WO2011024813A1 - 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法 - Google Patents

加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011024813A1
WO2011024813A1 PCT/JP2010/064299 JP2010064299W WO2011024813A1 WO 2011024813 A1 WO2011024813 A1 WO 2011024813A1 JP 2010064299 W JP2010064299 W JP 2010064299W WO 2011024813 A1 WO2011024813 A1 WO 2011024813A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
heating
chamber
carboxylic acid
melting
melting treatment
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/064299
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
阿部 英之
Original Assignee
アユミ工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アユミ工業株式会社 filed Critical アユミ工業株式会社
Priority to US13/392,303 priority Critical patent/US8864011B2/en
Priority to CN201080038060.2A priority patent/CN102481650B/zh
Priority to KR1020127004832A priority patent/KR101707577B1/ko
Priority to EP10811863.9A priority patent/EP2471622B1/en
Publication of WO2011024813A1 publication Critical patent/WO2011024813A1/ja
Priority to US14/484,418 priority patent/US9101995B2/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016Brazing of electronic components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/008Soldering within a furnace
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/04Heating appliances
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/08Auxiliary devices therefor
    • B23K3/085Cooling, heat sink or heat shielding means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/08Auxiliary devices therefor
    • B23K3/087Soldering or brazing jigs, fixtures or clamping means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/003Cooling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/046Surface mounting
    • H05K13/0465Surface mounting by soldering
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/04Tubular or hollow articles
    • B23K2101/12Vessels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/42Printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/8121Applying energy for connecting using a reflow oven
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494Heating methods for reflowing of solder

Definitions

  • the present invention relates to a heating and melting apparatus and method for heating and melting an object to be processed including solder.
  • a heating and melting processing apparatus for heating and melting an object to be processed including solder such as a soldering processing apparatus and a forming apparatus for solder balls, is widely used.
  • solder such as a soldering processing apparatus and a forming apparatus for solder balls
  • a heating and melting treatment apparatus using formic acid and other carboxylic acids is known (Patent Documents 1 and 2).
  • the cooling plate is provided so as to be vertically movable below the heating plate provided with the heating means, and at the time of cooling, the cooling plate is closely attached to the lower surface of the heating plate. Force the substrate to cool.
  • the cooling plate is merely adhered to the heating plate provided with the heating means, instead of adhering the cooling plate to the processing object itself such as a soldered substrate.
  • this prior art heating and melting processing apparatus can only cool the object to be treated indirectly via the hot plate, and has the problem that the object to be treated itself can not be directly cooled. Furthermore, there is a problem that it is necessary to movably install a separate cooling plate in addition to the transport means for taking the processing object into and out of the chamber.
  • an object of the present invention is to provide a heating and melting treatment apparatus which can directly cool an object to be treated and does not need to have a separate cooling plate.
  • the heating and melting processing apparatus is a heating and melting processing apparatus for performing heating and melting processing on a processing target including solder in an atmosphere including carboxylic acid vapor, and for carrying and carrying the processing target on which the heating and melting processing is performed.
  • the hand portion of the present invention is also used as a cooling plate.
  • the heating and melting treatment of the object to be treated including solder is performed in an atmosphere containing carboxylic acid vapor, and the heating and melting treated object is used as a cooling plate in a hand portion. And conveying the sheet.
  • the present invention as compared with the case where the object to be treated is indirectly cooled through the heating plate provided with the heating means, rapid cooling becomes possible, and the working speed can be increased to improve the productivity.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 3;
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 4;
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 5;
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. FIG.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 7;
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 8;
  • It is a figure which shows the temperature rising / falling characteristic by the soldering processing apparatus of FIG.
  • It is a figure which shows the temperature rising / falling characteristic by the soldering processing apparatus of a comparative example.
  • It is a figure which shows the temperature distribution measurement position of the temperature-rise characteristic of FIG. 10 and FIG.
  • It is a figure which shows the temperature rising / falling characteristic by the soldering processing apparatus of FIG.
  • FIG. 1 shows a first embodiment in which the heating and melting apparatus of the present invention is applied as a soldering apparatus.
  • the soldering processing apparatus 1 has a first chamber 2 and a second chamber 3 and also serves as a cooling plate that also serves as a cooling plate on which a soldering substrate as a processing object is placed and transported. is there.
  • the first chamber 2 and the second chamber 3 are connected via a gate valve 5 which can be opened and closed.
  • a gate valve 5 which can be opened and closed.
  • the first chamber 2 and the second chamber 3 can be separated by a plate-like shielding member which is a part of the gate valve 5.
  • the first chamber 2 and the second chamber 3 can be conducted to each other while maintaining the sealing performance from the outside of the first chamber 2 and the second chamber.
  • the above-described function of the gate valve 5 can be realized by, for example, sliding the shielding member which is a part of the gate valve 5 through the sealing material 55 into and out of the first chamber 2 or the second chamber 3.
  • the sealing material for example, an O-ring can be used.
  • the first chamber 2 constitutes a processing chamber for soldering the soldering substrate 100 which is a processing object including solder
  • the second chamber 3 constitutes a load lock chamber for charging the soldering substrate 100.
  • the soldering substrate 100 may be a pair of chips including at least a chip on the surface of which a plurality of solder bumps are formed. In this case, in the soldering process, the pair of chips are connected to the solder bumps. Alternatively, a flip chip bonding process is performed in which the solder bumps and the electrodes are stacked and bonded.
  • solder bumps are formed on the surfaces of both the first chip and the second chip, and the first chip and the second chip are mutually connected through these solder bumps. It may be soldered, and while a solder bump is formed on the surface of the first chip, an electrode portion is formed on the surface of the second chip, and the solder bump of the first chip and the electrode portion of the second chip The first chip and the second chip may be soldered to each other via
  • the chip and the wafer are soldered to each other on which a plurality of solder bumps are formed on the surface. It is also conceivable to mutually solder and bond a plurality of wafers having a plurality of solder bumps formed on the surface.
  • An exhaust pump (vacuum pump) 8 is connected to the first chamber 2 and the second chamber 3 via valves 6 and 7, respectively.
  • the exhaust pump 8 is an exhaust means for reducing the pressure in the first chamber and the second chamber.
  • one exhaust pump 8 is provided as an exhausting means for the first chamber 2 and the second chamber 3.
  • each of the chambers 2 and 3 is separately provided.
  • An exhaust pump may be provided.
  • a supply system (carboxylic acid supply means) 9 of a carboxylic acid vapor is connected to the first chamber 2 via a valve 10 in order to enable soldering without flux.
  • carboxylic acid formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthate, caprylic acid, pelargonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, acrylic acid, salicylic acid, lactic acid and the like can be used. .
  • the carboxylic acid vapor supply system 9 mixes a carrier gas such as hydrogen, a reducing gas such as carbon monoxide, or an inert gas such as nitrogen into the carboxylic acid vapor and introduces it into the first chamber 2.
  • the carboxylic acid vapor supply system 9 has a closed container 11 containing a liquid of carboxylic acid, and a carrier gas supply pipe 13 for supplying a carrier gas via a valve 12 is connected to the closed container 11. .
  • the carrier gas supply pipe 13 is connected to a bubbling unit 14 for generating (bubbling) air bubbles in the container 11.
  • a heater may be provided around the container 11 to warm the liquid of carboxylic acid. The heater keeps the carboxylic acid liquid at a constant temperature.
  • the combined use of the carrier gas facilitates the introduction of the carboxylic acid vapor into the first chamber 2, and the carboxylic acid in a state of not sufficiently vaporized adheres on the object to be treated, resulting in residue Can be prevented.
  • the vapor is introduced into the first chamber 2 by communicating the closed container 11 containing a liquid of carboxylic acid with the first chamber 2 without using a carrier gas.
  • the carrier gas may be mixed in the middle of communicating the closed container 11 containing the liquid of carboxylic acid with the first chamber 2. In these cases, the amount of evaporation depends on the gas pressure in the first chamber 2.
  • carboxylic acid heating means for heating and vaporizing carboxylic acid is provided in the first chamber 2 and the liquid of carboxylic acid is supplied via the feed pipe (not shown) to the carboxylic acid in the first chamber. It can also be supplied to the acid heating means. In this case, the carboxylic acid heating means heats and vaporizes the liquid carboxylic acid in the first chamber 2 to provide a carboxylic acid vapor atmosphere.
  • the soldering processing apparatus 1 of the present embodiment includes a carboxylic acid recovery unit (recovery mechanism) 15 provided or attached to the intake or exhaust side of the exhaust pump 8 to recover the vaporized carboxylic acid.
  • the carboxylic acid recovery unit 15 may be a filter attached to the intake side or the exhaust side of the exhaust pump 8 or may be a scrubber attached to the exhaust side.
  • As the filter it is possible to employ a filter of a neutralization system with an alkaline solid substance using a mixture of Ca (OH) 2 or the like, and a filter of a thermal decomposition system that thermally decomposes a carboxylic acid.
  • filters of adsorption type using molecular sieves that capture carboxylic acid or filters of other types such as catalytic reaction type using catalytic decomposition reaction can also be adopted.
  • the scrubber a scrubber of a type in which carboxylic acid is neutralized by liquid treatment, or a scrubber of a type in which vaporized carboxylic acid is dissolved and recovered in a solution can be adopted.
  • the scrubber of the system that dissolves and recovers the vaporized carboxylic acid in the solution inserts the first exhaust pipe connected to the exhaust side of the exhaust pump into the solution in the liquid tank, and the second exhaust gas is installed at the top of the liquid tank. It has the structure which connects a pipe
  • a nitrogen supply pipe 16 for replacing the inside with a nitrogen atmosphere (purge) is connected to the first chamber 2 via a valve 17, and a nitrogen supply pipe 18 is similarly connected to the second chamber 3. It is connected via a valve 19.
  • a heating plate 20 as a heating unit is provided in the first chamber 2.
  • the soldered substrate 100 is placed on the upper surface of the heat plate 20 and heated.
  • the soldered substrate 100 can be disposed on the heat plate 20 through the tray 110 made of metal, ceramic or other material.
  • the tray 110 made of metal, ceramic or other material.
  • substrate 100 is arrange
  • the heat plate 20 can be made of metal, ceramic or other material attached with a heater, and an electric resistance heating element such as a sheathed heater can be adopted as the heater.
  • the heat plate 20 is formed of a carbon plate-like body, and the carbon plate-like body 20 itself is energized to cause the heat plate 20 itself to generate heat. It is desirable to heat the
  • the second chamber 3 is provided with a lid 21 for taking in and out an object to be treated.
  • the soldering processing apparatus 1 includes a transport unit (transport means) 22 that transports the loaded processing target between the first chamber 2 and the second chamber 3.
  • the transport unit 22 includes a hand unit 4 and a moving mechanism (moving unit) 23 for moving the hand unit 4 back and forth.
  • the “hand unit” means a portion on which the processing object is placed when the processing object is transported.
  • the hand 4 is in the form of a plate.
  • the present invention is not limited to this case, and hand parts 4 of various shapes can be adopted.
  • the upper surface of the hand portion 4 be formed flat so as to be in close contact with the lower surface of the substrate 100 or the tray 110 or the like.
  • the hand portion 4 can be formed of metal, ceramic or other material.
  • FIG. 2 shows an example of the hand unit.
  • the hand portion 4 has a flow passage 24 through which the cooling medium flows.
  • a flow passage may be provided inside the hand unit 4.
  • the hand portion has a hand portion main body in which a groove forming a flow passage is formed, and a lid portion joined to the hand portion main body, and the flow passage is completed by joining the lid portion to the hand portion main body You may do so.
  • the flow passage 24 is preferably provided so as to meander in a plane so as to cool a wide range of the hand portion 4.
  • the flow passage 24 may be externally attached to the lower surface side which is the surface opposite to the surface on which the substrate 100 and the tray 100 are to be mounted.
  • the cooling medium flowing in the flow passage 24 may be liquid or gas. However, liquid is desirable from the viewpoint of cooling efficiency, and water is desirable from the viewpoint of handling convenience.
  • the inlet 25 and the outlet 26 of the flow passage 24 preferably extend outside the second chamber via a flexible pipe (not shown) and are connected to an external refrigerant circulating device (not shown) .
  • Such a hand unit 4 is attached to the moving mechanism 23.
  • the moving mechanism 23 is configured to move the hand 4 back and forth between the first chamber 2 and the second chamber 3.
  • the moving mechanism 23 has rails 27 (27a, 27b, 27c) and a moving stage 28 which moves on the rails 27 by motor power.
  • the rail 27 has a first rail portion 27 a located in the first chamber 2, a second rail portion 27 b located in the second chamber 3, and a third rail portion 27 c between them.
  • the third rail portion 27c is attached to the upper portion of the gate valve 5, moves in conjunction with the opening and closing operation of the gate valve 5 between the first chamber 2 and the second chamber 3, and the gate valve 5 In the open state, the first rail portion 27a and the second rail portion 27b are connected to complete the entire rail 27.
  • the moving mechanism 23 is not limited to this case, and the hand unit 4 may be used between the first chamber 2 and the second chamber 3.
  • Other various mechanisms such as a single-axis or multi-axis robot arm may be used as long as they can move.
  • the elevating mechanisms 29, 29 are mechanisms for performing an elevating operation while supporting the substrate 100 and the tray plate 110.
  • the raising and lowering mechanisms 29, 29 can move the objects to be processed, such as the substrate 100 and the tray plate 110 on which the substrate 100 is placed, up and away from the state placed on the upper surface of the heating plate 20 (heating means).
  • the processing object can be moved downward until the processing object is placed on the upper surface of the heating plate 20.
  • the present invention is not limited to this case. As long as it is possible to move up and down in the up and down direction while supporting an object to be treated, etc., it can be adopted as a lifting mechanism.
  • the lid 21 of the second chamber 3 is opened, and the substrate 100 to be processed is introduced into the second chamber 3.
  • the plurality of substrates 100 are loaded while being placed on the tray plate 110.
  • the tray 110 loaded is placed on the upper surface of the hand unit 4.
  • the lid 21 is then closed, as shown in FIG.
  • the valves 6 and 7 are opened, the exhaust pump 8 is driven, and the insides of the first chamber 2 and the second chamber 3 are evacuated.
  • the degree of vacuum can be determined as appropriate, but for example, a vacuum higher than 10000 Pa ( ⁇ 80 Torr) is desirable, and a vacuum higher than 10 Pa ( ⁇ 8 ⁇ 10 -2 Torr) is more preferable. Is desirable. In the present embodiment, the degree of vacuum is set to 6.6 Pa (5 ⁇ 10 ⁇ 2 Torr).
  • the gate valve 5 is opened.
  • the transport unit 22 transports the tray plate 110 from the second chamber 3 to the first chamber 2.
  • the first rail portion 27a, the second rail portion 27b, and the third rail portion 27c are connected, and the rail 27 is completed.
  • the motor power of the moving stage 28 is turned on to move the hand unit 4 into the first chamber 2 along the rail 27.
  • the moving stage 28 continues moving until the hand 4 is positioned above the heat plate 20.
  • the moving stage 28 is shaped so as to straddle the heat plate 20 so as not to contact the heat plate 20.
  • the lifting mechanisms 29, 29 are raised to receive the tray 110 on the hand 4. After the tray 110 is delivered to the elevating mechanism 29, the moving stage 28 returns the hand unit 4 into the second chamber 3.
  • the elevating mechanisms 29, 29 are lowered to place the tray 110 on the heat plate 20.
  • the gate valve 5 is closed, and the state between the first chamber 2 and the second chamber 3 is closed.
  • the carboxylic acid vapor supply system 9 mixes a carrier gas such as hydrogen, a reducing gas such as carbon monoxide, or an inert gas such as nitrogen into the carboxylic acid vapor to form the first chamber 2.
  • a carrier gas such as hydrogen
  • a reducing gas such as carbon monoxide
  • an inert gas such as nitrogen
  • the valve 12 is opened to introduce carrier gas into the closed container 9 for bubbling
  • the valve 10 is adjusted and opened to introduce carboxylic acid vapor into the first chamber 2 together with the carrier gas.
  • formic acid is used as the carboxylic acid.
  • the pressure in the first chamber 2 is introduced, for example, to a predetermined pressure as the carboxylic acid vapor and the carrier gas are introduced.
  • the pressure of the carboxylic acid vapor and the carrier gas is selected from a wide range of several Pa to 1 ⁇ 10 5 Pa in consideration of the degree of oxidation of the surface of the object to be treated.
  • the pressures of the carboxylic acid vapor and the carrier gas can be set by adjusting the opening degree of the valve 10 and the valve 6 or the like.
  • the carboxylic acid vapor exhausted by the exhaust pump 8 exhaust means
  • the heating plate 4 heats the substrate 100 in parallel with the introduction of the carboxylic acid vapor and the carrier gas.
  • the heat plate 20 is formed of a carbon plate-like body, it is possible to cause the heat plate 20 itself to generate heat by energizing the carbon plate-like body 20 itself. According to the configuration in which the carbon sheet 200 itself generates heat, it can be made less susceptible to carboxylic acid, and corrosion resistance can be improved.
  • the heat plate 4 heats the substrate 100 to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder of the substrate 100. For example, when the solder is Sn-3.5Ag (melting point 221 ° C.), the solder is heated to about 230 ° C. to 250 ° C. suitable for soldering.
  • heating is performed to about 330 ° C. to 360 ° C. suitable for soldering. From the viewpoint of preventing voids, it is desirable to introduce carboxylic acid vapor at least before the temperature of the substrate 100 reaches the melting point.
  • the energization to the heat plate 20 is stopped.
  • the valves 10 and 12 are closed to stop the supply of carboxylic acid vapor.
  • the valve 15 is closed to stop the operation of the exhaust pump 8, and the valves 17 and 19 are opened to introduce nitrogen gas to replace the inside of the first chambers 1 and 2 with nitrogen gas.
  • the gate valve 5 is opened. Along with this, the rail 27 is completed. Then, in the first chamber 2, the lifting mechanisms 29, 29 are lifted. The elevating mechanisms 29, 29 separate the tray plate 110 from the heat plate 20 while supporting the tray plate 110 on the heat plate 20. In conjunction with this, the moving stage 28 travels on the rail 27 from the inside of the second chamber 3 into the inside of the first chamber 2. Then, with the tray plate 110 (or the substrate 100 itself if the substrate 100 is not plural, the substrate 100 itself may be separated from the upper surface of the heat plate 20 by the lifting mechanism 29, 29), the moving stage (moving means) 28 The hand portion 4 is inserted between the tray plate 110 and the heat plate 20. At this time, the hand unit 4 does not contact the heat plate 20 itself.
  • the hand portion 4 is provided with a flow passage 24 through which water or other cooling medium circulates. Therefore, when the tray plate 110 (or the substrate 100) is placed on the hand portion 4, the cooling of the substrate 100 is already started. In addition, the hand unit 4 directly cools the substrate 100 itself or the tray plate 110 instead of indirectly cooling the substrate 100 via the heat plate 20, so that it can be rapidly cooled.
  • the transport unit 22 transports the tray plate 110 from the first chamber 2 to the second chamber 3. That is, since the hand unit 4 on which the processing target is placed when transporting the processing target between the first chamber 2 and the second chamber 3 is also used as a cooling plate, while transporting the processing target, Forced cooling can also be continued during the transport time.
  • the tray plate 110 returns into the second chamber 3, the gate valve 5 is closed. Then, the lid 21 is opened, and the substrate 100 after soldering is taken out together with the tray plate 110. Then, if there is a substrate 100 to be processed next, it returns to the state of FIG. 4, and the tray 110 loaded with the substrate 100 is put on the hand unit 4 and the soldering operation is repeated.
  • FIG. 10 shows temperature rising / falling characteristics when the soldering processing apparatus 1 of this embodiment is used
  • FIG. 11 shows a conventional type of soldering processing in which a cooling plate is closely attached to a heating plate provided with a heater as a comparative example. It is a temperature rise and fall characteristic at the time of using a device.
  • a carbon tray plate 110 of 300 ⁇ 300 mm and 5 mm in thickness is placed on a hot plate (carbon heater) of a carbon plate-like body, and The temperature was measured at each of 11 points.
  • the same conditions as shown in FIG. 13 were adopted in the case of the soldering processing apparatus of the present embodiment and in the case of the soldering processing apparatus of the comparative example.
  • soldering processing apparatus of the present embodiment there is no need to indirectly cool the processing object via the hot plate provided with the heating means when rapidly cooling the processing object. Furthermore, rapid cooling becomes possible. That is, it can be understood that the working speed can be increased and the productivity can be enhanced by shortening the temperature lowering time.
  • the hand portion 4 functioning as a cooling plate does not contact the heating plate 20 and the heating plate There is no need to cool 20. Therefore, the next object to be treated can be treated while maintaining the temperature of the heat plate 20 itself at a predetermined temperature or higher, for example, about 70 ° C. to 300 ° C. Therefore, the temperature rise time can also be shortened as necessary. That is, according to the conventional method as described in patent document 1 mentioned above, in order to cool a process target object, it is necessary to cool a hot plate.
  • the processing object it is necessary to cool the processing object from the viewpoint of preventing the oxidation of the solder in the processing object or preventing the burn of the operator, but according to the conventional method, it is also necessary to cool the hot plate.
  • the hot plate it was necessary to lower the heat plate to a normal temperature (20 ⁇ 15 ° C. according to JIS), but according to the solder processing apparatus of this embodiment, the heat plate 20 There is no need to drop to near normal temperature. Therefore, for example, the temperature rising time can be shortened by raising the temperature of the heat plate 20 functioning as the heating means to a temperature range of 70 ° C. or more in advance.
  • FIG. 14 shows the temperature rise and fall temperature characteristics in the case where the object to be treated is delivered by the hand unit 4 functioning as a cooling plate while maintaining the heat plate 20 itself at a temperature of about 270.degree.
  • the vertical axis in FIG. 14 indicates the temperature (° C.), and the horizontal axis indicates the elapsed time (minutes).
  • dotted lines indicate the temperature of the heat plate 20, and solid lines indicate the temperatures at points 1 to 12 of the tray (object to be processed) shown in FIG.
  • the target temperature is preferably set to 230 ° C. to 250 ° C. suitable for soldering, and is set to 250 ° C. in this embodiment.
  • FIG. 14 shows the temperature rise and fall temperature characteristics in the case where the object to be treated is delivered by the hand unit 4 functioning as a cooling plate while maintaining the heat plate 20 itself at a temperature of about 270.degree.
  • the vertical axis in FIG. 14 indicates the temperature (° C.), and the horizontal axis indicates the elapsed time (minutes).
  • the heating plate 20 maintains the energization and maintains the heating state. Then, the tray plate (processing object) is placed while maintaining the heat plate 20 itself at about 270 ° C., which is a set temperature higher than the target temperature. At the moment when the tray is placed, the temperature of the heat plate 20 is temporarily lowered to about 230 ° C. because heat is taken away from the tray. However, the temperature returns to the set temperature again by the subsequent temperature control.
  • the processing temperature of the asymmetry is around room temperature by delivering the processing target while maintaining the temperature of the heating plate 20 itself near the target temperature (preferably, a temperature range higher than the target temperature).
  • the time required to raise the temperature to the target temperature 250.degree. C.
  • the time required to raise the temperature from room temperature to the target temperature 250 ° C.
  • the soldering processing apparatus of the present embodiment has the following effects. (1) When the object to be treated is rapidly cooled, the temperature lowering time can be shortened as compared with the case where the object to be treated is indirectly cooled via the heating plate provided with the heating means. (2) The next object to be treated can be treated while maintaining the temperature of the heat plate 20 itself high. Therefore, the temperature rise time can also be shortened as necessary. (3) Since the hand portion 4 which is a component of the transport means can be used also as a cooling plate, the transport time can also be used as a forced cooling period. Moreover, it is not necessary to provide the transport system and the cooling system as separate machine configurations. (4) A carbon plate-like body is adopted as the heat plate 20, and the carbon plate-like body itself can be caused to generate heat by energization to the carbon plate-like body, so that the corrosion resistance can be improved.
  • the above first embodiment has described the case of using the hand unit 4 having the flow passage through which the cooling liquid flows.
  • the hand unit 4 does not have a flow passage through which the cooling liquid flows.
  • FIG. 15 shows a schematic plan view of the inside of the soldering processing apparatus of the second embodiment as viewed from above. Description of the same configuration as that of the first embodiment will be omitted.
  • the hand portion 4 of the soldering apparatus according to the present embodiment is preferably formed of a material having a high thermal conductivity such as copper (398 W ⁇ m ⁇ 1 ⁇ K ⁇ 1 ), and preferably the thermal conductivity is preferably It is desirable to be formed of a substance of 100 W ⁇ m ⁇ 1 ⁇ K ⁇ 1 or more. And in this embodiment, hand part 4 itself does not have a flow passage through which the cooling fluid flows.
  • a cooling unit (forced cooling means) 30 for forcibly cooling the hand unit 4 is provided in the second chamber 3.
  • the cooling unit 30 has, for example, a cooling path through which a cooling liquid flows like the hand unit in the first embodiment, and may be always cooled or may be air-cooled. It may be cooled by other means.
  • the moving mechanism (in FIG. 15, only the rail portion 27 is shown) not only moves the hand portion 4 back and forth freely between the first chamber 2 (especially, the heat plate 20) and the second chamber 3 , Move the hand unit 4 so as to abut on the cooling unit 30.
  • the soldering processing apparatus of this embodiment performs the following operation.
  • the moving mechanism moves the hand unit 4 onto the cooling unit 30 so as to abut on the cooling unit 30.
  • the hand unit 4 is forcedly cooled.
  • the moving mechanism separates the hand unit 4 from the cooling unit 30.
  • it moves from the second chamber 3 to the first chamber 2 and then receives the tray 100 on which the substrate 100 and the substrate 100 are loaded in the first chamber 2, and the hand unit 4 receives the first chamber 2 from the first chamber 2.
  • the processing object is placed on the chamber 3 and transported.
  • the hand unit 4 whose temperature has been increased by loading and conveying the heating target object is moved to the cooling unit 30 by the hand unit 4 and is forcibly cooled.
  • the hand unit 4 takes the heated processing object out of the first chamber 2 and at least once by the cooling unit 30 until the heated processing object is removed from the first chamber 2. It will be forced cooling.
  • the hand unit 4 can be used to carry the newly introduced processing object from the second chamber 3 to the first chamber 2 in order to heat the treatment object, the second chamber 3 to Since it is not necessary to use the hand unit 4 which is also used as a cooling plate for carrying in to the chamber 2, another hand unit for carrying in is prepared, and the hand unit 4 which is also used as a cooling plate is another The forced cooling can also be continued by the cooling unit 30 in preparation for the next removal even during the loading process by the hand unit.
  • reception and conveyance of a process target object are the same as that of the case of 1st Embodiment described with reference to FIG. 8 and FIG. 9, detailed description is abbreviate
  • the processing object is transported using the hand unit 4 after forced cooling, so that the transport time can also be used as a forced cooling period. . Therefore, the same effect as that of the first embodiment described above is obtained. Further, it is not necessary to circulate the cooling liquid in the hand unit 4 itself, and it is not necessary to arrange a pipe for the cooling liquid in the moving part. Therefore, maintenance of the facility is easy.
  • the hot plate is, as shown in FIG. 16, to keep the object to be treated at a reduction treatment temperature (preferably 130.degree. C. or more, particularly preferably 150.degree. C. or more) lower than the melting point of the solder for several minutes. May be By keeping the temperature at the reduction treatment temperature as described above, the reduction treatment of the solder can be sufficiently performed. As described above, according to the present invention, even when the temperature is maintained at the reduction processing temperature where the reduction processing is promoted, the hand portion 4 functioning as a cooling plate does not come in contact with the heating plate 20 and the heating plate 20 needs to be cooled. Absent. Therefore, the temperature of the heat plate 20 itself can be always maintained at the reduction treatment temperature.
  • a reduction treatment temperature preferably 130.degree. C. or more, particularly preferably 150.degree. C. or more
  • the temperature in the atmosphere of the carboxylic acid vapor before the reduction treatment may be raised by heating in vacuum, or may be raised in an inert gas atmosphere such as nitrogen.
  • the carboxylic acid may be introduced into the first chamber 2 after the reduction treatment temperature is reached.
  • an inert gas atmosphere such as nitrogen, it is advantageous in increasing the heating rate.
  • the inside of the first chamber 2 is once evacuated to an atmosphere of the carrier gas and the carboxylic acid vapor.
  • the evacuating process can be omitted.
  • the inside of the first chamber 2 can be sufficiently replaced with an inert gas such as nitrogen, and carboxylic acid vapor can be introduced into the chamber when reaching a temperature at which the reduction process is promoted.
  • the soldering apparatus has inert gas supply means for supplying an inert gas into the first chamber 2 and / or the second chamber 3 in place of the evacuation means.
  • the insides of the first chamber 2 and the third chamber 3 are replaced with nitrogen gas, and the temperature is lowered in the nitrogen gas atmosphere to be treated It is not limited to the case of taking things out. Certainly, it is preferable to lower the temperature in the nitrogen gas atmosphere to remove the object to be treated from the viewpoint of accelerating the temperature reduction rate, but if necessary it may be cooled in vacuum to avoid surface oxidation. It is also possible to take out the object to be processed from the first chamber 2 to the second chamber 3 without exhausting the carboxylic acid atmosphere.
  • the soldering substrate is taken as an example of the processing object, and the soldering processing apparatus is taken as an example of the heating and melting processing apparatus.
  • the present invention is not limited to this case.
  • the present invention can be applied as long as the processing object including the solder is subjected to the heating and melting processing of the solder.
  • it can be used for a solder ball forming apparatus which melts solder and forms solder balls and the like, and other heating and melting processing apparatuses.
  • the substrate is not limited to the soldered substrate.
  • the heating and melting processing apparatus having the first chamber and the second chamber has been described, but the present invention is not limited to this case.
  • the hand portion of the conveyance means can also be used as a cooling plate by conveying from the first chamber to the outside of the apparatus and taking it out.
  • the heating and melting treatment apparatus may have three or more chambers. For example, there is a loading side chamber for loading a processing target before heat treatment into the first chamber, and a discharge side chamber for unloading the processing target after heat treatment from the inside of the first chamber. It may be done.
  • the hand part for conveying the processing target after heating among a plurality of hand parts can also be used as a cooling plate.
  • a heating and melting processing apparatus that performs heating and melting processing on a processing target including solder in an atmosphere including carboxylic acid vapor, and a hand unit for mounting and transporting the processing target on which the heating and melting processing is performed is used as a cooling plate.
  • the present invention can be applied as long as it is used in combination.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】処理対象物を直接的に冷却することができ、別途の冷却板を設置する必要がない加熱溶融処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明の加熱溶融処理装置は、半田を含む処理対象物100についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置1であって、加熱溶融処理した処理対象物100を載せて搬送するためのハンド部4を冷却板として兼用する。

Description

加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法
 本発明は、半田を含む処理対象物を加熱溶融処理するための加熱溶融処理装置およびその方法に関する。
 半田付け処理装置や半田ボールの成形装置などのように、半田を含む処理対象物を加熱溶融処理するための加熱溶融処理装置が広く用いられている。特に、フラックスを用いることなく半田付け処理や半田ボール成形処理を可能とするために、ギ酸その他のカルボン酸を用いる加熱溶融処理装置が知られている(特許文献1、2)。
 これらの加熱溶融処理装置では、半田が溶融してから冷却するまでの時間を短縮することが、作業速度の向上の見地から要求される。この点、特許文献1に記載の装置では、加熱手段を備えている熱板の下方に、冷却板を昇降可能に設け、冷却時には、冷却板を熱板の下面に密着させることによって、半田付け基板を強制冷却する。
特開平11-233934号公報 特開2001-244618号公報
 しかしながら、上記の従来の加熱溶融処理装置では、半田付け基板など処理対象物自体に冷却板を密着させるのではなく、加熱手段が設けられた熱板に冷却板を密着させるものにすぎない。
 したがって、この従来技術の加熱溶融処理装置は、熱板を介して間接的に処理対象物を冷却できるにすぎず、処理対象物自体を直接的に冷却することができないという問題がある。さらに、処理対象物をチャンバ内に出し入れするための搬送手段のほかに、別途の冷却板を移動可能に設置する必要があるという問題がある。
 そこで本発明は、処理対象物を直接的に冷却することができ、別途の冷却板を設置する必要がない加熱溶融処理装置を提供することを目的とする。
 本発明の加熱溶融処理装置は、半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置であって、前記加熱溶融処理した処理対象物を載せて搬送するためのハンド部を冷却板として兼用することを特徴とする。
 本発明の加熱溶融処理方法は、半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する段階と、前記加熱溶融処理した処理対象物を、冷却板として兼用されるハンド部に載せて搬送する段階と、を有することを特徴とする。
 本発明によれば、加熱手段を備えた熱板を介して処理対象物を間接的に冷却する場合に比べて、急速冷却が可能となり、作業速度を高めて生産性を高めることができる。
本発明の第1実施形態の半田付け処理装置を示す概略断面図である。 図1の半田付け処理装置のハンド部を示す平面図(A)とA-A断面図(B)である。 図1の半田付け処理装置による半田付け処理の工程を示す概略断面図である。 図3に後続する工程を示す概略断面図である。 図4に後続する工程を示す概略断面図である。 図5に後続する工程を示す概略断面図である。 図6に後続する工程を示す概略断面図である。 図7に後続する工程を示す概略断面図である。 図8に後続する工程を示す概略断面図である。 図1の半田付け処理装置による昇降温特性を示す図である。 比較例の半田付け処理装置による昇降温特性を示す図である。 図10および図11の昇降温特性の温度分布測定位置を示す図である。 図10および図11の昇降温特性の測定の際のプロセス条件を示す図である。 加熱状態を維持したまま、処理対象物を受け渡す場合における図1の半田付け処理装置による昇降温特性を示す図である。 第2の実施形態の半田付け処理装置の内部を上方から見た概略断面図である。 本発明の変形例における昇温特性の一例を示す図である。
 <第1の実施形態>
 以下、添付した図面を参照しながら、本発明の第1の実施形態を説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
 図1は、本発明の加熱溶融処理装置を半田付け処理装置として適用した場合の第1の実施形態を示している。半田付け処理装置1は、第1チャンバ2と、第2チャンバ3とを有し、これらの間で処理対象物たる半田付け基板を載せて搬送するハンド部4を冷却板としても兼用するものである。
 ここで、第1チャンバ2と第2チャンバ3とは、開閉可能なゲートバルブ5を介して連結されている。ゲートバルブ5を閉じることで、ゲートバルブ5の一部をなす板状の遮蔽部材により第1チャンバ2と第2チャンバ3とを隔離することができる。また、ゲートバルブ5を開くことで、第1チャンバ2及び第2チャンバの外部からの密封性を保ったまま、第1チャンバ2と第2チャンバ3とを互いに導通させることができる。ここで、例えば、ゲートバルブ5の一部をなす遮蔽部材をシール材55を通して第1チャンバ2又は第2チャンバ3の内外へスライドさせることで、ゲートバルブ5の上記機能を実現することができる。シール材としては、例えば、Oリングを用いて構成することができる。第1チャンバ2は、半田を含む処理対象物である半田付け基板100を半田付けするための処理室をなし、第2チャンバ3は、半田付け基板100を投入するためのロードロック室をなす。なお、半田付け基板100は、表面に複数の半田バンプが形成されているチップを少なくとも含む一対のチップであってもよく、この場合、前記半田付け処理として、前記一対のチップを前記半田バンプ同士または前記半田バンプと電極とを介して積層して接合するフリップチップボンディング処理が実行される。つまり、フリップチップボンディング処理を採用する場合は、第1のチップと第2のチップの双方の表面に半田バンプが形成され、これら半田バンプ同士を介して第1のチップと第2のチップとが半田接合されてもよく、第1のチップの表面に半田バンプが形成される一方、第2のチップの表面に電極部が形成され、第1のチップの半田バンプと第2のチップの電極部とを介して第1のチップと第2のチップとが半田接合されてもよい。
 以上の説明では、第1のチップと第2のチップの双方を半田接合する場合について述べたが、これ以外に、表面に複数の半田バンプが形成されているチップとウェハーの相互を半田接合すること、または、表面に複数の半田バンプが形成されている複数のウェハー同士を相互に半田接合することも考えられる。
 <給排気系について>
 まず、第1チャンバ2および第2チャンバ3へ接続される給排気系について説明する。第1チャンバ2および第2チャンバ3には、それぞれバルブ6、7を介して排気ポンプ(真空ポンプ)8が接続されている。この排気ポンプ8は、第1チャンバ内および第2チャンバ内を減圧するための排気手段である。なお、本実施形態では、第1チャンバ2および第2チャンバ3用の排気手段として、1つの排気ポンプ8が設けられているが、本実施形態と異なり、それぞれのチャンバ2、3に別個独立した排気ポンプを設けてもよい。
 また、第1チャンバ2には、フラックスなしで半田付けを可能とするためにカルボン酸蒸気の供給系(カルボン酸供給手段)9がバルブ10を介して接続される。カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、アクリル酸、サリチル酸、乳酸等を用いることができる。
 カルボン酸蒸気の供給系9は、水素、一酸化炭素のような還元性ガス、または窒素のような不活性ガス等のキャリアガスをカルボン酸蒸気に混合して第1チャンバ2内に導入する。カルボン酸蒸気の供給系9は、カルボン酸の液体を収容した密閉容器11を有し、その密閉容器11には、バルブ12を介してキャリアガスを供給するキャリアガス供給管13が接続されている。キャリアガス供給管13は、容器11内において気泡を発生(バブリング)させるためのバブリング部14に接続される。なお、容器11の周辺には、カルボン酸の液体を温めるためのヒータを設けてもよい。ヒータは、カルボン酸の液体を一定の温度に保つ。このように、キャリアガスを併用することにより、第1チャンバ2内へのカルボン酸蒸気の導入が容易になり、かつ十分に気化していない状態のカルボン酸が処理対象物上に付着して残渣を生じさせることを防止することができる。
 なお、本実施形態と異なり、キャリアガスを用いることなく、カルボン酸の液体を収容した密閉容器11を第1チャンバ2に連通させることにより、その蒸気を第1チャンバ2内に導入するようにしてよい。また、カルボン酸の液体を収容した密閉容器11を第1チャンバ2に連通させる途中でキャリアガスを混合するようにしてもよい。これらの場合、その蒸発量は、第1チャンバ2内のガス圧力に依存する。
 また、第1チャンバ2内にカルボン酸を加熱して気化させるカルボン酸加熱手段(不図示)を設けておき、カルボン酸の液体を供給管(不図示)を介して前記第1チャンバ内のカルボン酸加熱手段に供給することもできる。この場合、第1チャンバ2内でカルボン酸加熱手段が、液体のカルボン酸を加熱して気化することによって、カルボン酸蒸気雰囲気が提供されることになる。
 次に、カルボン酸回収部について説明する。本実施形態の半田付け処理装置1は、排気ポンプ8の吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、気化したカルボン酸を回収するカルボン酸回収部(回収機構)15を有する。カルボン酸回収部15は、排気ポンプ8の吸気側または排気側に取り付けられるフィルタであってもよく、排気側に取り付けられるスクラバであってもよい。フィルタとしては、Ca(OH)などの混合物を用いたアルカリ固形物による中和方式のフィルタやカルボン酸を熱分解する熱分解方式のフィルタを採用することができる。また、カルボン酸を捕捉するモレキュラーシーブを用いた吸着方式のフィルタ、または触媒分解反応を用いた触媒反応方式などその他の方式のフィルタを採用することもできる。一方、スクラバとしては、カルボン酸を液体処理により中和する方式のスクラバ、または気化したカルボン酸を溶液に溶かして回収する方式のスクラバを採用することができる。気化したカルボン酸を溶液に溶かして回収する方式のスクラバは、排気ポンプの排気側に連結された第1の排気管を液槽内の溶液に挿入するとともに、液槽の上部に第2の排気管を接続する構成を有する。
 さらに、第1チャンバ2には、内部を窒素雰囲気に置換(パージ)するための窒素供給管16がバルブ17を介して接続されており、第2チャンバ3には、同様に窒素供給管18がバルブ19を介して接続されている。
 <加熱手段について>
 次に、第1チャンバ2内に設けられる加熱手段について説明する。
 第1チャンバ2内には、加熱手段としての熱板20が設けられている。熱板20の上面には、半田付け基板100が載せられ加熱される。しかしながら、半田付け基板100の個数が多い場合などは、金属、セラミックその他の材料で形成されたトレー板110を介して半田付け基板100を熱板20上に配置することもできる。図1では、トレー板110を介して半田付け基板100が配置される場合を例示する。したがって、以下の説明では、説明の便宜上、半田付け基板100のみならずトレー板110を処理対象物と称する場合がある。
 なお、熱板20としては、ヒータが附設された金属、セラミックスその他の材料で構成することができ、ヒータとしてはシーズヒータのような電気抵抗発熱体を採用することができる。しかしながら、より好適には、耐食性を向上する見地から、熱板20をカーボン板状体で形成し、このカーボン板状体20自体に通電することによって、熱板20自体を発熱させて処理対象物を加熱することが望ましい。
 <搬送部などについて>
 次に、本実施形態の半田付け処理装置における搬送部について説明する。
 第2チャンバ3には、処理対象物を出し入れするめの蓋21が設けられている。そして、半田付け処理装置1は、投入された処理対象物を第1チャンバ2と第2チャンバ3との間で搬送する搬送部(搬送手段)22を具える。
 搬送部22は、ハンド部4と、ハンド部4を進退自在に移動するための移動機構(移動手段)23とを有する。ここで、本出願において、「ハンド部」とは、処理対象物を搬送する際に、この処理対象物を載せる部分を意味する。本実施形態では、ハンド部4は、板状体をしている。しかしながら、この場合に限られるものではなく、種々の形状のハンド部4を採用することができる。また、冷却効率を高める見地からは、ハンド部4の上面は、基板100あるいはトレー板110などの下面に密着できるように平坦に形成されることが望ましい。ハンド部4は、金属、セラミックその他の材料で形成することができる。
 図2は、ハンド部の一例を示す。ハンド部4は、冷却用媒体が内部を流通する流通路24を有する。図2に示す例では、ハンド部4の内部に流通路を設けてもよい。たとえば、ハンド部は、流通路をなす溝が形成されたハンド部本体と、ハンド部本体に接合される蓋部とを有し、ハンド部本体に蓋部を接合することで流通路が完成するようにしてもよい。流通路24は、ハンド部4の広い範囲を冷却するべく面内で蛇行するように設けられることが望ましい。なお、本実施形態と異なり、基板100やトレー板100を載せる面と反対側の面である下面側に流通路24を外付けしてもよい。流通路24内を流れる冷却用媒体は、液体でも気体でもよい。しかしながら、冷却効率の観点からは液体であることが望ましく、特に取り扱いの便宜の見地からは水が望ましい。流通路24の流入口25および流出口26は、好ましくは、可撓性を有する管(不図示)を介して第2チャンバの外部に延びて外部の冷媒循環装置(不図示)に接続される。
 このようなハンド部4は、移動機構23に取り付けられている。移動機構23は、第1チャンバ2と第2チャンバ3との間で前記ハンド部4を進退自在に移動するものである。図1では、移動機構23は、レール27(27a、27b、27c)と、当該レール27上をモータ動力で移動する移動ステージ28とを有する。レール27は、第1チャンバ2内に位置する第1レール部27aと、第2チャンバ3内に位置する第2レール部27bと、それらの間にある第3レール部27cとを有する。なお、第3レール部27cは、ゲートバルブ5の上部に取り付けられており、第1チャンバ2と第2チャンバ3との間のゲートバルブ5の開閉動作に連動して移動し、ゲートバルブ5が開いた状態で、第1レール部27aと第2レール部27bとを連結して全体のレール27を完成させる。
 なお、本実施形態では、レール27と移動ステージ28とを移動機構23として用いたが、移動機構は、この場合に限られず、ハンド部4を第1チャンバ2と第2チャンバ3との間で移動可能であるものである限り、一軸または多軸のロボットアームなどその他の各種機構であってもよい。
 次に、第1チャンバ2内において、ハンド部4との間で処理対象物を受け渡すために処理対象物を昇降する昇降機構について説明する。図1に示すように、昇降機構29、29は、基板100やトレー板110を支持しつつ昇降動作をするための機構である。昇降機構29、29は、基板100や基板100が載せられたトレー板110など処理対象物を熱板20(加熱手段)の上面に置かれた状態から離間させるように上昇移動させることができる。また、逆に熱板20から離間した状態で処理対象物を受け取った後、熱板20の上面に処理対象物を載置する状態となるまで処理対象物を下降移動させることができる。
本実施形態では、棒形状の昇降桿を昇降機構29、29として用いる場合を説明したが、この場合に限られない。処理対象物などを支持しつつ上下方向に昇降動作することが可能である限り、昇降機構として採用することができる。
 次に、以上のように構成される本実施形態の半田付け処理装置1の動作について説明する。
 まず、図3に示されるように、第2チャンバ3の蓋21が開かれて、処理対象物である基板100が第2チャンバ3内に投入される。本実施形態では、複数の基板100が、トレー板110に載せられた状態で投入される。投入されたトレー板110は、ハンド部4の上面に載せられる。
 次いで、図4に示されるように、蓋21が閉じられる。バルブ6、7が開かれて排気ポンプ8が駆動され、第1チャンバ2および第2チャンバ3内が真空排気される。真空度は、適宜に決定することができるが、たとえば、10000Pa(≒80Torr)よりも高真空にすることが望ましい、さらに好もしくは10Pa(≒8×10-2Torr)よりも高真空にすることが望ましい。本実施形態では、真空度を、6.6Pa(5×10-2Torr)としている。
 次に、図5に示されるように、ゲートバルブ5を開く。そして、搬送部22が第2チャンバ3から第1チャンバ2へとトレー板110を搬送する。具体的には、ゲートバルブ5が開かれるのに連動して、第1レール部27a、第2レール部27b、第3レール部27cが繋がった状態となり、レール27が完成する。そして、移動ステージ28のモータ動力がオンされレール27に沿ってハンド部4を第1チャンバ2内へと移動させる。移動ステージ28は、ハンド部4が熱板20の上方に位置するまで移動を続ける。たとえば、移動ステージ28は、熱板20と接触しないように熱板20を跨ぐような形状をしている。
 次いで、図6に示されるように、昇降機構29、29が上昇してハンド部4上のトレー板110を受け取る。トレー板110を昇降機構29,29に受け渡した後、移動ステージ28は、ハンド部4を第2チャンバ3内へ戻す。
 次いで、図7に示されるように、昇降機構29、29が降下して、トレー板110を熱板20上に載置する。これとともに、ゲートバルブ5が閉じられて、第1チャンバ2と第2チャンバ3との間が閉鎖された状態となる。
 この状態で、カルボン酸蒸気の供給系9は、水素、一酸化炭素のような還元性ガス、または窒素のような不活性ガス等のキャリアガスをカルボン酸蒸気に混合して第1チャンバ2内に導入する。具体的には、バルブ12を開いてキャリアガスを密閉容器9内に導入してバブリングし、バルブ10を調整しつつ開いて、キャリアガスとともにカルボン酸蒸気を第1チャンバ2内に導入する。本実施形態では、カルボン酸としてギ酸を用いている。
 第1チャンバ2内の圧力は、カルボン酸蒸気およびキャリアガスの導入に伴って、たとえば、所定の圧力まで導入する。具体的には、カルボン酸蒸気およびキャリアガスの圧力は、処理対象物の表面の酸化の程度を考慮して、数Pa~1×10Paまでの広い範囲の中から選択される。カルボン酸蒸気およびキャリアガスの圧力は、バルブ10およびバルブ6の開度などを調整することによって設定することができる。なお、排気ポンプ8(排気手段)によって排気されたカルボン酸蒸気は、排気手段の吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、気化したカルボン酸を回収するカルボン酸回収部(回収機構)15によって回収されて、無害化される。
 このようなカルボン酸蒸気およびキャリアガスの導入に並行して熱板4により基板100の加熱がなされる。熱板20をカーボン板状体で形成した場合には、このカーボン板状体20自体に通電することによって、熱板20自体を発熱させることが可能である。カーボン板状体200自体を発熱させる構成によれば、カルボン酸に侵されにくくすることができ、耐食性を向上させることができる。熱板4は、基板100の半田の融点以上の温度となるまで、基板100を加熱する。たとえば、半田がSn-3.5Ag(融点221℃)である場合には、半田付けに適した230℃~250℃程度まで加熱する。Pb-5Sn(融点314℃)である場合には、半田付けに適した330℃~360℃程度まで加熱する。なお、ボイドを防止する観点からは、カルボン酸蒸気は、基板100の温度が融点に達する前には少なくとも導入することが望ましい。
 たとえば、所定時間(たとえば、5分~10分程度)が経過すると、熱板20への通電を停止する。そして、バルブ10、12を閉めてカルボン酸蒸気の供給を停止する。次いで、バルブ15を閉じて排気ポンプ8の運転を停止し、バルブ17、19を開いて窒素ガスを導入して第1チャンバ1、2の内部を窒素ガスで置換する。
 次に、図8に示されるように、ゲートバルブ5を開く。これに伴ってレール27が完成する。そして、第1チャンバ2内においては、昇降機構29、29が上昇する。昇降機構29、29は、熱板20上のトレー板110を支持しつつトレー板110を熱板20から離間させる。これに連動して、移動ステージ28が、第2チャンバ3内から第1チャンバ2内へとレール27上を走行する。そして、昇降機構29、29によってトレー板110(あるいは、基板100が複数でないならば、基板100自身でもよい)が熱板20の上面から離間された状態で、移動ステージ(移動手段)28は、ハンド部4をトレー板110と熱板20との間に挿入する。このとき、ハンド部4は、熱板20自身には接触しない。
 次いで、昇降機構29、29が下降し、トレー板110をハンド部4上に受け渡す。ハンド部4は、流通路24が設けられており、その流通路24の内部を水その他の冷却用媒体が循環している。したがって、ハンド部4上にトレー板110(あるいは基板100)が載置された時点で、既に基板100の冷却が開始される。しかも、ハンド部4は、熱板20を介して基板100を間接的に冷却するのではなく、基板100自体あるいはトレー板110を直接に冷却するので、急速に冷却することができる。
 次いで、図9に示されるように、搬送部22は、第1チャンバ2から第2チャンバ3へとトレー板110を搬送する。すなわち、第1チャンバ2と第2チャンバ3との間で処理対象物を搬送する際に処理対象物を載せるハンド部4が、冷却板としても兼用されるので、処理対象物を搬送しつつ、その搬送時間も強制冷却を継続することができる。第2チャンバ3内にトレー板110が戻ると、ゲートバルブ5を閉じられる。そして、蓋21を開いて半田付けを終わった基板100をトレー板110ごと取り出す。そして、次に処理する基板100があれば、図4の状態に戻り、基板100を載せたトレー板110をハンド部4上に投入し、半田付け操作を繰り返す。
 以上のような処理を行う半田付け処理装置を用いた効果について説明する。図10は、本実施形態の半田付け処理装置1を用いた場合の昇降温特性であり、図11は、比較例として、ヒータを備える熱板に冷却板を密着させる従来のタイプの半田付け処理装置を用いた場合の昇降温特性である。なお、測定は、図12に示すように、カーボン板状体の熱板(カーボンヒータ)上に、300×300mmで厚さ5mmのカーボンのトレー板110を載せ、トレー板110の点1~点11の各点で温度を測定した。また、プロセス条件としては、本実施形態の半田付け処理装置の場合も比較例の半田付け処理装置の場合も、図13に示すような同一の条件を採用した。
 図11に示されるように、従来のタイプの半田付け処理装置では、トレー板110上の温度が250℃から50℃になるまでに16分程度の時間が必要であったのに対し、本実施形態の半田付け処理装置では、トレー板110上の温度が250℃から50℃になるまで3分程度の時間で足りた。また、カーボン板状体を採用して、カーボン板状体への通電によってカーボン板状体自体を発熱させることができるので、測定点1~11の各温度分布が均一であった。
 このように、本実施形態の半田付け処理装置によれば、処理対象物を急速冷却する際に、加熱手段を備えた熱板を介して処理対象物を間接的に冷却する必要がないので、さらに急速冷却が可能となる。つまり、降温時間を短縮することにより、作業速度を高めて生成性を高めることができることがわかる。
 なお、上述した条件では、室温から昇温を開始する場合を説明したが、本実施形態の半田処理装置によれば、冷却板として機能するハンド部4が熱板20に接触せず、熱板20を冷却する必要がない。したがって、熱板20自体の温度を所定温度以上、たとえば、70℃~300℃程度に維持したまま、次の処理対象物の処理を行うことができる。したがって、必要に応じて、昇温時間についても短縮することもできる。つまり、上述した特許文献1に記載されているような従来の方法によれば、処理対象物を冷却するために熱板を冷却する必要がある。つまり、処理対象物における半田の酸化を防止したり、オペレータの火傷などを防止したりする見地から処理対象物を冷却する必要があるが、従来の方法によれば、熱板までも冷却する必要がある。この結果、従来の方法によれば、熱板を常温(JIS規格によれば20±15℃)近くまで下降する必要があったが、本実施形態の半田処理装置によれば、熱板20を常温近くまで下降する必要がない。したがって、たとえば、加熱手段として機能する熱板20の温度を、予め70℃以上の温度範囲に上げておくことで、昇温時間を短縮することができる。
 図14は、熱板20自体を270℃程度の温度に維持したまま、冷却板として機能するハンド部4により処理対象物を受け渡す場合における昇降温特性を示している。図14の縦軸は温度(℃)を示し、横軸は経過時間(分)を示している。なお、図14において、点線は熱板20の温度を示し、各実線は、図12に示すトレー板(処理対象物)の点1~点12の各点での温度を示す。図14では、目標温度は、半田付けに適した230℃~250℃に設定することが望ましく、本実施例では、250℃に設定している。図14に示される例では、処理対象物が載せられていない場合にも、熱板20は通電を維持して加熱状態を保つ。そして、熱板20自体を目標温度よりも高い設定温度である270℃程度に維持したまま、トレー板(処理対象物)が載せられる。このトレー板を載せた瞬間は、トレー板に熱が奪われるので、熱板20の温度は一旦は230℃程度まで低下する。しかし、その後の温度制御により再び設定温度に復帰する。
 図14に示されるように、熱板20自体の温度を目標温度付近(好ましくは、目標温度より高い温度領域)に維持したまま処理対照物を受け渡すことにより、非対称物の処理温度を室温付近から目標温度(250℃)まで昇温するのに要する時間を短縮することができる。図14に示す場合には、室温から目標温度(250℃)までに昇温するのに要する時間は、1分程度に抑えられている。なお、図11のように熱板20自体の温度を昇降する制御をする場合には室温付近から目標温度まで昇温するのに5分程度かかっていることと比較すると、図14に示すように、熱板20自体の温度を目標温度付近(好ましくは、目標温度より高い温度)に維持したまま処理対照物を受け渡すことによって、大幅な処理時間の短縮が可能であることがわかる。
 また、図14に示されるように、熱板20自体の温度を目標温度付近(好ましくは、目標温度より高い温度)に維持したまま処理対照物を受け渡す場合には、図11に示されるように熱板20自体の温度の昇降する場合と比べて、熱板20の温度がオーバーシュートすることがない。したがって、制御も容易になる。
 以上、図14に示したように、本実施形態の半田付け処理装置は、処理対象物を急速冷却する際に、加熱手段を備えた熱板を介して処理対象物を間接的に冷却する必要がないので、さらに急速冷却が可能となる。つまり、降温時間を短縮することにより、作業速度を高めて生成性を高めることができることがわかる。
 以上のように本実施形態の半田付け処理装置は、以下の効果を奏する。
(1)処理対象物を急速冷却する際に、加熱手段を備えた熱板を介して処理対象物を間接的に冷却する場合に比べて、降温時間を短縮することができる。
(2)熱板20自体の温度を高いまま維持しつつ、次の処理対象物の処理を行うことができる。したがって、必要に応じて、昇温時間についても短縮することもできる。
(3)搬送手段の構成部分であるハンド部4を冷却板として兼用することができるので、搬送時間をも強制冷却期間として利用することができる。また、搬送系と冷却系とを別々の機械構成として設ける必要がなくなる。
(4)熱板20として、カーボン板状体を採用して、カーボン板状体への通電によってカーボン板状体自体を発熱させることができるので、耐腐食性を向上することができる。
 <第2の実施形態>
 上記の第1の実施形態では、冷却用液体が内部を流通する流通路を有するハンド部4を用いる場合を説明した。第2の実施形態では、ハンド部4は、冷却用液体が内部を流通する流通路を有しない。
 図15は、第2の実施形態の半田付け処理装置の内部を上方から見た概略平面図を示す。なお、第1の実施形態と同様の構成について説明を省略する。本実施形態の半田付け装置のハンド部4は、銅(398 W・m-1・K-1)などのように熱伝導率が大きい物質で形成されることが望ましく、好ましくは熱伝導率が100W・m-1・K-1以上の物質で形成されることが望ましい。そして、本実施形態では、ハンド部4自体は、冷却用液体が流通する流通路を有しない。
 図15に示されるように、第2チャンバ3内には、ハンド部4を強制冷却する冷却部(強制冷却手段)30を有する。冷却部30は、たとえば、第1の実施形態におけるハンド部のように冷却用液体が流通する冷却路を有しており常に冷却されていてもよく、また、空冷されていてもよく、ペルチェ冷却など他の手段により冷却されていてもよい。
 移動機構(図15では、レール部27のみを示している)は、第1チャンバ2(特に、熱板20)と第2チャンバ3との間でハンド部4を進退自在に移動させるのみならず、ハンド部4を冷却部30上に当接させるように移動させる。
 本実施形態の半田付け処理装置は、以下のような動作を行う。まず、移動機構は、ハンド部4を冷却部30上に移動させて、冷却部30に当接させる。冷却部30に当接されることによって、ハンド部4は強制冷却される。そして、移動機構は、ハンド部4を冷却部30から離間させる。そして、第2チャンバ3から第1チャンバ2へと移動し、次いで、第1チャンバ2において基板100や基板100が載せられたトレー板110を受け取り、ハンド部4は、第1チャンバ2から前記第2チャンバ3へと処理対象物を載せて搬送する。そして、加熱済みの処理対象物を載せて搬送することによって温度が高まってしまったハンド部4は、ハンド部4を冷却部30上に移動されて強制冷却される。つまり、ハンド部4は、加熱された処理対象物を第1チャンバ2から取り出した後、加熱された処理対象物を第1チャンバ2から取り出すまでの間に、少なくとも1回は、冷却部30により強制冷却されることとなる。なお、新たに投入された処理対象物を加熱処理するために第2チャンバ3から第1チャンバ2へ搬入する場合にもハンド部4を用いることはできるが、このように第2チャンバ3から第1チャンバ2への搬入には冷却板として兼用されるハンド部4を用いる必要はないので、搬入用の別のハンド部を用意しておき、冷却板として兼用されるハンド部4は、別のハンド部による搬入処理の間も、次の取り出しに備えて冷却部30により強制冷却を継続することもできる。なお、処理対象物の受け取りと搬送は、図8および図9を参照しつつ説明した第1の実施形態の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。
 以上のように本実施形態の半田付け処理装置も、強制冷却した後のハンド部4を用いて処理対象物を搬送するので、搬送時間をも強制冷却期間として利用することができるという効果を奏する。したがって、上記の第1の実施形態の場合と同様の効果を奏する。また、ハンド部4自体には、冷却用液体を循環させる必要がなく、移動する部分には冷却用液体の管を配置する必要がない。したがって、設備のメンテナンスが容易である。
 <変形例>
 第1の実施形態の昇温過程では、(ア)第1チャンバ2および第2チャンバ3内を真空排気し、(イ)第1チャンバ2内に、キャリアガスをカルボン酸蒸気に混合して第1チャンバ2内に導入しつつ、キャリアガスとカルボン酸蒸気の雰囲気中で基板の加熱をし、還元処理をしつつ半田の融解をした。また、第1の実施形態の降温過程では、(ウ)第1チャンバ2内からカルボン酸蒸気とキャリアガスの混合ガスを排気して、(エ)第1チャンバ2および第3チャンバ3内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス雰囲気中で、第1チャンバ2から第2チャンバ3へ処理対象物を搬出した。また、図13に示すように、昇温過程において温度を常に上昇する場合を例にとって説明した。
 しかし、本発明は、この場合に限られない。熱板は、図16に示されるように、処理対象物を半田の融点よりも低い還元処理温度(好ましくは130℃以上、特に好ましくは150℃以上)に数分程度の間、保持するようにしてもよい。このように還元処理温度に保持することによって、十分に半田の還元処理をすることができる。このように還元処理が促進される還元処理温度に保持する場合においても、本発明によれば、冷却板として機能するハンド部4が熱板20に接触せず、熱板20を冷却する必要がない。したがって、熱板20自体の温度を常に、還元処理温度に保持しておくこともできる。
 また、還元処理する前の時点では、カルボン酸蒸気の雰囲気中で昇温する必要は必ずしもない。たとえば、還元処理温度になるまでの間は、真空中で昇温加熱してもよく、窒素など不活性ガス雰囲気中で昇温加熱してもよい。これらの場合、還元処理温度に達した後に、第1チャンバ2内にカルボン酸を導入すればよい。窒素など不活性ガス雰囲気中で昇温する場合には、昇温速度を高める点で有利である。
 さらに、第1の実施形態では、第1チャンバ2内をキャリアガスとカルボン酸蒸気の雰囲気とする前に、一旦、真空排気する場合を説明した。確かに、第1チャンバ2内の酸素を低減するためには、一旦、真空排気することが望ましいが、必要に応じて、真空排気処理を省略することもできる。たとえば、窒素などの不活性ガスにより第1チャンバ2内を十分に置換し、還元処理が促進される温度に到達する時点で、カルボン酸蒸気をチャンバ内に導入することもできる。この場合、半田付け装置は、真空排気手段に代えて、第1チャンバ2内および/または第2チャンバ3内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給手段を有することになる。
 また、降温過程においても、第1実施形態のように、カルボン酸雰囲気を排気した後、第1チャンバ2および第3チャンバ3内を窒素ガスで置換し、窒素ガス雰囲気中で降温して処理対象物を取り出す場合に限られるわけではない。確かに、窒素ガス雰囲気中で降温して処理対象物を取り出すことは、降温することは降温速度を速める見地からは好ましいが、必要に応じて表面の酸化を避けるべく真空中で降温してもよく、カルボン酸雰囲気を排気しないまま第1チャンバ2から第2チャンバ3へと処理対象物を取り出すようにすることもできる。
 以上のように本発明の実施形態および変形例について説明したが、これらに本発明は限定されるものではない。
 たとえば、上記の説明では、処理対象物として半田付け基板を例にとるとともに、加熱溶融処理装置として半田付け処理装置を例にとって説明したが、本発明は、この場合に限られない。本発明は、半田を含む処理対象物について半田の加熱溶融処理するものである限り適用することができる。たとえば、半田を溶融して半田ボールなどを成形する半田ボール成形装置、その他の加熱溶融処理装置に利用することができる。また、基板は、半田付け基板に限られない。
 また、以上の説明では、第1チャンバと第2チャンバとを有する加熱溶融処理装置を説明したが、本発明はこの場合に限れない。半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置において、第1チャンバから装置外部に搬送して取り出す搬送手段のハンド部を冷却板として兼用することもできる。また、加熱溶融処理装置は、3つ以上のチャンバを有していてもよい。たとえば、加熱処理前の処理対象物を第1チャンバ内に投入するための投入側チャンバと、加熱処理後の処理後の処理対象物を第1チャンバ内から搬出するための搬出側チャンバとを有していてもよい。この場合も、複数のハンド部のうち、加熱後の処理対象物を搬送するためのハンド部を冷却板として兼用することもできる。
 すなわち、半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置であって、前記加熱溶融処理した処理対象物を載せて搬送するためのハンド部を冷却板として兼用するものであれば、本発明を適用することができる。
 本発明は、特許請求の範囲から逸脱しない範囲で追加、削除、変更などが可能である。
  1  半田付け処理装置、
  2  第1チャンバ、
  3  第2チャンバ、
  4  ハンド部、
  5  ゲートバルブ(開閉可能なバルブ)、
  8  排気ポンプ(排気手段)、
  9  カルボン酸蒸気の供給系(供給手段)、
  10  原稿読取部、
  11  密閉容器、
  13  キャリアガス供給管、
  14  バブリング部、
  15  カルボン酸回収部(回収機構)、
  20  熱板(加熱手段)、
  21  入力装置
  22  搬送部(搬送手段)、
  23  移動機構、
  24  流通路、
  29  昇降機構、
  100  基板、
  110  トレー板。

Claims (17)

  1.  半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置であって、
     前記加熱溶融処理した処理対象物を載せて搬送するためのハンド部を冷却板として兼用することを特徴とする加熱溶融処理装置。
  2.  半田を含む前記処理対象物を加熱溶融処理するための第1チャンバと、
     前記第1チャンバとの間で開閉可能なバルブを介して連結される第2チャンバと、
     前記第1チャンバ中に前記カルボン酸を供給するカルボン酸供給手段と、
     前記処理対象物を加熱するために前記第1チャンバ中に設けられた加熱手段と、
     前記第1チャンバと前記第2チャンバとの間で前記処理対象物を搬送する際に前記処理対象物を載せる前記ハンド部を有しており当該ハンド部が冷却板として兼用される搬送手段と、を有することを特徴とする請求項1に記載の加熱溶融処理装置。
  3.  前記ハンド部は、冷却用液体が内部を流通する流通路を有することを特徴とする請求項2に記載の加熱溶融処理装置。
  4.  前記第2チャンバ内に設けられて、当接された前記ハンド部を強制冷却する強制冷却手段を有し、
     強制冷却手段によって冷却された後のハンド部が、前記第1チャンバから前記第2チャンバへと前記処理対象物を載せて搬送することを特徴とする請求項2に記載の加熱溶融処理装置。
  5.  前記搬送手段は、前記ハンド部を進退自在に移動するための移動機構を含むことを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  6.  前記加熱手段は、前記処理対象物が載置されるカーボン板状体であり、当該カーボン板状体への通電によって前記処理対象物を加熱することを特徴とする請求項2~5のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  7.  前記加熱手段の上面に載置された前記処理対象物を昇降する昇降機構を有し、
     前記ハンド部は、前記昇降機構によって前記処理対象物が前記加熱手段の上面から離間された状態で、前記処理対象物と前記加熱手段との間に挿入されることを特徴とする請求項2~6のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  8.  前記カルボン酸供給手段は、
     カルボン酸の液体を収容する容器と、
     前記容器において生じたカルボン酸蒸気と混合されるキャリアガスを供給するために前記容器に連通される供給管とを備えることを特徴とする請求項2~7のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  9.  前記カルボン酸供給手段は、
     カルボン酸の液体を前記第1チャンバ内に供給する供給管と、
     前記第1チャンバ内に設けられて前記カルボン酸の液体を気化させるカルボン酸加熱手段と、を有することを特徴とする請求項2~7のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  10.  さらに、前記第1チャンバ内および前記第2チャンバ内を減圧するための一または複数の排気手段を有する請求項1~9のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  11.  さらに、前記排気手段の吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、気化したカルボン酸を回収する回収機構を有することを特徴とする請求項10に記載の加熱溶融処理装置。
  12.  さらに、前記第1チャンバ内および/または前記第2チャンバ内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給手段を有する請求項1~9のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  13.  前記処理対象物は、半田付け基板であり、
     前記加熱溶融処理は、半田付け処理であることを特徴とする請求項2~12のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  14.  前記半田付け基板は、表面に複数の半田バンプが形成されているチップを少なくとも含む一対のチップであり、
     前記半田付け処理は、前記一対のチップを前記半田バンプ同士または前記半田バンプと電極とを介して接合するフリップチップボンディング処理であることを特徴とする請求項13に記載の加熱溶融処理装置。
  15.  前記半田付け基板は、表面に複数の半田バンプが形成されているチップとウェハー、または、表面に複数の半田バンプが形成されている複数のウェハー同士であることを特徴とする請求項14に記載の加熱溶融処理装置。
  16.  前記冷却板として兼用される前記ハンド部は、前記加熱手段に触れることなく前記処理対象物を載せるものであり、
     昇温時間を短くするために、予め加熱手段の温度を70℃以上の温度に上げておくことを特徴とする請求項2~9のいずれか1項に記載の加熱溶融処理装置。
  17.  半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する段階と、
     前記加熱溶融処理した処理対象物を、冷却板として兼用されるハンド部に載せて搬送する段階と、を有することを特徴とする加熱溶融処理方法。
PCT/JP2010/064299 2009-08-27 2010-08-24 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法 WO2011024813A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/392,303 US8864011B2 (en) 2009-08-27 2010-08-24 Apparatus for thermal melting process and method of thermal melting process
CN201080038060.2A CN102481650B (zh) 2009-08-27 2010-08-24 加热熔融处理装置以及加热熔融处理方法
KR1020127004832A KR101707577B1 (ko) 2009-08-27 2010-08-24 가열 용융 처리 장치 및 가열 용융 처리 방법
EP10811863.9A EP2471622B1 (en) 2009-08-27 2010-08-24 Heating and melting treatment device and heating and melting treatment method
US14/484,418 US9101995B2 (en) 2009-08-27 2014-09-12 Apparatus for thermal melting process and method of thermal melting process

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009196687 2009-08-27
JP2009-196687 2009-08-27
JP2009-254255 2009-11-05
JP2009254255A JP5424201B2 (ja) 2009-08-27 2009-11-05 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/392,303 A-371-Of-International US8864011B2 (en) 2009-08-27 2010-08-24 Apparatus for thermal melting process and method of thermal melting process
US14/484,418 Division US9101995B2 (en) 2009-08-27 2014-09-12 Apparatus for thermal melting process and method of thermal melting process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011024813A1 true WO2011024813A1 (ja) 2011-03-03

Family

ID=43627914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/064299 WO2011024813A1 (ja) 2009-08-27 2010-08-24 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8864011B2 (ja)
EP (1) EP2471622B1 (ja)
JP (1) JP5424201B2 (ja)
KR (1) KR101707577B1 (ja)
CN (1) CN102481650B (ja)
TW (1) TWI492347B (ja)
WO (1) WO2011024813A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103100771A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 梁刚 环保型全自动旧电路板焊锡快速回收机
JP2014143304A (ja) * 2013-01-24 2014-08-07 Origin Electric Co Ltd 加熱接合装置及び加熱接合製品の製造方法
EP3053637B1 (en) * 2013-09-30 2019-10-23 Origin Company, Limited Soldering apparatus with a formic acid decomposition apparatus and formic acid decomposition method
US10766085B2 (en) * 2017-03-30 2020-09-08 Origin Company, Limited Work processing apparatus and method for manufacturing a processed work

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5884448B2 (ja) * 2011-12-01 2016-03-15 富士電機株式会社 はんだ接合装置およびはんだ接合方法
US9242313B2 (en) * 2012-07-30 2016-01-26 General Electric Company Welding furnace and viewport assembly
JP5778731B2 (ja) * 2012-09-17 2015-09-16 ピーエスケー・インコーポレーテッド 連続線形熱処理装置の配列
CN103056472B (zh) * 2013-01-07 2015-02-25 山东高唐杰盛半导体科技有限公司 一种真空焊接炉的温度控制装置
JP5557951B1 (ja) * 2013-11-01 2014-07-23 オリジン電気株式会社 分解機構を備える半田付け装置および分解方法
JP5687755B1 (ja) * 2013-12-06 2015-03-18 オリジン電気株式会社 半田付け装置及び接合部材の製造方法
JP5946488B2 (ja) * 2014-04-10 2016-07-06 オリジン電気株式会社 ギ酸分解用装置における触媒活性診断方法
JP6149827B2 (ja) * 2014-09-02 2017-06-21 千住金属工業株式会社 真空処理装置、その制御方法、真空はんだ処理装置及びその制御方法
CN104400174B (zh) * 2014-10-10 2016-08-24 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种用于陶瓷基板上锡焊元器件的新型焊接装置及方法
CN107534003B (zh) * 2015-04-29 2022-07-26 应用材料公司 用于校正基板变形的方法与设备
WO2016176566A1 (en) * 2015-04-29 2016-11-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for correcting substrate deformity
US10325790B2 (en) 2016-04-29 2019-06-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for correcting substrate deformity
SG11201909928PA (en) * 2017-05-05 2019-11-28 Pink Gmbh Thermosysteme Soldering device and a method for producing a solder connection of components using adhesive material for temporary connection of the components
CN107138825A (zh) * 2017-06-09 2017-09-08 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种微型器件焊接装置及焊接方法
US11515286B2 (en) 2019-01-09 2022-11-29 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems
US11205633B2 (en) * 2019-01-09 2021-12-21 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems
JP6879482B1 (ja) * 2020-01-09 2021-06-02 株式会社オリジン 酸化物除去済部材の製造方法及び酸化物除去装置
CN113543514B (zh) * 2020-04-15 2022-09-23 昆山达菲乐电子产品有限公司 回焊炉
CN112427762A (zh) * 2020-11-04 2021-03-02 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材焊接、冷却一体化装置及其运行方法
CN113634845A (zh) * 2021-07-29 2021-11-12 泗洪红芯半导体有限公司 一种二极管免清洗的甲酸焊接装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233934A (ja) 1998-02-06 1999-08-27 Shinko Seiki Co Ltd 半田付け装置
JP2001244618A (ja) 1999-12-20 2001-09-07 Fujitsu Ltd 加熱溶融処理装置
WO2007137547A1 (de) * 2006-05-29 2007-12-06 Pink Gmbh Vakuumtechnik Verfahren und vorrichtung zur temperaturbehandlung, insbesondere lotverbindung
JP2008034746A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP2008041980A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Seiki Co Ltd はんだ付け方法およびはんだ付け装置
JP2009164523A (ja) * 2008-01-10 2009-07-23 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2009164435A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3151591A (en) * 1960-10-07 1964-10-06 Bell Aerospace Corp Heat bonding apparatus
US4996781A (en) * 1989-10-25 1991-03-05 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Vapor reflow type soldering apparatus with an improved flux separating unit
JPH082495B2 (ja) * 1989-12-25 1996-01-17 日立テクノエンジニアリング株式会社 ベーパーリフロー式はんだ付け方法及び同装置
DE4119572A1 (de) * 1991-06-14 1992-12-17 Standard Elektrik Lorenz Ag Weichloetflussmittel zum loeten elektronischer schaltungen unter schutzgas
JP2709365B2 (ja) * 1992-03-16 1998-02-04 日立テクノエンジニアリング株式会社 ベーパーリフローはんだ付け装置
US6145734A (en) * 1996-04-16 2000-11-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflow method and reflow device
KR100193899B1 (ko) * 1996-06-29 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 감광막 형성장치 및 이를 이용한 감광막 형성방법
US6267245B1 (en) 1998-07-10 2001-07-31 Fluoroware, Inc. Cushioned wafer container
JP3397313B2 (ja) 1999-12-20 2003-04-14 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法
US6375060B1 (en) * 2000-07-19 2002-04-23 The Boeing Company Fluxless solder attachment of a microelectronic chip to a substrate
KR20030068291A (ko) * 2002-02-14 2003-08-21 삼성코닝 주식회사 인라인 스퍼터링 시스템용 쿨링 머신
JP3809806B2 (ja) * 2002-03-29 2006-08-16 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置の製造方法
US7380699B2 (en) * 2002-06-14 2008-06-03 Vapour Phase Technology Aps Method and apparatus for vapour phase soldering
US20130175323A1 (en) * 2002-07-01 2013-07-11 Jian Zhang Serial thermal linear processor arrangement
JP2004143420A (ja) 2002-08-29 2004-05-20 Sanyo Chem Ind Ltd 粘着剤組成物
JP4482271B2 (ja) 2002-12-03 2010-06-16 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ
JP4095972B2 (ja) 2003-03-06 2008-06-04 日立化成ポリマー株式会社 自動車内装材用プレコート表皮材および自動車内装材の製造方法
US7306133B2 (en) * 2003-04-25 2007-12-11 St Assembly Test Services Ltd. System for fabricating an integrated circuit package on a printed circuit board
JP2006181641A (ja) * 2004-12-02 2006-07-13 Ebara Corp 接合装置及び接合方法
JP4749751B2 (ja) 2005-04-07 2011-08-17 電気化学工業株式会社 部材の仮固定方法
ATE492904T1 (de) * 2005-07-19 2011-01-15 Siemens Ag Anordnung eines elektrischen bauelements und einer zwei-phasen-kühlvorrichtung und verfahren zum herstellen der anordnung
JP2007053245A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Shinko Seiki Co Ltd はんだ付け方法及びはんだ付け装置
JP2007119634A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 感温性樹脂組成物及びその成形体
JP4956963B2 (ja) * 2005-11-02 2012-06-20 富士通セミコンダクター株式会社 リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法
JP2007224270A (ja) 2006-01-26 2007-09-06 Jsr Corp 透明複合体およびその製造方法
CN101454107B (zh) * 2006-05-29 2013-03-27 平克塞莫系统有限公司 对工件或元件进行温度处理的方法和装置
US20080006294A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-10 Neeraj Saxena Solder cooling system
KR100865910B1 (ko) * 2007-07-30 2008-11-10 미래산업 주식회사 핸들러 및 그를 이용한 반도체 소자 제조방법
JP2009283871A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Fujitsu Ltd リワークソルダリング方法及びその装置
JP5091296B2 (ja) * 2010-10-18 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 接合装置
JP5129848B2 (ja) * 2010-10-18 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233934A (ja) 1998-02-06 1999-08-27 Shinko Seiki Co Ltd 半田付け装置
JP2001244618A (ja) 1999-12-20 2001-09-07 Fujitsu Ltd 加熱溶融処理装置
WO2007137547A1 (de) * 2006-05-29 2007-12-06 Pink Gmbh Vakuumtechnik Verfahren und vorrichtung zur temperaturbehandlung, insbesondere lotverbindung
JP2008034746A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP2008041980A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Seiki Co Ltd はんだ付け方法およびはんだ付け装置
JP2009164435A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2009164523A (ja) * 2008-01-10 2009-07-23 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2471622A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103100771A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 梁刚 环保型全自动旧电路板焊锡快速回收机
JP2014143304A (ja) * 2013-01-24 2014-08-07 Origin Electric Co Ltd 加熱接合装置及び加熱接合製品の製造方法
EP3053637B1 (en) * 2013-09-30 2019-10-23 Origin Company, Limited Soldering apparatus with a formic acid decomposition apparatus and formic acid decomposition method
US10766085B2 (en) * 2017-03-30 2020-09-08 Origin Company, Limited Work processing apparatus and method for manufacturing a processed work

Also Published As

Publication number Publication date
US9101995B2 (en) 2015-08-11
JP2011067864A (ja) 2011-04-07
CN102481650B (zh) 2015-07-08
TW201110295A (en) 2011-03-16
US8864011B2 (en) 2014-10-21
KR101707577B1 (ko) 2017-02-16
US20120153010A1 (en) 2012-06-21
KR20120062729A (ko) 2012-06-14
EP2471622A4 (en) 2016-04-06
EP2471622A1 (en) 2012-07-04
TWI492347B (zh) 2015-07-11
CN102481650A (zh) 2012-05-30
US20150001282A1 (en) 2015-01-01
JP5424201B2 (ja) 2014-02-26
EP2471622B1 (en) 2020-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011024813A1 (ja) 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法
JP3404021B2 (ja) はんだ接合装置
US8434658B2 (en) Joining method and reflow apparatus
KR101505944B1 (ko) 연속 선형 열 처리장치 배열
JP2008182120A (ja) 半田付け方法、半田付け装置、及び半導体装置の製造方法
WO2007088695A1 (ja) 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法
CN110678288B (zh) 用于产生焊接连接部的方法
JP2016111078A (ja) 半導体装置の製造方法
KR101096601B1 (ko) 기판 처리 장치
US20230191518A1 (en) System for connecting electronic assemblies
JPH09314322A (ja) はんだ付装置及びこれを使用するはんだ付方法
JP2012028589A (ja) 加熱溶融処理方法および加熱溶融処理装置
JP2014157858A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010161207A (ja) 半田付け方法および半田付け装置
TW202105673A (zh) 電子零部件的燒結裝置
CN114901414A (zh) 氧化物已去除部件的制造方法以及氧化物去除装置
JP2007053245A (ja) はんだ付け方法及びはんだ付け装置
CN116532743A (zh) 一种基片热处理装置和方法
JP2004119664A (ja) 接合方法および装置
WO2018037610A1 (ja) 変温処理装置および変温処理方法
JPH04220169A (ja) 高純度雰囲気接合方法及び装置
JPH10202362A (ja) はんだ付方法及びはんだ付装置
JP2013173157A (ja) ハンダ実装装置及びハンダ実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080038060.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10811863

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127004832

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13392303

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010811863

Country of ref document: EP