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間
の基板Ｇの搬入出、およびエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７５または７６への基板
Ｇの受け渡しを行う。

【００２９】第３の搬送装置４０は、熱的処理ユニット
ブロック（ＴＢ）３８，３９の各ユニットにアクセス可
能に構成されており、パスユニット（ＰＡＳＳ）７１に
受け渡された基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット
間の基板Ｇの搬入出、エクステンション・クーリングユ
ニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステ
ーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。

【００３０】上記第１から第３の搬送装置３４，３７，
４０はいずれも、図５に示す構造を有している。すなわ
ち、これら搬送装置は、上下に延びるガイドレール９１
と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇
降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３
と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板
Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そし
て、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行わ
れ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行わ
れ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によっ
て行われる。これら搬送装置はこのように上下動、前後
動、旋回動可能に設けられているので、各ユニットにア
クセス可能である。

【００３１】インターフェイスステーション３は、処理
ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬
入出を行う搬送装置４１と、インターフェイスステーシ
ョン３からの基板Ｇを現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
へ受け渡すためのエクステンションユニット（ＥＸＴ）
とバッファーカセットを配置するバッファーステージ
（ＢＵＦ）とが積層されたステージ部４２とを有してい
る。搬送装置４１はＹ方向に沿って設けられた搬送路４
３上を移動可能な搬送アーム４１ａを備え、この搬送ア
ーム４１ａが搬送路４３を移動するとともに、旋回およ
び前後動することにより処理ステーション２と露光装置
４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。また、タイトラ
ー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に
積層された外部装置ブロック４４が搬送装置４１に隣接
して設けられている。

【００３２】なお、上記パスユニット（ＰＡＳＳ）７１
は、例えば図６に示すような移動ステージ９８を有し、
この移動ステージ９８をレール９９に沿って移動させる
ことにより、第１の搬送装置３４のアクセス範囲と第３
の搬送装置４０のアクセス範囲との間で基板Ｇを搬送す
るように構成される。また、スクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１の基板Ｇは上述したように例えばコロ搬
送により受け渡しブロック（ＰＢ）３１のエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）６１に搬出され、そこで図示し
ないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇ
が第１の搬送装置３４により搬送される。また、レジス
ト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、第１の搬送装
置３４により基板Ｇがエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）６２に受け渡された後、一対のサブアーム５６によ
り搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２３
では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通っ
て熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）７２まで搬送され、そこで突
出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、イ
ンターフェイスステーション３のステージ部４２のエク
ステンションユニット（ＥＸＴ）において図示しないピ
ンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させるこ
とにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から延長さ
れている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行
われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の基板
Ｇは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３２のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６
４に搬出され、そこで図示しないピンが突出されること
により持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３４によ
り搬送される。

【００３３】このように構成されたレジスト塗布現像処
理装置１００においては、まず、カセットステーション
１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１
により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット
（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行
われる。次いで、搬送装置１１により、基板Ｇがエキシ
マＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置された
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、
スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが
従来のように回転されることなく略水平に搬送されつ
つ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、
これにより、従来、回転タイプのスクラブ洗浄処理ユニ
ットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ない
スペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理
後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニ
ットセクション２６に属する受け渡しブロック（ＰＢ）
３１のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６１に搬出
される。

【００３４】エクステンションユニット（ＥＸＴ）６１
に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されるこ
とにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクシ
ョン２６の各熱的処理ユニットに順次搬送されて以下の
一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処
理ユニットブロック（ＴＢ）３２の脱水ベークユニット
（ＤＨＰ）６６および熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３３の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６８，６９の
いずれかに搬送されて加熱処理され、次いで受け渡しブ
ロック（ＰＢ）３１のクーリングユニット（ＣＯＬ）６
３および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクー
リングユニット（ＣＯＬ）６５のいずれかに搬送されて
冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処
理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理
ユニット（ＡＤ）６７および熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３３のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）７
０のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒ
ージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリ
ングユニット（ＣＯＬ）６３，６５のいずれかに搬送さ
れて冷却され、受け渡しブロック（ＰＢ）３１のエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）６２に搬送される。この
際に搬送処理は全て第１の搬送装置３４によって行われ
る。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、
その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、
直ちにエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に搬送
される。

【００３５】その後、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）６２に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２
３のサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３内
へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト
塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇ
に対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサ
ブアーム５６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送
されて減圧乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁
レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周
縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジス
ト除去終了後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト
処理ユニット２３から搬出される。このように、レジス
ト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（Ｖ
Ｄ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レ
ジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像
処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定
ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、この
ように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥
を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出さ
れ、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じ
ず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥
を促進させることができ、基板上に転写が生じることを
有効に防止することができるからである。

【００３６】このようにして塗布処理が終了し、サブア
ーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出され
た基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に
属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）７２に受け渡される。エ
クステンションユニット（ＥＸＴ）７２に配置された基
板Ｇは、第２の搬送装置３７により、熱的処理ユニット
ブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢ
ＡＫＥ）７３，７４および熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３６のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
７７，７８のいずれかに搬送されてプリベーク処理さ
れ、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３６のエ
クステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯ
Ｌ）７５，７６のいずれかに搬送されて所定温度に冷却
されつつ待機される。

【００３７】エクステンション・クーリングユニット
（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７５，７６のいずれかに載置された
基板Ｇは、インターフェイスステーション３の搬送装置
４１により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレ
ジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。こ
の場合に、基板Ｇを直接に露光装置４に搬送してもよい
し、ステージ部４２のバッファーステージ（ＢＵＦ）上
のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４
に搬送してもよい。

【００３８】露光終了後、基板Ｇはインターフェイスス
テーション３の搬送装置４１により外部装置ブロック４
４の下段の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジ
スト除去のための露光が行われ、次いで上段のタイトラ
ー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が
記された後、ステージ部４２の下段のエクステンション
ユニット（ＥＸＴ）に載置され、そこから再び処理ステ
ーション２に搬入され、所定の処理が行われる。すなわ
ち、ステージ部４２の下段のエクステンションユニット
（ＥＸＴ）が基板を受け取る際にはピンを突出させてお
き、ピン上に基板Ｇを受け取った後に下降させて、現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２４からステージ部４２の下段
のエクステンションユニット（ＥＸＴ）まで延長されて
いる例えばコロ搬送機構を作用させることにより、基板
Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像
処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のよ
うに回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平
に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、およ
び乾燥処理を行うようになっており、これにより、従
来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していた
のと同じ処理能力をより少ないスペースで実現すること
ができる。

【００３９】現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬
送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送
され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基
板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送
機構、例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセ
クション２６に属する熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３２のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６４に
搬出される。

【００４０】エクステンションユニット（ＥＸＴ）６４
に配置された基板Ｇは、第１の搬送装置３４により、熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３のパスユニット
（ＰＡＳＳ）７１に搬送され、その中の移動ステージ９
８により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８側に移
動され、第３の搬送装置４０により熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡ
ＫＥ）７９，８０，８１および熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３９のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）８３，８４，８５のいずれかに搬送されてポストベ
ーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３９のエクステンション・クーリングユニット（Ｅ
ＸＴ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された
後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、
カセットステーション１に配置されている所定のカセッ
トＣに収容される。

【００４１】以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４をその中で基板Ｇが略水
平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成
し、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路および
その中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすること
ができるのでその分省スペース化を図ることができ、ま
た、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジス
ト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行
う複数の熱的処理ユニットを集約して第１から第３の熱
的処理ユニットセクション２６，２７，２８を設け、し
かもこれらを熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処
理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したので、複数の処
理ユニットを被処理基板の処理の流れに沿って配置しつ
つ極力省スペースを図ることができる。したがって、装
置全体のフットプリントを小さくしつつ、スループット
を高く維持することができる。また、これら処理ユニッ
トを処理の順に、平行な２列のラインとなるように配置
し、基板Ｇをこの２列のラインに沿って流しながら一連
の処理を行うようにしたので、このことによってもフッ
トプリント減少効果を高くすることができる。しかも、
このように各処理ユニットを２列のラインにしたことに
より、両側面から全ての処理ユニットのメンテナンスを
行うことができるので、メンテナンス性が極めて高い。
さらに、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およ
び現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇを回転
させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平
流し方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く
発生していたミストを減少させることが可能となる。

【００４２】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図７は本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガ
ラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図であ
る。上記第１の実施形態では、基板Ｇをカセットステー
ション１におけるＹ方向の一方の端部から処理ステーシ
ョン２に搬入し、他方の端部から搬出しているが、本実
施形態のレジスト塗布現像処理装置２００ではカセット
ステーション１の中央から基板Ｇの搬入出を行えるよう
な処理ステーション２′を備えており、さらに、処理ユ
ニットの配置が第１の実施形態とは多少異なっている。

【００４３】具体的には、処理ステーション２′は、第
１の実施形態とは異なり、搬入口が第３の搬送装置４０
側に形成されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２
１′を有し、また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣ
Ｒ）２１′に対向した位置にエキシマＵＶ照射ユニット
（ｅ−ＵＶ）２２′が設けられている。そして、カセッ
トステーション１からの基板Ｇの搬入を第３の熱的処理
ユニットセクション２８の熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３９のエクステンション・クーリングユニット
（ＥＸＴ／ＣＯＬ）８２を介して第３の搬送装置４０に
より行うようになっている。また、第１の実施形態の第
１の熱的処理ユニットセクション２６とは異なる構成の
第１の熱的処理ユニットセクション２６′を有してい
る。すなわち、第１の熱処理ユニットセクションおよび
その近傍を示す模式的側面図である図８に示すように、
受け渡しブロック（ＰＢ）３１′は、第１の実施形態の
受け渡しブロック（ＰＢ）３１と実質的に同じ位置に設
けられ、２つのエクステンションユニット（ＥＸＴ）６
１，６２が２段積層して構成されており、熱的処理ユニ
ットブロック（ＴＢ）３２′は第１の実施形態１の熱的
処理ユニットブロック（ＴＢ）３２と実質的に同じ位置
に設けられ、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）６４、２つのクーリング
ユニット（ＣＯＬ）６５，８６、アドーヒージョン処理
ユニット（ＡＤ）６７が４段積層して構成されており、
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３′は第１の実施
形態の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３とは異な
り、受け渡しブロック（ＰＢ）３１′に対向した位置に
設けられ、下から順に３つの脱水ベークユニット（ＤＨ
Ｐ）８７，８８，８９、およびアドーヒージョン処理ユ
ニット（ＡＤ）９０が４段積層して構成されている。ま
た、第１の実施形態の熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３３の位置には、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−Ｕ
Ｖ）２５′が設けられており、その上に熱的処理ユニッ
トブロック３８にも共通に設けられたパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）７１が設けられている。他の構成は第１の実施
形態とほぼ同じである。なお、図８では、便宜上、受け
渡しブロック（ＰＢ）３１′を下方に、熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３３′を上方に記載している。他の
構成については第１の実施形態と実質的に同一であるた
め、同じ符号を付して説明を省略する。

【００４４】本実施形態においても基本的に第１の実施
形態とほぼ同様のフローで処理が行われ、第１の実施形
態と同様の効果が奏される。また、本実施形態において
は、カセットステーション１のほぼ中央から基板の搬入
出が行えるので、カセットステーションとして、図示し
たような構造ではなく、例えば搬送装置がＹ方向に移動
できないタイプのものが指定されたとしても対応可能で
あり、汎用性の高いものとなる。また、エキシマＵＶ照
射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２′および熱的処理ユニット
ブロック（ＴＢ）３３′をライン２ａとは反対側に配置
したので、メンテナンス性は多少低下するが、Ｘ方向の
装置長さを多少短くすることができる。

【００４５】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図９は本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガ
ラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図であ
る。本実施形態のレジスト塗布現像処理装置３００で
は、熱的処理ユニットセクションの配置の形態が上記第
１の実施形態とは異なる処理ステーション２″を有し、
また、第１および第２の実施形態におけるインターフェ
イスステーション３とは異なる構造のインターフェイス
ステーション３′を有している。なお、スクラブ洗浄処
理ユニット、レジスト処理ユニット、現像処理ユニッ
ト、エキシマＵＶ照射ユニット、ｉ線ＵＶ照射ユニット
は、第１の実施形態のものと実質的に同一の構造を有
し、実質的に同様に配置されているので、これらについ
ては図１と同じ番号を付して説明を省略する。

【００４６】第１の熱的処理ユニットセクション１２６
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
１３１，１３２を有しており、熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）１３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣ
Ｒ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）１３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられて
いる。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）１３１，１３２の間に第１の搬送装置１３３が
設けられている。

【００４７】第２の熱的処理ユニットセクション１２７
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
１３４，１３５を有しており、熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）１３４はレジスト処理ユニット２３の搬出口
側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３
５はインターフェイスステーション３′側に設けられて
いる。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）１３４，１３５の間に第２の搬送装置１３６が
設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４の搬入口側にはエクステンションユニット（ＥＸＴ）
１３７が設けられており、基板Ｇを現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４に搬入する際に、第２の搬送装置１３６
は基板Ｇをこのエクステンションユニット（ＥＸＴ）１
３７に搬送するようになっている。

【００４８】第３の熱的処理ユニットセクション１２８
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された１つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
１３８を有しており、この熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）１３８はカセットステーション１側に設けられ
ている。そして、この熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）１３８とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５と
の間に第３の搬送装置１３９が設けられている。

【００４９】上記第１から第３の熱的処理ユニットセク
ション１２６，１２７，１２８の熱的処理ユニットブロ
ック（ＴＢ）１３１，１３２，１３４，１３５，１３８
は、図１０のように構成されている。すなわち、第１の
熱的処理ユニットセクション１２６の熱的処理ユニット
ブロック（ＴＢ）１３１は、図１０の（ａ）に示すよう
に、下から順に２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）１
６１，１６２、エクステンションユニット（ＥＸＴ）１
６３、２つのアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）１
６４，１６５が５段積層して構成されており、熱的処理
ユニットブロック（ＴＢ）１３２は、図１０の（ｂ）に
示すように、下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）
１６６、エクステンションユニット（ＥＸＴ）１６７、
２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）１６８，１６９が
４段積層して構成されている。第２の熱的処理ユニット
セクション１２７の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
１３４は、図１０の（ｃ）に示すように、下から順にプ
リベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７０、エクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）１７１、４つのプリベーク
ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７２，１７３，１７４，
１７５が６段積層して構成されており、熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）１３５は、図１０の（ｄ）に示すよ
うに、２つのエクステンションクーリングユニット（Ｅ
ＸＴ・ＣＯＬ）１７６，１７７が２段積層して構成され
ている。第３の熱的処理ユニットセクション１２８の熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３８は、図１０の
（ｅ）に示すように、下から順にポストベークユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）１７８、エクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１７９、４つのポストベ
ークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１８０，１８１，１８
２，１８３が６段積層して構成されている。

【００５０】上記第１の搬送装置１３３は、エクステン
ションユニット（ＥＸＴ）１６３を介してのスクラブ洗
浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取
り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、および
エクステンションユニット（ＥＸＴ）１６７を介しての
レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行
う。また、第２の搬送装置１３６は、エクステンション
ユニット（ＥＸＴ）１７１を介してのレジスト処理ユニ
ット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニッ
ト間の基板Ｇの搬入出、エクステンションユニット（Ｅ
ＸＴ）１３７を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４への基板Ｇの受け渡し、およびエクステンション・ク
ーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１７６または１７
７を介しての後述するインターフェイスステーション
３′への基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。さら
に、第３の搬送装置１３９は、ｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処
理ユニット間の基板Ｇの搬入出、エクステンション・ク
ーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１７９を介しての
カセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。
なお、これら搬送装置も第１の実施形態の搬送装置と同
様、図５に示す構造を有している。

【００５１】インターフェイスステーション３′は、処
理ステーション２″と露光装置４との間で基板Ｇの搬入
出を行う搬送装置１４１と、バッファーカセットを配置
するバッファーステージ（ＢＵＦ）１４２とを有してお
り、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（Ｅ
Ｅ）とが上下に積層された外部装置ブロック１４３が搬
送装置１４１に隣接して設けられている。搬送装置１４
１は搬送アーム１４１ａを備え、この搬送アーム１４１
ａにより処理ステーション２″と露光装置４との間で基
板Ｇの搬入出が行われる。

【００５２】本実施形態においても基本的に上記第１の
実施形態と同様の手順で処理が行われる。本実施形態で
は熱的処理ユニットセクションの配置が第１の実施形態
よりも基板Ｇの流れに忠実であるから、よりスループッ
トを高めることができる。

【００５３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例
えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに
限るものではない。処理に関しても上記のようにレジス
ト塗布現像処理装置による処理に限られるものではな
く、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用することも
可能である。さらに被処理基板としてＬＣＤ基板を用い
た場合について示したが、これに限らずカラーフィルタ
ー等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能である
ことはいうまでもない。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行
う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平
に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、
従来のような処理ユニットの間の中央搬送路およびその
中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすることがで
きるのでその分省スペース化を図ることができ、また、
各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の
熱的処理ユニットを集約して設けたので、複数の処理ユ
ニットを被処理基板の処理の流れに沿って配置しつつ極
力省スペースを図ることができる。したがって、装置全
体のフットプリントを小さくしつつ、スループットを高
く維持することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。

【図２】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置の一方の側面から見た状
態を示す側面図。

【図３】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置の他方の側面から見た状
態を示す側面図。

【図４】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部
を示す平面図。

【図５】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置に用いられる第１から第３の搬
送装置の構造を説明するための模式図。

【図６】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置に用いたパスユニットの構造を
説明する模式図。

【図７】本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。

【図８】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置の第１の熱処理ユニットセクシ
ョンおよびその近傍を示す模式的側面図。

【図９】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。

【図１０】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板の
レジスト塗布現像処理装置の各熱的処理ユニットブロッ
クの構成を説明するための模式図。

【符号の説明】

１……カセットステーション ２，２′，２″……処理ステーション ３，３′……インターフェイスステーション ２１……スクラブ洗浄処理ユニット（液処理ユニット） ２３……レジスト処理ユニット（液処理ユニット） ２４……現像処理ユニット（液処理ユニット） ２６，２６′，１２６……第１の熱的処理ユニットセク
ション ２７，１２７……第２の熱的処理ユニットセクション ２８，１２８……第３の熱的処理ユニットセクション ３２，３３，３５，３６，３８，３９，１３１，１３
２，１３４，１３５，１３８……熱的処理ユニットブロ
ック ３４，１３３……第１の搬送装置 ３７，１３６……第２の搬送装置 ４０，１３９……第３の搬送装置 １００，２００，３００……レジスト塗布現像処理装置
（処理装置） Ｇ……ＬＣＤガラス基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ 7/38 ５１１ 7/40 ５０１ 7/40 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６２ Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB20 DA19 EA04 EA10 FA01 FA12 FA29 2H088 FA17 FA21 FA25 FA30 HA01 HA02 MA20 2H096 AA30 DA01 FA01 HA01 4F042 AA02 AA06 CC04 CC06 CC09 DF00 DF25 ED03 ED05 5F046 AA17 DA29 JA22 KA07 LA18 LB09

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板に対して複数の液処理を含む
   一連の処理を行う処理装置であって、 被処理基板が略水平に搬送されつつ第１の液処理が行わ
   れる第１の液処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつ第２の液処理が行わ
   れる第２の液処理ユニットと、 第１の液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理
   ユニットが集約して設けられた第１の熱的処理ユニット
   セクションと、 第２の液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理
   ユニットが集約して設けられた第２の熱的処理ユニット
   セクションと、 前記第１の液処理ユニットから搬出された被処理基板を
   前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第１
   の搬送装置と、 前記第２の液処理ユニットから搬出された被処理基板を
   前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第２
   の搬送装置とを具備することを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 被処理基板に対して複数の液処理を含む
   一連の処理を行う処理装置であって、 前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定
   の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、 処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板
   が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対して被
   処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、 前記処理部は、 被処理基板が略水平に搬送されつつ第１の液処理が行わ
   れる第１の液処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつ第２の液処理が行わ
   れる第２の液処理ユニットと、 第１の液処理後に熱的処理を行う複数の熱的処理ユニッ
   トが垂直方向に積層されて構成された第１の熱的処理ユ
   ニットセクションと、 第２の液処理後に熱的処理を行う複数の熱的処理ユニッ
   トが垂直方向に積層されて構成された第２の熱的処理ユ
   ニットセクションと、 前記第１の液処理ユニットから搬出された被処理基板を
   前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第１
   の搬送装置と、 前記第２の液処理ユニットから搬出された被処理基板を
   前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第２
   の搬送装置とを有することを特徴とする処理装置。
3. 【請求項３】 前記第１および第２の熱的処理ユニット
   セクションは、それぞれ第１および第２の搬送装置に隣
   接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向
   に積層して構成された熱的処理ユニットセクションを有
   することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
   処理装置。
4. 【請求項４】 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布
   および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置で
   あって、 前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定
   の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、 処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板
   を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処
   理基板を搬入出する搬入出部と、 処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行う
   インターフェイス部とを具備し、 前記処理部は、 被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処
   理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
   含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
   後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
   トと、 前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対
   し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
   約された第１の熱的処理ユニットセクションと、 前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に
   対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが
   集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、 前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対
   し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
   約された第３の熱的処理ユニットセクションと、 前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記
   第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送するととも
   に、前記第１の熱的処理ユニットセクションからの被処
   理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する第１の搬
   送装置と、 前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を
   前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとと
   もに、前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被
   処理基板を前記インターフェイス部へ搬送する第２の搬
   送装置と、 前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記
   第３の熱的処理ユニットセクションへ搬送するととも
   に、前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被処
   理基板を前記搬入出部へ搬送する第３の搬送装置とを具
   備することを特徴とする処理装置。
5. 【請求項５】 前記第１、第２および第３の熱的処理ユ
   ニットセクションは、それぞれ、第１、第２および第３
   の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニ
   ットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニット
   セクションを有することを特徴とする請求項４に記載の
   処理装置。
6. 【請求項６】 前記洗浄処理ユニットと前記レジスト処
   理ユニットとの間に基板受け渡し部が設けられ、前記第
   １の搬送装置は、この受け渡し部に対して被処理基板を
   受け渡すことを特徴とする請求項４または請求項５に記
   載の処理装置。
7. 【請求項７】 前記処理部における各処理ユニットは、
   被処理基板の搬送ラインが２列となるように構成され、
   被処理基板は、前記インターフェイス部でＵターンする
   ように搬送されて処理されることを特徴とする請求項４
   から請求項６のいずれか１項に記載の処理装置。
8. 【請求項８】 前記第３の搬送装置は、前記現像処理ユ
   ニットから搬出された被処理基板を前記第１の搬送装置
   を介して受け取ることを特徴とする請求項４から請求項
   ７のいずれか１項に記載の処理装置。