JP2002151403A - 基板処理装置、基板検査方法および基板処理システム - Google Patents

基板処理装置、基板検査方法および基板処理システム

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JP2002151403A JP2001209088A JP2001209088A JP2002151403A JP 2002151403 A JP2002151403 A JP 2002151403A JP 2001209088 A JP2001209088 A JP 2001209088A JP 2001209088 A JP2001209088 A JP 2001209088A JP 2002151403 A JP2002151403 A JP 2002151403A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットの低下を抑制しつつも適切な基
板の検査を行うことができる基板処理装置および基板検
査方法を提供する。 【解決手段】 基板に対してレジスト塗布処理および現
像処理を行う基板処理装置内に検査ユニット３０を設け
る。検査ユニット３０は、下から順に膜厚測定器３２
と、線幅測定器３３と、重ね合わせ測定器３４と、マク
ロ欠陥検査器３５とを積層して配置している。検査ユニ
ット３０は、基板処理装置内に形成される基板の搬送経
路の途中に設けられている。また、基板処理装置内にて
処理される基板はこれら各検査部に対して選択的に搬入
される。従って、必要に応じて適宜に装置内にて基板の
検査を行うことができ、スループットの低下を抑制しつ
つも適切な基板の検査を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の処理部間に
て所定の処理手順に従って半導体基板、液晶表示装置用
ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用
基板等（以下、単に「基板」と称する）を順次搬送する
ことによりレジスト塗布処理や現像処理等の処理を行う
とともに、併せてその基板の検査を行う基板処理装置、
基板検査方法および基板処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体や液晶ディスプレ
イなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗
布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処
理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製
造されている。かかる半導体製品等の品質維持のため、
上記各種処理のまとまったプロセスの後に、基板の各種
検査を行って品質確認を行うことが重要である。
【０００３】例えば、レジスト塗布処理および現像処理
を行う基板処理装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）に
おいては、従来より現像処理の最終工程にて基板上のパ
ターンの線幅測定等の検査を行うようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おいては、検査装置への搬入待ち時間が必要であるとと
もに検査結果が判明するまでにもある程度の時間を要し
ていたため、ある基板についての検査結果が判明するま
でに、当該基板よりも後に装置に払い出された基板の相
当数の処理が終了していた。このため、検査結果に不具
合があった場合には、相当数の基板について再処理を行
う必要が生じ、処理全体としてのスループットが低下す
ることとなっていた。
【０００５】また、上記のコータ＆デベロッパのよう
に、現像処理の最終工程にて基板の検査を行った場合に
は、検査結果に不具合があったとしても、その不具合の
原因となった工程を特定するために相当の時間を要する
こととなり、このこともスループット低下の原因となっ
ていた。
【０００６】さらに、検査結果の判明に時間が要するこ
とに起因して、検査結果に基づいた処理条件の適切な変
更（フィードフォワード制御またはフィードバック制
御）も困難であった。
【０００７】ここで、ある基板について１つの処理工程
終了ごとに検査を行えば、問題となる処理工程の特定が
確実に行えるとともに、再処理の必要な基板数も低減さ
せることができるものの、装置のスループットが極度に
低下することとなり、その結果処理のコストアップに繋
がる。
【０００８】すなわち、従来においては、スループット
を低下させることなく適切な基板の検査を行うことがで
きなかったのである。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、スループットの低下を抑制しつつも適切な基板
の検査を行うことができる基板処理技術を提供すること
を目的とする。
【００１０】また、本発明は、基板に対する検査を自由
度の高いものとすることができる基板処理技術を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、複数の処理部間にて所定の処理
手順に従って搬送部が基板を順次搬送することにより基
板に処理を行う基板処理装置において、前記基板処理装
置内にそれぞれが異なる内容の基板検査を行う複数の検
査部を備えている。
【００１２】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記搬送部に、前記複数
の検査部のうちから一部または全部を選択した選択検査
部に基板を搬送させている。
【００１３】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板処理装置において、前記搬送部に１組の複数
の基板を同一の処理手順に従って順次搬送させることに
より当該１組の複数の基板には同一の処理を行い、前記
搬送部に前記１組の複数の基板の一部または全部のそれ
ぞれを前記複数の検査部のうちから選択された１つの検
査部に搬送させることにより、前記複数の検査部のそれ
ぞれには少なくとも前記１組の複数の基板のうちの１枚
を搬送させている。
【００１４】また、請求項４の発明は、請求項１から請
求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記処理手順に従った搬送経路を形成し、前記複数の検
査部のそれぞれを、前記搬送経路の途中であって、その
検査内容に応じた位置に配置している。
【００１５】また、請求項５の発明は、請求項１から請
求項４のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記複数の検査部による検査結果に基づいて、前記複数
の処理部のいずれかにおける処理条件を変更している。
【００１６】また、請求項６の発明は、請求項１から請
求項５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記基板処理装置に、基板に対してレジスト塗布処理お
よび現像処理を行わせ、前記複数の検査部に、レジスト
の膜厚測定部、パターンの線幅測定部、パターンの重ね
合わせ測定部およびマクロ欠陥検査部のうちの少なくと
も２つを含ませている。
【００１７】また、請求項７の発明は、１組の複数の基
板を同一の処理手順に従って複数の処理部間で搬送する
ことにより基板処理を行いつつ、当該１組の複数の基板
に異なる内容の複数の基板検査を行う基板検査方法にお
いて、前記１組の複数の基板の一部または全部のそれぞ
れに対して前記複数の基板検査のうちから選択された１
つの検査を行うことにより、前記複数の検査のそれぞれ
が少なくとも前記１組の複数の基板のうちの１枚に対し
て行われるようにしている。
【００１８】また、請求項８の発明は、複数の処理部間
にて所定の処理手順に従って搬送部が基板を順次搬送す
ることにより基板に処理を行う基板処理装置において、
基板に対して所定の検査を行う検査部と、前記処理手順
における任意の順序位置に前記検査部への基板搬送を組
み込むことができる処理手順設定手段と、前記処理手順
設定手段によって設定された処理手順に従って基板を順
次搬送するように前記搬送部を制御する搬送制御手段
と、を備えている。
【００１９】また、請求項９の発明は、複数の処理部間
にて所定の処理手順に従って搬送部が基板を順次搬送す
ることにより基板に処理を行う基板処理装置において、
基板に対して所定の検査を行う複数の検査部と、前記処
理手順における任意の順序位置に前記複数の検査部への
基板搬送を個別に組み込むことができる処理順序設定手
段と、前記処理手順設定手段によって設定された処理手
順に従って基板を順次搬送するように前記搬送部を制御
する搬送制御手段と、を備えている。
【００２０】また、請求項１０の発明は、請求項９の発
明にかかる基板処理装置において、前記複数の検査部の
それぞれを、レジストの膜厚を測定する膜厚測定部、パ
ターンの線幅を測定する線幅測定部、パターンの重ね合
わせを測定する重ね合わせ測定部またはマクロ欠陥検査
部のいずれかとしている。
【００２１】また、請求項１１の発明は、請求項９の発
明にかかる基板処理装置において、前記複数の検査部の
いずれかに、レジストの膜厚測定、パターンの線幅測定
およびパターンの重ね合わせ測定を行うことを可能とさ
せている。
【００２２】また、請求項１２の発明は、請求項８から
請求項１１のいずれかの発明にかかる基板処理装置にお
いて、前記処理順序設定手段に、基板ごとに処理手順を
設定可能とさせている。
【００２３】また、請求項１３の発明は、請求項８から
請求項１１のいずれかの発明にかかる基板処理装置にお
いて、前記処理順序設定手段に、所定枚数の１組の基板
ごとに処理手順を設定可能とさせている。
【００２４】また、請求項１４の発明は、基板処理装置
に設けられた複数の処理部間にて所定の処理手順に従っ
て搬送部が基板を順次搬送することにより基板に処理を
行う基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に基
板に対して所定の検査を行う検査部を備え、前記処理手
順における任意の順序位置に前記検査部への基板搬送を
組み込むことができる処理順序設定手段と、前記処理手
順設定手段によって設定された処理手順に従って基板を
順次搬送するように前記搬送部を制御する搬送制御手段
と、を備えている。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
【００２６】図１は、本発明に係る基板処理装置の配置
構成を示す平面図である。この基板処理装置は、基板に
フォトレジストの塗布処理および現像処理を行う装置で
あり、レジスト塗布処理を行う塗布処理ユニット１０
と、現像処理を行う現像処理ユニット２０と、これら処
理ユニットに基板を払い出すインデクサＩＤと、インデ
クサ受け渡し部ＩＤＦと、インターフェイスＩＦＢとを
備えている。また、基板処理装置は、塗布処理ユニット
１０と現像処理ユニット２０との接続部分に検査ユニッ
ト３０を配設している。さらに、基板処理装置の外部に
は露光処理を行う露光ユニットＳＴＰ（いわゆるステッ
パ）がインターフェイスＩＦＢに接して配置されてい
る。
【００２７】塗布処理ユニット１０は、搬送ロボットＴ
Ｒを配置した搬送路１１を挟み込むようにして４つの塗
布処理部ＳＣを２つずつ設けている。各塗布処理部ＳＣ
は、基板を回転させつつその基板主面にフォトレジスト
を滴下することによって均一なレジスト塗布を行う、い
わゆるスピンコータである。
【００２８】図２は、図１の基板処理装置をＶ−Ｖ線か
ら見た縦断面図である。同図に示すように、各塗布処理
部ＳＣの上方には、３段に積層された熱処理部、すなわ
ち下から順に冷却処理部ＣＰ、加熱処理部ＨＰ、加熱処
理部ＨＰが設けられている。加熱処理部ＨＰは、基板を
加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプ
レートである。冷却処理部ＣＰは、基板を冷却して所定
の温度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度
に維持する、いわゆるクールプレートである。
【００２９】また、塗布処理部ＳＣの直上（塗布処理部
ＳＣと冷却処理部ＣＰとの間）には塗布処理部ＳＣにク
リーンエアを供給するための空調部ＡＣＵが設けられて
いる。空調部ＡＣＵは、ファン１５およびウルパフィル
タ１６を備えている。ファン１５を作動させることによ
って、搬送路１１に形成されているクリーンエアの空気
流（ダウンフロー）から空調部ＡＣＵに強制的に空気を
吸引する。空調部ＡＣＵ内に吸引されたクリーンエア
は、ウルパフィルタ１６によってさらにパーティクルが
除去された後、塗布処理部ＳＣへと供給される。
【００３０】また、塗布処理部ＳＣの下方にはケミカル
キャビネットＣＢが設けられている。ケミカルキャビネ
ットＣＢは、その内部にフォトレジスト等の薬液瓶やフ
ォトレジスト供給のための配管を収納している。
【００３１】また、搬送ロボットＴＲは、図示を省略す
る駆動機構によって鉛直方向の上下移動および鉛直方向
を軸とする回転動作を行うことができる。搬送ロボット
ＴＲは、基板を保持して水平面内にて進退移動を行うこ
とにより上記の各処理部（塗布処理部ＳＣ、冷却処理部
ＣＰおよび加熱処理部ＨＰ）にアクセスするための搬送
アームＡＭを備えている。この搬送ロボットＴＲによっ
て塗布処理ユニット１０の各処理部に基板を搬入すると
ともに、それら各処理部から基板を搬出することができ
る。なお、搬送アームＡＭは、スループット向上のた
め、ダブルアームとしておくのが好ましい。
【００３２】図１に戻り、現像処理ユニット２０は、搬
送ロボットＴＲを配置した搬送路２１を挟み込むように
して４つの現像処理部ＳＤを２つずつ設けている。現像
処理部ＳＤは、露光後の基板上に現像液を供給すること
によって現像処理を行う、いわゆるスピンデベロッパで
ある。現像処理ユニット２０は、搬送路１１と搬送路２
１とが一直線上に整列するように塗布処理ユニット１０
と接続されている。
【００３３】塗布処理ユニット１０と同様に、各現像処
理部ＳＤの上方には、３段に積層された熱処理部、すな
わち下から順に冷却処理部ＣＰ、加熱処理部ＨＰ、加熱
処理部ＨＰが設けられている（図２参照）。そして、現
像処理部ＳＤにクリーンエアを供給するための空調部Ａ
ＣＵが設けられている点や搬送路２１に配置された搬送
ロボットＴＲの構成についても塗布処理ユニット１０と
同様である。但し、現像処理ユニット２０においては加
熱処理部ＨＰの一部に替えて露光後加熱処理部ＰＥＢが
設けられている。また、本実施形態においては、塗布処
理ユニット１０および現像処理ユニット２０の双方の搬
送ロボットＴＲが搬送部に相当する。
【００３４】インデクサＩＤは、複数の基板を収納可能
なキャリア（図示省略）を載置し、未処理基板を当該キ
ャリアから塗布処理ユニット１０等に払い出すとともに
処理済基板を塗布処理ユニット１０、現像処理ユニット
２０等から受け取ってキャリアに格納する。なお、キャ
リアの形態としては、収納基板を外気に曝すＯＣ(open
casette)であっても良いし、基板を密閉空間に収納する
ＦＯＵＰ(front opening unified pod)であっても良
い。
【００３５】インデクサＩＤは、インデクサ受け渡し部
ＩＤＦを挟み込むようにして塗布処理ユニット１０と接
続されている。インデクサ受け渡し部ＩＤＦは、インデ
クサＩＤと塗布処理ユニット１０と間で基板の受け渡し
を行う役割を担っている。具体的には、インデクサ受け
渡し部ＩＤＦには、図示を省略する基板移載ロボットが
設けられており、その基板移載ロボットがインデクサＩ
Ｄのキャリアに収納された未処理基板を取り出して塗布
処理ユニット１０の搬送ロボットＴＲに渡すとともに、
当該搬送ロボットＴＲから受け取った処理済基板をイン
デクサＩＤのキャリアに搬入する。
【００３６】インターフェイスＩＦＢは、露光ユニット
ＳＴＰと現像処理ユニット２０との間に挟み込まれるよ
うにして配置されている。インターフェイスＩＦＢは、
露光ユニットＳＴＰと現像処理ユニット２０とを接続す
るとともに、それらの間で基板の受け渡しを行う役割を
担っている。具体的には、インターフェイスＩＦＢに
は、図示を省略する基板移載ロボットやバッファカセッ
トが設けられており、現像処理ユニット２０の搬送ロボ
ットＴＲからレジスト塗布済みの基板を受け取って露光
ユニットＳＴＰに搬入するとともに、露光ユニットＳＴ
Ｐから露光済みの基板を受け取って現像処理ユニット２
０の搬送ロボットＴＲに渡す。また、インターフェイス
ＩＦＢは、処理待ち状態の基板をバッファカセットに待
避させることによって、露光ユニットＳＴＰおよび基板
処理装置における処理時間のずれを調整することもあ
る。
【００３７】露光ユニットＳＴＰは、フォトレジストが
塗布された基板の主面にエキシマレーザ等を照射するこ
とによって所定のパターンを露光する装置である。
【００３８】また、本実施形態の基板処理装置において
は、塗布処理ユニット１０と現像処理ユニット２０との
接続部分に、搬送路１１および搬送路２１の双方に跨る
ように検査ユニット３０が設置されている。
【００３９】図３は、検査ユニット３０を示す斜視図で
ある。検査ユニット３０は、下から順に膜厚測定器３２
と、線幅測定器３３と、重ね合わせ測定器３４と、マク
ロ欠陥検査器３５とを積層して配置している。なお、検
査ユニット３０の最下段（膜厚測定器３２の下部）には
受渡台３１が設けられている。また、塗布処理ユニット
１０の搬送ロボットＴＲは図３中矢印ＡＲ１の向きか
ら、現像処理ユニット２０の搬送ロボットＴＲは矢印Ａ
Ｒ２の向きからそれぞれ検査ユニット３０に対してアク
セスする。
【００４０】受渡台３１は、基板を載せることができる
台である。図３に示す如く、受渡台３１の周囲は開放さ
れており、塗布処理ユニット１０および現像処理ユニッ
ト２０のそれぞれの搬送ロボットＴＲは受渡台３１に基
板を載せることおよび受渡台３１に載せられている基板
を取り出すことができる。これにより、塗布処理ユニッ
ト１０の搬送ロボットＴＲおよび現像処理ユニット２０
の搬送ロボットＴＲは、受渡台３１を介して相互に基板
の受け渡しを行うことができる。但し、受渡台３１は、
双方の搬送ロボットＴＲ間の単なる基板受け渡しのため
だけに用いられるものである。
【００４１】膜厚測定器３２は、基板上に塗布されたレ
ジストの膜厚を測定する検査器である。膜厚測定器３２
には、その側面に搬出入口３２ａが設けられており、塗
布処理ユニット１０の搬送ロボットＴＲは搬出入口３２
ａから膜厚測定器３２に基板を搬入／搬出することがで
きる。膜厚測定器３２の搬出入口３２ａとは反対側の側
面にも同様の搬出入口が設けられており、現像処理ユニ
ット２０の搬送ロボットＴＲはその搬出入口から膜厚測
定器３２に基板を搬入／搬出することができる。従っ
て、例えば塗布処理ユニット１０の搬送ロボットＴＲが
レジスト塗布済みの基板を搬入して膜厚測定器３２がそ
の基板の膜厚測定を行い、検査後の基板を現像処理ユニ
ット２０の搬送ロボットＴＲが搬出することができる。
【００４２】線幅測定器３３は、基板上に形成されたパ
ターンの線幅を測定する検査器である。線幅測定器３３
には、その側面に搬出入口３３ａが設けられており、塗
布処理ユニット１０の搬送ロボットＴＲは搬出入口３３
ａから線幅測定器３３に基板を搬入／搬出することがで
きる。線幅測定器３３の搬出入口３３ａとは反対側の側
面にも同様の搬出入口が設けられており、現像処理ユニ
ット２０の搬送ロボットＴＲはその搬出入口から線幅測
定器３３に基板を搬入／搬出することができる。従っ
て、例えば現像処理ユニット２０の搬送ロボットＴＲが
現像処理済みの基板を搬入して線幅測定器３３がその基
板の線幅測定を行い、検査後の基板を塗布処理ユニット
１０の搬送ロボットＴＲが搬出することができる。
【００４３】重ね合わせ測定器３４は、基板上に形成さ
れたパターンのずれを測定する検査器である。上記と同
様に、重ね合わせ測定器３４には、その側面に搬出入口
３４ａが設けられており、塗布処理ユニット１０の搬送
ロボットＴＲは搬出入口３４ａから重ね合わせ測定器３
４に基板を搬入／搬出することができる。また、重ね合
わせ測定器３４の搬出入口３４ａとは反対側の側面にも
同様の搬出入口が設けられており、現像処理ユニット２
０の搬送ロボットＴＲはその搬出入口から重ね合わせ測
定器３４に基板を搬入／搬出することができる。
【００４４】マクロ欠陥検査器３５は、基板上に現出し
た比較的大きな欠陥、例えばパーティクルの付着の有無
を判定する検査器である。上記と同様に、マクロ欠陥検
査器３５には、その側面に搬出入口３５ａが設けられて
おり、塗布処理ユニット１０の搬送ロボットＴＲは搬出
入口３５ａからマクロ欠陥検査器３５に基板を搬入／搬
出することができる。また、マクロ欠陥検査器３５の搬
出入口３５ａとは反対側の側面にも同様の搬出入口が設
けられており、現像処理ユニット２０の搬送ロボットＴ
Ｒはその搬出入口からマクロ欠陥検査器３５に基板を搬
入／搬出することができる。
【００４５】このように、本実施形態においては、基板
処理装置内にそれぞれが異なる内容の基板検査を行う４
つの検査部が設けられているのである。また、本実施形
態においては現像処理部、塗布処理部、冷却処理部、加
熱処理部および露光後加熱処理部を総称して「処理部」
とする。さらに、本明細書において単に「処理」と言う
ときには、検査を除く基板の処理（例えば、塗布処理、
現像処理、熱処理等）を意味するものとする。
【００４６】図４は、上記基板処理装置の制御機構を説
明するための機能ブロック図である。基板処理装置は、
その内部に装置全体を制御するための制御部４０を備え
ている。制御部４０は、コンピュータによって構成され
ており、その本体部であって演算処理を行うＣＰＵ４１
と、読み出し専用メモリーであるＲＯＭ４２と、読み書
き自在のメモリーであるＲＡＭ４３と、制御用ソフトウ
ェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク４５と、
基板処理装置の外部に設けられているホストコンピュー
タなどと通信を行う通信部４６とを備えている。ＣＰＵ
４１と磁気ディスク４５や通信部４６等とはバスライン
４９を介して電気的に接続されている。また、制御部４
０のバスライン４９には、基板処理装置の操作パネル５
１、表示部５２、処理部、搬送ロボットＴＲ等も電気的
に接続されている。処理部および搬送ロボットＴＲにつ
いては上述した通りである。
【００４７】操作パネル５１は、基板処理装置の外壁面
に設けられたキーボード等によって構成されている。表
示部５２は、操作パネル５１に併設されたディスプレイ
である。オペレータは、表示部５２に表示された内容を
確認しつつ、操作パネル５１からコマンドやパラメータ
等を入力することができる。なお、操作パネル５１と表
示部５２とをタッチパネルとして一体に構成するように
しても良い。
【００４８】また、オペレータは、操作パネル５１から
基板処理の手順を記述したフローレシピを設定入力する
ことができる。入力されたフローレシピは、磁気ディス
ク４５に記憶される。制御部４０のＣＰＵ４１は、磁気
ディスク４５に記憶されているフローレシピに従って搬
送ロボットＴＲを制御し、該フローレシピに記述された
処理手順に沿って基板を搬送させる。なお、フローレシ
ピの詳細についてはさらに後述する。
【００４９】次に、上記構成を有する基板処理装置にお
ける処理について説明する。まず、検査を除く一般的な
処理手順の概略について説明する。図５は、基板処理装
置における処理手順の一例を示す図である（但し、検査
は除く）。
【００５０】インデクサＩＤのキャリア内に収納されて
いる未処理基板はインデクサ受け渡し部ＩＤＦによって
塗布処理ユニット１０の搬送ロボットＴＲに渡され、塗
布処理ユニット１０内の加熱処理部ＨＰに搬入される。
その加熱処理部ＨＰにおいては、主としてレジスト塗布
の密着強化のための加熱処理が行われる。加熱処理の終
了した基板は塗布処理ユニット１０の搬送ロボットＴＲ
によって冷却処理部ＣＰに搬入されて冷却された後、塗
布処理部ＳＣに搬入される。なお、４つの塗布処理部Ｓ
Ｃは並列的な処理が可能な処理部であって、これらのい
ずれに基板を搬入するかは任意であり、この点について
は他の処理部も同様である。
【００５１】塗布処理部ＳＣにおけるレジスト塗布処理
が終了した基板には、塗布処理ユニット１０内の加熱処
理部ＨＰおよび冷却処理部ＣＰによって塗布後熱処理が
行われる。その後、当該基板は現像処理ユニット２０の
搬送ロボットＴＲおよびインターフェイスＩＦＢを介し
て露光ユニットＳＴＰに搬入される。露光ユニットＳＴ
Ｐによってパターン露光がなされた基板は、インターフ
ェイスＩＦＢを介して現像処理ユニット２０の搬送ロボ
ットＴＲに戻され、現像処理ユニット２０内の露光後加
熱処理部ＰＥＢに搬入される。露光後加熱処理部ＰＥＢ
においては、主として露光後の酸反応を活性化させるた
めの加熱処理が行われる。露光後加熱処理の終了した基
板は現像処理ユニット２０の搬送ロボットＴＲによって
冷却処理部ＣＰに搬入されて冷却された後、現像処理部
ＳＤに搬入される。
【００５２】現像処理部ＳＤにおける現像処理が終了し
た基板には、現像処理ユニット２０内の加熱処理部ＨＰ
および冷却処理部ＣＰによって現像後熱処理が行われ
る。その後、当該基板は現像処理ユニット２０の搬送ロ
ボットＴＲから塗布処理ユニット１０の搬送ロボットＴ
Ｒに渡され、さらにインデクサ受け渡し部ＩＤＦを介し
てインデクサＩＤのキャリア内に処理済基板として収容
される。
【００５３】以上のように、本実施形態においては、複
数の処理部間にて図５に示す基本処理手順に従って搬送
部たる２つの搬送ロボットＴＲが基板を搬送することに
よりその基板にレジスト塗布処理および現像処理を行っ
ている。そして、インデクサＩＤに載置された１つのキ
ャリアに収納されている１組の複数の基板（例えば２５
枚の基板）については全て図５に示す処理手順に従って
２つの搬送ロボットＴＲが基板を順次搬送することによ
り、同一の処理を施している。
【００５４】上述したような２つの搬送ロボットＴＲに
よる基板搬送は、制御部４０のＣＰＵ４１が磁気ディス
ク４５に記憶されているフローレシピに従って搬送ロボ
ットＴＲを制御することにより実行される。次の表１
は、図５に示した処理手順を記述したフローレシピの例
である。
【００５５】
【表１】
【００５６】このようなフローレシピは、オペレータに
よって操作パネル５１から制御部４０に設定入力される
ものである。また、基板処理装置外のホストコンピュー
タから通信部４６を介して制御部４０に表１の如きフロ
ーレシピを送信するようにしても良い。いずれであって
も、設定入力されたフローレシピは制御部４０の磁気デ
ィスク４５に記憶される。そして、表１のフローレシピ
に従って基板を順次搬送するように、ＣＰＵ４１が搬送
ロボットＴＲを制御することにより、上記の処理が実現
される。すなわち、本実施形態では、操作パネル５１が
処理順序設定手段に相当し、ＣＰＵ４１が搬送制御手段
に相当する。
【００５７】次に、検査工程を考慮した基板の処理手順
について説明する。図６は、基板処理装置における検査
工程を考慮した処理手順の一例を示す図であって、図５
に示した処理手順に検査工程を加えたものである。既述
したように、本実施形態の検査ユニット３０にはそれぞ
れが異なる内容の基板検査を行う４つの検査部が設けら
れている。図６に示すように、４つの検査のうち膜厚測
定についてはレジスト塗布後の熱処理の後、露光処理前
に行われる。一方、膜厚測定以外の検査、すなわち線幅
測定、重ね合わせ測定およびマクロ欠陥検査については
現像後の熱処理の後、インデクサＩＤに戻される前に行
われる。
【００５８】ここで、本実施形態においては、４つの検
査を選択的に行うことができる。例えば、ある基板につ
いては、図６に示す手順に従って検査ユニット３０の４
つの検査部の全てに搬入して全ての検査を行うようにし
ても良い。また、図６に示す手順に従って検査ユニット
３０の一部の検査部に搬入して一部の検査のみを行うよ
うにしても良い。さらに、検査ユニット３０のいかなる
検査部にも搬入せずに、当該基板については全く検査を
行わないようにすることもできる。具体的には、図６の
（）内に示した検査の一部または全部を選択した搬送手
順を記述した後述のフローレシピを各基板について設定
しておくことにより、その搬送手順に従って必要な検査
部に搬入され、所定の検査が行われることとなる。
【００５９】各基板についていかなる検査を行うかにつ
いては、その基板の処理内容や目的等に応じて任意に設
定することができる。例えば、完璧な品質維持を求める
場合には、４つの検査の全てを行うことが望ましい。一
方、高いスループットを得たい場合には、なるべく検査
項目を少なくすることが望ましい。一般的には、適度に
良好なスループットと必要十分な検査とを両立できるよ
うに各基板について検査を行うのが好ましい。ここで、
本実施形態では、１つのキャリアに収納されている１組
の複数の基板については同一の処理手順（検査を除く処
理の手順）に従って基板を順次搬送することにより、同
一の処理を施している。このような場合には、以下のよ
うにすることによって適度に良好なスループットと必要
十分な検査とを両立することができる。
【００６０】１つのキャリアに収納されている１組の複
数の基板が２５枚であるとして、それら各基板の検査内
容を次の表２のようにする。
【００６１】
【表２】
【００６２】なお、表２中に記載している数字は、１組
の複数の基板のそれぞれを示すウェハ番号である。表２
に示すように、１番目の基板についてはレジスト塗布後
の熱処理の後、検査ユニット３０の膜厚測定器３２に搬
入して膜厚測定を行う。また、２番目の基板については
現像後の熱処理の後、検査ユニット３０の線幅測定器３
３に搬入して線幅測定を行う。また、３番目の基板につ
いては現像後の熱処理の後、重ね合わせ測定器３４に搬
入して重ね合わせ測定を行う。さらに、４番目の基板に
ついては現像後の熱処理の後、マクロ欠陥検査器３５に
搬入してマクロ欠陥検査を行う。以降、同様にして１組
の複数の基板のそれぞれについて４つの検査のうちの１
つを順次行う。
【００６３】このようにすれば、各基板については図５
に示す基本処理手順に検査のための１工程を追加するだ
けで、１組の複数の基板全体について見れば４つの検査
の全てを順次に行うことができる。すなわち、適度に良
好なスループットと必要十分な検査とを両立することが
できるのである。
【００６４】以上のような基本処理手順への検査のため
の工程追加は操作パネル５１から容易に行うことができ
る。例えば、表２に示す３番目の基板については、表１
に示したフローレシピのステップ１１とステップ１２と
の間に、操作パネル５１から新たなステップ１２として
線幅測定器３３への基板搬送を組み込むだけで、次の表
３に示すようなフローレシピを設定することができる。
【００６５】
【表３】
【００６６】設定入力されたフローレシピは制御部４０
の磁気ディスク４５に記憶される。操作パネル５１によ
って設定された表３のフローレシピに従って基板を順次
搬送するように、ＣＰＵ４１が搬送ロボットＴＲを制御
することにより、表２に示す３番目の基板についての処
理が実現される。
【００６７】同様に、表２に示す１番目の基板について
は、表１に示したフローレシピのステップ５とステップ
６との間に、操作パネル５１から新たなステップ６とし
て膜厚測定器３２への基板搬送を組み込むだけで、次の
表４に示すようなフローレシピを設定することができ
る。
【００６８】
【表４】
【００６９】設定入力されたフローレシピは制御部４０
の磁気ディスク４５に記憶される。操作パネル５１によ
って設定された表４のフローレシピに従って基板を順次
搬送するように、ＣＰＵ４１が搬送ロボットＴＲを制御
することにより、表２に示す１番目の基板についての処
理が実現される。
【００７０】このように、本実施形態では、４つの検査
部を通常の処理部（塗布処理部ＳＣ等）と同様の扱いと
し、フローレシピに記述された処理手順における任意の
順序位置に４つの検査部への基板搬送を操作パネル５１
から個別に組み込むことができるようにしている。そし
て、検査部への基板搬送を組み込んだ処理手順を記述し
たフローレシピに従って基板を順次搬送するように、Ｃ
ＰＵ４１が搬送ロボットＴＲを制御しているのである。
また、本実施形態では、表２に示すように、基板ごとに
検査部への基板搬送を組み込んだ処理手順を記述したフ
ローレシピを操作パネル５１から設定している。
【００７１】以上のようにすれば、基板処理装置内にそ
れぞれが異なる内容の基板検査を行う４つの検査部が設
けられているため、検査のために逐一基板を装置外に搬
送することなく適宜必要な基板検査を行うことができ
る。その結果、スループットの低下を抑制しつつも適切
な基板の検査を行うことができる。特に、近年は半導体
基板の径が２００ｍｍから３００ｍｍへと大径化される
傾向にあり、装置外への基板の搬送が困難になりつつあ
るため、基板処理装置内に検査部を設けて装置内で検査
を行うことができればスループットの向上に繋がる。
【００７２】また、基板処理装置内に検査部を設けるこ
とによって検査に要する時間が短縮され、仮に検査結果
に不具合があった場合でも従来よりも著しく少数の基板
について再処理を行うだけで足り、スループットをさら
に向上させることができる。
【００７３】また、それぞれが異なる内容の基板検査を
行う４つの検査部を設けているため、必要に応じて適切
な内容の検査を適宜行うことができ、検査結果に不具合
があった場合でも、その不具合の原因となった工程を比
較的容易に特定することができる。
【００７４】また、４つの検査を選択的に行うことによ
って、スループットの低下を抑制することができる。特
に、１組の複数の基板について同一の処理手順を行って
いる場合には、例えば表２に示した如き検査を実行する
ことにより、適度に良好なスループットと必要十分な検
査とを両立することができる。
【００７５】また、本実施形態においては、図５に示す
処理手順に従って基板を搬送することにより、基板処理
装置内に基板の搬送経路が形成されることとなる。具体
的には、インデクサＩＤから塗布処理ユニット１０に基
板が搬入され、現像処理ユニット２０およびインターフ
ェイスＩＦＢを通過して露光ユニットＳＴＰに搬送さ
れ、再び現像処理ユニット２０に戻された後、塗布処理
ユニット１０を通過してインデクサＩＤに戻されるとい
う搬送経路である。
【００７６】そして、検査ユニット３０は、塗布処理ユ
ニット１０と現像処理ユニット２０との接続部分に設け
られている。ここで、例えば膜厚測定についてはレジス
ト塗布後の熱処理の後、露光処理前に行われるものであ
り（図６参照）、検査ユニット３０の膜厚測定器３２は
上記搬送経路の途中であって塗布処理ユニット１０から
露光ユニットＳＴＰに至るまでの位置に設けられている
こととなる。また、線幅測定、重ね合わせ測定およびマ
クロ欠陥検査のそれぞれについては、現像後の熱処理の
後、インデクサＩＤに戻される前に行われるものであり
（図６参照）、検査ユニット３０の線幅測定器３３、重
ね合わせ測定器３４およびマクロ欠陥検査器３５はいず
れも上記搬送経路の途中であって現像処理ユニット２０
からインデクサＩＤに戻るまでの位置に設けられている
こととなる。
【００７７】すなわち、４つの検査部のそれぞれは、上
記搬送経路の途中であって、その検査内容に応じた位置
に配置されていることとなる。従って、基板の検査を行
うために搬送経路を変更する必要がなくなり、スループ
ットの低下を抑制することができる。
【００７８】また、本実施形態においては、検査ユニッ
ト３０内の４つの検査部における検査結果に応じた処理
が実行される。例えば、膜厚測定器３２において測定さ
れたレジスト膜厚に基づいてレジスト膜厚に影響を与え
る因子、すなわち塗布処理部ＳＣにおけるスピン回転
数、レジスト温度、雰囲気温度やその塗布処理部ＳＣに
対応する空調部ＡＣＵの温湿度等がフィードバック制御
される。より具体的には、例えば膜厚測定器３２におい
て測定されたレジスト膜厚が目標値よりも厚い場合に
は、塗布処理部ＳＣにおけるスピン回転数を大きくし、
目標値よりも薄い場合には、塗布処理部ＳＣにおけるス
ピン回転数を小さくする。また、膜厚測定器３２におい
て測定されたレジスト膜厚に基づいて、露光後加熱処理
部ＰＥＢにおけるベーク温度がフィードフォワード制御
される。
【００７９】同様に、線幅測定器３３において測定され
たパターンの線幅に基づいて線幅に影響を与える因子、
具体的には露光後加熱処理部ＰＥＢにおけるベーク温度
や現像処理部ＳＤにおける現像液温度等がフィードバッ
ク制御される。
【００８０】また、重ね合わせ測定器３４における検査
結果に不具合がある場合には、露光ユニットＳＴＰでの
処理に異常がある旨のアラームを発する。さらに、マク
ロ欠陥検査器３５における検査結果に不具合がある場合
には、塗布処理部ＳＣや現像処理部ＳＤにおいて異常が
ある旨のアラームを装置が発したり、空調部ＡＣＵのウ
ルパフィルタ１６の交換を要求する。
【００８１】このように、各検査部による検査結果に基
づいて、基板処理装置の各処理部のいずれかにおける処
理条件を適宜変更したり、アラームを発生して作業者に
迅速に異常を知らせることにより、基板処理内容が安定
する状態に装置を維持することができるとともに、検査
結果に不具合があった場合でも再処理の必要な基板を最
小数に抑制することができる。
【００８２】また、フローレシピに記述された処理手順
における任意の順序位置に４つの検査部への基板搬送を
個別に組み込むことができるため、基板に対する検査を
自由度の高いものとすることができ、基板の全数検査や
抜き取り検査を容易に行うことができる。
【００８３】＜変形例＞以上、本発明の実施の形態につ
いて説明したが、この発明は上記の例に限定されるもの
ではない。例えば、上記実施形態においては、基板処理
装置の配置構成を図１に示す如きとしていたが、これを
図７に示すようにしても良い。図７において、図１と同
じ符号を付しているものは同様の機能を有するものであ
り、その詳説は省略する。図７に示す基板処理装置を構
成する要素のうち図１の装置に存在しないものはインタ
ーフェイスＩＦＣである。インターフェイスＩＦＣに
は、図示を省略する移載ロボットと、検査ユニット３０
とが設けられている。インターフェイスＩＦＣは、イン
デクサ受け渡し部ＩＤＦ、インターフェイスＩＦＢおよ
び塗布処理ユニット１０の間で基板の受け渡しを行うと
ともに、検査ユニット３０に対する基板の搬入／搬出を
担当する。
【００８４】また、図７に示す基板処理装置は、図１の
装置とユニット配置が異なり、露光ユニットＳＴＰがイ
ンターフェイスＩＦＢを介して基板処理装置の側方に配
置されている。図７の基板処理装置における基本的な処
理手順は、図５に示したのと同じである。但し、ユニッ
ト配置が異なるため、基板処理装置内に形成される搬送
経路は図１の装置とは異なる。具体的には、インデクサ
ＩＤからインデクサ受け渡し部ＩＤＦ、インターフェイ
スＩＦＣを通って塗布処理ユニット１０に基板が搬入さ
れ、再びインターフェイスＩＦＣおよびインターフェイ
スＩＦＢを通過して露光ユニットＳＴＰに搬送され、さ
らにインターフェイスＩＦＢ、インターフェイスＩＦＣ
および塗布処理ユニット１０を通過して現像処理ユニッ
ト２０に搬送された後、塗布処理ユニット１０を通過し
てインデクサＩＤに戻されるという搬送経路となる。
【００８５】図７の基板処理装置においても、装置内に
それぞれが異なる内容の基板検査を行う４つの検査部が
設けられているため、上述した図１の基板処理装置によ
るのと同様の効果を得ることができる。換言すれば、ユ
ニット配置にかかわらず、それぞれが異なる内容の基板
検査を行う複数の検査部を装置内に設けることによって
上記実施形態と同様の効果を得ることができるのであ
る。
【００８６】また、図７の装置において検査ユニット３
０はインターフェイスＩＦＣに設けられており、膜厚測
定器３２は上記搬送経路の途中であって塗布処理ユニッ
ト１０から露光ユニットＳＴＰに至るまでの位置に設け
られていることとなる。さらに、線幅測定器３３、重ね
合わせ測定器３４およびマクロ欠陥検査器３５はいずれ
も上記搬送経路の途中であって現像処理ユニット２０か
らインデクサＩＤに戻るまでの位置に設けられているこ
ととなる。すなわち、図１の基板処理装置と同様に４つ
の検査部のそれぞれは、上記搬送経路の途中であって、
その検査内容に応じた位置に配置されていることとな
る。従って、基板の検査を行うために搬送経路を変更す
る必要がなくなり、スループットの低下を抑制すること
ができる。
【００８７】また、基板処理装置の配置構成を図８に示
すようにしても良い。図８において、図１と同じ符号を
付しているものは同様の機能を有するものであり、その
詳説は省略する。図８に示す基板処理装置が図１と異な
るのは検査ユニット３０に代えて、２つの検査部８０，
９０をインデクサ受け渡し部ＩＤＦに設けている点であ
る。検査部８０は、レジストの膜厚測定、パターンの線
幅測定およびパターンの重ね合わせ測定を行うことがで
きる。すなわち、検査部８０は、上記の膜厚測定器３
２、線幅測定器３３および重ね合わせ測定器３４の３つ
の検査部の機能を併せ持つ。一方、検査部９０は、上記
のマクロ欠陥検査器３５と同じであり、基板上に現出し
た比較的大きな欠陥、例えばパーティクルの付着の有無
の判定（マクロ欠陥検査）を行う。
【００８８】検査部８０，９０への基板の受け渡しはイ
ンデクサ受け渡し部ＩＤＦに設けられた基板移載ロボッ
トが行う。すなわち、当該基板移載ロボットが搬送部と
して機能する。図８の基板処理装置におけるフローレシ
ピに検査工程を組み込むときは、フローレシピに記述さ
れた処理手順における任意の順序位置に検査部８０およ
び／または検査部９０への基板搬送を操作パネル５１か
ら個別に組み込む。検査部８０への基板搬送をフローレ
シピに組み込んだときに、如何なる検査を行うかについ
ては別のレシピを検査部８０に渡すこととなる。このよ
うにしても、基板処理装置内に基板検査を行う検査部が
設けられているため、検査のために逐一基板を装置外に
搬送することなく適宜必要な基板検査を行うことができ
る。その結果、スループットの低下を抑制しつつも適切
な基板の検査を行うことができる。また、フローレシピ
に記述された処理手順における任意の順序位置に検査部
への基板搬送を組み込むことができるため、基板に対す
る検査を自由度の高いものとすることができる。
【００８９】また、上記実施形態においては、現像処理
部、塗布処理部、冷却処理部、加熱処理部および露光後
加熱処理部を総称して処理部としていたが、処理部はこ
れらに限定されるものではなく、装置の処理内容に応じ
て適宜に組み合わせることができ、例えば上記以外にも
基板の端縁部の露光処理を行うエッジ露光処理部やブラ
シ等を用いて基板の表面洗浄を行う洗浄処理部を含ませ
るようにしても良い。
【００９０】また、上記実施形態においては、装置内に
それぞれが異なる内容の基板検査を行う４つの検査部を
設けていたが、検査部は必要な検査内容に応じて１つ以
上設けるようにしておけば良い。また、検査部における
検査内容についても上記実施形態に限定されるものでな
いことは勿論である。
【００９１】検査部が１つの場合であっても、フローレ
シピに記述された処理手順における任意の順序位置に検
査部への基板搬送を組み込み、フローレシピに従って基
板を順次搬送するようにＣＰＵ４１が搬送ロボットＴＲ
を制御すれば、基板に対する検査を自由度の高いものと
することができる。
【００９２】また、上記実施形態においては、１組の複
数の基板について同一の処理手順に従って基板を順次搬
送する場合に、１組の複数の基板のそれぞれについて４
つの検査のうちの１つを順次行うようにしていたが、こ
れに限定されるものではなく、１組の複数の基板の一部
または全部のそれぞれを４つの検査部のうちから選択さ
れた１つの検査部に搬送することにより、４つの検査部
のそれぞれには少なくとも１組の複数の基板のうちの１
枚が搬送されるようにしておいても良い。このようにす
れば、若干の検査工程の追加だけで全ての検査を行うこ
とができ、適度に良好なスループットと必要十分な検査
とを両立することができる。
【００９３】また、上記実施形態においては、４つの検
査部を積層して平面的には１箇所に配置していたが、４
つの検査部の配置形態はこれに限定されるものではな
く、装置内の任意の位置に設けることが可能であり、さ
らに４つの検査部を積層するのではなくそれぞれを別個
の位置に設けるようにしても良い。但し、スループット
の低下を抑制するべく、各検査部のそれぞれを搬送経路
の途中であって、その検査内容に応じた位置に配置して
おくのが好ましい。
【００９４】また、上記実施形態においては、基板ごと
に検査部への基板搬送を組み込んだ処理手順を記述した
フローレシピを操作パネル５１から設定していたが、所
定枚数の１組の基板ごと、例えばインデクサＩＤに載置
されるキャリアごとに検査部への基板搬送を組み込んだ
処理手順を記述したフローレシピを設定するようにして
も良い。この場合、あるキャリアについて例えば表３の
フローレシピを設定したとすると、そのキャリアに収納
されている全ての基板について表３のフローレシピに従
って基板を順次搬送するように、ＣＰＵ４１が搬送ロボ
ットＴＲを制御する。
【００９５】また、フローレシピに記述された処理手順
における任意の順序位置に４つの検査部への基板搬送を
操作パネル５１から個別に組み込むことができるもので
あるため、２つ以上の検査内容を組み込んだフローレシ
ピを設定するようにしても良い。例えば、表１に示した
フローレシピのステップ５とステップ６との間に新たな
ステップ６として膜厚測定器３２への基板搬送を組み込
むとともに、ステップ１１とステップ１２との間に線幅
測定器３３への基板搬送を組み込むと、次の表５に示す
ようなフローレシピを設定することができる。
【００９６】
【表５】
【００９７】表５のフローレシピに従って基板を順次搬
送するように、ＣＰＵ４１が搬送ロボットＴＲを制御す
ることにより、レジストの膜厚測定およびパターンの線
幅測定を実行することができる。
【００９８】また、上記実施形態においては、検査部へ
の基板搬送を組み込んだフローレシピの設定を操作パネ
ル５１から行うようにしていたが、これに限定されるも
のではなく、基板処理装置の外部、例えばホストコンピ
ュータから検査部への基板搬送を組み込んだフローレシ
ピの設定を行い、それを通信部４６を介して送信し、制
御部４０の磁気ディスク４５に記憶するようにしても良
い。
【００９９】さらに、上記実施形態においては、基板処
理装置を基板にレジスト塗布処理および現像処理を行う
装置とし、検査ユニット３０の機能はいわゆるフォトリ
ソグラフィに関連する検査を行う形態としていたが、本
発明にかかる技術はこれに限定されるものではない。例
えば、検査部としてはアミンまたはアンモニア濃度を測
定する検査機能を備えたものを採用するようにしても良
い。また、基板に付着したパーティクル等を除去する基
板処理装置（いわゆるスピンスクラバ等）にパーティク
ル検査を行う検査部を配置するようにしても良い。ま
た、基板にＳＯＤ(Spin-on-Dielectronics)を塗布して
層間絶縁膜を形成する装置に、その層間絶縁膜の焼成状
態を検査する検査部を配置するようにしても良い。さら
に、他の基板処理装置にて処理された基板を搬入して、
その検査を行った後に検査結果を処理条件にフィードフ
ォワードするような基板処理装置に検査部を配置するよ
うにしても良い。いずれの場合であっても、基板処理装
置内に基板検査を行う検査部が設けられているため、検
査のために逐一基板を装置外に搬送することなく適宜必
要な基板検査を行うことができる。その結果、スループ
ットの低下を抑制しつつも適切な基板の検査を行うこと
ができる。また、フローレシピに記述された処理手順に
おける任意の順序位置に検査部への基板搬送を組み込む
ことにより、基板に対する検査を自由度の高いものとす
ることができる。
【０１００】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、基板処理装置内にそれぞれが異なる内容の基
板検査を行う複数の検査部を備えているため、必要に応
じて適宜に装置内にて基板の検査を行うことができ、ス
ループットの低下を抑制しつつも適切な基板の検査を行
うことができる。
【０１０１】また、請求項２の発明によれば、複数の検
査部のうちから一部または全部を選択した選択検査部に
基板を搬送するため、スループットの低下を最小限に抑
制することができる。
【０１０２】また、請求項３の発明によれば、搬送部が
１組の複数の基板を同一の処理手順に従って順次搬送す
ることにより当該１組の複数の基板には同一の処理が行
われ、搬送部がそれら１組の複数の基板の一部または全
部のそれぞれを複数の検査部のうちから選択された１つ
の検査部に搬送することにより、複数の検査部のそれぞ
れには少なくとも１組の複数の基板のうちの１枚が搬送
されるため、各基板については検査のための１工程を追
加するだけで、１組の複数の基板全体については複数の
検査の全てを順次に行うことができ、その結果、適度に
良好なスループットと必要十分な検査とを両立すること
ができる。
【０１０３】また、請求項４の発明によれば、処理手順
に従った搬送経路が形成され、複数の検査部のそれぞれ
は、当該搬送経路の途中であって、その検査内容に応じ
た位置に配置されるため、基板の検査を行うために搬送
経路を変更する必要がなく、スループットの低下を抑制
することができる。
【０１０４】また、請求項５の発明によれば、複数の検
査部による検査結果に基づいて、複数の処理部のいずれ
かにおける処理条件を変更しているため、基板処理内容
が安定する状態に装置を維持することができる。
【０１０５】また、請求項６の発明によれば、基板処理
装置が基板に対してレジスト塗布処理および現像処理を
行い、複数の検査部は、レジストの膜厚測定部、パター
ンの線幅測定部、パターンの重ね合わせ測定部およびマ
クロ欠陥検査部のうちの少なくとも２つを含むため、必
要に応じて適宜に装置内にて膜厚測定等の基板検査を行
うことができ、スループットの低下を抑制しつつも適切
な基板の検査を行うことができる。
【０１０６】また、請求項７の発明によれば、１組の複
数の基板の一部または全部のそれぞれに対して複数の基
板検査のうちから選択された１つの検査を行うことによ
り、複数の検査のそれぞれは少なくとも１組の複数の基
板のうちの１枚に対して行われるため、各基板について
は検査のための１工程を追加するだけで、１組の複数の
基板全体については複数の検査の全てを順次に行うこと
ができ、その結果、スループットの低下を抑制しつつも
適切な基板の検査を行うことができる。
【０１０７】また、請求項８の発明によれば、処理手順
における任意の順序位置に検査部への基板搬送を組み込
むことができるため、基板に対する検査を自由度の高い
ものとすることができる。
【０１０８】また、請求項９の発明によれば、処理手順
における任意の順序位置に前記複数の検査部への基板搬
送を個別に組み込むことができるため、基板に対する検
査を自由度の高いものとすることができる。
【０１０９】また、請求項１０の発明によれば、複数の
検査部のそれぞれは、レジストの膜厚を測定する膜厚測
定部、パターンの線幅を測定する線幅測定部、パターン
の重ね合わせを測定する重ね合わせ測定部またはマクロ
欠陥検査部のいずれかであるため、フォトリソグラフィ
に関連する検査を高い自由度にて行うことができる。
【０１１０】また、請求項１１の発明によれば、複数の
検査部のいずれかは、レジストの膜厚測定、パターンの
線幅測定およびパターンの重ね合わせ測定を行うことが
可能であるため、基板に対する検査を自由度のより高い
ものとすることができる。
【０１１１】また、請求項１２の発明によれば、処理順
序設定手段が基板ごとに処理手順を設定可能であるた
め、基板ごとに検査の自由度を高いものとすることがで
きる。
【０１１２】また、請求項１３の発明によれば、処理順
序設定手段が所定枚数の１組の基板ごとに処理手順を設
定可能であるため、所定枚数の１組の基板ごとに検査の
自由度を高いものとすることができる。
【０１１３】また、請求項１４の発明によれば、処理手
順における任意の順序位置に前記検査部への基板搬送を
組み込むことができるため、基板に対する検査を自由度
の高いものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の配置構成を示す平
面図である。
【図２】図１の基板処理装置をＶ−Ｖ線から見た縦断面
図である。
【図３】図１の基板処理装置の検査ユニットを示す斜視
図である。
【図４】図１の基板処理装置の制御機構を説明するため
の機能ブロック図である。
【図５】図１の基板処理装置における処理手順の一例を
示す図である。
【図６】図１の基板処理装置における検査工程を考慮し
た処理手順の一例を示す図である。
【図７】本発明に係る基板処理装置の配置構成の他の例
を示す平面図である。
【図８】本発明に係る基板処理装置の配置構成の他の例
を示す平面図である。
【符号の説明】
１０ 塗布処理ユニット ２０ 現像処理ユニット ３０ 検査ユニット ３２ 膜厚測定器 ３３ 線幅測定器 ３４ 重ね合わせ測定器 ３５ マクロ欠陥検査器 ４０ 制御部 ４１ ＣＰＵ ４５ 磁気ディスク ４６ 通信部 ８０，９０ 検査部 ５１ 操作パネル ＳＣ 塗布処理部 ＳＤ 現像処理部 ＴＲ 搬送ロボット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ ５Ｆ０４６ 7/30 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｖ ５６２ ５０２Ｊ (72)発明者 枦木 憲二 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 大谷 正美 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 西村 讓一 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AB08 AB16 AB17 EA04 FA15 2H096 AA24 AA25 AA27 CA12 GA21 4D075 AC64 BB14Y BB32Z DA06 DC22 EA45 4F042 AA02 AA07 AB00 BA05 BA25 DB01 DF09 DF15 DF32 EB05 EB09 5F031 CA02 CA05 CA07 FA01 FA02 FA04 FA07 GA03 MA02 MA03 MA26 MA30 MA33 PA02 PA30 5F046 AA18 CD01 CD05 JA21 LA18

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の処理部間にて所定の処理手順に従
    って搬送部が基板を順次搬送することにより基板に処理
    を行う基板処理装置であって、 前記基板処理装置内にそれぞれが異なる内容の基板検査
    を行う複数の検査部を備えることを特徴とする基板処理
    装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記搬送部は、前記複数の検査部のうちから一部または
    全部を選択した選択検査部に基板を搬送することを特徴
    とする基板処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、 前記搬送部が１組の複数の基板を同一の処理手順に従っ
    て順次搬送することにより当該１組の複数の基板には同
    一の処理が行われ、 前記搬送部が前記１組の複数の基板の一部または全部の
    それぞれを前記複数の検査部のうちから選択された１つ
    の検査部に搬送することにより、前記複数の検査部のそ
    れぞれには少なくとも前記１組の複数の基板のうちの１
    枚が搬送されることを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
    の基板処理装置において、 前記処理手順に従った搬送経路が形成され、 前記複数の検査部のそれぞれは、前記搬送経路の途中で
    あって、その検査内容に応じた位置に配置されることを
    特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
    の基板処理装置において、 前記複数の検査部による検査結果に基づいて、前記複数
    の処理部のいずれかにおける処理条件を変更することを
    特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
    の基板処理装置において、 前記基板処理装置は、基板に対してレジスト塗布処理お
    よび現像処理を行い、 前記複数の検査部は、レジストの膜厚測定部、パターン
    の線幅測定部、パターンの重ね合わせ測定部およびマク
    ロ欠陥検査部のうちの少なくとも２つを含むことを特徴
    とする基板処理装置。
  7. 【請求項７】 １組の複数の基板を同一の処理手順に従
    って複数の処理部間で搬送することにより基板処理を行
    いつつ、当該１組の複数の基板に異なる内容の複数の基
    板検査を行う基板検査方法であって、 前記１組の複数の基板の一部または全部のそれぞれに対
    して前記複数の基板検査のうちから選択された１つの検
    査を行うことにより、前記複数の検査のそれぞれは少な
    くとも前記１組の複数の基板のうちの１枚に対して行わ
    れることを特徴とする基板検査方法。
  8. 【請求項８】 複数の処理部間にて所定の処理手順に従
    って搬送部が基板を順次搬送することにより基板に処理
    を行う基板処理装置であって、 基板に対して所定の検査を行う検査部と、 前記処理手順における任意の順序位置に前記検査部への
    基板搬送を組み込むことができる処理手順設定手段と、 前記処理手順設定手段によって設定された処理手順に従
    って基板を順次搬送するように前記搬送部を制御する搬
    送制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装
    置。
  9. 【請求項９】 複数の処理部間にて所定の処理手順に従
    って搬送部が基板を順次搬送することにより基板に処理
    を行う基板処理装置であって、 基板に対して所定の検査を行う複数の検査部と、 前記処理手順における任意の順序位置に前記複数の検査
    部への基板搬送を個別に組み込むことができる処理順序
    設定手段と、 前記処理手順設定手段によって設定された処理手順に従
    って基板を順次搬送するように前記搬送部を制御する搬
    送制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装
    置。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の基板処理装置におい
    て、 前記複数の検査部のそれぞれは、レジストの膜厚を測定
    する膜厚測定部、パターンの線幅を測定する線幅測定
    部、パターンの重ね合わせを測定する重ね合わせ測定部
    またはマクロ欠陥検査部のいずれかであることを特徴と
    する基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 請求項９記載の基板処理装置におい
    て、 前記複数の検査部のいずれかは、レジストの膜厚測定、
    パターンの線幅測定およびパターンの重ね合わせ測定を
    行うことが可能であることを特徴とする基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 請求項８から請求項１１のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 前記処理順序設定手段は、基板ごとに処理手順を設定可
    能であることを特徴とする基板処理装置。
  13. 【請求項１３】 請求項８から請求項１１のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 前記処理順序設定手段は、所定枚数の１組の基板ごとに
    処理手順を設定可能であることを特徴とする基板処理装
    置。
  14. 【請求項１４】 基板処理装置に設けられた複数の処理
    部間にて所定の処理手順に従って搬送部が基板を順次搬
    送することにより基板に処理を行う基板処理システムで
    あって、 前記基板処理装置に、基板に対して所定の検査を行う検
    査部を備え、 前記処理手順における任意の順序位置に前記検査部への
    基板搬送を組み込むことができる処理順序設定手段と、 前記処理手順設定手段によって設定された処理手順に従
    って基板を順次搬送するように前記搬送部を制御する搬
    送制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理シス
    テム。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004015020A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004294172A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Nikon Corp 基板検査システムおよび基板検査方法
JP2005123608A (ja) * 2003-10-13 2005-05-12 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置またはリソグラフィ処理セルの作動方法、リソグラフィ装置およびリソグラフィ処理セル
KR100806418B1 (ko) * 2005-05-02 2008-02-21 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
JP2008300777A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法、基板の処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US7525650B2 (en) 2003-09-19 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate processing apparatus for performing photolithography
JP2021006825A (ja) * 2012-09-28 2021-01-21 ヴィブラント ホールディングス リミテッド ライアビリティ カンパニー 生体分子解析のための方法、システム、およびアレイ
US11565231B2 (en) 2012-02-07 2023-01-31 Vibrant Holdings, Llc Substrates, peptide arrays, and methods
US11674956B2 (en) 2012-09-28 2023-06-13 Vibrant Holdings, Llc Methods, systems, and arrays for biomolecular analysis

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6790286B2 (en) * 2001-01-18 2004-09-14 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Substrate processing apparatus
US20030029479A1 (en) * 2001-08-08 2003-02-13 Dainippon Screen Mfg. Co, Ltd. Substrate cleaning apparatus and method
KR101120497B1 (ko) * 2002-11-15 2012-02-29 외를리콘 솔라 아게, 트뤼프바흐 2차원 확장 기판의 진공처리용 장치 및 그기판의 제조방법
JP4170864B2 (ja) * 2003-02-03 2008-10-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法
JP2005286102A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置および真空処理方法
FR2872502B1 (fr) * 2004-07-05 2006-11-10 Ecole Norm Superieure Lyon Dispositif de microstructuration de surface
JP4393976B2 (ja) * 2004-12-06 2010-01-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7371022B2 (en) 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
JP6085079B2 (ja) * 2011-03-28 2017-02-22 東京エレクトロン株式会社 パターン形成方法、処理容器内の部材の温度制御方法、及び基板処理システム
JP6942555B2 (ja) * 2017-08-03 2021-09-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3765763A (en) * 1969-07-29 1973-10-16 Texas Instruments Inc Automatic slice processing
US4185585A (en) * 1977-04-25 1980-01-29 Rca Corporation Apparatus for simultaneously processing a plurality of substrates
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
US5256204A (en) * 1991-12-13 1993-10-26 United Microelectronics Corporation Single semiconductor water transfer method and manufacturing system
US5766360A (en) * 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US5417537A (en) * 1993-05-07 1995-05-23 Miller; Kenneth C. Wafer transport device
TW295677B (ja) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5855681A (en) * 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
TW385488B (en) * 1997-08-15 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd substrate processing device
US6235634B1 (en) * 1997-10-08 2001-05-22 Applied Komatsu Technology, Inc. Modular substrate processing system
US6208751B1 (en) * 1998-03-24 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Cluster tool
US6143126A (en) * 1998-05-12 2000-11-07 Semitool, Inc. Process and manufacturing tool architecture for use in the manufacture of one or more metallization levels on an integrated circuit
US6281962B1 (en) * 1998-12-17 2001-08-28 Tokyo Electron Limited Processing apparatus for coating substrate with resist and developing exposed resist including inspection equipment for inspecting substrate and processing method thereof
JP3455458B2 (ja) * 1999-02-01 2003-10-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム
SG94851A1 (en) * 2000-07-12 2003-03-18 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004015020A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004294172A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Nikon Corp 基板検査システムおよび基板検査方法
JP4529365B2 (ja) * 2003-03-26 2010-08-25 株式会社ニコン 基板検査システムおよび基板検査方法
US7525650B2 (en) 2003-09-19 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate processing apparatus for performing photolithography
US7756597B2 (en) 2003-10-13 2010-07-13 Asml Netherlands B.V. Method of operating a lithographic processing machine, control system, lithographic apparatus, lithographic processing cell, and computer program
JP2005123608A (ja) * 2003-10-13 2005-05-12 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置またはリソグラフィ処理セルの作動方法、リソグラフィ装置およびリソグラフィ処理セル
KR100806418B1 (ko) * 2005-05-02 2008-02-21 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
JP2008300777A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法、基板の処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US11565231B2 (en) 2012-02-07 2023-01-31 Vibrant Holdings, Llc Substrates, peptide arrays, and methods
JP2021006825A (ja) * 2012-09-28 2021-01-21 ヴィブラント ホールディングス リミテッド ライアビリティ カンパニー 生体分子解析のための方法、システム、およびアレイ
JP7160879B2 (ja) 2012-09-28 2022-10-25 ヴィブラント ホールディングス リミテッド ライアビリティ カンパニー 生体分子解析のための方法、システム、およびアレイ
US11674956B2 (en) 2012-09-28 2023-06-13 Vibrant Holdings, Llc Methods, systems, and arrays for biomolecular analysis
US11815512B2 (en) 2012-09-28 2023-11-14 Vibrant Holdings, Llc Methods, systems, and arrays for biomolecular analysis

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