JP4104828B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板等の被処理体に対してレジスト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、被処理体であるガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成している。
【０００３】
このフォトリソグラフィー技術においては、ガラス基板は、概略、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理工程を経て処理され、基板に形成されたレジスト層に所定の回路パターンが形成される。
【０００４】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な搬送装置により各処理ユニットへのガラス基板の搬入出を行うプロセスブロックを１つまたは複数配置してなる処理システムにより行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、ＬＣＤの大型化や量産化を背景としてガラス基板の大型化が進み、一辺の長さが１ｍにもなる巨大なガラス基板まで出現している。このため、上述のような平面的な配置を有する処理システムの構造をそのまま大型のガラス基板の処理に適合させたのでは、装置のフットプリントが極めて大きなものとなってしまう問題があり、このため、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められている。
【０００６】
ここで、フットプリントを小さくするためには、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現行の処理システムにおいては、スループット向上の観点から搬送装置はガラス基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界がある。また、ガラス基板の大型化にともなって処理ユニットが大型化しており、レジスト塗布ユニットや現像処理ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困難である。さらに、現行装置においては、ガラス基板の搬送を行う搬送装置の数が多くなり、このため装置が高額となる問題もある。
【０００７】
さらにまた、ガラス基板の大型化に対して処理ユニットを大型化させるのではなく、処理方法を見直すことによってフットプリントを縮小する要望も大きく、このとき、スループットの低下が起こらないように効率的に一連の処理を行うことができるように各種の処理ユニットを配置する必要がある。なお、液処理を行う液処理ユニットと熱処理を行う熱処理ユニットが併存せざるを得ない処理システムにおいては、熱処理ユニットからの熱拡散、排気等が液処理ユニットに影響しないように配慮する必要がある。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、フットプリントを縮小またはその増大が最小限に抑えられる処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は装置コストの低減を可能ならしめる処理装置を提供することを目的とする。さらに本発明は、熱処理を行う熱処理ユニットからの熱拡散、排気等が液処理を行う液処理ユニットに影響せず、各処理ユニットを安定した状態で運転することができる処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明は第１発明として、被処理体に対して被処理を含む一連の処理を施す処理装置であって、
被処理体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを有する液処理部と、
被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処理部と、
を具備し、
上下二段に仕切られた下段に前記液処理部が配置され、上段に前記熱的処理部が配置され、前記液処理部は、内部において被処理体が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる構造を有し、前記熱的処理部は、内部において被処理体が略水平に搬送されつつ所定の熱的処理が行われる構造を有し、前記液処理部における被処理体の搬送方向と前記熱的処理部における被処理体の搬送方向とが互いに平行であり、前記熱的処理部には、低温側から高温側へ気流が流れて排気される排気経路が形成されており、かつ、相対的に高温での熱処理後に低温へ冷却する熱的処理が行われる部分においては高温側から低温側への気流の流れが生じないように高温で熱処理を行う部分と低温で熱処理を行う部分とが遮蔽可能に構成されていることを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１０】
本発明は第２発明として、被処理体に対して液処理を含む一連の処理を施す処理装置であって、
被処理体に所定の異なる液処理を施す複数の液処理ユニットと、前記複数の液処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第１のユニット間搬送装置とを有する液処理部と、
被処理体に所定の熱的処理を施すための独立した箱体構造を有する複数の熱処理ユニットと、複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第２のユニット間搬送装置とを有する熱的処理部と、を具備し、
上下二段に仕切られた下段に前記液処理部が配置され、上段に前記熱的処理部が配置されていることを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１１】
本発明は第３発明として、被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
処理前または処理後の被処理体を収納可能な収納容器を載置する容器搬入出部と、
被処理体を搬送するために前記容器搬入出部と前記第１の処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二段に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる液処理部と、
内部において被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す第１の熱処理ユニットと内部において被処理体を略水平に搬送しつつ現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す第２の熱処理ユニットとが上下二段に仕切られた上段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる熱的処理部と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
上下二段に仕切られた上段に配置され、内部において被処理体を略水平に搬送しつつレジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す第３の熱処理ユニットと、を有し、
前記第１から第３の熱処理ユニットにはそれぞれ、低温側から高温側へ気流が流れて排気される排気経路が形成され、加熱処理後に冷却処理を行う部分において加熱処理を行うユニットから冷却処理を行うユニットへ気流の流れが生じないように当該加熱処理を行うユニットと当該冷却処理を行うユニットとが遮蔽可能に構成されていることを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１２】
本発明は第４発明として、被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部の一端に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二段に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる液処理部と、
洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットと現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットとが上下二段に仕切られた上段に配置されてなる第１の熱的処理部と、
前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理部と、
前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置と、を有することを特徴とする処理装置、を提供する
【００１３】
本発明は第５発明として、被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部の一端に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが、上下二段に仕切られた下段に配置されてなる液処理部と、
前記洗浄処理ユニットと前記レジスト塗布ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、
洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットと、現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットとが、上下二段に仕切られた上段に配置されてなる第１の熱的処理部と、
前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体に現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う１または複数の現像処理ユニットと、
前記現像処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第６の搬送装置と、
上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理部と、
前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第７の搬送装置と、を有することを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１４】
本発明は第６発明として、被処理体に対して液処理および熱的処理を行う処理装置であって、
被処理体を略水平に搬送しながら被処理体に所定の液処理を逐次施す複数の液処理ユニットを有する液処理部が上下二段に仕切られた下段に配置され、被処理体を略水平に搬送しながら被処理体に加熱処理および当該加熱処理の後の冷却処理を逐次施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処理部が上下二段に仕切られた上段に配置されて構成される処理ユニット群を複数備えた処理部と、
前記複数の処理ユニット群の間および各処理ユニット群の下段と上段との間で被処理体を搬送する搬送装置と、を具備し、
前記熱的処理部において加熱処理後に所定温度まで冷却処理された被処理体が前記液処理部へ搬入されるように、前記熱的処理部では、被処理体を冷却処理するユニットが、前記液処理部の被処理体搬入側に配置されていることを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１６】
本発明の処理装置においては、液処理部を上下二段に仕切られた下段に配置し、液処理部の上段に熱的処理部を設けた構成として、フットプリントが縮小されている。また、被処理体を一方向に搬送しながら所定の液処理および熱的処理を行う構造を用いることによってもフットプリントが縮小され、この場合には被処理体の搬送を行う搬送装置の数を最小限に抑えることができ、装置コストも低減される。さらに、液処理部と熱的処理部の配置を被処理体の一連の処理工程に適合させて配置しているので被処理体を効率的に処理することが可能である。なお、液処理部の上部に熱的処理部を配置することで、熱的処理部ユニットからの熱拡散が液処理部に及ぶことが回避され、液処理の均一性が向上し、ひいては被処理体の品質が高められる
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板（以下「基板」という）Ｇのレジスト塗布・現像処理システム１００の外観を示す斜視図であり、図２は、（ａ）が図１中の矢印Ａ１の方向から見た側面図で、（ｂ）が図１中の矢印Ａ２の方向から見た側面図であり、図３は、（ａ）が上段の構成を示した平面図で、（ｂ）が下段の構成を示した平面図である。
【００１８】
レジスト塗布・現像処理システム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置する容器搬入出部（カセットステーション）６と、基板Ｇに所定の熱的処理または液処理を施す各種のゾーンが設けられた第１処理部１および第２処理部２と、図示しない露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部５と、第１処理部１と容器搬入出部６との間に設けられた第１搬送部３と、第１処理部１と第２処理部２との間に設けられた第２搬送部４と、を有している。なお、図１に示されるように、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、水平面においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とする。
【００１９】
第１処理部１は、上下方向（Ｚ方向）に２段に仕切られた積層構造を有しており、かつ上段と下段がそれぞれＹ軸方向にも２つに仕切られている。こうして、第１処理部１には、独立した処理ブロック１１ａ・１１ｂ（下段）および処理ブロック１１ｃ・１１ｄ（上段）が形成されている。第２処理部２も同様に上下方向（Ｚ方向）に２段に仕切られ、また、上段と下段がそれぞれＹ軸方向にも２つに仕切られており、独立した処理ブロック１２ａ・１２ｂ（下段）と処理ブロック１２ｃ・１２ｄ（上段）が形成されている。
【００２０】
容器搬入出部６は、カセットＣを載置するステージ７を有しており、例えば、４個のカセットＣを所定位置に載置することができるようになっている。容器搬入出部６には、外部からレジスト塗布・現像処理システム１００において処理すべき基板Ｇが収納されたカセットＣが搬入され、また、レジスト塗布・現像処理システム１００において所定の処理が終了した基板Ｇが収納されたカセットＣが次工程へと搬送される。このようなカセットＣの搬入出は、手動搬送またはコンベア等を用いた自動搬送のいずれの形態を用いても構わない。
【００２１】
第１処理部１と容器搬入出部６との間に設けられた第１搬送部３には、第１搬送装置１７が配設されており、第１搬送装置１７は、Ｘ方向に伸縮する搬送アーム１７ａを有しており、搬送アーム１７ａは、Ｙ方向にスライド自在であり、また水平面内で回転自在であり、さらにＺ方向に昇降可能に構成されている。こうして、第１搬送装置１７は容器搬入出部６と第１処理部１にアクセス可能であり、容器搬入出部６と第１処理部１にとの間で基板Ｇの受け渡しを行い、また、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２２】
第１処理部１と第２処理部２との間に設けられた第２搬送部４には、搬送アーム１８ａを有する第２搬送装置１８が配設されている。この第２搬送装置１８は第１搬送装置１７と同様の構造を有しており、第１処理部１と第２処理部２との間での基板Ｇの受け渡しと、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇの受け渡しと、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２３】
インターフェイス部５には、第１搬送装置１７と同様の構造を有する第３搬送装置１９が配設されており、第３搬送装置１９の搬送アーム１９ａは、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄにアクセス可能であり、また、第２処理部２との間にインターフェイス部５を挟むように配設された図示しない露光装置にアクセスすることができるようになっている。こうして、第３搬送装置１９は、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行い、また、第２処理部２と露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２４】
第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａには、第１搬送部３側にスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するためのエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１が設けられている。また、処理ブロック１１ａには、エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１に隣接して基板Ｇのスクラブ洗浄処理を行うスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２が第２搬送部４側に設けられており、エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１とスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２の天井部にはフィルターファンユニット（ＦＦＵ）７１が設けられている。
【００２５】
この処理ブロック１１ａ内においては、基板Ｇは回転処理されることなく、コロ搬送等の方法を用いてＸ方向に略水平に搬送されつつ、エキシマＵＶ照射処理とスクラブ洗浄処理が連続して行われるようになっている。なお、基板Ｇのスクラブ洗浄処理中に発生する処理液のミスト等がスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２からエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１へ飛散しないように、スクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２とエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１との間にはシャッター２８を設けることが好ましい。また、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）７１からのダウンフローの向きを調節することによっても、ミスト等の飛散を防止することができる。
【００２６】
処理ブロック１１ａのＹ方向側に仕切壁を隔てて位置する処理ブロック１１ｂには、第１搬送部３から第２搬送部４に向かって、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６が並べて配置されており、処理ブロック１１ｂの天井部には、フィルターファンユニット７２が配設されている。
【００２７】
クーリングユニット（ＣＯＬ）２３においては、レジスト塗布前に基板Ｇの温度均一性を高める熱処理が行われ、これにより基板Ｇに形成されるレジスト膜の均一性を高めることができるようになっている。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４としては、例えば、スピンコートによって基板Ｇの表面にレジスト膜を塗布する装置が配置される。また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５は、基板Ｇに形成されたレジスト膜を熱処理によらずに減圧処理することにより、レジスト膜に含まれる揮発成分を蒸発させて、後に行われるプリベーク処理前の予備的な乾燥処理を行う。周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４におけるレジスト膜の塗布の際に基板Ｇの裏面に付着したレジストを除去し、また、基板Ｇの周縁部分のレジスト膜を除去する。このようなクーリングユニット（ＣＯＬ）２３から周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６に向けての基板Ｇの搬送は、図示しない基板搬送アームを有する処理ブロック内基板搬送装置により行われる。
【００２８】
なお、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５は必ず設けなくてはならないものではない。また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４として、基板Ｇを回転処理しないでレジスト塗布処理を行う装置を配置することにより、処理ブロック内基板搬送装置を設けることなく、基板ＧをＸ方向に略水平に搬送しつつ、レジスト塗布処理から基板Ｇの周縁部のレジスト除去処理に至る一連の処理を行うことも可能である。
【００２９】
処理ブロック１１ａの上段に位置する処理ブロック１１ｃには、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、スクラブ洗浄処理が終了した基板Ｇの脱水ベーク処理を行う脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１と、基板Ｇに対して疎水化処理を施す２つのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、基板Ｇを所定温度に冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３が設けられており、Ｙ方向に隣接する処理ブロック１１ｄ側に空気導入路４１ａが設けられている。
【００３０】
これらの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３はＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１１ｃ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理が施される。なお、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３とでは設定温度に大きな差があるために、シャッター５９ａによりこれらのゾーンを遮断することが可能となっている。シャッター５９ａは、基板Ｇのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２からクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３への通過時にのみ開口され、それ以外のときには閉口した状態に保持される。
【００３１】
処理ブロック１１ｂの上段に位置する処理ブロック１１ｄには、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、現像処理が終了した基板のポストベーク処理を行うポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６と、ポストベーク処理後の基板Ｇを冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７が設けられており、Ｙ方向に隣接する処理ブロック１１ｃ側に空気導入路４１ｂが設けられている。
【００３２】
処理ブロック１１ｃの構造と同様に、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７についても、これらはＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１１ｄ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理が施される。なお、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７とでは設定温度に大きな差があるために、シャッター５９ｃによりポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を遮断することが可能となっている。
【００３３】
ここで、処理ブロック１１ｃ・１１ｄにおける空気導入と熱排気（気流制御）の形態について説明する。図４（ａ）は処理ブロック１１ｃ・１１ｄにおける気流制御の実施形態を示した説明図であり、処理ブロック１１ｃの空気導入路４１ａ側の壁面に空気導入口４５ａが複数箇所形成され、また、空気導入口４５ａが形成された壁面と対向する壁面に空気排出口４６ａが複数箇所形成されており、空気導入口４５ａから処理ブロック１１ｃ内に導入された空気は、基板Ｇの搬送方向を垂直に横切るようにＹ方向に向かって流れ、空気排出口４６ａから排出されるようになっている。
【００３４】
同様に、処理ブロック１１ｄの空気導入路４１ｂ側の壁面に空気導入口４５ｂが複数箇所形成され、また、空気導入口４５ｂが形成された壁面と対向する壁面に空気排出口４６ｂが複数箇所形成されており、空気導入口４５ｂから処理ブロック１１ｄ内に導入された空気は、基板Ｇの搬送方向を垂直に横切るようにＹ方向に向かって流れ、空気排出口４６ｂから排出されるようになっている。
【００３５】
このような処理ブロック１１ｃ・１１ｄ内の気流制御によって、各温度ゾーンを所定の温度に保持することができる。なお、空気排出口４６ａ・４６ｂから排出された熱排気は、他の温度ゾーンに影響を与えることのないように設けられた所定の排気経路を通って排気される。
【００３６】
また、図４（ｂ）は処理ブロック１１ｃにおける気流制御の別の実施形態を示したものであるが、ここで、処理ブロック１１ｃと処理ブロック１１ｄとの間に空気導入路は形成されておらず、処理ブロック１１ｃ内への空気導入は、第１搬送部３側の基板搬出口４７ａと第２搬送部４側の基板搬入口４７ｂから行われる。クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３とアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２との境界近傍には、２つの空気排出口４８ａ・４８ｂが形成されており、基板搬出口４７ａからクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３内に流入した空気は空気排出口４８ａから排出され、基板搬入口４７ｂから脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１を経てアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２に流入した空気は空気排出口４８ｂから排出されるようになっている。
【００３７】
こうして、脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１およびアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２内の気流とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３内の気流とが分離され、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３がアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２による熱の影響を受け難いようになっている。なお、図４（ａ）・（ｂ）に示した処理ブロック１１ｃ・１１ｄ内における気流制御の形態は、処理ブロック１２ｃ・１２ｄにおいても同様に用いられる。
【００３８】
このように、第１処理部１においては、下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂに積層して配置することが困難である液処理を行う各種装置が配設され、上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄに液処理が行われた基板Ｇに対する一連の熱処理を行う装置が配設された構造となっており、このような上下二段の積層構造とすることでフットプリントの縮小が実現されている。また、第１処理部１においては、基板Ｇは全ての処理ブロック１１ａ〜１１ｄにおいて処理ブロック１１ａ〜１１ｄ内をＸ方向に搬送されるため、処理ブロック１１ａ〜１１ｄ内の異なる処理ゾーンにアクセスさせる搬送装置を必要としない点でも、フットプリントが縮小される。さらに、Ｙ方向から容易に処理ブロック１１ａ〜１１ｄにアクセスすることができることから処理ブロック１１ａ〜１１ｄのメンテナンスも容易である。
【００３９】
さらにまた、下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂの天井部に配設されたフィルターファンユニット（ＦＦＵ）７１・７２が断熱材としても機能するために、上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄから下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂへの熱拡散が抑制され、こうして下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂの雰囲気を所定の状態に保持して、処理品質を一定に保つことができるようになっている。ここで、第１処理部１における上段と下段の境界壁を断熱構造することで、より効果的に上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄから下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂへの熱拡散を防止することができる。
【００４０】
なお、従来のレジスト塗布・現像処理システムは、例えば、ポストベーク処理については複数の分割されたポストベークユニットを有しており、これら複数のポストベークユニットに基板Ｇを搬入してポストベーク処理を行っていたが、この場合には、ポストベークユニットごとの特性差に起因して、基板Ｇに微妙な熱履歴の差が生じ、品質がばらつく問題があった。しかし、レジスト塗布・現像処理システム１００においては、基板Ｇは処理ブロック１１ｄに設けられたポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６を通過する以外に、ポストベーク処理を行う場所を有していないために、熱履歴は一定となり、基板Ｇの品質を一定に保持することが容易となる。このような第１処理部１の有する特徴は、第２処理部２についても当てはまる。
【００４１】
第２処理部２を構成する下段の処理ブロック１２ａは、露光処理後の基板Ｇの現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７となっており、処理ブロック１２ａ内においては、基板Ｇは回転されることなく、インターフェイス部５から第２搬送部４に向けてＸ方向に略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理が行われるようになっている。なお、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７の天井部には、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）７３が設けられ、清浄な空気のダウンフローが内部を移動する基板Ｇに供給されるようになっている。
【００４２】
処理ブロック１２ａのＹ方向側に仕切壁を隔てて位置する処理ブロック１２ｂには、第２搬送部４側に露光処理後の基板Ｇに所定の情報を記録するタイトラー（ＴＩＴ）６２が配設され、またインターフェイス部５側に一時的に露光後の基板Ｇを退避させてストックするストックユニット（ＳＴ）６４が配置され、さらに、これらタイトラー（ＴＩＴ）６２とストックユニット（ＳＴ）６４との中間に、レジスト塗布・現像処理システム１００のシーケンサや現像処理等に使用する各種の処理液を供給するためのポンプ等、各種制御機器や動力機器を収納可能なユーティリティユニット（ＵＴＬ）６３が設けられている。
【００４３】
処理ブロック１２ａの上段に位置する処理ブロック１２ｃには、第２搬送部４からインターフェイス部５に向かって、レジスト塗布処理が終了した基板のプリベーク処理を行うプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４と、基板Ｇの所定温度に冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５が設けられており、Ｙ方向に隣接する処理ブロック１２ｄ側に空気導入路４２ａが設けられている。
【００４４】
前述した処理ブロック１１ｃの構造と同様に、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５についても、これらはＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４からインターフェイス部５に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１２ｃ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理が施される。なお、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５とでは設定温度に大きな差があるために、シャッター５９ｂによりプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５を遮断することが可能となっている。
【００４５】
処理ブロック１２ｂの上段に位置する処理ブロック１２ｄは、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１となっており、第２搬送部４とインターフェイス部５との間で何ら処理を行うことなく基板Ｇを搬送することができるようになっている。ここで搬送中の基板Ｇにパーティクル等が付着しないように、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１内に清浄な空気を送ることができるように、処理ブロック１２ｃ側に空気導入路４２ｂが設けられている。なお、処理ブロック１２ｂ・１２ｄは必ずしも必要ではなく、必要に応じてその他の処理装置を配置することも可能である。
【００４６】
次に、上述した構成を有するレジスト塗布・現像処理システム１００における基板Ｇの搬送経路について、図５を参照しながら説明する。図５は、先に示した図３における基板Ｇの搬送順路を矢印Ｄ１〜Ｄ１６で示した説明図である。なお、図５においては第１搬送装置１７〜第３搬送装置１９の図示を省略している。
【００４７】
最初に、第１搬送装置１７が容器搬入出部６に載置されたカセットＣから基板Ｇを搬出し（矢印Ｄ１）、処理ブロック１１ａのエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１に搬入する。基板Ｇは、処理ブロック１１ａ内を略水平に搬送されつつエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１およびスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２を通過し、所定の液処理が施される（矢印Ｄ２）。続いて、第２搬送装置１８がスクラブ洗浄処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１１ａから搬出し、処理ブロック１１ｃの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１に搬入する。こうして基板Ｇは、処理ブロック１１ｃ内を略水平に搬送されつつ、脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３を逐次通過して所定の熱的処理が施される（矢印Ｄ３）。
【００４８】
次に、第１搬送装置１７が所定温度に冷却された基板Ｇを処理ブロック１１ｃから搬出し、処理ブロック１１ｂのクーリングユニット（ＣＯＬ）２３に搬入する。基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３において均一温度に調節された後に、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６の順で所定の処理を施され、基板Ｇにレジスト膜が形成される（矢印Ｄ４）。第２搬送装置１８は、レジスト膜が形成された基板Ｇを処理ブロック１１ｂから搬出し、処理ブロック１２ｃに搬入する。基板Ｇは処理ブロック１２ｃ内を略水平に搬送されつつ、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５を逐次通過して所定のプリベーク処理が終了する（矢印Ｄ５）。
【００４９】
その後、第３搬送装置１９がプリベーク処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１２ｃから搬出し、インターフェイス部５に隣接して設けられた図示しない露光装置に搬入する（矢印Ｄ６）。そして、第３搬送装置１９は露光処理が終了した基板Ｇを露光装置から搬出し（矢印Ｄ７）、例えば、処理ブロック１２ｄ（搬送ユニット（ＴＲＳ）６１）に搬入する。基板Ｇは処理ブロック１２ｄ内を搬送され（矢印Ｄ８）、第２搬送装置１８が基板Ｇを処理ブロック１２ｄから搬出し、処理ブロック１２ｂのタイトラー（ＴＩＴ）６２に搬入する（矢印Ｄ９）。タイトラー（ＴＩＴ）６２において所定の情報が記録された基板Ｇは、第２搬送装置１８によって搬出され（矢印Ｄ１０）、次いで、処理ブロック１２ｄに搬入されてインターフェイス部５側へ搬送される（矢印Ｄ１１）。
【００５０】
第３搬送装置１９は処理ブロック１２ｄから基板Ｇを搬出し、処理ブロック１２ａに設けられた現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が空いている場合には現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７へ搬入し、一方、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用中のために基板Ｇを搬入することができない場合には、一時的に基板Ｇをストックユニット（ＳＴ）６４へ搬入する（矢印Ｄ１２）。そして、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用可能となった時点で、第３搬送装置１９は基板Ｇをストックユニット（ＳＴ）６４から搬出し（矢印Ｄ１３）、処理ブロック１２ａに搬入する。
【００５１】
なお、矢印Ｄ８〜矢印Ｄ１３の工程は、上記順序に限定されるものではなく、例えば、露光処理が終了した基板Ｇを最初にストックユニット（ＳＴ）６４に収納し（矢印Ｄ１２）、所定時間経過後に搬送ユニット（ＴＲＳ）６１を用いてストックユニット（ＳＴ）６４からタイトラー（ＴＩＴ）６２へと搬送（矢印Ｄ１３→Ｄ８→Ｄ９）し、タイトラー（ＴＩＴ）６２での処理が終了した後に再び搬送ユニット（ＴＲＳ）６１を用いて基板Ｇをインターフェイス部５へ戻し（矢印Ｄ１０→Ｄ１１）、直接に処理ブロック１２ａの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７に搬入しても構わず、この場合においてタイトラー（ＴＩＴ）６２での処理が終了した基板Ｇを再びストックユニット（ＳＴ）６４に収納しても構わない。
【００５２】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７に搬入された基板Ｇは処理ブロック１２ａ内を略水平に搬送されつつ所定の現像処理が施され（矢印Ｄ１４）、第２搬送装置１８により現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７から搬出される。第２搬送装置１８は、現像処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１１ｄに搬入し、基板Ｇは処理ブロック１１ｄ内を略水平に搬送されつつ、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を逐次通過して、ポストベーク処理が行われる（矢印Ｄ１５）。続いて、第１搬送装置１７が処理ブロック１１ｄからポストベーク処理が終了した基板Ｇを搬出し、所定のカセットＣに搬入する（矢印Ｄ１６）。こうして、基板Ｇに対する洗浄からレジスト塗布、現像に至る処理が終了する。
【００５３】
このようにレジスト塗布・現像処理システム１００においては、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１では基板Ｇの双方向搬送が可能であるが、その他の処理ブロック１１ａ〜１１ｄ・１２ａ・１２ｃでは基板Ｇは一方向にのみに搬送され、また、処理を行うことなく搬送する必要がないように各種の装置が配置されており、スループットが高くなるように構成されている。
【００５４】
次に、レジスト塗布・現像処理システムの別の実施の形態について説明する。図６は先に図３に示したレジスト塗布・現像処理システム１００における処理ブロック１２ｂ・１２ｄの構成を変更し、その他の部分の構成には変更を加えていないレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図であり、図６（ａ）が上段の概略構造を、図６（ｂ）が下段の概略構造をそれぞれ示している。第２処理部２の下段にある処理ブロック１２ｂのインターフェイス部５側にはストックユニット（ＳＴ）６４が設けられ、その上段の処理ブロック１２ｄのインターフェイス部５側にタイトラー（ＴＩＴ）６２が設けられている。そして、処理ブロック１２ｂ・１２ｄのストックユニット（ＳＴ）６４とタイトラー（ＴＩＴ）６２以外の部分は、ユーティリティユニット（ＵＴＬ）６３ａ・６３ｂとなっている。
【００５５】
このような図６に示した構成とすることにより、第３搬送装置１９がタイトラー（ＴＩＴ）６２に対して基板Ｇの搬入出を行うことができるようになり、先に図３に示したように、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１を設ける必要がなくなる。つまり、基板Ｇをただ単に搬送する必要がなくなることから、スループットが向上し、基板Ｇの破損等の危険性も小さなものとなる。
【００５６】
続いて、図７にレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図を示す。図７に示したレジスト塗布・現像処理システムは、先に図３に示したレジスト塗布・現像処理システム１００における第１処理部１と第２処理部２における上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄ・１２ｃ・１２ｄの構成を変更し、その他の部分には変更を加えていない構造を有し、図７（ａ）が上段の概略構造を、図７（ｂ）が下段の概略構造をそれぞれ示している。以下、処理ブロック１１ｃ・１１ｄ・１２ｃ・１２ｄの構造について説明する。
【００５７】
処理ブロック１１ｃには、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）８１ａ・８１ｂと、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）８２ａ・８２ｂと、ポストベークユニット（ＰＯＢ）８３ａ・８３ｂが配設され、また、処理ブロック１１ｄには、クーリングユニット８４ａ〜８４ｃと、ポストベークユニット（ＰＯＢ）８３ｃ〜８３ｅが配設され、処理ブロック１１ｃと処理ブロック１１ｄの中間には、Ｘ方向に延在する水平搬送路が形成されており、水平搬送路に第４搬送装置９１が配置されている。
【００５８】
処理ブロック１１ｃ・１１ｄに配置された上記各種の熱処理ユニットは独立した箱体となっており、熱処理ユニットに対する基板Ｇの搬入出は水平搬送路側から行われ、処理ブロック１１ｃ・１１ｄ内をＸ方向に移動することは不可能となっている。一方、第４搬送装置９１は水平搬送路に沿ってＸ方向に移動可能であり、また、Ｚ方向に昇降可能に構成され、その搬送アームはＹ方向に伸縮して処理ブロック１１ｃ・１１ｄを構成する熱処理ユニットにアクセス可能であり、第１搬送装置１７の搬送アーム１７ａおよび第２搬送装置１８の搬送アーム１８ａとの間で基板Ｇの受け渡しを行うことができるようになっている。
【００５９】
処理ブロック１１ｃ・１１ｄには、洗浄後レジスト塗布前に行うべき熱処理を行うための熱処理ユニットと、現像処理後に行うべき熱処理ユニットが配設されるが、第４搬送装置９１の搬送アームが処理ブロック１１ｃ・１１ｄを構成する複数の熱処理ユニットにランダムにアクセス可能であることから、これらの熱処理ユニットの配置位置に制限はない。
【００６０】
例えば、図８の平面図に示すレジスト塗布・現像処理システムのように、処理ブロック１１ｄには何ら熱処理ユニットを設けず、処理ブロック１１ｃに、上下二段に断熱積層された脱水ベーク（下段）／クーリング（上段）ユニット（ＤＨＰ／ＣＯＬ）８６ａ・８６ｂ、アドヒージョン（下段）／ポストベーク（上段）ユニット（ＡＤ／ＰＯＢ）８７ａ・８７ｂ、ポストベーク（上下段）ユニット（ＰＯＢ／ＰＯＢ）８８、ポストベーク（下段）／クーリング（上段）（ＰＯＢ／ＣＯＬ）８９等の熱処理ユニットを配設することも可能である。
【００６１】
処理ブロック１２ｃには、プリベークユニット（ＰＲＢ）８５ａ〜８５ｄと、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄ・８４ｅが配置され、処理ブロック１２ｃのＹ方向側面にはＸ方向に延在する水平搬送路が形成されており、水平搬送路に第４搬送装置９１と同等の構造を有する第５搬送装置９２が配置されている。処理ブロック１２ｄは、図７においては何ら装置が配設されていない空きスペースとなっているが、例えば、ユーティリティユニット（ＵＴＬ）６３と同様に用いることが可能である。
【００６２】
処理ブロック１２ｃには、レジスト膜形成後露光処理前に行うべき熱処理を行うための熱処理ユニットが配置される。これらの熱処理ユニットは独立した箱体となっており、これらの熱処理ユニットに対する基板Ｇの搬入出は水平搬送路側から第５搬送装置９２の搬送アームを用いてランダムに行うことができるようになっている。このためプリベークユニット（ＰＲＢ）８５ａ〜８５ｄと、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄ・８４ｅの配置位置は図７に示されるものに制限されず、また、図８に示すように、上下二段に断熱積層されたプリベーク（上段）／プリベーク（下段）ユニット（ＰＲＢ／ＰＲＢ）９９を設けることも可能である。
【００６３】
なお、第５搬送装置９２の搬送アームは、第２搬送装置１８の搬送アーム１８ａおよび第３搬送装置１９の搬送アーム１９ａとの間で基板Ｇの受け渡しを行うことができるようになっており、第５搬送装置９２は、露光処理後の基板Ｇの処理ブロック１２ｂに設けられたタイトラー（ＴＩＴ）６２への搬送や、タイトラー（ＴＩＴ）６２から搬出された基板Ｇのインターフェイス部５側への搬送をも行う。
【００６４】
このように、レジスト塗布・現像処理システムにおける熱処理については、複数設けられた熱処理ユニットにランダムにアクセスが可能な構成とすることにより、適宜、使用していない熱処理ユニットに基板Ｇを搬送して熱処理を行うことができることから、スループットが向上する。
【００６５】
次に、図９にレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図を示す。図９に示したレジスト塗布・現像処理システムは、先に図７に示したレジスト塗布・現像処理システムにおける第１処理部１と第２処理部２における下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂ・１２ａの構成を変更し、また、このような構成変更に伴って第２搬送部４内に構造の簡略化された搬送装置（基板搬送装置９５）を配設し、その他の部分には変更を加えていない構造を有しており、図９（ａ）が上段の概略構造を、図９（ｂ）が下段の概略構造をそれぞれ示している。以下、処理ブロック１１ａ・１１ｂ・１２ａの構造について説明する。
【００６６】
処理ブロック１１ａには、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１ａと、２台のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・２２ｂが配設されており、また、処理ブロック１１ｂには、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６が並べて配置されている。処理ブロック１１ａと処理ブロック１１ｂの中間には、Ｘ方向に延在する水平搬送路が形成されており、この水平搬送路には、第４搬送装置９１と同様の構造を有する第６搬送装置９３が配置されている。
【００６７】
処理ブロック１２ａには、３台の現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７ａ〜２７ｃが配設されており、処理ブロック１２ａのＹ方向側面には、Ｘ方向に延在する水平搬送路が形成されており、この水平搬送路には、第４搬送装置９１と同様の構造を有する第７搬送装置９４が配置されている。なお、第４〜第７搬送装置の配設によって、第２搬送部４内に配置される基板搬送装置はＹ方向へスライドさせる必要がなくなるために、Ｚ方向における昇降動作と、水平面内での回転動作と、Ｘ方向への伸縮動作のみが可能な基板搬送装置９５が配置されている。
【００６８】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・２２ｂとしては、例えば、１台で粗洗浄から仕上げ洗浄、洗浄液の振り切り乾燥を行うことができるスピナー系ユニットを配設することができる。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７ａ〜２７ｃについても、１台で現像処理およびリンス処理とリンス液の振り切り乾燥を行うことができるスピナー系ユニットを配設することができる。このように、複数の液処理ユニットを設けることによって、スループットを向上させることが可能となる。
【００６９】
第６搬送装置９３の搬送アームは、処理ブロック１１ａ・１１ｂに配設された複数の処理ユニット（減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５を除く）にランダムにアクセス可能であり、例えば、逐次、空いている処理ユニットへ基板Ｇを搬送する。また、第６搬送装置９３は、第１搬送装置１７および基板搬送装置９５との間で基板Ｇの受け渡しが可能である。
【００７０】
第７搬送装置９４の搬送アームは、処理ブロック１２ａに配設された３台の現像処理ユニット２７ａ〜２７ｃにランダムにアクセスすることが可能であり、逐次、空いている処理ユニットへ基板Ｇを搬送する。また、第７搬送装置９４は、第３搬送装置１９および基板搬送装置９５との間で基板Ｇの受け渡しが可能である。なお、タイトラー（ＴＩＴ）６２に対しては、基板搬送装置９５または第７搬送装置９４のいずれかがアクセスできればよく、ストックユニット（ＳＴ）６４に対しては、第７基板搬送装置９４または第３搬送装置１９のいずれかがアクセスできればよい。
【００７１】
上述した図５〜図９に示したレジスト塗布・現像処理装置においても、カセットＣに収納された基板Ｇが所定の処理を経て再びカセットＣに収納されるまでに基板Ｇに施される処理内容は、図１〜図３に示したレジスト塗布・現像処理システム１００を用いた場合と変わるところはない。つまり、図５〜図９に示したレジスト塗布・現像処理装置においては、基板Ｇは処理ブロック内をＸ方向に搬送されつつ処理され、または、所定の搬送装置を用いて所定の処理ユニットに搬入されて処理された後に搬出され、次の処理ユニットに搬送される。
【００７２】
例えば、図９に示したレジスト塗布・現像処理装置における基板Ｇの搬送工程は、最初に、第１搬送装置１７が容器搬入出部６に載置されたカセットＣから基板Ｇを搬出し、基板Ｇを第６搬送装置９３に移し替える。第６搬送装置９３は、基板ＧをエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１ａに搬入し、ＵＶ照射処理後に基板Ｇを搬出する。続いて、第６搬送装置９３は、基板Ｇをスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・２２ｂの一方に搬入し、スクラブ洗浄処理が終了した後に基板Ｇを搬出し、基板搬送装置９５に受け渡す。
【００７３】
基板搬送装置９５は基板Ｇを第４搬送装置９１に受け渡し、第４搬送装置９１は、例えば、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）８１ａ、アドヒージョンユニット（ＡＤ）８２ａ、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｂの順序で、これらのユニットに対して基板Ｇの搬入出を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｂでの処理が終了した基板Ｇを第１搬送装置１７へ受け渡す。
【００７４】
次いで、第１搬送装置１７は第６搬送装置９３に基板Ｇを受け渡し、第６搬送装置９３は、基板Ｇをクーリングユニット（ＣＯＬ）２３に搬入する。基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３において均一温度に調節された後に、第６搬送装置９３によって搬出され、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４に搬入される。こうしてレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６の順で所定の処理を施され、レジスト膜が形成された基板Ｇは再び第６搬送装置９３によって搬出され、基板搬送装置９５に受け渡しされる。
【００７５】
基板搬送装置９５は、このレジスト膜が形成された基板Ｇを第５搬送装置９２に受け渡し、第５搬送装置９２は、例えば、プリベークユニット（ＰＲＢ）８５ａ、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄの順序で、これらのユニットに対して基板Ｇの搬入出を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄでの処理が終了した基板Ｇを第３搬送装置１９へ受け渡す。第３搬送装置１９は露光装置へ基板Ｇを受け渡し、また、露光処理が終了した基板Ｇを露光装置から受け取って、第７搬送装置９４へ受け渡す。第７搬送装置９４は、例えば、露光処理が終了した基板Ｇをタイトラー（ＴＩＴ）６２に搬入し、タイトラー（ＴＩＴ）６２にて所定の処理が終了した基板Ｇを搬出し、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７ａ〜２７ｃのいずれかに搬入する。
【００７６】
こうして、現像処理が終了した基板Ｇは第７搬送装置９４によって搬出された後、基板搬送装置９５へ受け渡しされる。そして、基板搬送装置９５は第４搬送装置９１に基板Ｇを受け渡し、第４搬送装置９１は、例えば、ポストベークユニット（ＰＯＢ）８３ｃ、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ａの順序で、これらのユニットに対して基板Ｇの搬入出を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ａでの処理が終了した基板Ｇを第１搬送装置１７へ受け渡す。第１搬送装置１７は、ポストベーク処理が終了した基板Ｇ所定のカセットＣに搬入し、こうして基板Ｇに対する洗浄からレジスト塗布、現像に至る処理が終了する。
【００７７】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では第２処理部２を第１処理部１のＸ方向隣に配置したが、基板Ｇの搬送方向はＸ方向のままで第２処理部をＹ方向隣に配置することも可能である。この場合には、第１処理部１と第２処理部２との中間にメンテナンススペースを確保することが好ましく、第３搬送装置１９を設ける必要はなくなる。また、レジスト塗布・現像処理システム１００において用いられている熱処理ブロック、つまり、基板Ｇが内部を略水平に搬送されつつ所定の熱的処理が施される複数の温度ゾーンからなる処理ブロックは、複数段に積層することも可能である。さらに、処理部は２箇所に限定されるものではなく、１箇所または３箇所以上であってもよく、被処理体はＬＣＤガラス基板Ｇに限定されるものではなく、例えば、半導体ウエハ等であってもよい。
【００７８】
【発明の効果】
上述の通り、本発明の処理装置によれば、液処理部を上下二段に仕切られた下段に配置し、この液処理部の上段に熱的処理部を配置することにより、処理装置のフットプリントが縮小されるという効果が得られる。また、本発明は、被処理体を一方向に搬送しつつ所定の液処理および熱的処理を行う処理形態を採用することによって、被処理体の搬送に必要な搬送装置の数を低減してその配置スペースを省き、フットプリントを縮小するという効果を奏する。このとき、装置コストを低減することが可能となるという効果が得られる。さらに、本発明は、液処理部の上部に熱的処理部を配置することで、熱的処理部からの熱拡散が液処理部に及ぶことが回避され、液処理の均一性が向上し、ひいては被処理体の品質が高められるという効果を奏する。
【００７９】
さらにまた、本発明においては、被処理体に対して所定の液処理を行う液処理部と熱的処理を行う熱的処理部の配置を被処理体の一連の処理工程に適合させて配置することで被処理体を効率的に処理し、スループットを向上させる効果が得られる。なお、被処理体を一方向に搬送しつつ所定の液処理および熱的処理を行う処理部に代えて、同種の液処理ユニットと熱処理ユニットを複数設け、これらの処理ユニットにランダムにアクセスすることができる構造とすることにより、フットプリントを縮小したままスループットを向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムの一実施形態を示す斜視図。
【図２】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す側面図。
【図３】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す平面図。
【図４】熱処理を行う処理ブロックにおける気流制御の一形態を示す説明図。
【図５】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムにおける基板の搬送順路を示した説明図。
【図６】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムの別の実施形態を示す平面図。
【図７】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図。
【図８】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図。
【図９】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図。
【符号の説明】
１；第１処理部
２；第２処理部
３；第１搬送部
４；第２搬送部
５；インターフェイス部
６；容器搬入出部
１１ａ〜１１ｄ・１２ａ〜１２ｄ；処理ブロック
１７；第１搬送装置
１８；第２搬送装置
１９；第３搬送装置
２１；エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）
２２；スクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）
２２ａ・２２ｂ；スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
２３；クーリングユニット（ＣＯＬ）
２４；レジスト塗布ユニット（ＣＴ）
２５；減圧乾燥ユニット（ＶＤ）
２６；周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）
２７・２７ａ〜２７ｃ；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
４１ａ・４１ｂ・４２ａ・４２ｂ；空気導入路
５１；脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）
５２；アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）
５３；クーリングゾーン（ＣＯＬ）
５４；プリベークゾーン（ＰＲＢ）
５５；クーリングゾーン（ＣＯＬ）
５６；ポストベークゾーン（ＰＯＢ）
５７；クーリングゾーン（ＣＯＬ）
６１；搬送ユニット（ＴＲＳ）
６２；タイトラー（ＴＩＴ）
６３；ユーティリティユニット（ＵＴＬ）
６４；ストックユニット（ＳＴ）
９１；第４搬送装置
９２；第５搬送装置
９３；第６搬送装置
９４；第７搬送装置
９５；基板搬送装置
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；基板（ＬＣＤ基板）
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板等の被処理体に対してレジスト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、被処理体であるガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成している。
【０００３】
このフォトリソグラフィー技術においては、ガラス基板は、概略、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理工程を経て処理され、基板に形成されたレジスト層に所定の回路パターンが形成される。
【０００４】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な搬送装置により各処理ユニットへのガラス基板の搬入出を行うプロセスブロックを１つまたは複数配置してなる処理システムにより行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、ＬＣＤの大型化や量産化を背景としてガラス基板の大型化が進み、一辺の長さが１ｍにもなる巨大なガラス基板まで出現している。このため、上述のような平面的な配置を有する処理システムの構造をそのまま大型のガラス基板の処理に適合させたのでは、装置のフットプリントが極めて大きなものとなってしまう問題があり、このため、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められている。
【０００６】
ここで、フットプリントを小さくするためには、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現行の処理システムにおいては、スループット向上の観点から搬送装置はガラス基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界がある。また、ガラス基板の大型化にともなって処理ユニットが大型化しており、レジスト塗布ユニットや現像処理ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困難である。さらに、現行装置においては、ガラス基板の搬送を行う搬送装置の数が多くなり、このため装置が高額となる問題もある。
【０００７】
さらにまた、ガラス基板の大型化に対して処理ユニットを大型化させるのではなく、処理方法を見直すことによってフットプリントを縮小する要望も大きく、このとき、スループットの低下が起こらないように効率的に一連の処理を行うことができるように各種の処理ユニットを配置する必要がある。なお、液処理を行う液処理ユニットと熱処理を行う熱処理ユニットが併存せざるを得ない処理システムにおいては、熱処理ユニットからの熱拡散、排気等が液処理ユニットに影響しないように配慮する必要がある。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、フットプリントを縮小またはその増大が最小限に抑えられる処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は装置コストの低減を可能ならしめる処理装置を提供することを目的とする。さらに本発明は、熱処理を行う熱処理ユニットからの熱拡散、排気等が液処理を行う液処理ユニットに影響せず、各処理ユニットを安定した状態で運転することができる処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明は第１発明として、被処理体に対して被処理を含む一連の処理を施す処理装置であって、
被処理体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを有する液処理部と、
被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処理部と、
を具備し、
上下二段に仕切られた下段に前記液処理部が配置され、上段に前記熱的処理部が配置され、前記液処理部は、内部において被処理体が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる構造を有し、前記熱的処理部は、内部において被処理体が略水平に搬送されつつ所定の熱的処理が行われる構造を有し、前記液処理部における被処理体の搬送方向と前記熱的処理部における被処理体の搬送方向とが互いに平行であり、前記熱的処理部には、低温側から高温側へ気流が流れて排気される排気経路が形成されており、かつ、相対的に高温での熱処理後に低温へ冷却する熱的処理が行われる部分においては高温側から低温側への気流の流れが生じないように高温で熱処理を行う部分と低温で熱処理を行う部分とが遮蔽可能に構成されていることを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１０】
本発明は第２発明として、被処理体に対して液処理を含む一連の処理を施す処理装置であって、
被処理体に所定の異なる液処理を施す複数の液処理ユニットと、前記複数の液処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第１のユニット間搬送装置とを有する液処理部と、
被処理体に所定の熱的処理を施すための独立した箱体構造を有する複数の熱処理ユニットと、複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第２のユニット間搬送装置とを有する熱的処理部と、を具備し、
上下二段に仕切られた下段に前記液処理部が配置され、上段に前記熱的処理部が配置されていることを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１１】
本発明は第３発明として、被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
処理前または処理後の被処理体を収納可能な収納容器を載置する容器搬入出部と、
被処理体を搬送するために前記容器搬入出部と前記第１の処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二段に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる液処理部と、
内部において被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す第１の熱処理ユニットと内部において被処理体を略水平に搬送しつつ現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す第２の熱処理ユニットとが上下二段に仕切られた上段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる熱的処理部と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
上下二段に仕切られた上段に配置され、内部において被処理体を略水平に搬送しつつレジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す第３の熱処理ユニットと、を有し、
前記第１から第３の熱処理ユニットにはそれぞれ、低温側から高温側へ気流が流れて排気される排気経路が形成され、加熱処理後に冷却処理を行う部分において加熱処理を行うユニットから冷却処理を行うユニットへ気流の流れが生じないように当該加熱処理を行うユニットと当該冷却処理を行うユニットとが遮蔽可能に構成されていることを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１２】
本発明は第４発明として、被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部の一端に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二段に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる液処理部と、
洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットと現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットとが上下二段に仕切られた上段に配置されてなる第１の熱的処理部と、
前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理部と、
前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置と、を有することを特徴とする処理装置、を提供する
【００１３】
本発明は第５発明として、被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部の一端に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが、上下二段に仕切られた下段に配置されてなる液処理部と、
前記洗浄処理ユニットと前記レジスト塗布ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、
洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットと、現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットとが、上下二段に仕切られた上段に配置されてなる第１の熱的処理部と、
前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体に現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う１または複数の現像処理ユニットと、
前記現像処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第６の搬送装置と、
上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理部と、
前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第７の搬送装置と、を有することを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１４】
本発明は第６発明として、被処理体に対して液処理および熱的処理を行う処理装置であって、
被処理体を略水平に搬送しながら被処理体に所定の液処理を逐次施す複数の液処理ユニットを有する液処理部が上下二段に仕切られた下段に配置され、被処理体を略水平に搬送しながら被処理体に加熱処理および当該加熱処理の後の冷却処理を逐次施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処理部が上下二段に仕切られた上段に配置されて構成される処理ユニット群を複数備えた処理部と、
前記複数の処理ユニット群の間および各処理ユニット群の下段と上段との間で被処理体を搬送する搬送装置と、を具備し、
前記熱的処理部において加熱処理後に所定温度まで冷却処理された被処理体が前記液処理部へ搬入されるように、前記熱的処理部では、被処理体を冷却処理するユニットが、前記液処理部の被処理体搬入側に配置されていることを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１６】
本発明の処理装置においては、液処理部を上下二段に仕切られた下段に配置し、液処理部の上段に熱的処理部を設けた構成として、フットプリントが縮小されている。また、被処理体を一方向に搬送しながら所定の液処理および熱的処理を行う構造を用いることによってもフットプリントが縮小され、この場合には被処理体の搬送を行う搬送装置の数を最小限に抑えることができ、装置コストも低減される。さらに、液処理部と熱的処理部の配置を被処理体の一連の処理工程に適合させて配置しているので被処理体を効率的に処理することが可能である。なお、液処理部の上部に熱的処理部を配置することで、熱的処理部ユニットからの熱拡散が液処理部に及ぶことが回避され、液処理の均一性が向上し、ひいては被処理体の品質が高められる
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板（以下「基板」という）Ｇのレジスト塗布・現像処理システム１００の外観を示す斜視図であり、図２は、（ａ）が図１中の矢印Ａ１の方向から見た側面図で、（ｂ）が図１中の矢印Ａ２の方向から見た側面図であり、図３は、（ａ）が上段の構成を示した平面図で、（ｂ）が下段の構成を示した平面図である。
【００１８】
レジスト塗布・現像処理システム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置する容器搬入出部（カセットステーション）６と、基板Ｇに所定の熱的処理または液処理を施す各種のゾーンが設けられた第１処理部１および第２処理部２と、図示しない露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部５と、第１処理部１と容器搬入出部６との間に設けられた第１搬送部３と、第１処理部１と第２処理部２との間に設けられた第２搬送部４と、を有している。なお、図１に示されるように、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、水平面においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とする。
【００１９】
第１処理部１は、上下方向（Ｚ方向）に２段に仕切られた積層構造を有しており、かつ上段と下段がそれぞれＹ軸方向にも２つに仕切られている。こうして、第１処理部１には、独立した処理ブロック１１ａ・１１ｂ（下段）および処理ブロック１１ｃ・１１ｄ（上段）が形成されている。第２処理部２も同様に上下方向（Ｚ方向）に２段に仕切られ、また、上段と下段がそれぞれＹ軸方向にも２つに仕切られており、独立した処理ブロック１２ａ・１２ｂ（下段）と処理ブロック１２ｃ・１２ｄ（上段）が形成されている。
【００２０】
容器搬入出部６は、カセットＣを載置するステージ７を有しており、例えば、４個のカセットＣを所定位置に載置することができるようになっている。容器搬入出部６には、外部からレジスト塗布・現像処理システム１００において処理すべき基板Ｇが収納されたカセットＣが搬入され、また、レジスト塗布・現像処理システム１００において所定の処理が終了した基板Ｇが収納されたカセットＣが次工程へと搬送される。このようなカセットＣの搬入出は、手動搬送またはコンベア等を用いた自動搬送のいずれの形態を用いても構わない。
【００２１】
第１処理部１と容器搬入出部６との間に設けられた第１搬送部３には、第１搬送装置１７が配設されており、第１搬送装置１７は、Ｘ方向に伸縮する搬送アーム１７ａを有しており、搬送アーム１７ａは、Ｙ方向にスライド自在であり、また水平面内で回転自在であり、さらにＺ方向に昇降可能に構成されている。こうして、第１搬送装置１７は容器搬入出部６と第１処理部１にアクセス可能であり、容器搬入出部６と第１処理部１にとの間で基板Ｇの受け渡しを行い、また、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２２】
第１処理部１と第２処理部２との間に設けられた第２搬送部４には、搬送アーム１８ａを有する第２搬送装置１８が配設されている。この第２搬送装置１８は第１搬送装置１７と同様の構造を有しており、第１処理部１と第２処理部２との間での基板Ｇの受け渡しと、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇの受け渡しと、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２３】
インターフェイス部５には、第１搬送装置１７と同様の構造を有する第３搬送装置１９が配設されており、第３搬送装置１９の搬送アーム１９ａは、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄにアクセス可能であり、また、第２処理部２との間にインターフェイス部５を挟むように配設された図示しない露光装置にアクセスすることができるようになっている。こうして、第３搬送装置１９は、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行い、また、第２処理部２と露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２４】
第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａには、第１搬送部３側にスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するためのエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１が設けられている。また、処理ブロック１１ａには、エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１に隣接して基板Ｇのスクラブ洗浄処理を行うスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２が第２搬送部４側に設けられており、エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１とスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２の天井部にはフィルターファンユニット（ＦＦＵ）７１が設けられている。
【００２５】
この処理ブロック１１ａ内においては、基板Ｇは回転処理されることなく、コロ搬送等の方法を用いてＸ方向に略水平に搬送されつつ、エキシマＵＶ照射処理とスクラブ洗浄処理が連続して行われるようになっている。なお、基板Ｇのスクラブ洗浄処理中に発生する処理液のミスト等がスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２からエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１へ飛散しないように、スクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２とエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１との間にはシャッター２８を設けることが好ましい。また、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）７１からのダウンフローの向きを調節することによっても、ミスト等の飛散を防止することができる。
【００２６】
処理ブロック１１ａのＹ方向側に仕切壁を隔てて位置する処理ブロック１１ｂには、第１搬送部３から第２搬送部４に向かって、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６が並べて配置されており、処理ブロック１１ｂの天井部には、フィルターファンユニット７２が配設されている。
【００２７】
クーリングユニット（ＣＯＬ）２３においては、レジスト塗布前に基板Ｇの温度均一性を高める熱処理が行われ、これにより基板Ｇに形成されるレジスト膜の均一性を高めることができるようになっている。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４としては、例えば、スピンコートによって基板Ｇの表面にレジスト膜を塗布する装置が配置される。また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５は、基板Ｇに形成されたレジスト膜を熱処理によらずに減圧処理することにより、レジスト膜に含まれる揮発成分を蒸発させて、後に行われるプリベーク処理前の予備的な乾燥処理を行う。周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４におけるレジスト膜の塗布の際に基板Ｇの裏面に付着したレジストを除去し、また、基板Ｇの周縁部分のレジスト膜を除去する。このようなクーリングユニット（ＣＯＬ）２３から周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６に向けての基板Ｇの搬送は、図示しない基板搬送アームを有する処理ブロック内基板搬送装置により行われる。
【００２８】
なお、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５は必ず設けなくてはならないものではない。また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４として、基板Ｇを回転処理しないでレジスト塗布処理を行う装置を配置することにより、処理ブロック内基板搬送装置を設けることなく、基板ＧをＸ方向に略水平に搬送しつつ、レジスト塗布処理から基板Ｇの周縁部のレジスト除去処理に至る一連の処理を行うことも可能である。
【００２９】
処理ブロック１１ａの上段に位置する処理ブロック１１ｃには、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、スクラブ洗浄処理が終了した基板Ｇの脱水ベーク処理を行う脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１と、基板Ｇに対して疎水化処理を施す２つのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、基板Ｇを所定温度に冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３が設けられており、Ｙ方向に隣接する処理ブロック１１ｄ側に空気導入路４１ａが設けられている。
【００３０】
これらの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３はＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１１ｃ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理が施される。なお、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３とでは設定温度に大きな差があるために、シャッター５９ａによりこれらのゾーンを遮断することが可能となっている。シャッター５９ａは、基板Ｇのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２からクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３への通過時にのみ開口され、それ以外のときには閉口した状態に保持される。
【００３１】
処理ブロック１１ｂの上段に位置する処理ブロック１１ｄには、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、現像処理が終了した基板のポストベーク処理を行うポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６と、ポストベーク処理後の基板Ｇを冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７が設けられており、Ｙ方向に隣接する処理ブロック１１ｃ側に空気導入路４１ｂが設けられている。
【００３２】
処理ブロック１１ｃの構造と同様に、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７についても、これらはＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１１ｄ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理が施される。なお、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７とでは設定温度に大きな差があるために、シャッター５９ｃによりポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を遮断することが可能となっている。
【００３３】
ここで、処理ブロック１１ｃ・１１ｄにおける空気導入と熱排気（気流制御）の形態について説明する。図４（ａ）は処理ブロック１１ｃ・１１ｄにおける気流制御の実施形態を示した説明図であり、処理ブロック１１ｃの空気導入路４１ａ側の壁面に空気導入口４５ａが複数箇所形成され、また、空気導入口４５ａが形成された壁面と対向する壁面に空気排出口４６ａが複数箇所形成されており、空気導入口４５ａから処理ブロック１１ｃ内に導入された空気は、基板Ｇの搬送方向を垂直に横切るようにＹ方向に向かって流れ、空気排出口４６ａから排出されるようになっている。
【００３４】
同様に、処理ブロック１１ｄの空気導入路４１ｂ側の壁面に空気導入口４５ｂが複数箇所形成され、また、空気導入口４５ｂが形成された壁面と対向する壁面に空気排出口４６ｂが複数箇所形成されており、空気導入口４５ｂから処理ブロック１１ｄ内に導入された空気は、基板Ｇの搬送方向を垂直に横切るようにＹ方向に向かって流れ、空気排出口４６ｂから排出されるようになっている。
【００３５】
このような処理ブロック１１ｃ・１１ｄ内の気流制御によって、各温度ゾーンを所定の温度に保持することができる。なお、空気排出口４６ａ・４６ｂから排出された熱排気は、他の温度ゾーンに影響を与えることのないように設けられた所定の排気経路を通って排気される。
【００３６】
また、図４（ｂ）は処理ブロック１１ｃにおける気流制御の別の実施形態を示したものであるが、ここで、処理ブロック１１ｃと処理ブロック１１ｄとの間に空気導入路は形成されておらず、処理ブロック１１ｃ内への空気導入は、第１搬送部３側の基板搬出口４７ａと第２搬送部４側の基板搬入口４７ｂから行われる。クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３とアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２との境界近傍には、２つの空気排出口４８ａ・４８ｂが形成されており、基板搬出口４７ａからクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３内に流入した空気は空気排出口４８ａから排出され、基板搬入口４７ｂから脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１を経てアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２に流入した空気は空気排出口４８ｂから排出されるようになっている。
【００３７】
こうして、脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１およびアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２内の気流とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３内の気流とが分離され、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３がアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２による熱の影響を受け難いようになっている。なお、図４（ａ）・（ｂ）に示した処理ブロック１１ｃ・１１ｄ内における気流制御の形態は、処理ブロック１２ｃ・１２ｄにおいても同様に用いられる。
【００３８】
このように、第１処理部１においては、下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂに積層して配置することが困難である液処理を行う各種装置が配設され、上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄに液処理が行われた基板Ｇに対する一連の熱処理を行う装置が配設された構造となっており、このような上下二段の積層構造とすることでフットプリントの縮小が実現されている。また、第１処理部１においては、基板Ｇは全ての処理ブロック１１ａ〜１１ｄにおいて処理ブロック１１ａ〜１１ｄ内をＸ方向に搬送されるため、処理ブロック１１ａ〜１１ｄ内の異なる処理ゾーンにアクセスさせる搬送装置を必要としない点でも、フットプリントが縮小される。さらに、Ｙ方向から容易に処理ブロック１１ａ〜１１ｄにアクセスすることができることから処理ブロック１１ａ〜１１ｄのメンテナンスも容易である。
【００３９】
さらにまた、下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂの天井部に配設されたフィルターファンユニット（ＦＦＵ）７１・７２が断熱材としても機能するために、上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄから下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂへの熱拡散が抑制され、こうして下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂの雰囲気を所定の状態に保持して、処理品質を一定に保つことができるようになっている。ここで、第１処理部１における上段と下段の境界壁を断熱構造することで、より効果的に上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄから下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂへの熱拡散を防止することができる。
【００４０】
なお、従来のレジスト塗布・現像処理システムは、例えば、ポストベーク処理については複数の分割されたポストベークユニットを有しており、これら複数のポストベークユニットに基板Ｇを搬入してポストベーク処理を行っていたが、この場合には、ポストベークユニットごとの特性差に起因して、基板Ｇに微妙な熱履歴の差が生じ、品質がばらつく問題があった。しかし、レジスト塗布・現像処理システム１００においては、基板Ｇは処理ブロック１１ｄに設けられたポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６を通過する以外に、ポストベーク処理を行う場所を有していないために、熱履歴は一定となり、基板Ｇの品質を一定に保持することが容易となる。このような第１処理部１の有する特徴は、第２処理部２についても当てはまる。
【００４１】
第２処理部２を構成する下段の処理ブロック１２ａは、露光処理後の基板Ｇの現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７となっており、処理ブロック１２ａ内においては、基板Ｇは回転されることなく、インターフェイス部５から第２搬送部４に向けてＸ方向に略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理が行われるようになっている。なお、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７の天井部には、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）７３が設けられ、清浄な空気のダウンフローが内部を移動する基板Ｇに供給されるようになっている。
【００４２】
処理ブロック１２ａのＹ方向側に仕切壁を隔てて位置する処理ブロック１２ｂには、第２搬送部４側に露光処理後の基板Ｇに所定の情報を記録するタイトラー（ＴＩＴ）６２が配設され、またインターフェイス部５側に一時的に露光後の基板Ｇを退避させてストックするストックユニット（ＳＴ）６４が配置され、さらに、これらタイトラー（ＴＩＴ）６２とストックユニット（ＳＴ）６４との中間に、レジスト塗布・現像処理システム１００のシーケンサや現像処理等に使用する各種の処理液を供給するためのポンプ等、各種制御機器や動力機器を収納可能なユーティリティユニット（ＵＴＬ）６３が設けられている。
【００４３】
処理ブロック１２ａの上段に位置する処理ブロック１２ｃには、第２搬送部４からインターフェイス部５に向かって、レジスト塗布処理が終了した基板のプリベーク処理を行うプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４と、基板Ｇの所定温度に冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５が設けられており、Ｙ方向に隣接する処理ブロック１２ｄ側に空気導入路４２ａが設けられている。
【００４４】
前述した処理ブロック１１ｃの構造と同様に、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５についても、これらはＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４からインターフェイス部５に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１２ｃ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理が施される。なお、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５とでは設定温度に大きな差があるために、シャッター５９ｂによりプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５を遮断することが可能となっている。
【００４５】
処理ブロック１２ｂの上段に位置する処理ブロック１２ｄは、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１となっており、第２搬送部４とインターフェイス部５との間で何ら処理を行うことなく基板Ｇを搬送することができるようになっている。ここで搬送中の基板Ｇにパーティクル等が付着しないように、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１内に清浄な空気を送ることができるように、処理ブロック１２ｃ側に空気導入路４２ｂが設けられている。なお、処理ブロック１２ｂ・１２ｄは必ずしも必要ではなく、必要に応じてその他の処理装置を配置することも可能である。
【００４６】
次に、上述した構成を有するレジスト塗布・現像処理システム１００における基板Ｇの搬送経路について、図５を参照しながら説明する。図５は、先に示した図３における基板Ｇの搬送順路を矢印Ｄ１〜Ｄ１６で示した説明図である。なお、図５においては第１搬送装置１７〜第３搬送装置１９の図示を省略している。
【００４７】
最初に、第１搬送装置１７が容器搬入出部６に載置されたカセットＣから基板Ｇを搬出し（矢印Ｄ１）、処理ブロック１１ａのエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１に搬入する。基板Ｇは、処理ブロック１１ａ内を略水平に搬送されつつエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１およびスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２を通過し、所定の液処理が施される（矢印Ｄ２）。続いて、第２搬送装置１８がスクラブ洗浄処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１１ａから搬出し、処理ブロック１１ｃの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１に搬入する。こうして基板Ｇは、処理ブロック１１ｃ内を略水平に搬送されつつ、脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３を逐次通過して所定の熱的処理が施される（矢印Ｄ３）。
【００４８】
次に、第１搬送装置１７が所定温度に冷却された基板Ｇを処理ブロック１１ｃから搬出し、処理ブロック１１ｂのクーリングユニット（ＣＯＬ）２３に搬入する。基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３において均一温度に調節された後に、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６の順で所定の処理を施され、基板Ｇにレジスト膜が形成される（矢印Ｄ４）。第２搬送装置１８は、レジスト膜が形成された基板Ｇを処理ブロック１１ｂから搬出し、処理ブロック１２ｃに搬入する。基板Ｇは処理ブロック１２ｃ内を略水平に搬送されつつ、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５を逐次通過して所定のプリベーク処理が終了する（矢印Ｄ５）。
【００４９】
その後、第３搬送装置１９がプリベーク処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１２ｃから搬出し、インターフェイス部５に隣接して設けられた図示しない露光装置に搬入する（矢印Ｄ６）。そして、第３搬送装置１９は露光処理が終了した基板Ｇを露光装置から搬出し（矢印Ｄ７）、例えば、処理ブロック１２ｄ（搬送ユニット（ＴＲＳ）６１）に搬入する。基板Ｇは処理ブロック１２ｄ内を搬送され（矢印Ｄ８）、第２搬送装置１８が基板Ｇを処理ブロック１２ｄから搬出し、処理ブロック１２ｂのタイトラー（ＴＩＴ）６２に搬入する（矢印Ｄ９）。タイトラー（ＴＩＴ）６２において所定の情報が記録された基板Ｇは、第２搬送装置１８によって搬出され（矢印Ｄ１０）、次いで、処理ブロック１２ｄに搬入されてインターフェイス部５側へ搬送される（矢印Ｄ１１）。
【００５０】
第３搬送装置１９は処理ブロック１２ｄから基板Ｇを搬出し、処理ブロック１２ａに設けられた現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が空いている場合には現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７へ搬入し、一方、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用中のために基板Ｇを搬入することができない場合には、一時的に基板Ｇをストックユニット（ＳＴ）６４へ搬入する（矢印Ｄ１２）。そして、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用可能となった時点で、第３搬送装置１９は基板Ｇをストックユニット（ＳＴ）６４から搬出し（矢印Ｄ１３）、処理ブロック１２ａに搬入する。
【００５１】
なお、矢印Ｄ８〜矢印Ｄ１３の工程は、上記順序に限定されるものではなく、例えば、露光処理が終了した基板Ｇを最初にストックユニット（ＳＴ）６４に収納し（矢印Ｄ１２）、所定時間経過後に搬送ユニット（ＴＲＳ）６１を用いてストックユニット（ＳＴ）６４からタイトラー（ＴＩＴ）６２へと搬送（矢印Ｄ１３→Ｄ８→Ｄ９）し、タイトラー（ＴＩＴ）６２での処理が終了した後に再び搬送ユニット（ＴＲＳ）６１を用いて基板Ｇをインターフェイス部５へ戻し（矢印Ｄ１０→Ｄ１１）、直接に処理ブロック１２ａの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７に搬入しても構わず、この場合においてタイトラー（ＴＩＴ）６２での処理が終了した基板Ｇを再びストックユニット（ＳＴ）６４に収納しても構わない。
【００５２】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７に搬入された基板Ｇは処理ブロック１２ａ内を略水平に搬送されつつ所定の現像処理が施され（矢印Ｄ１４）、第２搬送装置１８により現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７から搬出される。第２搬送装置１８は、現像処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１１ｄに搬入し、基板Ｇは処理ブロック１１ｄ内を略水平に搬送されつつ、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を逐次通過して、ポストベーク処理が行われる（矢印Ｄ１５）。続いて、第１搬送装置１７が処理ブロック１１ｄからポストベーク処理が終了した基板Ｇを搬出し、所定のカセットＣに搬入する（矢印Ｄ１６）。こうして、基板Ｇに対する洗浄からレジスト塗布、現像に至る処理が終了する。
【００５３】
このようにレジスト塗布・現像処理システム１００においては、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１では基板Ｇの双方向搬送が可能であるが、その他の処理ブロック１１ａ〜１１ｄ・１２ａ・１２ｃでは基板Ｇは一方向にのみに搬送され、また、処理を行うことなく搬送する必要がないように各種の装置が配置されており、スループットが高くなるように構成されている。
【００５４】
次に、レジスト塗布・現像処理システムの別の実施の形態について説明する。図６は先に図３に示したレジスト塗布・現像処理システム１００における処理ブロック１２ｂ・１２ｄの構成を変更し、その他の部分の構成には変更を加えていないレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図であり、図６（ａ）が上段の概略構造を、図６（ｂ）が下段の概略構造をそれぞれ示している。第２処理部２の下段にある処理ブロック１２ｂのインターフェイス部５側にはストックユニット（ＳＴ）６４が設けられ、その上段の処理ブロック１２ｄのインターフェイス部５側にタイトラー（ＴＩＴ）６２が設けられている。そして、処理ブロック１２ｂ・１２ｄのストックユニット（ＳＴ）６４とタイトラー（ＴＩＴ）６２以外の部分は、ユーティリティユニット（ＵＴＬ）６３ａ・６３ｂとなっている。
【００５５】
このような図６に示した構成とすることにより、第３搬送装置１９がタイトラー（ＴＩＴ）６２に対して基板Ｇの搬入出を行うことができるようになり、先に図３に示したように、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１を設ける必要がなくなる。つまり、基板Ｇをただ単に搬送する必要がなくなることから、スループットが向上し、基板Ｇの破損等の危険性も小さなものとなる。
【００５６】
続いて、図７にレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図を示す。図７に示したレジスト塗布・現像処理システムは、先に図３に示したレジスト塗布・現像処理システム１００における第１処理部１と第２処理部２における上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄ・１２ｃ・１２ｄの構成を変更し、その他の部分には変更を加えていない構造を有し、図７（ａ）が上段の概略構造を、図７（ｂ）が下段の概略構造をそれぞれ示している。以下、処理ブロック１１ｃ・１１ｄ・１２ｃ・１２ｄの構造について説明する。
【００５７】
処理ブロック１１ｃには、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）８１ａ・８１ｂと、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）８２ａ・８２ｂと、ポストベークユニット（ＰＯＢ）８３ａ・８３ｂが配設され、また、処理ブロック１１ｄには、クーリングユニット８４ａ〜８４ｃと、ポストベークユニット（ＰＯＢ）８３ｃ〜８３ｅが配設され、処理ブロック１１ｃと処理ブロック１１ｄの中間には、Ｘ方向に延在する水平搬送路が形成されており、水平搬送路に第４搬送装置９１が配置されている。
【００５８】
処理ブロック１１ｃ・１１ｄに配置された上記各種の熱処理ユニットは独立した箱体となっており、熱処理ユニットに対する基板Ｇの搬入出は水平搬送路側から行われ、処理ブロック１１ｃ・１１ｄ内をＸ方向に移動することは不可能となっている。一方、第４搬送装置９１は水平搬送路に沿ってＸ方向に移動可能であり、また、Ｚ方向に昇降可能に構成され、その搬送アームはＹ方向に伸縮して処理ブロック１１ｃ・１１ｄを構成する熱処理ユニットにアクセス可能であり、第１搬送装置１７の搬送アーム１７ａおよび第２搬送装置１８の搬送アーム１８ａとの間で基板Ｇの受け渡しを行うことができるようになっている。
【００５９】
処理ブロック１１ｃ・１１ｄには、洗浄後レジスト塗布前に行うべき熱処理を行うための熱処理ユニットと、現像処理後に行うべき熱処理ユニットが配設されるが、第４搬送装置９１の搬送アームが処理ブロック１１ｃ・１１ｄを構成する複数の熱処理ユニットにランダムにアクセス可能であることから、これらの熱処理ユニットの配置位置に制限はない。
【００６０】
例えば、図８の平面図に示すレジスト塗布・現像処理システムのように、処理ブロック１１ｄには何ら熱処理ユニットを設けず、処理ブロック１１ｃに、上下二段に断熱積層された脱水ベーク（下段）／クーリング（上段）ユニット（ＤＨＰ／ＣＯＬ）８６ａ・８６ｂ、アドヒージョン（下段）／ポストベーク（上段）ユニット（ＡＤ／ＰＯＢ）８７ａ・８７ｂ、ポストベーク（上下段）ユニット（ＰＯＢ／ＰＯＢ）８８、ポストベーク（下段）／クーリング（上段）（ＰＯＢ／ＣＯＬ）８９等の熱処理ユニットを配設することも可能である。
【００６１】
処理ブロック１２ｃには、プリベークユニット（ＰＲＢ）８５ａ〜８５ｄと、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄ・８４ｅが配置され、処理ブロック１２ｃのＹ方向側面にはＸ方向に延在する水平搬送路が形成されており、水平搬送路に第４搬送装置９１と同等の構造を有する第５搬送装置９２が配置されている。処理ブロック１２ｄは、図７においては何ら装置が配設されていない空きスペースとなっているが、例えば、ユーティリティユニット（ＵＴＬ）６３と同様に用いることが可能である。
【００６２】
処理ブロック１２ｃには、レジスト膜形成後露光処理前に行うべき熱処理を行うための熱処理ユニットが配置される。これらの熱処理ユニットは独立した箱体となっており、これらの熱処理ユニットに対する基板Ｇの搬入出は水平搬送路側から第５搬送装置９２の搬送アームを用いてランダムに行うことができるようになっている。このためプリベークユニット（ＰＲＢ）８５ａ〜８５ｄと、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄ・８４ｅの配置位置は図７に示されるものに制限されず、また、図８に示すように、上下二段に断熱積層されたプリベーク（上段）／プリベーク（下段）ユニット（ＰＲＢ／ＰＲＢ）９９を設けることも可能である。
【００６３】
なお、第５搬送装置９２の搬送アームは、第２搬送装置１８の搬送アーム１８ａおよび第３搬送装置１９の搬送アーム１９ａとの間で基板Ｇの受け渡しを行うことができるようになっており、第５搬送装置９２は、露光処理後の基板Ｇの処理ブロック１２ｂに設けられたタイトラー（ＴＩＴ）６２への搬送や、タイトラー（ＴＩＴ）６２から搬出された基板Ｇのインターフェイス部５側への搬送をも行う。
【００６４】
このように、レジスト塗布・現像処理システムにおける熱処理については、複数設けられた熱処理ユニットにランダムにアクセスが可能な構成とすることにより、適宜、使用していない熱処理ユニットに基板Ｇを搬送して熱処理を行うことができることから、スループットが向上する。
【００６５】
次に、図９にレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図を示す。図９に示したレジスト塗布・現像処理システムは、先に図７に示したレジスト塗布・現像処理システムにおける第１処理部１と第２処理部２における下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂ・１２ａの構成を変更し、また、このような構成変更に伴って第２搬送部４内に構造の簡略化された搬送装置（基板搬送装置９５）を配設し、その他の部分には変更を加えていない構造を有しており、図９（ａ）が上段の概略構造を、図９（ｂ）が下段の概略構造をそれぞれ示している。以下、処理ブロック１１ａ・１１ｂ・１２ａの構造について説明する。
【００６６】
処理ブロック１１ａには、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１ａと、２台のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・２２ｂが配設されており、また、処理ブロック１１ｂには、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６が並べて配置されている。処理ブロック１１ａと処理ブロック１１ｂの中間には、Ｘ方向に延在する水平搬送路が形成されており、この水平搬送路には、第４搬送装置９１と同様の構造を有する第６搬送装置９３が配置されている。
【００６７】
処理ブロック１２ａには、３台の現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７ａ〜２７ｃが配設されており、処理ブロック１２ａのＹ方向側面には、Ｘ方向に延在する水平搬送路が形成されており、この水平搬送路には、第４搬送装置９１と同様の構造を有する第７搬送装置９４が配置されている。なお、第４〜第７搬送装置の配設によって、第２搬送部４内に配置される基板搬送装置はＹ方向へスライドさせる必要がなくなるために、Ｚ方向における昇降動作と、水平面内での回転動作と、Ｘ方向への伸縮動作のみが可能な基板搬送装置９５が配置されている。
【００６８】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・２２ｂとしては、例えば、１台で粗洗浄から仕上げ洗浄、洗浄液の振り切り乾燥を行うことができるスピナー系ユニットを配設することができる。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７ａ〜２７ｃについても、１台で現像処理およびリンス処理とリンス液の振り切り乾燥を行うことができるスピナー系ユニットを配設することができる。このように、複数の液処理ユニットを設けることによって、スループットを向上させることが可能となる。
【００６９】
第６搬送装置９３の搬送アームは、処理ブロック１１ａ・１１ｂに配設された複数の処理ユニット（減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５を除く）にランダムにアクセス可能であり、例えば、逐次、空いている処理ユニットへ基板Ｇを搬送する。また、第６搬送装置９３は、第１搬送装置１７および基板搬送装置９５との間で基板Ｇの受け渡しが可能である。
【００７０】
第７搬送装置９４の搬送アームは、処理ブロック１２ａに配設された３台の現像処理ユニット２７ａ〜２７ｃにランダムにアクセスすることが可能であり、逐次、空いている処理ユニットへ基板Ｇを搬送する。また、第７搬送装置９４は、第３搬送装置１９および基板搬送装置９５との間で基板Ｇの受け渡しが可能である。なお、タイトラー（ＴＩＴ）６２に対しては、基板搬送装置９５または第７搬送装置９４のいずれかがアクセスできればよく、ストックユニット（ＳＴ）６４に対しては、第７基板搬送装置９４または第３搬送装置１９のいずれかがアクセスできればよい。
【００７１】
上述した図５〜図９に示したレジスト塗布・現像処理装置においても、カセットＣに収納された基板Ｇが所定の処理を経て再びカセットＣに収納されるまでに基板Ｇに施される処理内容は、図１〜図３に示したレジスト塗布・現像処理システム１００を用いた場合と変わるところはない。つまり、図５〜図９に示したレジスト塗布・現像処理装置においては、基板Ｇは処理ブロック内をＸ方向に搬送されつつ処理され、または、所定の搬送装置を用いて所定の処理ユニットに搬入されて処理された後に搬出され、次の処理ユニットに搬送される。
【００７２】
例えば、図９に示したレジスト塗布・現像処理装置における基板Ｇの搬送工程は、最初に、第１搬送装置１７が容器搬入出部６に載置されたカセットＣから基板Ｇを搬出し、基板Ｇを第６搬送装置９３に移し替える。第６搬送装置９３は、基板ＧをエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１ａに搬入し、ＵＶ照射処理後に基板Ｇを搬出する。続いて、第６搬送装置９３は、基板Ｇをスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・２２ｂの一方に搬入し、スクラブ洗浄処理が終了した後に基板Ｇを搬出し、基板搬送装置９５に受け渡す。
【００７３】
基板搬送装置９５は基板Ｇを第４搬送装置９１に受け渡し、第４搬送装置９１は、例えば、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）８１ａ、アドヒージョンユニット（ＡＤ）８２ａ、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｂの順序で、これらのユニットに対して基板Ｇの搬入出を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｂでの処理が終了した基板Ｇを第１搬送装置１７へ受け渡す。
【００７４】
次いで、第１搬送装置１７は第６搬送装置９３に基板Ｇを受け渡し、第６搬送装置９３は、基板Ｇをクーリングユニット（ＣＯＬ）２３に搬入する。基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３において均一温度に調節された後に、第６搬送装置９３によって搬出され、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４に搬入される。こうしてレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６の順で所定の処理を施され、レジスト膜が形成された基板Ｇは再び第６搬送装置９３によって搬出され、基板搬送装置９５に受け渡しされる。
【００７５】
基板搬送装置９５は、このレジスト膜が形成された基板Ｇを第５搬送装置９２に受け渡し、第５搬送装置９２は、例えば、プリベークユニット（ＰＲＢ）８５ａ、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄの順序で、これらのユニットに対して基板Ｇの搬入出を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄでの処理が終了した基板Ｇを第３搬送装置１９へ受け渡す。第３搬送装置１９は露光装置へ基板Ｇを受け渡し、また、露光処理が終了した基板Ｇを露光装置から受け取って、第７搬送装置９４へ受け渡す。第７搬送装置９４は、例えば、露光処理が終了した基板Ｇをタイトラー（ＴＩＴ）６２に搬入し、タイトラー（ＴＩＴ）６２にて所定の処理が終了した基板Ｇを搬出し、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７ａ〜２７ｃのいずれかに搬入する。
【００７６】
こうして、現像処理が終了した基板Ｇは第７搬送装置９４によって搬出された後、基板搬送装置９５へ受け渡しされる。そして、基板搬送装置９５は第４搬送装置９１に基板Ｇを受け渡し、第４搬送装置９１は、例えば、ポストベークユニット（ＰＯＢ）８３ｃ、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ａの順序で、これらのユニットに対して基板Ｇの搬入出を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ａでの処理が終了した基板Ｇを第１搬送装置１７へ受け渡す。第１搬送装置１７は、ポストベーク処理が終了した基板Ｇ所定のカセットＣに搬入し、こうして基板Ｇに対する洗浄からレジスト塗布、現像に至る処理が終了する。
【００７７】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では第２処理部２を第１処理部１のＸ方向隣に配置したが、基板Ｇの搬送方向はＸ方向のままで第２処理部をＹ方向隣に配置することも可能である。この場合には、第１処理部１と第２処理部２との中間にメンテナンススペースを確保することが好ましく、第３搬送装置１９を設ける必要はなくなる。また、レジスト塗布・現像処理システム１００において用いられている熱処理ブロック、つまり、基板Ｇが内部を略水平に搬送されつつ所定の熱的処理が施される複数の温度ゾーンからなる処理ブロックは、複数段に積層することも可能である。さらに、処理部は２箇所に限定されるものではなく、１箇所または３箇所以上であってもよく、被処理体はＬＣＤガラス基板Ｇに限定されるものではなく、例えば、半導体ウエハ等であってもよい。
【００７８】
【発明の効果】
上述の通り、本発明の処理装置によれば、液処理部を上下二段に仕切られた下段に配置し、この液処理部の上段に熱的処理部を配置することにより、処理装置のフットプリントが縮小されるという効果が得られる。また、本発明は、被処理体を一方向に搬送しつつ所定の液処理および熱的処理を行う処理形態を採用することによって、被処理体の搬送に必要な搬送装置の数を低減してその配置スペースを省き、フットプリントを縮小するという効果を奏する。このとき、装置コストを低減することが可能となるという効果が得られる。さらに、本発明は、液処理部の上部に熱的処理部を配置することで、熱的処理部からの熱拡散が液処理部に及ぶことが回避され、液処理の均一性が向上し、ひいては被処理体の品質が高められるという効果を奏する。
【００７９】
さらにまた、本発明においては、被処理体に対して所定の液処理を行う液処理部と熱的処理を行う熱的処理部の配置を被処理体の一連の処理工程に適合させて配置することで被処理体を効率的に処理し、スループットを向上させる効果が得られる。なお、被処理体を一方向に搬送しつつ所定の液処理および熱的処理を行う処理部に代えて、同種の液処理ユニットと熱処理ユニットを複数設け、これらの処理ユニットにランダムにアクセスすることができる構造とすることにより、フットプリントを縮小したままスループットを向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムの一実施形態を示す斜視図。
【図２】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す側面図。
【図３】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す平面図。
【図４】熱処理を行う処理ブロックにおける気流制御の一形態を示す説明図。
【図５】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムにおける基板の搬送順路を示した説明図。
【図６】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムの別の実施形態を示す平面図。
【図７】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図。
【図８】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図。
【図９】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平面図。
【符号の説明】
１；第１処理部
２；第２処理部
３；第１搬送部
４；第２搬送部
５；インターフェイス部
６；容器搬入出部
１１ａ〜１１ｄ・１２ａ〜１２ｄ；処理ブロック
１７；第１搬送装置
１８；第２搬送装置
１９；第３搬送装置
２１；エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）
２２；スクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）
２２ａ・２２ｂ；スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
２３；クーリングユニット（ＣＯＬ）
２４；レジスト塗布ユニット（ＣＴ）
２５；減圧乾燥ユニット（ＶＤ）
２６；周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）
２７・２７ａ〜２７ｃ；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
４１ａ・４１ｂ・４２ａ・４２ｂ；空気導入路
５１；脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）
５２；アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）
５３；クーリングゾーン（ＣＯＬ）
５４；プリベークゾーン（ＰＲＢ）
５５；クーリングゾーン（ＣＯＬ）
５６；ポストベークゾーン（ＰＯＢ）
５７；クーリングゾーン（ＣＯＬ）
６１；搬送ユニット（ＴＲＳ）
６２；タイトラー（ＴＩＴ）
６３；ユーティリティユニット（ＵＴＬ）
６４；ストックユニット（ＳＴ）
９１；第４搬送装置
９２；第５搬送装置
９３；第６搬送装置
９４；第７搬送装置
９５；基板搬送装置
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；基板（ＬＣＤ基板）
Claims (12)
- 被処理体に対して液処理を含む一連の処理を施す処理装置であって、
被処理体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを有する液処理部と、
被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処理部と、
を具備し、
上下二段に仕切られた下段に前記液処理部が配置され、上段に前記熱的処理部が配置され、
前記液処理部は、内部において被処理体が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる構造を有し、
前記熱的処理部は、内部において被処理体が略水平に搬送されつつ所定の熱的処理が行われる構造を有し、
前記液処理部における被処理体の搬送方向と前記熱的処理部における被処理体の搬送方向とが互いに平行であり、
前記熱的処理部には、低温側から高温側へ気流が流れて排気される排気経路が形成されており、かつ、相対的に高温での熱処理後に低温へ冷却する熱的処理が行われる部分においては高温側から低温側への気流の流れが生じないように高温で熱処理を行う部分と低温で熱処理を行う部分とが遮蔽可能に構成されていることを特徴とする処理装置。 - 前記熱的処理部には、被処理体の搬送方向と垂直な方向に気流の流れが生ずるように、給気口および排気口が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
- 被処理体に対して液処理を含む一連の処理を施す処理装置であって、
被処理体に所定の異なる液処理を施す複数の液処理ユニットと、前記複数の液処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第１のユニット間搬送装置とを有する液処理部と、
被処理体に所定の熱的処理を施すための独立した箱体構造を有する複数の熱処理ユニットと、複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第２のユニット間搬送装置とを有する熱的処理部と、を具備し、
上下二段に仕切られた下段に前記液処理部が配置され、上段に前記熱的処理部が配置されていることを特徴とする処理装置。 - 前記熱的処理部は、複数の熱処理ユニットが複数段に積層された構造を有することを特徴とする請求項３に記載の処理装置。
- 前記上段に設けられた熱的処理部と前記下段に設けられた液処理部との間で被処理体を搬送する搬送装置をさらに具備すること特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の処理装置。
- 前記上段に設けられた熱的処理部と前記下段に設けられた液処理部とから構成される処理ユニット群を複数具備し、
前記搬送装置は、前記複数の処理ユニット群の間で、または、１つの処理ユニット群における上段と下段との間で被処理体を搬送することを特徴とする請求項５に記載の処理装置。 - 前記処理ユニット群が並列に２台連設されてなる第１の処理部と、前記処理ユニット群を有する第２の処理部とを具備し、
前記搬送装置は、前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、前記第１の処理部の他端側に設けられた第２の搬送装置と、前記第２の処理部の他端側に設けられた第３の搬送装置とを有することを特徴とする請求項６に記載の処理装置。 - 被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
処理前または処理後の被処理体を収納可能な収納容器を載置する容器搬入出部と、
被処理体を搬送するために前記容器搬入出部と前記第１の処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二段に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる液処理部と、
内部において被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す第１の熱処理ユニットと内部において被処理体を略水平に搬送しつつ現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す第２の熱処理ユニットとが上下二段に仕切られた上段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる熱的処理部と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
上下二段に仕切られた上段に配置され、内部において被処理体を略水平に搬送しつつレジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す第３の熱処理ユニットと、を有し、
前記第１から第３の熱処理ユニットにはそれぞれ、低温側から高温側へ気流が流れて排気される排気経路が形成され、加熱処理後に冷却処理を行う部分において加熱処理を行うユニットから冷却処理を行うユニットへ気流の流れが生じないように当該加熱処理を行うユニットと当該冷却処理を行うユニットとが遮蔽可能に構成されていることを特徴とする処理装置。 - 前記第１から第３の熱処理ユニットは、被処理体の搬送方向と垂直な方向に気流の流れが生ずるように、給気口および排気口が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
- 被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部の一端に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二段に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行となるように並列に配置されてなる液処理部と、
洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットと現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットとが上下二段に仕切られた上段に配置されてなる第１の熱的処理部と、
前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理部と、
前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置と、を有することを特徴とする処理装置。 - 被処理体に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の処理部と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部の一端に設けられた第１の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフェイス部と、を具備し、
前記第１の処理部は、
被処理体の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが、上下二段に仕切られた下段に配置されてなる液処理部と、
前記洗浄処理ユニットと前記レジスト塗布ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、
洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットと、現像処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットとが、上下二段に仕切られた上段に配置されてなる第１の熱的処理部と、
前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置と、を有し、
前記第２の処理部は、
上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理体に現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う１または複数の現像処理ユニットと、
前記現像処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第６の搬送装置と、
上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理部と、
前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第７の搬送装置と、を有することを特徴とする処理装置。 - 被処理体に対して液処理および熱的処理を行う処理装置であって、
被処理体を略水平に搬送しながら被処理体に所定の液処理を逐次施す複数の液処理ユニットを有する液処理部が上下二段に仕切られた下段に配置され、被処理体を略水平に搬送しながら被処理体に加熱処理および当該加熱処理の後の冷却処理を逐次施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処理部が上下二段に仕切られた上段に配置されて構成される処理ユニット群を複数備えた処理部と、
前記複数の処理ユニット群の間および各処理ユニット群の下段と上段との間で被処理体を搬送する搬送装置と、を具備し、
前記熱的処理部において加熱処理後に所定温度まで冷却処理された被処理体が前記液処理部へ搬入されるように、前記熱的処理部では、被処理体を冷却処理するユニットが、前記液処理部の被処理体搬入側に配置されていることを特徴とする処理装置。
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