JP7405889B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ表示用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板などが含まれる。
従来より、複数の基板を収容するカセットを載置する載置台と搬送装置とを有する装置（インデクサ装置ともいう）から搬入された基板を対象として、フォトレジストの塗布膜の形成処理、減圧乾燥処理、加熱乾燥処理、露光装置への搬出、露光装置からの搬入、露光後のフォトレジスト膜の現像処理、リンス処理、および乾燥処理等を順に行い、インデクサ装置に基板を搬出する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１，２等）。
特許文献１，２に開示される基板処理装置では、比較的タクトタイムの長い露光装置での律速を避けるために、基板処理装置に対して２台の露光装置を接続している。露光装置が２台設けられていれば、一方の露光装置が処理中であっても空いている他方の露光装置にて基板の露光処理をおこなうことができ、基板処理装置に露光前の基板が滞留するのを防止することができる。
特開２００６－２４６４３号公報 特開２００６－２４６４２号公報
ところで、２台の露光装置を接続するに際しては、基板処理装置のユーザ側の運用の都合により、同じ処理を行う２台の露光装置（同じマスクを搭載）を接続する場合と、異なる処理を行う２台の露光装置（異なるマスクを搭載）を接続する場合とがあり得る。よって、様々な複数露光装置の接続状況に対応できるように、露光装置への搬出入を行うインターフェース部において柔軟な搬送を行えることが求められる。
また、近年、露光装置の性能が向上しており、露光装置におけるタクトタイムが短縮される傾向にある。これにともなって、インターフェース部に配置された搬送ロボットが行う動作回数（アクセス数）も減少させなければならない。そうすると、インターフェース部に配置する搬送ロボットの数を増加させる必要が生じる。しかし、搬送ロボットの数を増加させると、基板処理装置の全長が長くなるという問題が発生する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の露光装置に対して柔軟な搬送を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理装置において、前記前工程の処理を実行する前処理部と、前記後工程の処理を実行する後処理部と、前記前処理部および前記後処理部と第１露光装置および第２露光装置とを接続し、基板を搬送する搬送機構および複数のモジュールを備えるインターフェース部と、前記搬送機構を制御する制御部と、を備え、前記搬送機構は、前記前処理部から搬送された基板を取り出す第１搬送ロボットと、前記後処理部に基板を搬出する第２搬送ロボットと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第３搬送ロボットと、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行う第４搬送ロボットと、を有し、前記複数のモジュールは、前記第１露光装置に搬送される基板を温調する第１温調器および前記第２露光装置に搬送される基板を温調する第２温調器を含み、前記制御部は、前記前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを前記第１露光装置および前記第２露光装置の双方に順次に搬送するように前記搬送機構を制御する第１搬送モード、または、前記前工程の処理が施された複数の基板を交互に前記第１露光装置または前記第２露光装置に搬送するように前記搬送機構を制御する第２搬送モード、を選択し、前記第１搬送モードでは、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板が搬送され、前記第２搬送モードでは、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順、または、前記第１搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板が搬送されることを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記複数のモジュールは、前記制御部が前記第２搬送モードを選択したときに、露光処理前の基板を一時的に収納するとともに、当該基板を前記第１露光装置または前記第２露光装置のいずれに搬送するかを振り分けるための第１バッファを含むことを特徴とする。
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記複数のモジュールは、前記制御部が前記第２搬送モードを選択したときに、前記第１露光装置にて露光処理が施された基板と前記第２露光装置にて露光処理が施された基板とが交互に前記後工程に送られるように露光処理後の基板を一時的に収納する第２バッファを含むことを特徴とする。
また、請求項４の発明は、基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理装置において、前記前工程の処理を実行する前処理部と、前記後工程の処理を実行する後処理部と、前記前処理部および前記後処理部と第１露光装置および第２露光装置とを接続し、基板を搬送する搬送機構および複数のモジュールを備えるインターフェース部と、前記搬送機構を制御する制御部と、を備え、前記搬送機構は、前記前処理部から搬送された基板を取り出す第１搬送ロボットと、前記後処理部に基板を搬出する第２搬送ロボットと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第３搬送ロボットと、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行う第４搬送ロボットと、を有し、前記複数のモジュールは、前記第１露光装置に搬送される基板を温調する第１温調器および前記第２露光装置に搬送される基板を温調する第２温調器を含み、前記制御部は、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板を搬送して、前記前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを前記第１露光装置および前記第２露光装置の双方に順次に搬送するように前記搬送機構を制御することを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記インターフェース部には、前記複数のモジュールの一部が積層配置されることを特徴とする。
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る基板処理装置において、前記第１温調器は前記複数のモジュールのうちの前記第２温調器以外のモジュールと積層され、前記第２温調器は前記複数のモジュールのうちの前記第１温調器以外のモジュールと積層されることを特徴とする。
また、請求項７の発明は、請求項５の発明に係る基板処理装置において、前記インターフェース部にて１枚の基板を搬送する間の前記第１搬送ロボット、前記第２搬送ロボット、前記第３搬送ロボットおよび前記第４搬送ロボットのそれぞれのアクセス数は４以下であることを特徴とする。
また、請求項８の発明は、請求項１から請求項７のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記前処理部は、基板に対してレジストを塗布する塗布部を含むことを特徴とする。
また、請求項９の発明は、請求項１から請求項８のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記後処理部は、露光処理後の基板に対して現像処理を行う現像部を含むことを特徴とする。
また、請求項１０の発明は、基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理方法において、前記前工程の処理を実行する前処理部および前記後工程の処理を実行する後処理部と第１露光装置および第２露光装置とを接続するインターフェース部にて、前記前工程の処理が施された基板を前記第１露光装置および／または前記第２露光装置に搬送するとともに、露光処理が施された基板を前記後処理部に搬送する搬送工程を備え、前記インターフェース部は、基板を搬送する搬送機構および複数のモジュールを備え、前記搬送機構は、前記前処理部から搬送された基板を取り出す第１搬送ロボットと、前記後処理部に基板を搬出する第２搬送ロボットと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第３搬送ロボットと、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行う第４搬送ロボットと、を有し、前記複数のモジュールは、前記第１露光装置に搬送される基板を温調する第１温調器および前記第２露光装置に搬送される基板を温調する第２温調器を含み、前記搬送工程では、前記前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを前記第１露光装置および前記第２露光装置の双方に順次に搬送する第１搬送モード、または、前記前工程の処理が施された複数の基板を交互に前記第１露光装置または前記第２露光装置に搬送する第２搬送モード、が選択され、前記第１搬送モードでは、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板が搬送され、前記第２搬送モードでは、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順、または、前記第１搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板が搬送されることを特徴とする。
また、請求項１１の発明は、請求項１０の発明に係る基板処理方法において、前記第２搬送モードが選択されたときには、前記インターフェース部に設けられた第１バッファにて露光処理前の基板を前記第１露光装置または前記第２露光装置のいずれに搬送するかを振り分けるために当該基板を一時的に収納することを特徴とする。
また、請求項１２の発明は、請求項１１の発明に係る基板処理方法において、前記第２搬送モードが選択されたときには、前記インターフェース部に設けられた第２バッファにて前記第１露光装置にて露光処理が施された基板と前記第２露光装置にて露光処理が施された基板とが交互に前記後工程に送られるように露光処理後の基板を一時的に収納することを特徴とする。
また、請求項１３の発明は、基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理方法において、前記前工程の処理を実行する前処理部および前記後工程の処理を実行する後処理部と第１露光装置および第２露光装置とを接続するインターフェース部にて、前記前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを前記第１露光装置および前記第２露光装置の双方に順次に搬送し、前記インターフェース部は、基板を搬送する搬送機構および複数のモジュールを備え、前記搬送機構は、前記前処理部から搬送された基板を取り出す第１搬送ロボットと、前記後処理部に基板を搬出する第２搬送ロボットと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第３搬送ロボットと、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行う第４搬送ロボットと、を有し、前記複数のモジュールは、前記第１露光装置に搬送される基板を温調する第１温調器および前記第２露光装置に搬送される基板を温調する第２温調器を含み、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板を搬送することを特徴とする。
また、請求項１４の発明は、請求項９から請求項１３のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記前工程は、基板に対してレジストを塗布する工程を含むことを特徴とする。
また、請求項１５の発明は、請求項９から請求項１４のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記後工程は、露光処理後の基板に対して現像処理を行う工程を含むことを特徴とする。
請求項１～３，５～９の発明によれば、制御部は、前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを第１露光装置および第２露光装置の双方に順次に搬送するように搬送機構を制御する第１搬送モード、または、前工程の処理が施された複数の基板を交互に第１露光装置または第２露光装置に搬送するように搬送機構を制御する第２搬送モード、を選択するため、複数の露光装置に対して柔軟な搬送を行うことができる。
請求項４～９の発明によれば、制御部は、前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを第１露光装置および第２露光装置の双方に順次に搬送するように搬送機構を制御するため、複数の露光装置に対して柔軟な搬送を行うことができる。
特に、請求項５の発明によれば、インターフェース部には、複数のモジュールの一部が積層配置されるため、インターフェース部の設置スペースを小さくして基板処理装置の全長が長くなるのを抑制することができる。
請求項１０～１２，１４，１５の発明によれば、搬送工程では、前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを第１露光装置および第２露光装置の双方に順次に搬送する第１搬送モード、または、前工程の処理が施された複数の基板を交互に第１露光装置または第２露光装置に搬送する第２搬送モード、が選択されるため、複数の露光装置に対して柔軟な搬送を行うことができる。
請求項１３～１５の発明によれば、前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを第１露光装置および第２露光装置の双方に順次に搬送するため、複数の露光装置に対して柔軟な搬送を行うことができる。
基板処理装置の全体構成の一例を示す概略図である。 制御部の構成を示すブロック図である。 第１実施形態のインターフェース部の構成を示す図である。 モジュールの積層配置の一例を示す図である。 第１実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板の搬送経路を示す図である。 第１実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板の搬送手順を示す図である。 第１実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板の搬送手順を示す図である。 第１実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板の搬送手順を示す図である。 第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第１露光装置に搬送する搬送経路を示す図である。 第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第１露光装置に搬送する搬送手順を示す図である。 第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第１露光装置に搬送する搬送手順を示す図である。 第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第２露光装置に搬送する搬送経路を示す図である。 第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第２露光装置に搬送する搬送手順を示す図である。 第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第２露光装置に搬送する搬送手順を示す図である。 第２実施形態のインターフェース部の構成を示す図である。 第２実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板の搬送経路を示す図である。 第２実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板の搬送手順を示す図である。 第２実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板の搬送手順を示す図である。 第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第１露光装置に搬送する搬送経路を示す図である。 第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第１露光装置に搬送する搬送手順を示す図である。 第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第１露光装置に搬送する搬送手順を示す図である。 第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第２露光装置に搬送する搬送経路を示す図である。 第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第２露光装置に搬送する搬送手順を示す図である。 第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板を第２露光装置に搬送する搬送手順を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。以下において、相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」、「同軸」、など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。また、等しい状態であることを示す表現（例えば、「同一」、「等しい」、「均質」、など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。また、形状を示す表現（例えば、「円形状」、「四角形状」、「円筒形状」、など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲の形状を表すものとし、例えば凹凸または面取りなどを有していてもよい。また、構成要素を「備える」、「具える」、「具備する」、「含む」、「有する」、といった各表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。また、「Ａ、ＢおよびＣのうちの少なくとも一つ」という表現には、「Ａのみ」、「Ｂのみ」、「Ｃのみ」、「Ａ、ＢおよびＣのうち任意の２つ」、「Ａ、ＢおよびＣの全て」が含まれる。
＜第１実施形態＞
図１は、基板処理装置１の全体構成の一例を示す概略図である。基板処理装置１は、基板Ｇに対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う装置である。露光処理の前工程の処理には、例えば、洗浄、処理液の塗布、処理液の乾燥、および、加熱による塗布膜の形成などが含まれる。一方、露光処理の後工程の処理には、現像、現像後の加熱による乾燥、および、冷却などが含まれる。処理対象となる基板Ｇは、例えば、平板状のガラス基板である。基板Ｇは、第１主面としての第１面（上面ともいう）と、この第１面とは逆の第２主面としての第２面（下面ともいう）と、を有する。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
基板処理装置１の一端側にはインデクサ装置２が接続されるとともに他端側には第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂが接続される。すなわち、本実施形態においては、１ラインの基板処理装置１に対して２台の露光装置３ａ，３ｂが接続されている。なお、第１露光装置３ａと第２露光装置３ｂとを特に区別しない場合には単に露光装置３と総称する。
基板処理装置１は、露光処理の前工程の処理を行う前処理部１１と、露光処理の後工程の処理を行う後処理部１２と、インターフェース部２０と、を備える。基板処理装置１全体での基板Ｇの搬送経路において、前処理部１１は、インデクサ装置２からインターフェース部２０に至る往路部分をなす。一方、後処理部１２は、インターフェース部２０からインデクサ装置２に至る復路部分をなす。
インデクサ装置２は、複数の基板Ｇを収容するカセットが載置される載置台と、基板Ｇを移載する移載機構と、を有する。移載機構としては、例えば、載置台上のカセットと前処理部１１および後処理部１２との間で基板Ｇを移載する移載ロボットが適用される。移載機構は、載置台上のカセットから未処理の基板Ｇを取り出して前処理部１１に渡す。また、移載機構は、後処理部１２から処理後の基板Ｇを受け取ってカセットに収納する。
前処理部１１は、複数の処理部として、洗浄部１１１、塗布部１１２、減圧乾燥部１１３およびプリベーク部１１４を有する。前処理部１１の各処理部は、上記の処理部の記載順に配置されている。基板Ｇは、搬送ロボットもしくはコンベア等によって、図１に２点鎖線で描かれた矢印で示されるように、処理の進行に従って、各処理部へ上記の記載順に搬送される。
洗浄部１１１は、インデクサ装置２から搬入された基板Ｇに洗浄処理を施す。洗浄処理には、例えば、微細なパーティクルをはじめ、有機汚染、金属汚染、油脂および自然酸化膜等を除去する処理が含まれる。洗浄部１１１では、例えば、紫外光の照射による基板Ｇの表面に付着した有機物の除去、脱イオン水等の洗浄液の供給とブラシ等の洗浄部材とによる基板Ｇの表面の洗浄、ならびにブロワー等による基板Ｇの乾燥が行われる。ブロワー等による基板Ｇの乾燥には、例えば、エアナイフによる基板Ｇ上からの洗浄液の除去等が含まれる。
塗布部１１２は、洗浄部１１１で洗浄された基板Ｇ上に処理液を塗布する。塗布部１１２には、例えば、スリットコータが適用される。スリットコータは、処理液を吐出口から吐出するスリットノズルを、基板Ｇに対して相対的に移動させることで、基板Ｇ上に処理液の塗布することができる。ここで、塗布部１１２では、基板Ｇ上に処理液が塗布されるエリア（塗布エリアともいう）において、浮上式の搬送機構によって上下面が水平方向に沿った姿勢（水平姿勢ともいう）の基板Ｇが水平方向に沿って搬送される。浮上式の搬送機構は、例えば、基板Ｇのうちの基板Ｇの搬送方向（基板搬送方向ともいう）に垂直な幅方向の両端部分を下方から支持もしくは保持し、基板Ｇに向けて下方から圧縮空気を吹き付けることで上下面が水平方向に沿った状態にある基板Ｇを保持しつつ、基板Ｇを水平方向に移動させる。塗布部１１２では、例えば、塗布エリアの上流側に位置している部分（入側部分ともいう）および塗布エリアの下流側に位置している部分（出側部分ともいう）のそれぞれにおいて、コンベアによって基板Ｇが搬送される。コンベアは、基板Ｇの基板搬送方向に沿って並んだ複数のローラを駆動機構（不図示）によって回転させることで、水平姿勢の基板Ｇを水平方向に移動させる。塗布部１１２には、その他の塗布方式の塗布装置が適用されてもよい。
塗布部１１２が塗布する処理液には、例えば、レジスト液またはポリイミド前駆体と溶媒とを含む液（ＰＩ液ともいう）等の塗布用の液（塗布液ともいう）が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸（ポリアミック酸）等が適用される。溶媒には、例えば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）が適用される。
減圧乾燥部１１３は、基板Ｇ上に塗布された処理液を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を行う。ここでは、基板Ｇの表面に塗布された処理液の溶媒が減圧によって気化（蒸発）させられることで、基板Ｇが乾燥される。
プリベーク部１１４は、減圧乾燥部１１３で乾燥された基板Ｇを加熱し、基板Ｇの表面上で、処理液に含まれる成分を固化させる。これにより、基板Ｇ上に処理液に係る膜が形成される。例えば、処理液がレジストである場合には、レジストの塗膜に熱処理が施されることで、レジスト膜が形成される。例えば、処理液がポリイミド前駆体である場合には、ポリイミド前駆体の塗膜に熱処理が施されることで、ポリイミド前駆体のイミド化によってポリイミド膜が形成される。プリベーク部１１４は、単一の基板Ｇを加熱する枚葉方式の加熱処理部であってもよいし、複数の基板Ｇを一括して加熱するバッチ方式の加熱処理部であってもよい。ここで、減圧乾燥部１１３における減圧乾燥処理のタクトタイムと、プリベーク部１１４における加熱処理のタクトタイムと、が大きく相違しており、プリベーク部１１４が枚葉方式の加熱処理部を有する場合が想定される。この場合には、プリベーク部１１４は、例えば、並列して加熱処理を行う複数台の枚葉式の加熱処理部を有していても良い。複数台の加熱処理部は、例えば、上下に積層された状態で配置される。
インターフェース部２０は、前処理部１１および後処理部１２と第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂとを接続する。インターフェース部２０は、前処理部１１から受け取った基板Ｇを第１露光装置３ａおよび／または第２露光装置３ｂに搬送する。また、インターフェース部２０は、第１露光装置３ａおよび／または第２露光装置３ｂから受け取った露光後の基板Ｇを後処理部１２に搬送する。インターフェース部２０は、基板Ｇを搬送する搬送機構および複数のモジュールを備えているが、インターフェース部２０の詳細な構成についてはさらに後述する。
第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂは、前処理部１１において基板Ｇ上に形成された処理液に係る膜に対して、露光処理を行う。具体的には、露光装置３は、例えば、回路パターンが描画されたマスクを通して遠紫外線等の特定の波長の光を照射し、処理液に係る膜にパターンを転写する。露光装置３は、例えば、周辺露光部およびタイトラーを含んでいても良い。周辺露光部は、基板Ｇ上の処理液に係る膜の周縁部を除去するための露光処理を行う部分である。タイトラー部は、例えば、基板Ｇに所定の情報を書き込む部分である。
後処理部１２は、複数の処理部として、現像部１２１、ポストベーク部１２２および冷却部１２３を有する。後処理部１２の各処理部は、上記の処理部の記載順に配置されている。基板Ｇは、搬送ロボット等によって、図１に２点鎖線で描かれた矢印で示されるように、処理の進行に従って、各処理部へ上記の記載順に搬送される。
現像部１２１は、前処理部１１で形成された処理液に係る膜に現像処理を施す。現像処理には、例えば、処理液に係る膜を現像する処理、現像液を洗い流す処理、および基板Ｇを乾燥させる処理が含まれる。現像部１２１では、例えば、露光装置３でパターンが露光された基板Ｇ上の処理液に係る膜を現像液に浸す処理、基板Ｇ上の現像液を脱イオン水等の洗浄液で洗い流す処理、ならびにブロワー等によって基板Ｇを乾燥させる処理が行われる。ブロワー等による基板Ｇの乾燥には、例えば、エアナイフによる基板Ｇ上からの洗浄液の除去等が含まれる。
ポストベーク部１２２は、基板Ｇを加熱し、現像部１２１において基板Ｇに付着した洗浄液を気化させることで、基板Ｇを乾燥させる。
冷却部１２３は、ポストベーク部１２２で加熱された基板Ｇを冷却する。冷却部１２３には、例えば、コンベアによって基板Ｇを搬送しながら基板Ｇを空冷する構成、あるいは基板Ｇを棚状の部分に載置して空気等のガスの吹き付けによって基板Ｇを冷却する構成等が適用される。冷却部１２３で冷却された基板Ｇは、インデクサ装置２によって後処理部１２から基板処理装置１の外部へ搬出される。
基板処理装置１の各部の動作は、制御部９０によって制御される。図２は、制御部９０の構成を示すブロック図である。制御部９０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部９０は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく記憶部９４（例えば、磁気ディスク）を備えている。制御部９０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって基板処理装置１における処理が進行する。
制御部９０の記憶部９４には、基板Ｇを処理する手順および条件を定めた処理レシピ９５が記憶されている。処理レシピ９５は、例えば、装置のオペレータが、後述する入力部９２を介して入力して記憶部９４に記憶させることによって、基板処理装置１に取得される。或いは、複数の基板処理装置１を管理するホストコンピュータから基板処理装置１に処理レシピ９５が通信により引き渡されて記憶部９４に記憶されても良い。
制御部９０には、後述するインターフェース部２０に設けられた搬送ロボット等の要素が電気的に接続されている。制御部９０は、例えば処理レシピ９５の内容に従って、当該搬送ロボット等を制御する。
また、制御部９０には、表示部９３および入力部９２が接続されている。表示部９３および入力部９２は、基板処理装置１のユーザーインターフェースとして機能する。制御部９０は、表示部９３に種々の情報を表示する。基板処理装置１のオペレータは、表示部９３に表示された情報を確認しつつ、入力部９２から種々のコマンドやパラメータを入力することができる。入力部９２としては、例えばキーボードやマウスを用いることができる。表示部９３としては、例えば液晶ディスプレイを用いることができる。本実施形態においては、表示部９３および入力部９２として、基板処理装置１の外壁に設けられた液晶のタッチパネルを採用して双方の機能を併せ持たせるようにしている。
図３は、第１実施形態のインターフェース部２０の構成を示す図である。インターフェース部２０は、基板Ｇを搬送する搬送機構および複数のモジュールを備える。第１実施形態のインターフェース部２０は、搬送機構として、５つの搬送ロボット（第１搬送ロボット３１，第２搬送ロボット３２，第３搬送ロボット３３，第４搬送ロボット３４，第５搬送ロボット３５）、２つのコンベア３７，３８、および、ターンテーブル付きコンベア３６を有する。
第１搬送ロボット３１、第２搬送ロボット３２、第３搬送ロボット３３、第４搬送ロボット３４および第５搬送ロボット３５のそれぞれは、基板Ｇを保持するハンドを前後に進退移動させることができるとともに、旋回動作および昇降動作が可能とされている。これにより、第１搬送ロボット３１、第２搬送ロボット３２、第３搬送ロボット３３、第４搬送ロボット３４および第５搬送ロボット３５のそれぞれは、周囲のモジュールに対して基板Ｇの受け渡しを行うことができる。
コンベア３７，３８は、例えば、複数のローラを備え、それらのローラに基板Ｇを支持した状態で複数のローラの少なくとも一部を回転させることによって基板Ｇを一方向に搬送する。ターンテーブル付きコンベア３６は、コンベア３７，３８と同様の要素に基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる機構を付加したものである。なお、コンベア３７とコンベア３８とを一体のコンベア機構として構成するようにしても良い。
また、インターフェース部２０は、モジュールとして、クーリングプレート５１、エッジ露光機５２、第１バッファ５３、第２バッファ５４、第１温調器５５、第２温調器５６、２つのパス５７，５８、および、ターンテーブル５９を有する。モジュールは、インターフェース部２０に設けられた要素のうち基板Ｇを搬送する機能を有さないものと言える。
クーリングプレート５１は、例えば冷却水循環機構またはペルチェ素子等の冷却機構を備えたプレートである。昇温された基板Ｇがクーリングプレート５１に載置されることによって、当該基板Ｇが冷却される。エッジ露光機５２は、レジスト膜等が形成された基板Ｇの周縁部に光を照射することによって当該周縁部を露光する。
第１バッファ５３は、１枚の基板Ｇを収納可能な棚を多段に積層して備える。第２バッファ５４も第１バッファ５３と同様の構成を有する。よって、第１バッファ５３および第２バッファ５４のそれぞれは、１枚以上の基板Ｇを収容することができる。
第１温調器５５は、所定温度に温調された気体を基板Ｇに供給して基板Ｇを温調する。第２温調器５６は、第１温調器５５と同様の構成を有する。第１温調器５５および第２温調器５６は、例えば、基板Ｇをクリーンルームにおける標準温度である２３℃に温調する。
パス５７，５８は、それぞれ１枚の基板Ｇを載置することができる。パス５７，５８のそれぞれは、２つの搬送ロボットの間で基板Ｇを受け渡すための要素である。ターンテーブル５９は、基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる要素である。
インターフェース部２０に設けられた複数のモジュールのうち、第１温調器５５とパス５７とは鉛直方向に沿って２段に積層配置されている。図４は、モジュールの積層配置の一例を示す図である。積層構造において、上段に第１温調器５５が配置されるとともに、下段にパス５７が配置される。第１温調器５５は、送風ユニット６１および載置台６２を備える。載置台６２は、１枚の基板Ｇを載置することができる。送風ユニット６１は、載置台６２に載置された基板Ｇに向けて、例えば２３℃に温調された気体を吹き付ける。第１温調器５５には、第３搬送ロボット３３がハンドを出し入れするための開口６３が設けられている。なお、第１温調器５５には、図４の紙面に垂直な方向に沿って手前側に第２搬送ロボット３２がハンドを出し入れするための開口も設けられている。
パス５７は、載置台６４を備える。載置台６４は、１枚の基板Ｇを載置することができる。パス５７には、第１搬送ロボット３１がハンドを出し入れするための開口６５が設けられるとともに、第３搬送ロボット３３がハンドを出し入れするための開口６６が設けられている。
図３に戻り、パス５８と第２バッファ５４も鉛直方向に沿って２段に積層配置されている。上段にパス５８が配置されるとともに、下段に第２バッファ５４が配置される。さらに、第２温調器５６とターンテーブル５９も鉛直方向に沿って２段に積層配置されている。上段に第２温調器５６が配置されるとともに、下段にターンテーブル５９が配置される。
図３に示すように、第１搬送ロボット３１の周囲には、クーリングプレート５１、第１バッファ５３および第１温調器５５とパス５７との積層構造が配置されている。第１搬送ロボット３１は、クーリングプレート５１、第１バッファ５３およびパス５７に対して基板Ｇの受け渡しを行う。第１搬送ロボット３１は、第１バッファ５３に形設されている複数の棚のうちの任意の棚に対して基板Ｇの受け渡しを行うことができる。
第２搬送ロボット３２の周囲には、第１温調器５５とパス５７との積層構造およびターンテーブル付きコンベア３６が配置されている。第２搬送ロボット３２は、第１温調器５５、ターンテーブル付きコンベア３６および第１露光装置３ａに対して基板Ｇの受け渡しを行う。すなわち、第２搬送ロボット３２は、第１露光装置３ａに対する基板Ｇの受け渡しを担当する。
第３搬送ロボット３３の周囲には、第１温調器５５とパス５７との積層構造、パス５８と第２バッファ５４との積層構造およびエッジ露光機５２が配置されている。第３搬送ロボット３３は、第１温調器５５、パス５７、パス５８、第２バッファ５４およびエッジ露光機５２に対して基板Ｇの受け渡しを行う。
第４搬送ロボット３４の周囲には、パス５８と第２バッファ５４との積層構造、第２温調器５６とターンテーブル５９との積層構造およびコンベア３８が配置されている。第４搬送ロボット３４は、パス５８、第２バッファ５４、第２温調器５６、ターンテーブル５９およびコンベア３８に対して基板Ｇの受け渡しを行う。
第５搬送ロボット３５の周囲には、第２温調器５６とターンテーブル５９との積層構造が配置されている。第５搬送ロボット３５は、第２温調器５６、ターンテーブル５９および第２露光装置３ｂに対して基板Ｇの受け渡しを行う。すなわち、第５搬送ロボット３５は、第２露光装置３ｂに対する基板Ｇの受け渡しを担当する。
次に、基板処理装置１における基板Ｇの処理手順について説明する。まず、基板処理装置１の全体における基板Ｇの処理の流れについて簡単に説明する。
インデクサ装置２は、カセットに収納されている未処理の基板Ｇを取り出して前処理部１１の洗浄部１１１に投入する。洗浄部１１１は、例えば洗浄液を供給して基板Ｇの表面洗浄を行うとともに、洗浄後に洗浄液を乾燥させる。洗浄部１１１にて洗浄された基板Ｇは塗布部１１２に搬送される。本実施形態では、塗布部１１２は、洗浄後の清浄な基板Ｇの表面にレジスト液を塗布する。
レジスト液が塗布された基板Ｇは塗布部１１２から減圧乾燥部１１３に搬送される。減圧乾燥部１１３は、基板Ｇに塗布されたレジスト液を減圧雰囲気下にて乾燥させる。その後さらに、基板Ｇは減圧乾燥部１１３からプリベーク部１１４に搬送される。プリベーク部１１４は、基板Ｇを加熱して基板Ｇの表面にレジスト膜を焼成する。
前処理部１１にてレジスト膜が成膜された基板Ｇは、インターフェース部２０にて第１露光装置３ａおよび／または第２露光装置３ｂに搬送されて露光処理に供される。露光処理後の基板Ｇは、インターフェース部２０にて後処理部１２に搬送される。インターフェース部２０における基板Ｇの搬送についてはさらに詳述する。
後処理部１２の現像部１２１は、露光処理後の基板Ｇに現像液を供給してレジスト膜の現像処理を行う。また、現像部１２１は、基板Ｇ上から現像液を洗い流すとともに、基板Ｇを乾燥させる処理も行う。
現像処理後の基板Ｇは現像部１２１からポストベーク部１２２に搬送される。ポストベーク部１２２は、基板Ｇを加熱して基板Ｇ上に残留している現像液や洗浄液を蒸発除去する。その後、基板Ｇはポストベーク部１２２から冷却部１２３に搬送される。冷却部１２３は、ポストベーク部１２２で加熱されて昇温している基板Ｇを冷却する。冷却部１２３で冷却された基板Ｇは、インデクサ装置２に戻され、インデクサ装置２によってカセットに収容される。
インターフェース部２０における基板Ｇの搬送について説明を続ける。第１実施形態においては、インターフェース部２０における基板Ｇの搬送形態として、複数の基板Ｇのそれぞれを第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂの双方に順次に搬送する連続処理モード（第１搬送モード）と、複数の基板Ｇを交互に第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂに搬送する交互処理モード（第２搬送モード）と、が用意されている。
制御部９０は、連続処理モードまたは交互処理モードのいずれかを選択する。具体的には、装置のオペレータが入力部９２から連続処理モードまたは交互処理モードを指定することによって制御部９０がモード選択するようにすれば良い。或いは、処理レシピ９５（図２）の記述に従って制御部９０がモード選択するようにしても良い。さらには、上位のホストコンピュータ等からの指示に従って制御部９０がモード選択するようにしても良い。連続処理モードは、第１露光装置３ａと第２露光装置３ｂとが異なる種類のマスクを使用して同一の基板Ｇに露光処理を行う場合に採用される。一方、交互処理モードは、第１露光装置３ａと第２露光装置３ｂとが同じ種類のマスクを使用して高スループットで露光処理を行う場合に採用される。
まず、制御部９０によって連続処理モードが選択されたときの基板Ｇの搬送について説明する。図５は、第１実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板Ｇの搬送経路を示す図である。図６から図８は、第１実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板Ｇの搬送手順を示す図である。以下に説明する基板Ｇの搬送は、制御部９０がインターフェース部２０の搬送機構を制御することによって実現される。
前処理部１１のプリベーク部１１４にて加熱されて昇温していた基板Ｇは最初にクーリングプレート５１に搬入されて冷却される。第１搬送ロボット３１は、クーリングプレート５１から冷却された基板Ｇを取り出して第１バッファ５３に搬入する。そして、第１搬送ロボット３１は、第１バッファ５３から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇを下段のパス５７に搬入する。
連続処理モードでは、第１バッファ５３は、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂのタクトタイムのゆらぎを吸収する役割を担う。第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂのタクトタイムは必ずしも一定ではない。例えば、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂは不定期に自己メンテナンスを行うことがあり、そのようなときにはタクトタイムが長くなることがある。第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂのタクトタイムが長くなったときに、前処理部１１にてレジスト膜が成膜された基板Ｇを一時的に第１バッファ５３に貯留しておくことにより、前処理部１１での処理が停滞するのを防いでいるのである。
第３搬送ロボット３３は、パス５７から取り出した基板Ｇを第１温調器５５に搬入する。第１温調器５５は、露光処理直前の基板Ｇを所定温度（例えば２３℃）に正確に温調する。温調された基板Ｇは、第２搬送ロボット３２によって第１温調器５５から搬出されて第１露光装置３ａに搬入される。
第１露光装置３ａは、基板Ｇに対して露光処理を行ってレジスト膜にパターンを転写する。露光処理後の基板Ｇは、第２搬送ロボット３２によって第１露光装置３ａから搬出されてターンテーブル付きコンベア３６に搬入される。
ターンテーブル付きコンベア３６は、必要に応じて基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる。第１露光装置３ａから搬出された基板Ｇの向きは一定ではない。このため、ターンテーブル付きコンベア３６は、基板Ｇの向きが一定となるように調整するのである。
基板Ｇはターンテーブル付きコンベア３６からコンベア３７，３８の順に搬送される。そして、第４搬送ロボット３４がコンベア３８に到達した基板Ｇを受け取って第２温調器５６に搬入する。第２温調器５６は、２回目の露光処理直前の基板Ｇを所定温度に正確に温調する。温調された基板Ｇは、第５搬送ロボット３５によって第２温調器５６から搬出されて第２露光装置３ｂに搬入される。
第２露光装置３ｂは、第１露光装置３ａとは異なるマスクを使用して基板Ｇに対して露光処理を行ってレジスト膜にパターンを転写する。すなわち、連続処理モードでは、基板Ｇに異なるパターンが重ねて転写されるのである。露光処理後の基板Ｇは、第５搬送ロボット３５によって第２露光装置３ｂから搬出されてターンテーブル５９に搬入される。
ターンテーブル５９は、必要に応じて基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる。上記の第１露光装置３ａと同様に、第２露光装置３ｂから搬出された基板Ｇの向きも一定ではない。このため、ターンテーブル５９は、基板Ｇの向きが一定となるように調整するのである。
第４搬送ロボット３４は、ターンテーブル５９から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇを第２バッファ５４に搬入する。続いて、第３搬送ロボット３３が第２バッファ５４から基板Ｇを搬出する。連続処理モードでは、全ての基板Ｇが同一の経路に沿って搬送されるため、第２バッファ５４は単に第４搬送ロボット３４から第３搬送ロボット３３に基板Ｇを受け渡すためのパスとして機能する。よって、連続処理モードでは、第２バッファ５４に代えて上段のパス５８を使用するようにしても良い。
第３搬送ロボット３３は、第２バッファ５４から取り出した基板Ｇをエッジ露光機５２に搬入する。エッジ露光機５２は、基板Ｇの周縁部に露光処理を行う。その後、基板Ｇは後処理部１２の現像部１２１に搬出される。
以上のように、連続処理モードが選択されたときには、全ての基板Ｇが同一の搬送経路および手順に従って搬送される。そして、連続処理モードでは、レジスト膜が成膜された複数の基板Ｇのそれぞれが第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂの双方に順次に搬送されて２回の露光処理に供されることとなる。
次に、制御部９０によって交互処理モードが選択されたときの基板Ｇの搬送について説明する。複数の基板Ｇを交互に第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂに搬送する交互処理モードでは、基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する経路と第２露光装置３ｂに搬送する経路とが異なる。そこで、まずは基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する経路について説明する。図９は、第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する搬送経路を示す図である。図１０および図１１は、第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する搬送手順を示す図である。連続処理モードと同様に、交互処理モードの基板Ｇの搬送も、制御部９０がインターフェース部２０の搬送機構を制御することによって実現される。
前処理部１１のプリベーク部１１４にて加熱されて昇温していた基板Ｇは最初にクーリングプレート５１に搬入されて冷却される。第１搬送ロボット３１は、クーリングプレート５１から冷却された基板Ｇを取り出して第１バッファ５３に搬入する。そして、第１搬送ロボット３１は、第１バッファ５３から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇを下段のパス５７に搬入する。
交互処理モードでは、第１バッファ５３は、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂのタクトタイムのゆらぎを吸収するだけでなく、基板Ｇを第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂのいずれに搬送するかを振り分ける役割を担う。具体的には、第１搬送ロボット３１が基板Ｇを第１バッファ５３の棚に載置したときに、制御部９０が当該基板Ｇを第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂのいずれに搬送するかについてソフトウェア上で関連づけを行う。例えば、基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する場合には、制御部９０がソフトウェア上で当該基板Ｇと第１露光装置３ａとを関連付ける。そして、第１バッファ５３にて載置された基板Ｇを第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂのいずれに搬送するかを振り分けることにより、当該基板Ｇのその後の搬送経路が確定される。
第３搬送ロボット３３は、パス５７から取り出した基板Ｇを第１温調器５５に搬入する。第１温調器５５は、露光処理直前の基板Ｇを所定温度に正確に温調する。温調された基板Ｇは、第２搬送ロボット３２によって第１温調器５５から搬出されて第１露光装置３ａに搬入される。
第１露光装置３ａは、基板Ｇに対して露光処理を行ってレジスト膜にパターンを転写する。露光処理後の基板Ｇは、第２搬送ロボット３２によって第１露光装置３ａから搬出されてターンテーブル付きコンベア３６に搬入される。
ターンテーブル付きコンベア３６は、必要に応じて基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる。そして、基板Ｇはターンテーブル付きコンベア３６からコンベア３７，３８の順に搬送される。
第４搬送ロボット３４は、コンベア３８に到達した基板Ｇを受け取って第２バッファ５４に搬入する。続いて、第３搬送ロボット３３が第２バッファ５４から基板Ｇを搬出する。第３搬送ロボット３３は、第２バッファ５４から取り出した基板Ｇをエッジ露光機５２に搬入する。エッジ露光機５２は、基板Ｇの周縁部に露光処理を行う。その後、基板Ｇは後処理部１２の現像部１２１に搬出される。
続いて、基板Ｇを第２露光装置３ｂに搬送する経路について説明する。図１２は、第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板Ｇを第２露光装置３ｂに搬送する搬送経路を示す図である。図１３および図１４は、第１実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板Ｇを第２露光装置３ｂに搬送する搬送手順を示す図である。
前処理部１１のプリベーク部１１４にて加熱されて昇温していた基板Ｇは最初にクーリングプレート５１に搬入されて冷却される。第１搬送ロボット３１は、クーリングプレート５１から冷却された基板Ｇを取り出して第１バッファ５３に搬入する。基板Ｇが第１バッファ５３に搬入されたときに、基板Ｇを第２露光装置３ｂに搬送する場合には、制御部９０がソフトウェア上で当該基板Ｇと第２露光装置３ｂとを関連付ける。そして、第１搬送ロボット３１は、第１バッファ５３から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇを下段のパス５７に搬入する。
第３搬送ロボット３３は、パス５７から取り出した基板Ｇをパス５８に搬入する。第４搬送ロボット３４は、パス５８から取り出した基板Ｇを第２温調器５６に搬入する。第２温調器５６は、露光処理直前の基板Ｇを所定温度に正確に温調する。温調された基板Ｇは、第５搬送ロボット３５によって第２温調器５６から搬出されて第２露光装置３ｂに搬入される。
第２露光装置３ｂは、基板Ｇに対して露光処理を行ってレジスト膜にパターンを転写する。露光処理後の基板Ｇは、第５搬送ロボット３５によって第２露光装置３ｂから搬出されてターンテーブル５９に搬入される。
ターンテーブル５９は、必要に応じて基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる。そして、第４搬送ロボット３４は、ターンテーブル５９から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇを第２バッファ５４に搬入する。続いて、第３搬送ロボット３３が第２バッファ５４から基板Ｇを搬出する。
交互処理モードでは、基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する搬送経路（図９）と第２露光装置３ｂに搬送する搬送経路（図１２）とが異なる。このため、順次に前処理部１１から搬送されてくる複数の基板Ｇを交互に第１露光装置３ａと第２露光装置３ｂとに搬送したとしても、第１露光装置３ａで処理された基板Ｇと第２露光装置３ｂで処理された基板Ｇとの間で追い越しが生じることがある。そうすると、後処理部１２に第１露光装置３ａで処理された基板Ｇが２枚連続して搬出される、または、第２露光装置３ｂで処理された基板Ｇが２枚連続して搬出されるという現象が生じるおそれがある。このため、交互処理モードでは、第１露光装置３ａにて露光処理が施された基板Ｇと第２露光装置３ｂにて露光処理が施された基板Ｇとが交互に後処理部１２に搬出されるように第２バッファ５４が露光処理後の基板Ｇを一時的に収納しているのである。第２バッファ５４では、追い越しが生じないように、第１露光装置３ａにて露光処理が施された基板Ｇまたは第２露光装置３ｂにて露光処理が施された基板Ｇを一時的に待機させる。
第３搬送ロボット３３は、第２バッファ５４から取り出した基板Ｇをエッジ露光機５２に搬入する。エッジ露光機５２は、基板Ｇの周縁部に露光処理を行う。その後、基板Ｇは後処理部１２の現像部１２１に搬出される。
以上のように、交互処理モードが選択されたときには、複数の基板Ｇが交互に異なる搬送経路および手順に従って搬送される。交互処理モードでは、レジスト膜が成膜された複数の基板Ｇのそれぞれが第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂにて１回の露光処理に供されることとなる。第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂが同じマスクを使用している場合には、全ての基板Ｇに同一の露光処理が施されることとなる。この場合、１台の露光装置を設けているときに比較して露光処理に要するタクトタイムを約半分にすることができる。
第１実施形態においては、基板Ｇを搬送するモードとして連続処理モードと交互処理モードとが用意されており、制御部９０は適宜にそれらのうちからいずれかを選択する。連続処理モードでは、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂが異なるマスクを使用して基板Ｇに異なるパターンを重ねて転写することになるため、例えば異なるサイズのパネルを生産するのに好適である。一方、交互処理モードでは、露光処理に要するタクトタイムを短くすることができるため、露光処理による搬送律速を防ぐのに有効である。制御部９０が処理目的に応じて適宜に連続処理モードまたは交互処理モードからいずれかを選択するため、複数の露光装置に対して柔軟な基板搬送を行うことができる。
また、第１実施形態では、インターフェース部２０に多数のモジュールを設けているものの、複数のモジュールの一部を積層配置している。これにより、インターフェース部２０の設置スペースを小さくすることができ、基板処理装置１の全長が過度に長くなるのを抑制することができる。
さらに、複数のモジュールの一部を積層配置することによって、搬送ロボットの台数が増加するのを抑制することもできる。搬送ロボットの台数を少なくすることによっても、インターフェース部２０の設置スペースを小さくして基板処理装置１の全長が長くなるのを抑制することができる。
また、図５、図９および図１２において、矢印は各搬送ロボットによる１回の基板Ｇの受け渡しを示している。よって、１つの搬送ロボットの周囲に描かれている矢印の数は、インターフェース部２０にて１枚の基板Ｇを搬送する間の当該搬送ロボットのアクセス数である。図５、図９および図１２に示すように、連続処理モードおよび交互処理モードのいずれにおいても、全ての搬送ロボット（第１搬送ロボット３１～第５搬送ロボット３５）について、インターフェース部２０にて１枚の基板Ｇを搬送する間のそれぞれの搬送ロボットのアクセス数は４以下である。このため、性能向上によりタクトタイムが短くなった露光装置にも対応することが可能となる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態では、インターフェース部の構成およびインターフェース部における基板搬送の形態が第１実施形態と異なる。インターフェース部を除く第２実施形態の基板処理装置の残余の構成は第１実施形態と同じである。また、基板処理装置における第２実施形態の基板処理の内容も第１実施形態と概ね同様である。
図１５は、第２実施形態のインターフェース部２２０の構成を示す図である。同図において、第１実施形態（図３）と同一の要素については同一の符号を付している。第２実施形態のインターフェース部２２０も、基板Ｇを搬送する搬送機構および複数のモジュールを備える。第２実施形態のインターフェース部２２０は、搬送機構として、６つの搬送ロボット（第１搬送ロボット３１，第２搬送ロボット３２，第３搬送ロボット３３，第４搬送ロボット３４，第５搬送ロボット３５、第６搬送ロボット３６）を有する。
第１搬送ロボット３１、第２搬送ロボット３２、第３搬送ロボット３３、第４搬送ロボット３４、第５搬送ロボット３５および第６搬送ロボット３６のそれぞれは、第１実施形態の搬送ロボットと同様のものである。よって、第１搬送ロボット３１、第２搬送ロボット３２、第３搬送ロボット３３、第４搬送ロボット３４、第５搬送ロボット３５および第６搬送ロボット３６のそれぞれは、周囲のモジュールに対して基板Ｇの受け渡しを行うことができる。
また、インターフェース部２２０は、モジュールとして、クーリングプレート５１、エッジ露光機５２、第１バッファ５３、第２バッファ５４、第１温調器５５、第２温調器５６、２つのパス５７，５８、および、ターンテーブル５９，６０を有する。これらの各モジュールは、第１実施形態と同一の要素である。
第２実施形態のインターフェース部２２０も、第１実施形態のインターフェース部２０と概ね同様の要素（搬送ロボットおよびモジュール）を備えている。但し、図１５に示すように、第２実施形態のインターフェース部２２０においては、各要素のレイアウトが第１実施形態とは相違する。第１実施形態では２つの露光装置が横並びであったのに対して、第２実施形態では第１露光装置３ａと第２露光装置３ｂとが離間している。それに伴って、インターフェース部２２０の各要素のレイアウトも第１実施形態とは異なるものとなっている。第２実施形態のインターフェース部２２０の如きレイアウトは、例えば複数の基板処理装置を工場内で並列配置するときに、前処理部１１の外側に第１露光装置３ａを配置する場合などに好適である。より詳細には、ある基板処理装置の前処理部１１とその隣の基板処理装置の後処理部１２との間のスペースに第１露光装置３ａを配置する場合などに好適である。
インターフェース部２２０に設けられた複数のモジュールのうち、第１温調器５５とターンテーブル６０とが鉛直方向に沿って２段に積層配置されている。積層構造において、上段に第１温調器５５が配置されるとともに、下段にターンテーブル６０が配置される。また、パス５７と第１バッファ５３も鉛直方向に沿って２段に積層配置されている。上段にパス５７が配置されるとともに、下段に第１バッファ５３が配置される。さらに、第２温調器５６とパス５８も鉛直方向に沿って２段に積層配置されている。上段に第２温調器５６が配置されるとともに、下段にパス５８が配置される。すなわち、第２実施形態においても、インターフェース部２２０に設けられた複数のモジュールの一部が積層配置されている。
図１５に示すように、第２実施形態のインターフェース部２２０のレイアウトにおいては、第１搬送ロボット３１の周囲に、クーリングプレート５１およびパス５７と第１バッファ５３との積層構造が配置されている。第１搬送ロボット３１は、クーリングプレート５１および第１バッファ５３に対して基板Ｇの受け渡しを行う。
第２搬送ロボット３２の周囲には、第１温調器５５とターンテーブル６０との積層構造およびパス５７と第１バッファ５３との積層構造が配置されている。第２搬送ロボット３２は、第１温調器５５、ターンテーブル６０、パス５７および第１バッファ５３に対して基板Ｇの受け渡しを行う。
第３搬送ロボット３３の周囲には、第１温調器５５とターンテーブル６０との積層構造が配置されている。第３搬送ロボット３３は、第１温調器５５、ターンテーブル６０および第１露光装置３ａに対して基板Ｇの受け渡しを行う。すなわち、第３搬送ロボット３３が第１露光装置３ａに対する基板Ｇの受け渡しを担当する。
第４搬送ロボット３４の周囲には、パス５７と第１バッファ５３との積層構造および第２温調器５６とパス５８との積層構造が配置されている。第４搬送ロボット３４は、パス５７、第１バッファ５３、第２温調器５６およびパス５８に対して基板Ｇの受け渡しを行う。
第５搬送ロボット３５の周囲には、第２温調器５６とパス５８との積層構造およびターンテーブル５９が配置されている。第５搬送ロボット３５は、第２温調器５６、パス５８、ターンテーブル５９および第２露光装置３ｂに対して基板Ｇの受け渡しを行う。すなわち、第５搬送ロボット３５が第２露光装置３ｂに対する基板Ｇの受け渡しを担当する。
第６搬送ロボット３６の周囲には、ターンテーブル５９、第２バッファ５４およびエッジ露光機５２が配置されている。第６搬送ロボット３６は、ターンテーブル５９、第２バッファ５４およびエッジ露光機５２に対して基板Ｇの受け渡しを行う。
次に、第２実施形態のインターフェース部２２０における基板Ｇの搬送について説明する。第２実施形態においても、インターフェース部２２０における基板Ｇの搬送形態として、複数の基板Ｇのそれぞれを第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂの双方に順次に搬送する連続処理モード（第１搬送モード）と、複数の基板Ｇを交互に第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂに搬送する交互処理モード（第２搬送モード）と、が用意されている。そして、第１実施形態と同様に、制御部９０が連続処理モードまたは交互処理モードのいずれかを選択する。
図１６は、第２実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板Ｇの搬送経路を示す図である。図１７および図１８は、第２実施形態にて連続処理モードが選択されたときの基板Ｇの搬送手順を示す図である。以下に説明する基板Ｇの搬送は、制御部９０がインターフェース部２２０の搬送機構を制御することによって実現される。
前処理部１１のプリベーク部１１４にて加熱されて昇温していた基板Ｇは最初にクーリングプレート５１に搬入されて冷却される。第１搬送ロボット３１は、クーリングプレート５１から冷却された基板Ｇを取り出して第１バッファ５３に搬入する。第１実施形態と同じく、連続処理モードでは、第１バッファ５３は、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂのタクトタイムのゆらぎを吸収する役割を担う。
第２搬送ロボット３２は、第１バッファ５３から基板Ｇを取り出し、その基板Ｇを第１温調器５５に搬入する。第１温調器５５は、露光処理直前の基板Ｇを所定温度に正確に温調する。温調された基板Ｇは、第３搬送ロボット３３によって第１温調器５５から搬出されて第１露光装置３ａに搬入される。
第１露光装置３ａは、基板Ｇに対して露光処理を行ってレジスト膜にパターンを転写する。露光処理後の基板Ｇは、第３搬送ロボット３３によって第１露光装置３ａから搬出されてターンテーブル６０に搬入される。
ターンテーブル６０は、必要に応じて基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる。第２搬送ロボット３２は、ターンテーブル６０から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇをパス５７に搬入する。続いて、第４搬送ロボット３４がパス５７から基板Ｇを取り出し、その基板Ｇを第２温調器５６に搬入する。第２温調器５６は、２回目の露光処理直前の基板Ｇを所定温度に正確に温調する。温調された基板Ｇは、第５搬送ロボット３５によって第２温調器５６から搬出されて第２露光装置３ｂに搬入される。
第２露光装置３ｂは、第１露光装置３ａとは異なるマスクを使用して基板Ｇに対して露光処理を行ってレジスト膜にパターンを転写する。露光処理後の基板Ｇは、第５搬送ロボット３５によって第２露光装置３ｂから搬出されてターンテーブル５９に搬入される。
ターンテーブル５９は、必要に応じて基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる。そして、第６搬送ロボット３６がターンテーブル５９から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇをエッジ露光機５２に搬入する。エッジ露光機５２は、基板Ｇの周縁部に露光処理を行う。その後、基板Ｇは後処理部１２の現像部１２１に搬出される。
以上のように、第２実施形態においても、連続処理モードが選択されたときには、全ての基板Ｇが同一の搬送経路および手順に従って搬送される。そして、連続処理モードでは、レジスト膜が成膜された複数の基板Ｇのそれぞれが第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂの双方に順次に搬送されて２回の露光処理に供されることとなる。
次に、複数の基板Ｇを交互に第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂに搬送する交互処理モードでは、基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する経路と第２露光装置３ｂに搬送する経路とが異なる。図１９は、第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する搬送経路を示す図である。図２０および図２１は、第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する搬送手順を示す図である。連続処理モードと同様に、交互処理モードの基板Ｇの搬送も、制御部９０がインターフェース部２２０の搬送機構を制御することによって実現される。
前処理部１１のプリベーク部１１４にて加熱されて昇温していた基板Ｇは最初にクーリングプレート５１に搬入されて冷却される。第１搬送ロボット３１は、クーリングプレート５１から冷却された基板Ｇを取り出して第１バッファ５３に搬入する。
交互処理モードでは、第１バッファ５３は、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂのタクトタイムのゆらぎを吸収するだけでなく、基板Ｇを第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂのいずれに搬送するかを振り分ける役割を担う。具体的には、第１搬送ロボット３１が基板Ｇを第１バッファ５３の棚に載置したときに、制御部９０が当該基板Ｇを第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂのいずれに搬送するかについてソフトウェア上で関連づけを行う。例えば、基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する場合には、制御部９０がソフトウェア上で当該基板Ｇと第１露光装置３ａとを関連付ける。そして、第１バッファ５３にて載置された基板Ｇを第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂのいずれに搬送するかを振り分けることにより、当該基板Ｇのその後の搬送経路が確定される。
第２搬送ロボット３２は、第１バッファ５３から基板Ｇを取り出し、その基板Ｇを第１温調器５５に搬入する。第１温調器５５は、露光処理直前の基板Ｇを所定温度に正確に温調する。温調された基板Ｇは、第３搬送ロボット３３によって第１温調器５５から搬出されて第１露光装置３ａに搬入される。
第１露光装置３ａは、基板Ｇに対して露光処理を行ってレジスト膜にパターンを転写する。露光処理後の基板Ｇは、第３搬送ロボット３３によって第１露光装置３ａから搬出されてターンテーブル６０に搬入される。
ターンテーブル６０は、必要に応じて基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる。第２搬送ロボット３２は、ターンテーブル６０から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇをパス５７に搬入する。続いて、第４搬送ロボット３４がパス５７から基板Ｇを取り出し、その基板Ｇをパス５８に搬入する。さらに、第５搬送ロボット３５がパス５８から基板Ｇを取り出し、その基板Ｇをターンテーブル５９に搬入する。第１露光装置３ａによって露光処理が行われた基板Ｇはターンテーブル６０によって向きが調整済みであるため、ターンテーブル５９は基板Ｇの向き調整は行わない。
第６搬送ロボット３６は、ターンテーブル５９に到達した基板Ｇを受け取って第２バッファ５４に搬入する。第６搬送ロボット３６は、第２バッファ５４から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇをエッジ露光機５２に搬入する。エッジ露光機５２は、基板Ｇの周縁部に露光処理を行う。その後、基板Ｇは後処理部１２の現像部１２１に搬出される。
一方、図２２は、第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板Ｇを第２露光装置３ｂに搬送する搬送経路を示す図である。図２３および図２４は、第２実施形態にて交互処理モードが選択されたときに基板Ｇを第２露光装置３ｂに搬送する搬送手順を示す図である。
前処理部１１のプリベーク部１１４にて加熱されて昇温していた基板Ｇは最初にクーリングプレート５１に搬入されて冷却される。第１搬送ロボット３１は、クーリングプレート５１から冷却された基板Ｇを取り出して第１バッファ５３に搬入する。基板Ｇが第１バッファ５３に搬入されたときに、基板Ｇを第２露光装置３ｂに搬送する場合には、制御部９０がソフトウェア上で当該基板Ｇと第２露光装置３ｂとを関連付ける。そして、ここでは、第４搬送ロボット３４が第１バッファ５３から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇを第２温調器５６に搬入する。
第２温調器５６は、露光処理直前の基板Ｇを所定温度に正確に温調する。温調された基板Ｇは、第５搬送ロボット３５によって第２温調器５６から搬出されて第２露光装置３ｂに搬入される。
第２露光装置３ｂは、基板Ｇに対して露光処理を行ってレジスト膜にパターンを転写する。露光処理後の基板Ｇは、第５搬送ロボット３５によって第２露光装置３ｂから搬出されてターンテーブル５９に搬入される。
ターンテーブル５９は、必要に応じて基板Ｇの向きを水平面内で９０°回動させる。そして、第６搬送ロボット３６は、ターンテーブル５９から基板Ｇを搬出し、その基板Ｇを第２バッファ５４に搬入する。続いて、第６搬送ロボット３６が第２バッファ５４から基板Ｇを搬出する。
交互処理モードでは、基板Ｇを第１露光装置３ａに搬送する搬送経路（図１９）と第２露光装置３ｂに搬送する搬送経路（図２２）とが異なる。このため、順次に前処理部１１から搬送されてくる複数の基板Ｇを交互に第１露光装置３ａと第２露光装置３ｂとに搬送したとしても、第１露光装置３ａで処理された基板Ｇと第２露光装置３ｂで処理された基板Ｇとの間で追い越しが生じることがある。このような追い越しを防止するため、交互処理モードでは、第１露光装置３ａにて露光処理が施された基板Ｇと第２露光装置３ｂにて露光処理が施された基板Ｇとが交互に後処理部１２に搬出されるように第２バッファ５４が露光処理後の基板Ｇを一時的に収納している。第２バッファ５４では、追い越しが生じないように、第１露光装置３ａにて露光処理が施された基板Ｇまたは第２露光装置３ｂにて露光処理が施された基板Ｇを一時的に待機させる。なお、基板の追い越しが生じる可能性のない連続処理モードでは、第２バッファ５４による調整は不要である。このため、第２実施形態の連続処理モードでは第２バッファ５４を使用していない（図１６参照）。
第６搬送ロボット３６は、第２バッファ５４から取り出した基板Ｇをエッジ露光機５２に搬入する。エッジ露光機５２は、基板Ｇの周縁部に露光処理を行う。その後、基板Ｇは後処理部１２の現像部１２１に搬出される。
以上のように、第２実施形態においても、交互処理モードが選択されたときには、複数の基板Ｇが交互に異なる搬送経路および手順に従って搬送される。交互処理モードでは、レジスト膜が成膜された複数の基板Ｇのそれぞれが第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂにて１回の露光処理に供されることとなる。第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂが同じマスクを使用している場合には、全ての基板Ｇに同一の露光処理が施されることとなる。この場合、１台の露光装置を設けているときに比較して露光処理に要するタクトタイムを約半分にすることができる。
第２実施形態においては、第１実施形態と同様に、基板Ｇを搬送するモードとして連続処理モードと交互処理モードとが用意されており、制御部９０は適宜にそれらのうちからいずれかを選択する。連続処理モードでは、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂが異なるマスクを使用して基板Ｇに異なるパターンを重ねて転写することになるため、例えば異なるサイズのパネルを生産するのに好適である。一方、交互処理モードでは、露光処理に要するタクトタイムを短くすることができるため、露光処理による搬送律速を防ぐのに有効である。制御部９０が処理目的に応じて適宜に連続処理モードまたは交互処理モードからいずれかを選択するため、複数の露光装置に対して柔軟な基板搬送を行うことができる。
また、第２実施形態では、インターフェース部２２０に設けられた複数のモジュールの一部を積層配置している。これにより、インターフェース部２２０の設置スペースを小さくすることができ、基板処理装置１の全長が過度に長くなるのを抑制することができる。
さらに、複数のモジュールの一部を積層配置することによって、搬送ロボットの台数が増加するのを抑制することもできる。搬送ロボットの台数を少なくすることによっても、インターフェース部２２０の設置スペースを小さくして基板処理装置１の全長が長くなるのを抑制することができる。
また、図１６、図１９および図２２において、矢印は各搬送ロボットによる１回の基板Ｇの受け渡しを示している。よって、１つの搬送ロボットの周囲に描かれている矢印の数は、インターフェース部２２０にて１枚の基板Ｇを搬送する間の当該搬送ロボットのアクセス数である。図１６、図１９および図２２に示すように、連続処理モードおよび交互処理モードのいずれにおいても、全ての搬送ロボット（第１搬送ロボット３１～第６搬送ロボット３６）について、インターフェース部２２０にて１枚の基板Ｇを搬送する間のそれぞれの搬送ロボットのアクセス数は４以下である。このため、性能向上によりタクトタイムが短くなった露光装置にも対応することが可能となる。
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、インターフェース部における搬送機構およびモジュールのレイアウトは第１実施形態（図３）および第２実施形態（図１５）に示した例に限定されるものではない。インターフェース部には、複数の搬送ロボットおよび複数のモジュールが配置されていれば良い。それら複数のモジュールには、基板Ｇを第１露光装置３ａまたは第２露光装置３ｂのいずれに搬送するかを振り分けるバッファが含まれていることが好ましい。また、省スペースのため、複数のモジュールの一部が積層配置されているのが好ましい。インターフェース部のレイアウトは、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂの設置位置に応じて適宜に変更すれば良い。
また、上記各実施形態においては、連続処理モードまたは交互処理モードが選択可能とされていたが、第１露光装置３ａのみまたは第２露光装置３ｂのみに連続して基板Ｇを搬送するようにしても良い。このようにすれば、複数の露光装置に対してより柔軟な基板搬送を行うことができる。
また、上記各実施形態においては、インターフェース部に設けられた複数のモジュールの一部を２段に積層配置していたが、これを３段以上に積層配置するようにしても良い。積層段数を多くするほど、インターフェース部の設置スペースをより小さくすることができる。なお、積層構造の高さを搬送ロボットの可動範囲内に収まるようにすることはもちろんである。
また、前処理部１１および後処理部１２の構成も第１実施形態および第２実施形態の例に限定されるものではない。例えば、冷却部１２３とインデクサ装置２との間に、検査部等が配置されていても良い。検査部は、例えば、カメラ等の光学的な部材を用いて基板Ｇの検査を行うユニットである。また、例えば、洗浄部１１１と塗布部１１２との間に、デハイドベーク部が配置されていても良い。デハイドベーク部は、洗浄後の基板Ｇを加熱して水分を除去するユニットである。或いは、ポストベーク部１２２および冷却部１２３が省略されてもよい。
また、処理対象の基板Ｇとして、ガラス基板とは異なる、半導体ウェハー、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板または太陽電池用基板等の他の精密電子装置用の基板が採用されてもよい。
さらに、上記各実施形態において、基板処理装置１に、インデクサ装置２が含まれていてもよいし、第１露光装置３ａおよび第２露光装置３ｂが含まれていても良い。
１ 基板処理装置
２ インデクサ装置
３ａ 第１露光装置
３ｂ 第２露光装置
１１ 前処理部
１２ 後処理部
２０，２２０ インターフェース部
３１ 第１搬送ロボット
３２ 第２搬送ロボット
３３ 第３搬送ロボット
３４ 第４搬送ロボット
３５ 第５搬送ロボット
３６ 第６搬送ロボット
５１ クーリングプレート
５２ エッジ露光機
５３ 第１バッファ
５４ 第２バッファ
５５ 第１温調器
５６ 第２温調器
９０ 制御部
１１１ 洗浄部
１１２ 塗布部
１１３ 減圧乾燥部
１１４ プリベーク部
１２１ 現像部
１２２ ポストベーク部
１２３ 冷却部
Ｇ 基板

Claims (15)

  1. 基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理装置であって、
    前記前工程の処理を実行する前処理部と、
    前記後工程の処理を実行する後処理部と、
    前記前処理部および前記後処理部と第１露光装置および第２露光装置とを接続し、基板を搬送する搬送機構および複数のモジュールを備えるインターフェース部と、
    前記搬送機構を制御する制御部と、
    を備え、
    前記搬送機構は、前記前処理部から搬送された基板を取り出す第１搬送ロボットと、前記後処理部に基板を搬出する第２搬送ロボットと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第３搬送ロボットと、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行う第４搬送ロボットと、を有し、
    前記複数のモジュールは、前記第１露光装置に搬送される基板を温調する第１温調器および前記第２露光装置に搬送される基板を温調する第２温調器を含み、
    前記制御部は、
    前記前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを前記第１露光装置および前記第２露光装置の双方に順次に搬送するように前記搬送機構を制御する第１搬送モード、または、
    前記前工程の処理が施された複数の基板を交互に前記第１露光装置または前記第２露光装置に搬送するように前記搬送機構を制御する第２搬送モード、
    を選択し、
    前記第１搬送モードでは、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板が搬送され、
    前記第２搬送モードでは、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順、または、前記第１搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板が搬送されることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１記載の基板処理装置において、
    前記複数のモジュールは、前記制御部が前記第２搬送モードを選択したときに、露光処理前の基板を一時的に収納するとともに、当該基板を前記第１露光装置または前記第２露光装置のいずれに搬送するかを振り分けるための第１バッファを含むことを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２記載の基板処理装置において、
    前記複数のモジュールは、前記制御部が前記第２搬送モードを選択したときに、前記第１露光装置にて露光処理が施された基板と前記第２露光装置にて露光処理が施された基板とが交互に前記後工程に送られるように露光処理後の基板を一時的に収納する第２バッファを含むことを特徴とする基板処理装置。
  4. 基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理装置であって、
    前記前工程の処理を実行する前処理部と、
    前記後工程の処理を実行する後処理部と、
    前記前処理部および前記後処理部と第１露光装置および第２露光装置とを接続し、基板を搬送する搬送機構および複数のモジュールを備えるインターフェース部と、
    前記搬送機構を制御する制御部と、
    を備え、
    前記搬送機構は、前記前処理部から搬送された基板を取り出す第１搬送ロボットと、前記後処理部に基板を搬出する第２搬送ロボットと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第３搬送ロボットと、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行う第４搬送ロボットと、を有し、
    前記複数のモジュールは、前記第１露光装置に搬送される基板を温調する第１温調器および前記第２露光装置に搬送される基板を温調する第２温調器を含み、
    前記制御部は、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板を搬送して、前記前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを前記第１露光装置および前記第２露光装置の双方に順次に搬送するように前記搬送機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記インターフェース部には、前記複数のモジュールの一部が積層配置されることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項５記載の基板処理装置において、
    前記第１温調器は前記複数のモジュールのうちの前記第２温調器以外のモジュールと積層され、
    前記第２温調器は前記複数のモジュールのうちの前記第１温調器以外のモジュールと積層されることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項５記載の基板処理装置において、
    前記インターフェース部にて１枚の基板を搬送する間の前記第１搬送ロボット、前記第２搬送ロボット、前記第３搬送ロボットおよび前記第４搬送ロボットのそれぞれのアクセス数は４以下であることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記前処理部は、基板に対してレジストを塗布する塗布部を含むことを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記後処理部は、露光処理後の基板に対して現像処理を行う現像部を含むことを特徴とする基板処理装置。
  10. 基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理方法であって、
    前記前工程の処理を実行する前処理部および前記後工程の処理を実行する後処理部と第１露光装置および第２露光装置とを接続するインターフェース部にて、前記前工程の処理が施された基板を前記第１露光装置および／または前記第２露光装置に搬送するとともに、露光処理が施された基板を前記後処理部に搬送する搬送工程を備え、
    前記インターフェース部は、基板を搬送する搬送機構および複数のモジュールを備え、
    前記搬送機構は、前記前処理部から搬送された基板を取り出す第１搬送ロボットと、前記後処理部に基板を搬出する第２搬送ロボットと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第３搬送ロボットと、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行う第４搬送ロボットと、を有し、
    前記複数のモジュールは、前記第１露光装置に搬送される基板を温調する第１温調器および前記第２露光装置に搬送される基板を温調する第２温調器を含み、
    前記搬送工程では、
    前記前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを前記第１露光装置および前記第２露光装置の双方に順次に搬送する第１搬送モード、または、
    前記前工程の処理が施された複数の基板を交互に前記第１露光装置または前記第２露光装置に搬送する第２搬送モード、
    が選択され、
    前記第１搬送モードでは、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板が搬送され、
    前記第２搬送モードでは、前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順、または、前記第１搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板が搬送されることを特徴とする基板処理方法。
  11. 請求項１０記載の基板処理方法において、
    前記第２搬送モードが選択されたときには、前記インターフェース部に設けられた第１バッファにて露光処理前の基板を前記第１露光装置または前記第２露光装置のいずれに搬送するかを振り分けるために当該基板を一時的に収納することを特徴とする基板処理方法。
  12. 請求項１１記載の基板処理方法において、
    前記第２搬送モードが選択されたときには、前記インターフェース部に設けられた第２バッファにて前記第１露光装置にて露光処理が施された基板と前記第２露光装置にて露光処理が施された基板とが交互に前記後工程に送られるように露光処理後の基板を一時的に収納することを特徴とする基板処理方法。
  13. 基板に対して露光処理の前工程の処理を行うとともに、露光処理の後工程の処理を行う基板処理方法であって、
    前記前工程の処理を実行する前処理部および前記後工程の処理を実行する後処理部と第１露光装置および第２露光装置とを接続するインターフェース部にて、前記前工程の処理が施された複数の基板のそれぞれを前記第１露光装置および前記第２露光装置の双方に順次に搬送し、
    前記インターフェース部は、基板を搬送する搬送機構および複数のモジュールを備え、
    前記搬送機構は、前記前処理部から搬送された基板を取り出す第１搬送ロボットと、前記後処理部に基板を搬出する第２搬送ロボットと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第３搬送ロボットと、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行う第４搬送ロボットと、を有し、
    前記複数のモジュールは、前記第１露光装置に搬送される基板を温調する第１温調器および前記第２露光装置に搬送される基板を温調する第２温調器を含み、
    前記第１搬送ロボット、前記第１温調器、前記第３搬送ロボット、前記第２温調器、前記第４搬送ロボット、前記第２搬送ロボットの順に基板を搬送することを特徴とする基板処理方法。
  14. 請求項９から請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記前工程は、基板に対してレジストを塗布する工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
  15. 請求項９から請求項１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記後工程は、露光処理後の基板に対して現像処理を行う工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217267A (ja) 2001-01-19 2002-08-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2006024642A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007180180A (ja) 2005-12-27 2007-07-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007199711A (ja) 2005-12-28 2007-08-09 Nikon Corp 露光システム、デバイス製造システム、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2014067833A (ja) 2012-09-25 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024643A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009135169A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP6723110B2 (ja) * 2016-08-18 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217267A (ja) 2001-01-19 2002-08-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2006024642A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007180180A (ja) 2005-12-27 2007-07-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007199711A (ja) 2005-12-28 2007-08-09 Nikon Corp 露光システム、デバイス製造システム、露光方法及びデバイスの製造方法
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