JP2009164523A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インデクサブロック10に隣接した位置に現像処理ブロック20を配置する。現像処理ブロック20には、現像処理部22a,22bがセンターロボットCR2を挟んで対向して設けられる。また、現像処理部22aの下側には、4個の密着強化処理ユニットAHLが配置された密着強化処理部21が設けられる。この構成によると、現像処理ブロック20以外の他の処理ブロックに密着強化処理部を設ける必要がなくなるので、処理時間が比較的長い処理を行う処理部(例えば、反射防止膜を塗布後の熱処理を行う熱処理ユニット)の個数をその分だけ増加させることができる。これによって、フットプリントを増加させることなく、スループットを効果的に向上させることができる。
【選択図】図3
Description
基板処理装置の全体構成について図1〜図4を参照しながら説明する。図1は、基板処理装置1の全体構成を示す平面図である。図2は、基板処理装置1を+X側から見た側面図である。図3は、基板処理装置1を−Y側から見た側面図である。図4は、基板処理装置1の基板載置部の周辺構成を示す図である。
続いて、基板処理装置1の全体的な動作の概略について、図5を参照しながら説明する。図5は、基板処理装置1の動作の流れを示す図である。
従来の基板処理装置においては、反射防止膜を形成する処理ブロック(反射防止膜用処理ブロック30に相当する処理ブロック)が、外部に対する基板Wの搬出入を行う処理ブロック(インデクサブロック10に相当する処理ブロック)に隣接する位置に配置され、ここに密着強化処理を行う処理部(密着強化処理部21に相当する処理部)が配置されることが多かった。すなわち、反射防止膜の塗布後の熱処理を行う処理部(反射防止膜用熱処理部31a,31bに相当する処理部)と密着強化処理を行う処理部とが同一の処理ブロックに配置されることが多かった。この構成によると、反射防止膜の塗布後の熱処理を行う処理部に割り当てることのできるスペースが、密着強化処理を行う処理部に割かれるスペース分だけ減ってしまう。
以上、この発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記の実施の形態においては、現像処理ブロック20に所定数個の密着強化処理ユニットAHLを備える密着強化処理部21を設ける構成としたが、これに加えて、もしくはこれに変えて、現像処理後の熱処理を行う処理ユニット(例えば、ホットプレートHP、コールドプレートCP等)を設ける構成としてもよい。例えば、上記の実施の形態においては4個設けていた密着強化処理ユニットAHLを2個とし、空いたスペースに例えば3個のホットプレートHPもしくは3個のコールドプレートCPを設ける構成としてもよい。
10 インデクサブロック
20 現像処理ブロック
21 密着強化処理部
22a,22b 現像処理部
30 反射防止膜用処理ブロック
31a,31b 反射防止膜用熱処理部
32 反射防止膜用塗布処理部
40 レジスト膜用処理ブロック
50 レジストカバー膜用処理ブロック
60 インターフェースブロック
100 制御部
SD 現像処理ユニット
AHL 密着強化処理ユニット
PASS 基板載置部
PASS−CP 冷却機能付基板載置部
PHP 加熱ユニット
HP ホットプレート
CP コールドプレート
W 基板
Claims (12)
- 露光装置に隣接して配置される基板処理装置であって、
未処理の基板を外部から受け入れるとともに、処理済みの基板を外部に搬出するインデクサブロックと、
表面に所定の塗布膜が形成された基板を前記露光装置に搬出するとともに、露光後の基板を前記露光装置から受け入れるインターフェースブロックと、
前記インデクサブロックと前記インターフェースブロックとの間に配置され、基板に対して所定の処理を行う処理部および当該処理部に基板を搬送する搬送手段を備える複数の処理ブロックと、
を備え、
前記複数の処理ブロックのうちの1つである第1処理ブロックが、
基板に対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部と、
基板に対して密着強化剤を供給して密着強化処理を行う密着強化処理部と、
前記現像処理部に対する基板の搬出入を行うとともに、前記密着強化処理部に対する基板の搬出入を行う第1搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記第1処理ブロックが、前記インデクサブロックに隣接する位置に配置され、
前記第1搬送手段が、前記インデクサブロックから受け取った未処理の基板を前記密着強化処理部に搬入するとともに前記密着強化処理部から密着強化処理後の基板を搬出して前記第1処理ブロックに隣接して配置された第2処理ブロックに渡し、前記第2処理ブロックを介して受け取った露光後の基板を前記現像処理部に搬入するとともに前記現像処理部から現像処理後の基板を搬出して前記インデクサブロックに渡すことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記第2処理ブロックが、
基板に対して反射防止膜の塗布液を塗布する反射防止膜用塗布処理部と、
前記反射防止膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う反射防止膜用熱処理部と、
前記第1処理ブロックから受け取った基板を前記反射防止膜用塗布処理部に搬入するとともに前記反射防止膜用塗布処理部から前記反射防止膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記反射防止膜用熱処理部に搬入する第2搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ブロックのうち、前記第2処理ブロックに隣接して配置された第3処理ブロックが、
基板に対してレジスト膜の塗布液を塗布するレジスト膜用塗布処理部と、
前記レジスト膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行うレジスト膜用熱処理部と、
前記第2処理ブロックから受け取った基板を前記レジスト膜用塗布処理部に搬入するとともに前記レジスト膜用塗布処理部から前記レジスト膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記レジスト膜用熱処理部に搬入する第3搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ブロックのうち、前記第3処理ブロックに隣接して配置された第4処理ブロックが、
基板に対してレジストカバー膜の塗布液を塗布するレジストカバー膜用塗布処理部と、
前記レジストカバー膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行うレジストカバー膜用熱処理部と、
前記3処理ブロックから受け取った基板を前記レジストカバー膜用塗布処理部に搬入するとともに前記レジストカバー膜用塗布処理部から前記レジストカバー膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記レジストカバー膜用熱処理部に搬入する第4搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 露光装置に隣接して配置される基板処理装置であって、
未処理の基板を外部から受け入れるとともに、処理済みの基板を外部に搬出するインデクサブロックと、
表面に所定の塗布膜が形成された基板を前記露光装置に搬出するとともに、露光後の基板を前記露光装置から受け入れるインターフェースブロックと、
前記インデクサブロックと前記インターフェースブロックとの間に配置され、基板に対して所定の処理を行う処理部および当該処理部に基板を搬送する搬送手段を備える複数の処理ブロックと、
を備え、
前記複数の処理ブロックのうち、前記インターフェースブロックに隣接して配置されたインターフェース隣接処理ブロックが、
露光処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う露光後ベーク用熱処理部、
を備え、
前記複数の処理ブロックのうち、前記インターフェイス隣接処理ブロック以外の処理ブロックが、
基板に対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ブロックのうち、前記インデクサブロックに隣接して配置された第1処理ブロックが、前記現像処理部を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記第1処理ブロックが、
基板に対して密着強化剤を供給して密着強化処理を行う密着強化処理部と、
前記インデクサブロックから受け取った未処理の基板を前記密着強化処理部に搬入するとともに前記密着強化処理部から密着強化処理後の基板を搬出して前記第1処理ブロックに隣接して配置された第2処理ブロックに渡し、前記第2処理ブロックを介して受け取った露光後の基板を前記現像処理部に搬入するとともに前記現像処理部から現像処理後の基板を搬出して前記インデクサブロックに渡す第1搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7または請求項8に記載の基板処理装置であって、
前記第2処理ブロックが、
基板に対して反射防止膜の塗布液を塗布する反射防止膜用塗布処理部と、
前記反射防止膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う反射防止膜用熱処理部と、
前記第1処理ブロックから受け取った基板を前記反射防止膜用塗布処理部に搬入するとともに前記反射防止膜用塗布処理部から前記反射防止膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記反射防止膜用熱処理部に搬入する第2搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ブロックのうち、前記第2処理ブロックに隣接して配置された第3処理ブロックが、
基板に対してレジスト膜の塗布液を塗布するレジスト膜用塗布処理部と、
前記レジスト膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行うレジスト膜用熱処理部と、
前記第2処理ブロックから受け取った基板を前記レジスト膜用塗布処理部に搬入するとともに前記レジスト膜用塗布処理部から前記レジスト膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記レジスト膜用熱処理部に搬入する第3搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ブロックのうち、前記第3処理ブロックに隣接して配置された第4処理ブロックが、
基板に対してレジストカバー膜の塗布液を塗布するレジストカバー膜用塗布処理部と、
前記レジストカバー膜の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行うレジストカバー膜用熱処理部と、
前記3処理ブロックから受け取った基板を前記レジストカバー膜用塗布処理部に搬入するとともに前記レジストカバー膜用塗布処理部から前記レジストカバー膜の塗布液が塗布された基板を搬出して前記レジストカバー膜用熱処理部に搬入する第4搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項11のいずれかに記載の基板処理装置であって、
互いに隣接する処理ブロックの間で基板の受け渡しを行うための基板受渡部、
を備え、
前記基板受渡部が、
受け渡される基板を載置するプレートと、
前記プレートを温調する温度調整手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
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