JP5400751B2 - 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置 - Google Patents
加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5400751B2 JP5400751B2 JP2010274611A JP2010274611A JP5400751B2 JP 5400751 B2 JP5400751 B2 JP 5400751B2 JP 2010274611 A JP2010274611 A JP 2010274611A JP 2010274611 A JP2010274611 A JP 2010274611A JP 5400751 B2 JP5400751 B2 JP 5400751B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- carry
- substrate
- heat treatment
- intake
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
- G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
- G03F7/202—Masking pattern being obtained by thermal means, e.g. laser ablation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図示のとおり、レジスト塗布・現像処理システム100は、複数のガラス基板S(以下、単に基板Sと記す)を収容するカセットCが載置されるカセットステーション1と、基板Sにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を行う処理ステーション2と、基板Sに露光処理を施す露光装置9との間で基板Sの受け渡しを行うインターフェースステーション4とを備えている。カセットステーション1、処理ステーション2、およびインターフェースステーション4は、図中のX方向に沿って配置されている。
また、処理ステーション2には、インターフェースステーション4側からカセットステーション1側に向かって、現像ユニット(DEV)30、加熱処理ユニット(HT)31、冷却ユニット(COL)32、および検査装置(IP)35が順に配列されている。
まず、搬送装置11の搬送アーム11aにより、カセットステーション1の載置台12に載置されたカセットCから基板Sが取り出され、搬送ラインAに沿って、処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット21へと搬送される。ここで、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Sに対して紫外域光が照射され、基板S上に吸着した有機物が除去される。次にスクラブ洗浄ユニット22へ基板Sが搬送され、洗浄液(たとえば脱イオン水(DIW))が基板Sに供給されつつブラシ等の洗浄部材により基板Sの表面が洗浄され、ブロワー等により乾燥される。洗浄乾燥された基板Sは、加熱処理ユニット23へ搬送され、加熱されて更に乾燥される。次いで基板Sは、アドヒージョンユニット24へ搬送され、加熱した基板Sに対してヘキサメチルジシラン(HMDS)を吹き付けることにより基板Sに対して疎水化処理が行われる。疎水化処理後、基板Sは冷却ユニット25へ搬送され、基板Sに対して冷風を吹き付けることによって基板Sが冷却され、所定の温度に維持される。
図2は、加熱処理ユニット28および31を構成するオーブン28aの斜視図である。加熱処理ユニット28(プリベーク用)は、基板搬送方向に組み合わされた2つのオーブン28aを有している。また、加熱処理ユニット31(ポストベーク用)は、基板搬送方向に組み合わされた3つのオーブン28aを有している。これらの加熱処理ユニット28および31は、組み合わされるオーブン28aの数が異なる以外には、ほぼ同一の構成を有しているため、以下では、加熱処理ユニット28を説明する。
図3(図2に示すオーブン28aの基板搬送方向に沿った断面図)を参照すると、オーブン28aには、基板搬送方向の上流端および下流端において基板Sの搬送口61,62が設けられている。本実施形態においては、搬送口61,62の高さは約40mmであり、搬送口61,62の幅は、使用される基板Sの幅より数10mm広い。
なお、上部ヒータ72および下部ヒータ71の双方を設けることが好ましいが、他の実施形態においては、上部ヒータ72を設けることなく下部ヒータ71のみを設けても良い。
図5(a)を参照すると、加熱処理ユニット28は、排気ユニット67を介して基板搬送方向に組み合わされる2つのオーブン28aと、これら2つのオーブン28aに対し図中の基板搬送方向の上流側および下流側にそれぞれ取り付けられる2つの吸気ボックス68とを備えている。ただし、説明の便宜上、図中では吸気ボックス68を加熱処理ユニット28から離して図示している。
図示のとおり、吸気ボックス68は、基板Sの搬送経路を画定する本体68aと、本体68a上に配置される吸気部68bとを有している。本体68aは、扁平な方形筒形状を有し、一方の開口が、基板Sが搬入される搬入口68Iであり、他の開口が、加熱処理ユニットの搬入口62Iと結合される搬出口68Oである。吸気部68bは、基板搬送方向と直交する方向に所定の間隔で配置される複数(図示の例では4つの)吸気導管68c1〜68c4を有している。なお、以下の説明において、各吸気導管68c1〜68c4を区別する必要がない場合、単に吸気導管68cと記す。
また、吸気部68bは、第1室681および第2室682を有し、これらはコの字形状を有する吸気導管68cにより連通している。第1室681は、吸気導管68c1〜68c4に対応して区画室に区画されており、各区画室の底面に本体68内に開口する孔68hが形成されている。一方、第2室682は、区画されておらず、基板搬送方向と直交する方向に沿って一端から他端まで延びる一の空間を画成する。また、第2室682の一端には開口部68eが形成され、開口部68eは吸気装置(図示せず)に接続されている。このため、第2室682は、複数の吸気導管68c1〜68c4に対する集合管として機能する。以上の構成により、本体68a内の空気は、孔68hから第1室681、吸気導管68c1〜68c4、第2室682、および開口部68eを通して吸気される。このため、図7中の矢印Aで示すように吸気ボックス68の搬入口68Iから流入し、加熱処理ユニット28の搬入口62I加熱処理ユニット28内へ流入する空気(矢印B)の流量を調整することができる。なお、開口部68eに接続される吸気装置は、加熱処理装置28を備えるレジスト塗布現像システム100が設置されるクリーンルーム等に配備される排気設備(用役設備)であってよく、加熱処理装置28用に設けられる排気設備であってもよい。
図8は、基板Sの温度均一性を調べるにあたって用意した実験用の基板を示す図である。図示のとおり、実験用の基板Sには、温度センサFP1〜FP5、MP1〜MP5、およびEP1〜EP5が設けられている。具体的には、温度センサFP1〜FP5は、基板Sの搬送方向の前端から約20mmの位置に、搬送方向と直交する方向に所定の間隔(図示の例では452.5mm)をおいて配置されている。温度センサMP1〜MP5は、基板Sにおける搬送方向の中間位置において所定の間隔をおいて配置され、温度センサEP1〜EP5は、基板Sの搬送方向の後端から約20mmの位置に所定の間隔をおいて配置されている。
・吸気導管68c1: 40Pa
・吸気導管68c2: 40Pa
・吸気導管68c3: 80Pa
・吸気導管68c4: 85Pa
<条件2>
・吸気導管68c1: 20Pa
・吸気導管68c2: 20Pa
・吸気導管68c3: 70Pa
・吸気導管68c4: 70Pa
なお、これらの圧力は、吸気導管68c1〜68c4にマノメータを取り付け、ダンパー68d調整することにより設定した。吸気導管68c3および68c4における圧力が、吸気導管68c1および68c2における圧力よりも高い(すなわち吸気量が多い)理由は、この実験を行った環境によるものである。具体的には、実験に使用した加熱処理ユニット28の上流側であって、吸気導管68c3および68c4に近い位置に他のユニットが配置され、このユニットから空気が送出されているためである。また、この実験においては、加熱処理ユニット28の下流側には吸気ボックス68を設けなかった。さらに、加熱処理ユニット28の下部ヒータ71および上部ヒータ72の設定温度は、上記の条件1および2において同一とし、基板Sの搬送速度も条件1および2おいて同一とした。
図9(a)と図9(b)とを比較すると、条件1の場合には、基板Sの搬送方向の前端側における温度に比べて後端側における温度が比較的顕著に低くなっているが、条件2の場合には、基板Sの搬送方向の前端側における温度と、後端側における温度がほぼ等しい(温度均一性に優れている)ことが分かる。各吸気導管68c1〜68c4の圧力は、条件1に比べ条件2において低いため、吸気導管68c1〜68c4から吸気される空気の吸気量は、条件2の方が少ない。このため、加熱処理ユニット28へ流入する空気の量は、条件2の方が多い。基板Sは、下部ヒータ71および上部ヒータ72からの輻射熱だけでなく、加熱処理ユニット28へ流入し、特に上部ヒータ72により加熱される空気によっても加熱されるため、流入量の多い条件2の場合に、特に後端側において、より効率よく加熱されたものと考えることができる。このように吸気ボックス68における吸気量を調整することにより、基板温度均一性を改善できることが理解される。
たとえば、図6および図7を参照しながら説明した吸気ボックス68によらず、加熱処理ユニット28および31の搬入口62Iおよび搬出口62Oの上方に(筐体6に)複数の吸気口を設け、これらの吸気口からの吸気により、搬入口62Iから排気ポート67pに至る空気の流れを調整するようにしてもよい。また、図5を参照しながら説明した排気ユニット67と同様な構成を有するユニットを搬入口62Iおよび搬出口62Oを臨む位置に(加熱処理ユニット28および31へ流入する空気を吸気可能な位置に)配置してもよい。
さらに、加熱処理ユニット28および31は、オーブン28aの組み合わせによらず、基板Sの搬入口および搬出口と、排気ポートとを有する一体の筐体により構成してもよい。
また、加熱処理ユニット28について説明したが、上述のとおり加熱処理ユニット31も同様の構成を有して良く、また、加熱処理ユニット23(図1参照)もまた同様の構成を有して良い。換言すると、加熱処理ユニット23、28、および31の少なくとも一つが上述の構成を有して良い。
Claims (7)
- 基板を収容可能で、前記基板が通過する第1の搬入口および第1の搬出口を有する筐体と、
前記第1の搬入口から前記第1の搬出口へ向かう方向に前記基板を搬送する第1の搬送機構と、
前記第1の搬送機構により前記筐体内を搬送される前記基板を加熱するヒータと、
前記筐体に設けられる排気口であって前記第1の搬入口および前記第1の搬出口から前記排気口に至る気流を形成可能な当該排気口と、
前記第1の搬入口および前記第1の搬出口の一方または双方に臨んで設けられ、吸気により前記気流を調整する当該吸気口と
を備え、
前記ヒータが、前記第1の搬入口から前記第1の搬出口へ向かう方向で上流側に配置される第1の加熱プレートと下流側に配置される第2の加熱プレートを含み、
前記第1および第2の加熱プレートは、該第1および第2の加熱プレートの温度を別個に制御され得る、
加熱処理装置。 - 前記第1の搬入口および前記第1の搬出口の一方または双方に取り付けられる吸気ユニットを更に備え、
前記吸気口が前記吸気ユニットに設けられる、請求項1に記載の加熱処理装置。 - 前記吸気ユニットが、
前記基板が搬入される第2の搬入口と、前記第2の搬入口から搬入された基板を搬出する第2の搬出口であって前記第1の搬入口と結合可能な当該第2の搬出口とを有し、前記第2の搬入口および前記第1の搬出口を除いて板部材で覆われるケーシング;並びに
前記ケーシングに設けられ、前記第2の搬入口から搬入される前記基板を前記第2の搬
出口へ搬送する第2の搬送機構;
を備える、請求項2に記載の加熱処理装置。 - 前記吸気ユニットには複数の前記吸気口が設けられる、請求項3に記載の加熱処理装置。
- 前記吸気口に、吸気量調整器を有する吸気ダクトが接続される、請求項1から4までのいずれか一項に記載の加熱処理装置。
- 前記排気口が前記筐体の上面に設けられる、請求項1から5までのいずれか一項に記載の加熱処理装置。
- 基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成ユニットと、
露光された前記レジスト膜を現像する現像ユニットと、
前記レジスト膜を加熱するために設けられる、請求項1から6までのいずれか一項に記載の加熱処理装置と
を含むレジスト塗布現像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010274611A JP5400751B2 (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置 |
KR1020110129596A KR20120064623A (ko) | 2010-12-09 | 2011-12-06 | 가열 처리 장치, 및 이를 구비하는 도포 현상 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010274611A JP5400751B2 (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012124365A JP2012124365A (ja) | 2012-06-28 |
JP5400751B2 true JP5400751B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=46505502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010274611A Active JP5400751B2 (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5400751B2 (ja) |
KR (1) | KR20120064623A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7066525B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7192375B2 (ja) * | 2018-10-09 | 2022-12-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法。 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237965A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リフロー炉 |
JP3783366B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2006-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 焼成炉 |
JP4104828B2 (ja) * | 2001-02-22 | 2008-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP4542577B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2010-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2010
- 2010-12-09 JP JP2010274611A patent/JP5400751B2/ja active Active
-
2011
- 2011-12-06 KR KR1020110129596A patent/KR20120064623A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012124365A (ja) | 2012-06-28 |
KR20120064623A (ko) | 2012-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4531690B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
KR101299763B1 (ko) | 기판 냉각 장치 및 기판 냉각 방법 | |
JP4672538B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4341978B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009076547A (ja) | 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5377463B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
KR101299898B1 (ko) | 기판 냉각 장치 | |
JP4813583B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008160011A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4407971B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5400751B2 (ja) | 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置 | |
JP3483376B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4620536B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TW200837514A (en) | Substrate processing method and resist surface processing apparatus | |
JP2008159768A (ja) | ベーキング装置及び基板処理装置 | |
JP5449116B2 (ja) | 現像装置、これを備える現像塗布システム、および現像方法 | |
KR20110052451A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP5025546B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP5014208B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP7034011B2 (ja) | 基板処理装置および基板温度計測方法 | |
JP2007335544A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7066525B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008060113A (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
JPH11312636A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121003 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131025 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5400751 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |