KR20120062729A - 가열 용융 처리 장치 및 가열 용융 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
처리 대상물을 직접적으로 냉각할 수 있고, 별도의 냉각판을 설치할 필요가 없는 가열 용융 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 가열 용융 처리 장치는, 땜납을 포함하는 처리 대상물(100)에 대해 카르본산 증기를 포함하는 분위기 중에서 가열 용융 처리하는 가열 용융 처리 장치(1)로서, 가열 용융 처리한 처리 대상물(100)을 올려놓고 반송하기 위한 핸드부(4)를 냉각판으로서 겸용한다.
Description
본 발명은 땜납을 포함하는 처리 대상물을 가열 용융 처리하기 위한 가열 용융 처리 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
납땜 처리 장치나 땜납 볼의 성형 장치 등과 같이, 땜납을 포함하는 처리 대상물을 가열 용융 처리하기 위한 가열 용융 처리 장치가 널리 이용되고 있다. 특히, 플럭스를 이용하지 않고 납땜 처리나 땜납 볼 성형 처리를 가능하게 하기 위해 포름산 그 밖의 카르본산을 이용하는 가열 용융 처리 장치가 알려져 있다(특허문헌 1, 2).
이들 가열 용융 처리 장치에서는, 땜납이 용융되고 나서 냉각될 때까지의 시간을 단축하는 것이 작업 속도의 향상의 견지에서 요구된다. 이 점에서 특허문헌 1에 기재된 장치에서는, 가열 수단을 구비하고 있는 열판의 하방에 냉각판을 승강 가능하게 설치하고, 냉각시에는 냉각판을 열판의 하면에 밀착시킴으로써 납땜 기판을 강제 냉각한다.
그러나, 상기 종래의 가열 용융 처리 장치에서는, 납땜 기판 등 처리 대상물 자체에 냉각판을 밀착시키는 것이 아니라, 가열 수단이 설치된 열판에 냉각판을 밀착시키는 것에 불과하다.
따라서, 이 종래기술의 가열 용융 처리 장치는, 열판을 개재하여 간접적으로 처리 대상물을 냉각할 수 있는 것에 불과하고, 처리 대상물 자체를 직접적으로 냉각할 수 없다는 문제가 있다. 또, 처리 대상물을 챔버 내로 출입시키기 위한 반송 수단 이외에 별도의 냉각판을 이동 가능하게 설치할 필요가 있다는 문제가 있다.
그래서, 본 발명은 처리 대상물을 직접적으로 냉각할 수 있고, 별도의 냉각판을 설치할 필요가 없는 가열 용융 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 가열 용융 처리 장치는, 땜납을 포함하는 처리 대상물에 대해 카르본산 증기를 포함하는 분위기 중에서 가열 용융 처리하는 가열 용융 처리 장치로서, 상기 가열 용융 처리한 처리 대상물을 올려놓고 반송하기 위한 핸드부를 냉각판으로서 겸용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 가열 용융 처리 방법은, 땜납을 포함하는 처리 대상물에 대해 카르본산 증기를 포함하는 분위기 중에서 가열 용융 처리하는 단계; 상기 가열 용융 처리한 처리 대상물을 냉각판으로서 겸용되는 핸드부에 올려놓고 반송하는 단계;를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 가열 수단을 구비한 열판을 개재하여 처리 대상물을 간접적으로 냉각하는 경우에 비해 급속 냉각이 가능하게 되고, 작업 속도를 높여 생산성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태의 납땜 처리 장치를 도시하는 개략 단면도이다.
도 2는 도 1의 납땜 처리 장치의 핸드부를 도시하는 평면도(A)와 A-A단면도(B)이다.
도 3은 도 1의 납땜 처리 장치에 의한 납땜 처리의 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 도 3에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 5는 도 4에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 6은 도 5에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 7은 도 6에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 8은 도 7에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 9는 도 8에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은 도 1의 납땜 처리 장치에 의한 승강온(昇降溫) 특성을 나타내는 도면이다.
도 11은 비교예의 납땜 처리 장치에 의한 승강온 특성을 나타내는 도면이다.
도 12는 도 10 및 도 11의 승강온 특성의 온도 분포 측정 위치를 나타내는 도면이다.
도 13은 도 10 및 도 11의 승강온 특성의 측정시의 프로세스 조건을 나타내는 도면이다.
도 14는 가열 상태를 유지한 채로 처리 대상물을 받아건네는 경우에서의 도 1의 납땜 처리 장치에 의한 승강온 특성을 나타내는 도면이다.
도 15는 제2 실시형태의 납땜 처리 장치의 내부를 상방에서 본 개략 단면도이다.
도 16은 본 발명의 변형예에서의 승온 특성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 납땜 처리 장치의 핸드부를 도시하는 평면도(A)와 A-A단면도(B)이다.
도 3은 도 1의 납땜 처리 장치에 의한 납땜 처리의 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 도 3에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 5는 도 4에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 6은 도 5에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 7은 도 6에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 8은 도 7에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 9는 도 8에 후속하는 공정을 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은 도 1의 납땜 처리 장치에 의한 승강온(昇降溫) 특성을 나타내는 도면이다.
도 11은 비교예의 납땜 처리 장치에 의한 승강온 특성을 나타내는 도면이다.
도 12는 도 10 및 도 11의 승강온 특성의 온도 분포 측정 위치를 나타내는 도면이다.
도 13은 도 10 및 도 11의 승강온 특성의 측정시의 프로세스 조건을 나타내는 도면이다.
도 14는 가열 상태를 유지한 채로 처리 대상물을 받아건네는 경우에서의 도 1의 납땜 처리 장치에 의한 승강온 특성을 나타내는 도면이다.
도 15는 제2 실시형태의 납땜 처리 장치의 내부를 상방에서 본 개략 단면도이다.
도 16은 본 발명의 변형예에서의 승온 특성의 일례를 나타내는 도면이다.
<제1 실시형태>
이하, 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 제1 실시형태를 설명한다. 또, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 도면의 치수 비율은 설명의 형편상 과장되어 있고, 실제 비율과는 다른 경우가 있다.
도 1은 본 발명의 가열 용융 처리 장치를 납땜 처리 장치로서 적용한 경우의 제1 실시형태를 나타내고 있다. 납땜 처리 장치(1)는 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3)를 가지며, 이들 사이에서 처리 대상물로서의 납땜 기판을 올려놓고 반송하는 핸드부(4)를 냉각판으로서도 겸용하는 것이다.
여기서, 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3)는 개폐 가능한 게이트 밸브(5)를 개재하여 연결되어 있다. 게이트 밸브(5)를 닫음으로써, 게이트 밸브(5)의 일부를 이루는 판형상의 차폐 부재에 의해 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3)를 격리할 수 있다. 또한, 게이트 밸브(5)를 개방함으로써, 제1 챔버(2) 및 제2 챔버의 외부로부터의 밀봉성을 유지한 채로 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3)를 서로 통하게 할 수 있다. 여기서, 예를 들면 게이트 밸브(5)의 일부를 이루는 차폐 부재를 시일재(seal member; 55)를 통과하여 제1 챔버(2) 또는 제2 챔버(3)의 내외로 슬라이드시킴으로써, 게이트 밸브(5)의 상기 기능을 실현할 수 있다. 시일재로서는, 예를 들면 O링을 이용하여 구성할 수 있다. 제1 챔버(2)는 땜납을 포함하는 처리 대상물인 납땜 기판(100)을 납땜하기 위한 처리실을 이루고, 제2 챔버(3)는 납땜 기판(100)을 투입하기 위한 로드락실을 이룬다. 또, 납땜 기판(100)은 표면에 복수의 땜납 범프가 형성되어 있는 칩을 적어도 포함하는 한 쌍의 칩이어도 되고, 이 경우, 상기 납땜 처리로서 상기 한 쌍의 칩을 상기 땜납 범프끼리 또는 상기 땜납 범프와 전극을 개재하여 적층하여 접합하는 플립 칩 본딩 처리가 실행된다. 즉, 플립 칩 본딩 처리를 채용하는 경우는, 제1칩과 제2칩 쌍방의 표면에 땜납 범프가 형성되고, 이들 땜납 범프끼리를 개재하여 제1칩과 제2칩이 납땜 접합되어도 되고, 제1칩의 표면에 땜납 범프가 형성되는 반면, 제2칩의 표면에 전극부가 형성되고, 제1칩의 땜납 범프와 제2칩의 전극부를 개재하여 제1칩과 제2칩이 납땜 접합되어도 된다.
이상의 설명에서는 제1칩과 제2칩 쌍방을 납땜 접합하는 경우에 대해 서술하였지만, 그 이외에 표면에 복수의 땜납 범프가 형성되어 있는 칩과 웨이퍼 서로를 납땜 접합하는 것 또는 표면에 복수의 땜납 범프가 형성되어 있는 복수의 웨이퍼끼리를 서로 납땜 접합하는 것도 생각할 수 있다.
<급배기계에 대해서>
우선, 제1 챔버(2) 및 제2 챔버(3)에 접속되는 급배기계에 대해 설명한다. 제1 챔버(2) 및 제2 챔버(3)에는, 각각 밸브(6, 7)를 개재하여 배기 펌프(진공 펌프)(8)가 접속되어 있다. 이 배기 펌프(8)는 제1 챔버 내 및 제2 챔버 내를 감압하기 위한 배기 수단이다. 본 실시형태에서는 제1 챔버(2) 및 제2 챔버(3)용 배기 수단으로서 하나의 배기 펌프(8)가 설치되어 있는데, 본 실시형태와 달리 각각의 챔버(2, 3)에 별개 독립한 배기 펌프를 설치해도 된다.
또한, 제1 챔버(2)에는, 플럭스 없이 납땜을 가능하게 하기 위해 카르본산 증기의 공급계(카르본산 공급 수단)(9)가 밸브(10)를 개재하여 접속된다. 카르본산으로서는 포름산, 초산, 프로피온산, 부티릭산, 발레릭산, 카프론산, 에난트산, 카프릴산, 펠라르곤산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 아크릴산, 사리틸산, 젖산 등을 이용할 수 있다.
카르본산 증기의 공급계(9)는, 수소, 일산화탄소와 같은 환원성 가스 또는 질소와 같은 불활성 가스 등의 캐리어 가스를 카르본산 증기에 혼합하여 제1 챔버(2) 내에 도입한다. 카르본산 증기의 공급계(9)는 카르본산의 액체를 수용한 밀폐 용기(11)를 가지며, 그 밀폐 용기(11)에는 밸브(12)를 개재하여 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급관(13)이 접속되어 있다. 캐리어 가스 공급관(13)은, 용기(11) 내에서 기포를 발생(버블링)시키기 위한 버블링부(14)에 접속된다. 또, 용기(11)의 주변에는 카르본산의 액체를 따뜻하게 하기 위한 히터를 설치해도 된다. 히터는 카르본산의 액체를 일정한 온도로 유지한다. 이와 같이 캐리어 가스를 병용함으로써, 제1 챔버(2) 내로의 카르본산 증기의 도입이 용이하게 되고, 또한 충분히 기화되지 않은 상태의 카르본산이 처리 대상물 상에 부착되어 잔사를 발생시키는 것을 방지할 수 있다.
또, 본 실시형태와 달리 캐리어 가스를 이용하지 않고 카르본산의 액체를 수용한 밀폐 용기(11)를 제1 챔버(2)에 연통시킴으로써 그 증기를 제1 챔버(2) 내에 도입하도록 해도 된다. 또한, 카르본산의 액체를 수용한 밀폐 용기(11)를 제1 챔버(2)에 연통시키는 도중에 캐리어 가스를 혼합하도록 해도 된다. 이들의 경우, 그 증발량은 제1 챔버(2) 내의 가스 압력에 의존한다.
또한, 제1 챔버(2) 내에 카르본산을 가열하여 기화시키는 카르본산 가열 수단(도시생략)을 설치해 두고, 카르본산의 액체를 공급관(도시생략)을 개재하여 상기 제1 챔버 내의 카르본산 가열 수단에 공급할 수도 있다. 이 경우, 제1 챔버(2) 내에서 카르본산 가열 수단이 액체의 카르본산을 가열하여 기화시킴으로써 카르본산 증기 분위기가 제공되게 된다.
다음에, 카르본산 회수부에 대해 설명한다. 본 실시형태의 납땜 처리 장치(1)는, 배기 펌프(8)의 흡기 또는 배기측에 설치되거나 장착되어, 기화된 카르본산을 회수하는 카르본산 회수부(회수 기구)(15)를 가진다. 카르본산 회수부(15)는 배기 펌프(8)의 흡기측 또는 배기측에 장착되는 필터이어도 되고, 배기측에 장착되는 스크러버이어도 된다. 필터로서는, Ca(OH)2 등의 혼합물을 이용한 알칼리 고형물에 의한 중화 방식의 필터나 카르본산을 열분해하는 열분해 방식의 필터를 채용할 수 있다. 또한, 카르본산을 포착하는 분자체(molecular sieve)를 이용한 흡착 방식의 필터 또는 촉매 분해 반응을 이용한 촉매 반응 방식 등 기타 방식의 필터를 채용할 수도 있다. 한편, 스크러버로서는, 카르본산을 액체 처리에 의해 중화하는 방식의 스크러버 또는 기화된 카르본산을 용액에 녹여 회수하는 방식의 스크러버를 채용할 수 있다. 기화된 카르본산을 용액에 녹여 회수하는 방식의 스크러버는, 배기 펌프의 배기측에 연결된 제1 배기관을 액조 내의 용액에 삽입함과 동시에 액조의 상부에 제2 배기관을 접속하는 구성을 가진다.
또, 제1 챔버(2)에는 내부를 질소 분위기로 치환(퍼지)하기 위한 질소 공급관(16)이 밸브(17)를 개재하여 접속되어 있고, 제2 챔버(3)에는 마찬가지로 질소 공급관(18)이 밸브(19)를 개재하여 접속되어 있다.
<가열 수단에 대해서>
다음에, 제1 챔버(2) 내에 설치되는 가열 수단에 대해 설명한다.
제1 챔버(2) 내에는 가열 수단으로서의 열판(20)이 설치되어 있다. 열판(20)의 상면에는 납땜 기판(100)이 놓여 가열된다. 그러나, 납땜 기판(100)의 개수가 많은 경우는 금속, 세라믹 기타 재료로 형성된 트레이판(110)을 개재하여 납땜 기판(100)을 열판(20) 상에 배치할 수도 있다. 도 1에서는, 트레이판(110)을 개재하여 납땜 기판(100)이 배치되는 경우를 예시한다. 따라서, 이하의 설명에서는 설명의 편의상 납땜 기판(100)뿐만 아니라 트레이판(110)을 처리 대상물이라고 칭하는 경우가 있다.
또, 열판(20)으로서는 히터가 부설된 금속, 세라믹스 기타 재료로 구성할 수 있고, 히터로서는 시즈히터(Sheath Heater)와 같은 전기저항 발열체를 채용할 수 있다. 그러나, 보다 적합하게는 내식성을 향상시키는 견지에서 열판(20)을 카본 판상체로 형성하고, 이 카본 판상체(20) 자체에 통전함으로써 열판(20) 자체를 발열시켜 처리 대상물을 가열하는 것이 바람직하다.
<반송부 등에 대해서>
다음에, 본 실시형태의 납땜 처리 장치에서의 반송부에 대해 설명한다.
제2 챔버(3)에는 처리 대상물을 출입시키기 위한 덮개(21)가 설치되어 있다. 그리고, 납땜 처리 장치(1)는 투입된 처리 대상물을 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3) 사이에서 반송하는 반송부(반송 수단)(22)를 구비한다.
반송부(22)는 핸드부(4)와, 핸드부(4)를 진퇴가 자유롭게 이동시키기 위한 이동 기구(이동 수단)(23)를 가진다. 여기서, 본 출원에 있어서, 「핸드부」란 처리 대상물을 반송할 때에 이 처리 대상물을 올려놓는 부분을 의미한다. 본 실시형태에서는, 핸드부(4)는 판상체를 하고 있다. 그러나, 이 경우에 한정되는 것은 아니고, 여러 가지의 형상의 핸드부(4)를 채용할 수 있다. 또한, 냉각 효율을 높이는 견지에서는, 핸드부(4)의 상면은 기판(100) 혹은 트레이판(110) 등의 하면에 밀착할 수 있도록 평탄하게 형성되는 것이 바람직하다. 핸드부(4)는 금속, 세라믹 기타 재료로 형성할 수 있다.
도 2는 핸드부의 일례를 나타낸다. 핸드부(4)는 냉각용 매체가 내부를 유통하는 유통로(24)를 가진다. 도 2에 도시된 예에서는, 핸드부(4)의 내부에 유통로를 설치해도 된다. 예를 들면, 핸드부는 유통로를 이루는 홈이 형성된 핸드부 본체와, 핸드부 본체에 접합되는 덮개부를 가지며, 핸드부 본체에 덮개부를 접합함으로써 유통로가 완성되도록 해도 된다. 유통로(24)는, 핸드부(4)의 넓은 범위를 냉각하기 위해 면 내에서 사행(蛇行)하도록 설치되는 것이 바람직하다. 또, 본 실시형태와 달리 기판(100)이나 트레이판(100)을 올려놓는 면과 반대쪽 면인 하면측에 유통로(24)를 외부 부착해도 된다. 유통로(24) 안을 흐르는 냉각용 매체는 액체이어도 되고 기체이어도 된다. 그러나, 냉각 효율의 관점에서는 액체인 것이 바람직하고, 특히 취급 편의의 견지에서는 물이 바람직하다. 유통로(24)의 유입구(25) 및 유출구(26)는, 바람직하게는 가요성을 갖는 관(도시생략)을 개재하여 제2 챔버의 외부로 연장되어 외부의 냉매 순환 장치(도시생략)에 접속된다.
이러한 핸드부(4)는 이동 기구(23)에 장착되어 있다. 이동 기구(23)는 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3) 사이에서 상기 핸드부(4)를 진퇴가 자유롭게 이동시키는 것이다. 도 1에서는, 이동 기구(23)는 레일(27(27a, 27b, 27c))과 그 레일(27) 상을 모터 동력으로 이동하는 이동 스테이지(28)를 가진다. 레일(27)은 제1 챔버(2) 내에 위치하는 제1 레일부(27a), 제2 챔버(3) 내에 위치하는 제2 레일부(27b), 그들 사이에 있는 제3 레일부(27c)를 가진다. 또, 제3 레일부(27c)는 게이트 밸브(5)의 상부에 장착되어 있고, 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3) 사이의 게이트 밸브(5)의 개폐 동작에 연동하여 이동하고, 게이트 밸브(5)가 개방된 상태에서 제1 레일부(27a)와 제2 레일부(27b)를 연결하여 전체의 레일(27)을 완성시킨다.
또, 본 실시형태에서는 레일(27)과 이동 스테이지(28)를 이동 기구(23)로서 이용하였지만, 이동 기구는 이 경우에 한정되지 않고, 핸드부(4)를 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3) 사이에서 이동 가능한 것인 한 1축 또는 다축의 로봇 아암 등 그 밖의 각종 기구이어도 된다.
다음에, 제1 챔버(2) 내에서 핸드부(4)와의 사이에서 처리 대상물을 받아건네기 위해 처리 대상물을 승강시키는 승강 기구에 대해 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 승강 기구(29, 29)는 기판(100)이나 트레이판(110)을 지지하면서 승강 동작을 하기 위한 기구이다. 승강 기구(29, 29)는, 기판(100)이나 기판(100)이 놓인 트레이판(110) 등 처리 대상물을 열판(20)(가열 수단)의 상면에 놓인 상태로부터 이격시키도록 상승 이동시킬 수 있다. 또한, 반대로 열판(20)으로부터 이격한 상태에서 처리 대상물을 수취한 후, 열판(20)의 상면에 처리 대상물을 올려놓은 상태가 될 때까지 처리 대상물을 하강 이동시킬 수 있다.
본 실시형태에서는 막대형상의 승강 막대를 승강 기구(29, 29)로서 이용하는 경우를 설명하였지만, 이 경우에 한정되지 않는다. 처리 대상물 등을 지지하면서 상하방향으로 승강 동작하는 것이 가능한 한 승강 기구로서 채용할 수 있다.
다음에, 이상과 같이 구성되는 본 실시형태의 납땜 처리 장치(1)의 동작에 대해 설명한다.
우선, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 챔버(3)의 덮개(21)가 열리고 처리 대상물인 기판(100)이 제2 챔버(3) 내에 투입된다. 본 실시형태에서는, 복수의 기판(100)이 트레이판(110)에 놓인 상태로 투입된다. 투입된 트레이판(110)은 핸드부(4)의 상면에 놓인다.
다음에, 도 4에 도시된 바와 같이 덮개(21)가 닫힌다. 밸브(6, 7)가 열려 배기 펌프(8)가 구동되고, 제1 챔버(2) 및 제2 챔버(3) 안이 진공 배기된다. 진공도는 적절히 결정할 수 있지만, 예를 들면 10000Pa(≒80Torr)보다도 고진공으로 하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 10Pa(≒8×10-2Torr)보다도 고진공으로 하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는 진공도를 6.6Pa(5×10-2Torr)로 하고 있다.
다음에, 도 5에 도시된 바와 같이 게이트 밸브(5)를 연다. 그리고, 반송부(22)가 제2 챔버(3)에서 제1 챔버(2)로 트레이판(110)을 반송한다. 구체적으로는 게이트 밸브(5)가 열리는 것에 연동하여 제1 레일부(27a), 제2 레일부(27b), 제3 레일부(27c)가 이어진 상태가 되어 레일(27)이 완성된다. 그리고, 이동 스테이지(28)의 모터 동력이 온되어 레일(27)을 따라 핸드부(4)를 제1 챔버(2) 내로 이동시킨다. 이동 스테이지(28)는 핸드부(4)가 열판(20)의 상방에 위치할 때까지 이동을 계속한다. 예를 들면, 이동 스테이지(28)는 열판(20)과 접촉하지 않도록 열판(20)을 걸치는 것과 같은 형상을 하고 있다.
다음에, 도 6에 도시된 바와 같이, 승강 기구(29, 29)가 상승하여 핸드부(4) 상의 트레이판(110)을 수취한다. 트레이판(110)을 승강 기구(29, 29)에 받아건넨 후, 이동 스테이지(28)는 핸드부(4)를 제2 챔버(3) 내로 되돌린다.
다음에, 도 7에 도시된 바와 같이, 승강 기구(29, 29)가 강하하여 트레이판(110)을 열판(20) 상에 올려놓는다. 이와 동시에, 게이트 밸브(5)가 닫혀 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3) 사이가 폐쇄된 상태가 된다.
이 상태에서, 카르본산 증기의 공급계(9)는 수소, 일산화탄소와 같은 환원성 가스 또는 질소와 같은 불활성 가스 등의 캐리어 가스를 카르본산 증기에 혼합하여 제1 챔버(2) 내에 도입한다. 구체적으로는 밸브(12)를 열어 캐리어 가스를 밀폐 용기(9) 내에 도입하여 버블링하고, 밸브(10)를 조정하면서 열어 캐리어 가스와 함께 카르본산 증기를 제1 챔버(2) 내에 도입한다. 본 실시형태에서는, 카르본산으로서 포름산을 이용하고 있다.
제1 챔버(2) 내의 압력은 카르본산 증기 및 캐리어 가스의 도입에 따라, 예를 들면 소정의 압력까지 도입한다. 구체적으로, 카르본산 증기 및 캐리어 가스의 압력은 처리 대상물의 표면의 산화 정도를 고려하여 수Pa~1×105Pa까지의 넓은 범위 중에서 선택된다. 카르본산 증기 및 캐리어 가스의 압력은 밸브(10) 및 밸브(6)의 개방도 등을 조정함으로써 설정할 수 있다. 또, 배기 펌프(8)(배기 수단)에 의해 배기된 카르본산 증기는, 배기 수단의 흡기 또는 배기측에 설치되거나 장착되어, 기화된 카르본산을 회수하는 카르본산 회수부(회수 기구)(15)에 의해 회수되어 무해화된다.
이러한 카르본산 증기 및 캐리어 가스의 도입에 병행하여 열판(4)에 의해 기판(100)의 가열이 이루어진다. 열판(20)을 카본 판상체로 형성한 경우에는, 이 카본 판상체(20) 자체에 통전함으로써 열판(20) 자체를 발열시키는 것이 가능하다. 카본 판상체(200) 자체를 발열시키는 구성에 의하면, 카르본산에 침식당하기 어렵게 할 수 있어 내식성을 향상시킬 수 있다. 열판(4)은 기판(100)의 땜납의 융점 이상의 온도가 될 때까지 기판(100)을 가열한다. 예를 들면, 땜납이 Sn-3.5Ag(융점 221℃)인 경우에는 납땜에 적합한 230℃~250℃정도까지 가열한다. Pb-5Sn(융점 314℃)인 경우에는 납땜에 적합한 330℃~360℃정도까지 가열한다. 또, 보이드를 방지하는 관점에서는, 카르본산 증기는 기판(100)의 온도가 융점에 도달하기 전에는 적어도 도입하는 것이 바람직하다.
예를 들어 소정 시간(예를 들면, 5분~10분 정도)이 경과하면, 열판(20)에의 통전을 정지한다. 그리고, 밸브(10, 12)를 닫아 카르본산 증기의 공급을 정지한다. 다음에, 밸브(15)를 닫아 배기 펌프(8)의 운전을 정지하고, 밸브(17, 19)를 열어 질소 가스를 도입하여 제1 챔버(1, 2)의 내부를 질소 가스로 치환한다.
다음에, 도 8에 도시된 바와 같이 게이트 밸브(5)를 연다. 이에 따라 레일(27)이 완성된다. 그리고, 제1 챔버(2) 내에서는 승강 기구(29, 29)가 상승한다. 승강 기구(29, 29)는 열판(20) 상의 트레이판(110)을 지지하면서 트레이판(110)을 열판(20)으로부터 이격시킨다. 이에 연동하여, 이동 스테이지(28)가 제2 챔버(3) 내에서 제1 챔버(2) 내로 레일(27) 상을 주행한다. 그리고, 승강 기구(29, 29)에 의해 트레이판(110)(혹은 기판(100)이 복수가 아니라면, 기판(100) 자신이어도 됨)이 열판(20)의 상면으로부터 이격된 상태에서, 이동 스테이지(이동 수단)(28)는 핸드부(4)를 트레이판(110)과 열판(20) 사이에 삽입한다. 이 때, 핸드부(4)는 열판(20) 자신에게는 접촉하지 않는다.
다음에, 승강 기구(29, 29)가 하강하고, 트레이판(110)을 핸드부(4) 상에 받아건넨다. 핸드부(4)는 유통로(24)가 설치되어 있고, 그 유통로(24)의 내부를 물 그 밖의 냉각용 매체가 순환하고 있다. 따라서, 핸드부(4) 상에 트레이판(110)(혹은 기판(100))이 놓인 시점에서 이미 기판(100)의 냉각이 개시된다. 게다가, 핸드부(4)는 열판(20)을 개재하여 기판(100)을 간접적으로 냉각하는 것이 아니라, 기판(100) 자체 혹은 트레이판(110)을 직접 냉각하므로 급속하게 냉각할 수 있다.
다음에, 도 9에 도시된 바와 같이, 반송부(22)는 제1 챔버(2)에서 제2 챔버(3)로 트레이판(110)을 반송한다. 즉, 제1 챔버(2)와 제2 챔버(3) 사이에서 처리 대상물을 반송할 때에 처리 대상물을 올려놓는 핸드부(4)가 냉각판으로서도 겸용되므로, 처리 대상물을 반송하면서 그 반송 시간도 강제 냉각을 계속할 수 있다. 제2 챔버(3) 내에 트레이판(110)이 되돌아오면, 게이트 밸브(5)가 닫힌다. 그리고, 덮개(21)를 열어 납땜을 마친 기판(100)을 트레이판(110)마다 취출한다. 그리고, 다음에 처리할 기판(100)이 있으면, 도 4의 상태로 되돌아가서 기판(100)을 올려놓은 트레이판(110)을 핸드부(4) 상에 투입하고 납땜 조작을 반복한다.
이상과 같은 처리를 하는 납땜 처리 장치를 이용한 효과에 대해 설명한다. 도 10은 본 실시형태의 납땜 처리 장치(1)를 이용한 경우의 승강온 특성이고, 도 11은 비교예로서 히터를 구비하는 열판에 냉각판을 밀착시키는 종래 타입의 납땜 처리 장치를 이용한 경우의 승강온 특성이다. 또, 측정은 도 12에 도시된 바와 같이, 카본 판상체의 열판(카본 히터) 상에 300×300mm로 두께 5mm의 카본의 트레이판(110)을 올려놓고, 트레이판(110)의 점 1~점 11의 각 점에서 온도를 측정하였다. 또한, 프로세스 조건으로서는, 본 실시형태의 납땜 처리 장치의 경우도 비교예의 납땜 처리 장치의 경우도 도 13에 도시된 바와 같은 동일한 조건을 채용하였다.
도 11에 도시된 바와 같이, 종래 타입의 납땜 처리 장치에서는, 트레이판(110) 상의 온도가 250℃에서 50℃가 될 때까지 16분 정도의 시간이 필요한 것에 대해, 본 실시형태의 납땜 처리 장치에서는, 트레이판(110) 상의 온도가 250℃에서 50℃가 될 때까지 3분 정도의 시간으로 충분하였다. 또한, 카본 판상체를 채용하여 카본 판상체에의 통전에 의해 카본 판상체 자체를 발열시킬 수 있으므로, 측정점 1~11의 각 온도 분포가 균일하였다.
이와 같이, 본 실시형태의 납땜 처리 장치에 의하면, 처리 대상물을 급속 냉각할 때에 가열 수단을 구비한 열판을 개재하여 처리 대상물을 간접적으로 냉각할 필요가 없으므로, 급속 냉각이 더 가능하게 된다. 즉, 강온시간을 단축함으로써 작업 속도를 높여 생성성을 높일 수 있는 것을 알 수 있다.
또, 상술한 조건에서는 실온에서 승온을 개시하는 경우를 설명하였지만, 본 실시형태의 납땜 처리 장치에 의하면, 냉각판으로서 기능하는 핸드부(4)가 열판(20)에 접촉하지 않아 열판(20)을 냉각할 필요가 없다. 따라서, 열판(20) 자체의 온도를 소정 온도 이상, 예를 들면 70℃~300℃정도로 유지한 채로 다음 처리 대상물의 처리를 행할 수 있다. 따라서, 필요에 따라 승온 시간에 대해서도 단축할 수도 있다. 즉, 상술한 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같은 종래의 방법에 의하면, 처리 대상물을 냉각하기 위해 열판을 냉각할 필요가 있다. 즉, 처리 대상물에서의 땜납의 산화를 방지하거나 작업자의 화상 등을 방지하거나 하는 견지에서 처리 대상물을 냉각할 필요가 있는데, 종래의 방법에 의하면 열판까지도 냉각할 필요가 있다. 이 결과, 종래의 방법에 의하면, 열판을 상온(JIS규격에 의하면, 20±15℃) 근처까지 하강시킬 필요가 있었지만, 본 실시형태의 납땜 처리 장치에 의하면, 열판(20)을 상온 근처까지 하강시킬 필요가 없다. 따라서, 예를 들면 가열 수단으로서 기능하는 열판(20)의 온도를 미리 70℃이상의 온도 범위로 올려 둠으로써 승온 시간을 단축할 수 있다.
도 14는, 열판(20) 자체를 270℃정도의 온도로 유지한 채로 냉각판으로서 기능하는 핸드부(4)에 의해 처리 대상물을 받아건네는 경우에서의 승강온 특성을 나타내고 있다. 도 14의 종축은 온도(℃)를 나타내고, 횡축은 경과시간(분)을 나타내고 있다. 또, 도 14에서, 점선은 열판(20)의 온도를 나타내고, 각 실선은 도 12에 도시된 트레이판(처리 대상물)의 점 1~점 12의 각 점에서의 온도를 나타낸다. 도 14에서는, 목표 온도는 납땜에 적합한 230℃~250℃로 설정하는 것이 바람직하고, 본 실시예에서는 250℃로 설정하고 있다. 도 14에 도시된 예에서는, 처리 대상물이 놓여 있지 않은 경우에도 열판(20)은 통전을 유지하여 가열 상태를 유지한다. 그리고, 열판(20) 자체를 목표 온도보다도 높은 설정 온도인 270℃정도로 유지한 채로 트레이판(처리 대상물)이 놓인다. 이 트레이판을 올려놓은 순간은 트레이판에 열이 빼앗기므로, 열판(20)의 온도는 일단 230℃정도까지 저하된다. 그러나, 그 후의 온도 제어에 의해 다시 설정 온도로 복귀한다.
도 14에 도시된 바와 같이, 열판(20) 자체의 온도를 목표 온도 부근(바람직하게는 목표 온도보다 높은 온도 영역)에 유지한 채로 처리 대상물을 받아건넴으로써, 비대칭물의 처리 온도를 실온 부근에서 목표 온도(250℃)까지 승온하는 데에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다. 도 14에 도시된 경우에는, 실온에서 목표 온도(250℃)까지 승온하는 데에 필요로 하는 시간은 1분 정도로 억제되고 있다. 또, 도 11과 같이 열판(20) 자체의 온도를 승강시키는 제어를 하는 경우에는 실온 부근에서 목표 온도까지 승온하는 데에 5분 정도 걸리는 것과 비교하면, 도 14에 도시된 바와 같이, 열판(20) 자체의 온도를 목표 온도 부근(바람직하게는 목표 온도보다 높은 온도)에 유지한 채로 처리 대상물을 받아건넴으로써 대폭적인 처리시간의 단축이 가능한 것을 알 수 있다.
또한, 도 14에 도시된 바와 같이, 열판(20) 자체의 온도를 목표 온도 부근(바람직하게는 목표 온도보다 높은 온도)에 유지한 채로 처리 대상물을 받아건네는 경우에는, 도 11에 도시된 바와 같이 열판(20) 자체의 온도가 승강하는 경우와 비교하여 열판(20)의 온도가 오버슈트하는 일이 없다. 따라서, 제어도 용이해진다.
이상, 도 14에 도시된 바와 같이, 본 실시형태의 납땜 처리 장치는 처리 대상물을 급속 냉각할 때에 가열 수단을 구비한 열판을 개재하여 처리 대상물을 간접적으로 냉각할 필요가 없으므로, 급속 냉각이 더 가능하게 된다. 즉, 강온시간을 단축함으로써 작업 속도를 높여 생산성을 높일 수 있는 것을 알 수 있다.
이상과 같이 본 실시형태의 납땜 처리 장치는 이하의 효과를 얻는다.
(1) 처리 대상물을 급속 냉각할 때에 가열 수단을 구비한 열판을 개재하여 처리 대상물을 간접적으로 냉각하는 경우에 비해 강온시간을 단축할 수 있다.
(2) 열판(20) 자체의 온도를 높은 채로 유지하면서 다음 처리 대상물의 처리를 행할 수 있다. 따라서, 필요에 따라 승온시간에 대해서도 단축할 수도 있다.
(3) 반송 수단의 구성 부분인 핸드부(4)를 냉각판으로서 겸용할 수 있으므로, 반송 시간도 강제 냉각 기간으로서 이용할 수 있다. 또한, 반송계와 냉각계를 각각의 기계 구성으로서 설치할 필요가 없어진다.
(4) 열판(20)으로서 카본 판상체를 채용하여 카본 판상체에의 통전에 의해 카본 판상체 자체를 발열시킬 수 있으므로 내부식성을 향상시킬 수 있다.
<제2 실시형태>
상기 제1 실시형태에서는, 냉각용 액체가 내부를 유통하는 유통로를 가지는 핸드부(4)를 이용하는 경우를 설명하였다. 제2 실시형태에서는, 핸드부(4)는 냉각용 액체가 내부를 유통하는 유통로를 가지지 않는다.
도 15는, 제2 실시형태의 납땜 처리 장치의 내부를 상방에서 본 개략 평면도를 나타낸다. 또, 제1 실시형태와 같은 구성에 대해 설명을 생략한다. 본 실시형태의 납땜 장치의 핸드부(4)는 구리(398W·m-1·K-1) 등과 같이 열전도율이 큰 물질로 형성되는 것이 바람직하고, 열전도율이 100W·m-1·K-1 이상의 물질로 형성되는 것이 더 바람직하다. 그리고, 본 실시형태에서는, 핸드부(4) 자체는 냉각용 액체가 유통하는 유통로를 가지지 않는다.
도 15에 도시된 바와 같이, 제2 챔버(3) 내에는 핸드부(4)를 강제 냉각하는 냉각부(강제 냉각 수단)(30)를 가진다. 냉각부(30)는, 예를 들면 제1 실시형태에서의 핸드부와 같이 냉각용 액체가 유통하는 냉각로를 가지고 있어 항상 냉각되어 있어도 되고, 또한 공냉되어 있어도 되며, 펠티에 냉각 등 다른 수단에 의해 냉각되어 있어도 된다.
이동 기구(도 15에서는 레일부(27)만을 나타냄)는, 제1 챔버(2)(특히, 열판(20))와 제2 챔버(3) 사이에서 핸드부(4)를 진퇴가 자유롭게 이동시킬 뿐만 아니라 핸드부(4)를 냉각부(30) 상에 접촉시키도록 이동시킨다.
본 실시형태의 납땜 처리 장치는 이하와 같은 동작을 한다. 우선, 이동 기구는 핸드부(4)를 냉각부(30) 상으로 이동시켜 냉각부(30)에 접촉시킨다. 냉각부(30)에 접촉됨으로써 핸드부(4)는 강제 냉각된다. 그리고, 이동 기구는 핸드부(4)를 냉각부(30)로부터 이격시킨다. 그리고, 제2 챔버(3)에서 제1 챔버(2)로 이동하고, 다음에 제1 챔버(2)에서 기판(100)이나 기판(100)이 놓인 트레이판(110)을 수취하며, 핸드부(4)는 제1 챔버(2)에서 상기 제2 챔버(3)로 처리 대상물을 올려놓고 반송한다. 그리고, 가열 완료한 처리 대상물을 올려놓고 반송함으로써 온도가 높아져 버린 핸드부(4)는, 핸드부(4)를 냉각부(30) 상으로 이동되어 강제 냉각된다. 즉, 핸드부(4)는 가열된 처리 대상물을 제1 챔버(2)로부터 취출한 후, 가열된 처리 대상물을 제1 챔버(2)로부터 취출할 때까지의 동안에 적어도 1회는 냉각부(30)에 의해 강제 냉각된다. 또, 새로 투입된 처리 대상물을 가열 처리하기 위해 제2 챔버(3)에서 제1 챔버(2)로 반입하는 경우에도 핸드부(4)를 이용할 수는 있지만, 이와 같이 제2 챔버(3)에서 제1 챔버(2)로의 반입에는 냉각판으로서 겸용되는 핸드부(4)를 이용할 필요는 없으므로, 반입용 다른 핸드부를 준비해 두고, 냉각판으로서 겸용되는 핸드부(4)는 다른 핸드부에 의한 반입 처리 동안도, 다음 취출에 대비하여 냉각부(30)에 의해 강제 냉각을 계속할 수도 있다. 또, 처리 대상물의 수취와 반송은 도 8 및 도 9를 참조하면서 설명한 제1 실시형태의 경우와 마찬가지이므로, 상세한 설명을 생략한다.
이상과 같이, 본 실시형태의 납땜 처리 장치도 강제 냉각한 후의 핸드부(4)를 이용하여 처리 대상물을 반송하므로, 반송 시간도 강제 냉각 기간으로서 이용할 수 있다는 효과를 얻는다. 따라서, 상기 제1 실시형태의 경우와 마찬가지의 효과를 얻는다. 또한, 핸드부(4) 자체에는 냉각용 액체를 순환시킬 필요가 없고, 이동하는 부분에는 냉각용 액체의 관을 배치할 필요가 없다. 따라서, 설비의 유지보수가 용이하다.
<변형예>
제1 실시형태의 승온 과정에서는, (가)제1 챔버(2) 및 제2 챔버(3) 안을 진공 배기하고, (나)제1 챔버(2) 내에 캐리어 가스를 카르본산 증기에 혼합하여 제1 챔버(2) 내에 도입하면서, 캐리어 가스와 카르본산 증기의 분위기 중에서 기판을 가열하고 환원 처리를 하면서 땜납의 융해를 하였다. 또한, 제1 실시형태의 강온 과정에서는, (다)제1 챔버(2) 내로부터 카르본산 증기와 캐리어 가스의 혼합 가스를 배기하고 (라)제1 챔버(2) 및 제3 챔버(3) 안을 질소 가스로 치환한 후, 질소 가스 분위기 중에서 제1 챔버(2)로부터 제2 챔버(3)로 처리 대상물을 반출하였다. 또한, 도 13에 도시된 바와 같이, 승온 과정에서 온도가 항상 상승하는 경우를 예로 들어 설명하였다.
그러나, 본 발명은 이 경우에 한정되지 않는다. 열판은, 도 16에 도시된 바와 같이 처리 대상물을 땜납의 융점보다도 낮은 환원 처리 온도(바람직하게는 130℃이상, 특히 바람직하게는 150℃이상)로 수분 정도 동안 유지하도록 해도 된다. 이와 같이 환원 처리 온도로 유지함으로써, 충분히 땜납의 환원 처리를 할 수 있다. 이와 같이 환원 처리가 촉진되는 환원 처리 온도로 유지하는 경우에서도, 본 발명에 의하면, 냉각판으로서 기능하는 핸드부(4)가 열판(20)에 접촉하지 않아 열판(20)을 냉각할 필요가 없다. 따라서, 열판(20) 자체의 온도를 항상 환원 처리 온도로 유지해 둘 수도 있다.
또한, 환원 처리하기 전의 시점에서는 카르본산 증기의 분위기 중에서 승온할 필요는 반드시 없다. 예를 들면, 환원 처리 온도가 될 때까지의 동안은 진공 중에서 승온 가열해도 되고, 질소 등 불활성 가스 분위기 중에서 승온 가열해도 된다. 이들의 경우, 환원 처리 온도에 도달한 후에 제1 챔버(2) 내에 카르본산을 도입하면 된다. 질소 등 불활성 가스 분위기 중에서 승온하는 경우에는, 승온 속도를 높이는 점에서 유리하다.
또, 제1 실시형태에서는, 제1 챔버(2) 안을 캐리어 가스와 카르본산 증기의 분위기로 하기 전에 일단 진공 배기하는 경우를 설명하였다. 확실히 제1 챔버(2) 내의 산소를 저감하기 위해서는 일단 진공 배기하는 것이 바람직하지만, 필요에 따라 진공 배기 처리를 생략할 수도 있다. 예를 들면, 질소 등의 불활성 가스에 의해 제1 챔버(2) 안을 충분히 치환하고, 환원 처리가 촉진되는 온도에 도달하는 시점에서 카르본산 증기를 챔버 내에 도입할 수도 있다. 이 경우, 납땜 장치는 진공 배기 수단 대신에 제1 챔버(2) 내 및/또는 제2 챔버(3) 내에 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급 수단을 가지게 된다.
또한, 강온 과정에서도, 제1 실시형태와 같이 카르본산 분위기를 배기한 후, 제1 챔버(2) 및 제3 챔버(3) 안을 질소 가스로 치환하고, 질소 가스 분위기 중에서 강온하여 처리 대상물을 취출하는 경우에 한정되는 것은 아니다. 확실히 질소 가스 분위기 중에서 강온하여 처리 대상물을 취출하는 것은, 강온하는 것은 강온속도를 높이는 견지에서는 바람직하지만, 필요에 따라 표면의 산화를 피하기 위해 진공 중에서 강온해도 되고, 카르본산 분위기를 배기하지 않은 채로 제1 챔버(2)에서 제2 챔버(3)로 처리 대상물을 취출하도록 할 수도 있다.
이상과 같이 본 발명의 실시형태 및 변형예에 대해 설명하였지만, 이들에 본 발명은 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기 설명에서는, 처리 대상물로서 납땜 기판을 예로 들고 또한, 가열 용융 처리 장치로서 납땜 처리 장치를 예로 들어 설명하였지만, 본 발명은 이 경우에 한정되지 않는다. 본 발명은, 땜납을 포함하는 처리 대상물에 대해 땜납의 가열 용융 처리하는 것인 한 적용할 수 있다. 예를 들면, 땜납을 용융하여 땜납 볼 등을 성형하는 땜납 볼 성형 장치, 기타 가열 용융 처리 장치에 이용할 수 있다. 또한, 기판은 납땜 기판에 한정되지 않는다.
또한, 이상의 설명에서는 제1 챔버와 제2 챔버를 가지는 가열 용융 처리 장치를 설명하였지만, 본 발명은 이 경우에 한정되지 않는다. 땜납을 포함하는 처리 대상물에 대해 카르본산 증기를 포함하는 분위기 중에서 가열 용융 처리하는 가열 용융 처리 장치에 있어서, 제1 챔버로부터 장치 외부로 반송하여 취출하는 반송 수단의 핸드부를 냉각판으로서 겸용할 수도 있다. 또한, 가열 용융 처리 장치는 3개 이상의 챔버를 가지고 있어도 된다. 예를 들면, 가열 처리 전의 처리 대상물을 제1 챔버 내에 투입하기 위한 투입측 챔버와 가열 처리 후의 처리 후의 처리 대상물을 제1 챔버 내로부터 반출하기 위한 반출측 챔버를 가지고 있어도 된다. 이 경우도, 복수의 핸드부 중에서 가열 후의 처리 대상물을 반송하기 위한 핸드부를 냉각판으로서 겸용할 수도 있다.
즉, 땜납을 포함하는 처리 대상물에 대해 카르본산 증기를 포함하는 분위기 중에서 가열 용융 처리하는 가열 용융 처리 장치로서, 상기 가열 용융 처리한 처리 대상물을 올려놓고 반송하기 위한 핸드부를 냉각판으로서 겸용하는 것이라면, 본 발명을 적용할 수 있다.
본 발명은 특허청구범위에서 벗어나지 않는 범위에서 추가, 삭제, 변경 등이 가능하다.
1 납땜 처리 장치
2 제1 챔버
3 제2 챔버
4 핸드부
5 게이트 밸브(개폐 가능한 밸브)
8 배기 펌프(배기 수단)
9 카르본산 증기의 공급계(공급 수단)
10 원고 판독부
11 밀폐 용기
13 캐리어 가스 공급관
14 버블링부
15 카르본산 회수부(회수 기구)
20 열판(가열 수단)
21 입력 장치
22 반송부(반송 수단)
23 이동 기구
24 유통로
29 승강 기구
100 기판
110 트레이판
2 제1 챔버
3 제2 챔버
4 핸드부
5 게이트 밸브(개폐 가능한 밸브)
8 배기 펌프(배기 수단)
9 카르본산 증기의 공급계(공급 수단)
10 원고 판독부
11 밀폐 용기
13 캐리어 가스 공급관
14 버블링부
15 카르본산 회수부(회수 기구)
20 열판(가열 수단)
21 입력 장치
22 반송부(반송 수단)
23 이동 기구
24 유통로
29 승강 기구
100 기판
110 트레이판
Claims (16)
- 땜납을 포함하는 처리 대상물에 대해 카르본산 증기를 포함하는 분위기 중에서 가열 용융 처리하는 가열 용융 처리 장치로서,
땜납을 포함하는 상기 처리 대상물을 가열 용융 처리하기 위한 제1 챔버;
상기 제1 챔버와의 사이에서 개폐 가능한 밸브를 개재하여 연결되는 제2 챔버;
상기 제1 챔버 중에 상기 카르본산을 공급하는 카르본산 공급 수단;
상기 처리 대상물을 가열하기 위해 상기 제1 챔버 중에 설치된 가열 수단;
상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 사이에서 상기 처리 대상물을 반송할 때에 상기 처리 대상물을 올려놓는 상기 핸드부를 가지고 있고, 그 핸드부가 냉각판으로서 겸용되는 반송 수단;
상기 핸드부를 강제 냉각하는 강제 냉각 수단;을 가지며,
상기 강제 냉각 수단에 의해 냉각된 후의 핸드부가, 상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버로 상기 처리 대상물을 올려놓고 반송하는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 핸드부는 냉각용 액체가 내부를 유통하는 유통로를 가지는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 강제 냉각 수단은, 상기 제2 챔버 내에 설치되어, 접촉된 상기 핸드부를 강제 냉각하는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반송 수단은 상기 핸드부를 진퇴가 자유롭게 이동시키기 위한 이동 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가열 수단은 상기 처리 대상물이 놓이는 카본 판상체이며, 그 카본 판상체에의 통전에 의해 상기 처리 대상물을 가열하는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가열 수단의 상면에 놓인 상기 처리 대상물을 승강시키는 승강 기구를 가지며,
상기 핸드부는, 상기 승강 기구에 의해 상기 처리 대상물이 상기 가열 수단의 상면으로부터 이격된 상태에서, 상기 처리 대상물과 상기 가열 수단 사이에 삽입되는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 카르본산 공급 수단은,
카르본산의 액체를 수용하는 용기;
상기 용기에서 생긴 카르본산 증기와 혼합되는 캐리어 가스를 공급하기 위해 상기 용기에 연통되는 공급관;을 구비하는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 카르본산 공급 수단은,
카르본산의 액체를 상기 제1 챔버 내에 공급하는 공급관;
상기 제1 챔버 내에 설치되어 상기 카르본산의 액체를 기화시키는 카르본산 가열 수단;을 가지는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 챔버 내 및 상기 제2 챔버 내를 감압하기 위한 하나 또는 복수의 배기 수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제9항에 있어서,
상기 배기 수단의 흡기 또는 배기측에 설치되거나 장착되어, 기화된 카르본산을 회수하는 회수 기구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 챔버 내 및/또는 상기 제2 챔버 내에 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급 수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 대상물은 납땜 기판이고,
상기 가열 용융 처리는 납땜 처리인 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제12항에 있어서,
상기 납땜 기판은 표면에 복수의 땜납 범프가 형성되어 있는 칩을 적어도 포함하는 한 쌍의 칩이고,
상기 납땜 처리는 상기 한 쌍의 칩을 상기 땜납 범프끼리 또는 상기 땜납 범프와 전극을 개재하여 접합하는 플립 칩 본딩 처리인 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제13항에 있어서,
상기 납땜 기판은, 표면에 복수의 땜납 범프가 형성되어 있는 칩과 웨이퍼 또는 표면에 복수의 땜납 범프가 형성되어 있는 복수의 웨이퍼끼리인 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 냉각판으로서 겸용되는 상기 핸드부는 상기 가열 수단에 닿지 않고 상기 처리 대상물을 올려놓는 것이고,
승온 시간을 짧게 하기 위해 미리 가열 수단의 온도를 70℃이상의 온도로 올려 두는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 장치. - 땜납을 포함하는 처리 대상물에 대해 제1 챔버의 카르본산 증기를 포함하는 분위기 중에서 가열 용융 처리하는 단계;
상기 제1 챔버와의 사이에서 개폐 가능한 밸브를 개재하여 연결된 상기 제2 챔버와 상기 제1 챔버 사이에서 상기 처리 대상물을 반송할 때에 상기 처리 대상물을 올려놓는 핸드부를 냉각판으로서 겸용하고, 상기 핸드부를 강제 냉각함으로써 상기 제1 챔버 내에서 상기 처리 대상물을 냉각하는 단계;
상기 강제 냉각 수단에 의해 냉각된 후의 핸드부를 상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버로 상기 처리 대상물을 올려놓고 반송하는 단계;를 가지는 것을 특징으로 하는 가열 용융 처리 방법.
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---|---|---|---|---|
CN103100771A (zh) * | 2011-11-15 | 2013-05-15 | 梁刚 | 环保型全自动旧电路板焊锡快速回收机 |
JP5884448B2 (ja) * | 2011-12-01 | 2016-03-15 | 富士電機株式会社 | はんだ接合装置およびはんだ接合方法 |
US9242313B2 (en) * | 2012-07-30 | 2016-01-26 | General Electric Company | Welding furnace and viewport assembly |
JP5778731B2 (ja) * | 2012-09-17 | 2015-09-16 | ピーエスケー・インコーポレーテッド | 連続線形熱処理装置の配列 |
CN103056472B (zh) * | 2013-01-07 | 2015-02-25 | 山东高唐杰盛半导体科技有限公司 | 一种真空焊接炉的温度控制装置 |
JP6144495B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2017-06-07 | オリジン電気株式会社 | 加熱接合装置及び加熱接合製品の製造方法 |
JP5548813B1 (ja) * | 2013-09-30 | 2014-07-16 | オリジン電気株式会社 | ギ酸分解用装置、半田付け装置、ギ酸の分解方法 |
JP5557951B1 (ja) * | 2013-11-01 | 2014-07-23 | オリジン電気株式会社 | 分解機構を備える半田付け装置および分解方法 |
JP5687755B1 (ja) * | 2013-12-06 | 2015-03-18 | オリジン電気株式会社 | 半田付け装置及び接合部材の製造方法 |
JP5946488B2 (ja) * | 2014-04-10 | 2016-07-06 | オリジン電気株式会社 | ギ酸分解用装置における触媒活性診断方法 |
JP6149827B2 (ja) | 2014-09-02 | 2017-06-21 | 千住金属工業株式会社 | 真空処理装置、その制御方法、真空はんだ処理装置及びその制御方法 |
CN104400174B (zh) * | 2014-10-10 | 2016-08-24 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种用于陶瓷基板上锡焊元器件的新型焊接装置及方法 |
WO2016176566A1 (en) * | 2015-04-29 | 2016-11-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for correcting substrate deformity |
KR102589733B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2023-10-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 기형을 정정하기 위한 방법 및 장치 |
US10325790B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-06-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for correcting substrate deformity |
JP6322746B1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-05-09 | オリジン電気株式会社 | ワーク処理装置及び処理済ワークの製造方法 |
WO2018202919A1 (de) * | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Pink Gmbh Thermosysteme | Lötvorrichtung und verfahren zum herstellen einer lötverbindung von bauteilen unter verwendung von haftmaterial für provisorische verbindung der bauteile |
CN107138825A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-09-08 | 中国电子科技集团公司第四十研究所 | 一种微型器件焊接装置及焊接方法 |
US11515286B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-11-29 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems |
US11205633B2 (en) * | 2019-01-09 | 2021-12-21 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems |
JP6879482B1 (ja) * | 2020-01-09 | 2021-06-02 | 株式会社オリジン | 酸化物除去済部材の製造方法及び酸化物除去装置 |
CN113543514B (zh) * | 2020-04-15 | 2022-09-23 | 昆山达菲乐电子产品有限公司 | 回焊炉 |
CN112427762A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-03-02 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种靶材焊接、冷却一体化装置及其运行方法 |
CN113634845A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-12 | 泗洪红芯半导体有限公司 | 一种二极管免清洗的甲酸焊接装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11233934A (ja) | 1998-02-06 | 1999-08-27 | Shinko Seiki Co Ltd | 半田付け装置 |
JP2001244618A (ja) | 1999-12-20 | 2001-09-07 | Fujitsu Ltd | 加熱溶融処理装置 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3151591A (en) * | 1960-10-07 | 1964-10-06 | Bell Aerospace Corp | Heat bonding apparatus |
US4996781A (en) * | 1989-10-25 | 1991-03-05 | Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. | Vapor reflow type soldering apparatus with an improved flux separating unit |
JPH082495B2 (ja) * | 1989-12-25 | 1996-01-17 | 日立テクノエンジニアリング株式会社 | ベーパーリフロー式はんだ付け方法及び同装置 |
DE4119572A1 (de) * | 1991-06-14 | 1992-12-17 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Weichloetflussmittel zum loeten elektronischer schaltungen unter schutzgas |
JP2709365B2 (ja) * | 1992-03-16 | 1998-02-04 | 日立テクノエンジニアリング株式会社 | ベーパーリフローはんだ付け装置 |
US6145734A (en) * | 1996-04-16 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflow method and reflow device |
KR100193899B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-06-15 | 김영환 | 반도체 소자의 감광막 형성장치 및 이를 이용한 감광막 형성방법 |
US6267245B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-07-31 | Fluoroware, Inc. | Cushioned wafer container |
JP3397313B2 (ja) | 1999-12-20 | 2003-04-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法 |
US6375060B1 (en) * | 2000-07-19 | 2002-04-23 | The Boeing Company | Fluxless solder attachment of a microelectronic chip to a substrate |
KR20030068291A (ko) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | 삼성코닝 주식회사 | 인라인 스퍼터링 시스템용 쿨링 머신 |
JP3809806B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2006-08-16 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7380699B2 (en) * | 2002-06-14 | 2008-06-03 | Vapour Phase Technology Aps | Method and apparatus for vapour phase soldering |
US20130175323A1 (en) * | 2002-07-01 | 2013-07-11 | Jian Zhang | Serial thermal linear processor arrangement |
JP2004143420A (ja) | 2002-08-29 | 2004-05-20 | Sanyo Chem Ind Ltd | 粘着剤組成物 |
JP4482271B2 (ja) | 2002-12-03 | 2010-06-16 | 三井化学株式会社 | ウエハ加工用粘着テープ |
JP4095972B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-06-04 | 日立化成ポリマー株式会社 | 自動車内装材用プレコート表皮材および自動車内装材の製造方法 |
US7306133B2 (en) * | 2003-04-25 | 2007-12-11 | St Assembly Test Services Ltd. | System for fabricating an integrated circuit package on a printed circuit board |
JP2006181641A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-07-13 | Ebara Corp | 接合装置及び接合方法 |
JP4749751B2 (ja) | 2005-04-07 | 2011-08-17 | 電気化学工業株式会社 | 部材の仮固定方法 |
WO2007010005A1 (de) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung eines elektrischen bauelements und einer zwei-phasen-kühlvorrichtung und verfahren zum herstellen der anordnung |
JP2007053245A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shinko Seiki Co Ltd | はんだ付け方法及びはんだ付け装置 |
JP2007119634A (ja) | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 感温性樹脂組成物及びその成形体 |
JP4956963B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2012-06-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2007224270A (ja) | 2006-01-26 | 2007-09-06 | Jsr Corp | 透明複合体およびその製造方法 |
DE102006029593A1 (de) | 2006-05-29 | 2007-12-13 | Pink Gmbh Vakuumtechnik | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Lotverbindung |
CN101454107B (zh) * | 2006-05-29 | 2013-03-27 | 平克塞莫系统有限公司 | 对工件或元件进行温度处理的方法和装置 |
US20080006294A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-10 | Neeraj Saxena | Solder cooling system |
JP2008034746A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 |
JP4864591B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-02-01 | 神港精機株式会社 | はんだ付け方法およびはんだ付け装置 |
KR100865910B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2008-11-10 | 미래산업 주식회사 | 핸들러 및 그를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
JP5226327B2 (ja) * | 2008-01-09 | 2013-07-03 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP5378686B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2013-12-25 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP2009283871A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Fujitsu Ltd | リワークソルダリング方法及びその装置 |
JP5091296B2 (ja) * | 2010-10-18 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置 |
JP5129848B2 (ja) * | 2010-10-18 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置及び接合方法 |
-
2009
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-
2014
- 2014-09-12 US US14/484,418 patent/US9101995B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11233934A (ja) | 1998-02-06 | 1999-08-27 | Shinko Seiki Co Ltd | 半田付け装置 |
JP2001244618A (ja) | 1999-12-20 | 2001-09-07 | Fujitsu Ltd | 加熱溶融処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201110295A (en) | 2011-03-16 |
WO2011024813A1 (ja) | 2011-03-03 |
TWI492347B (zh) | 2015-07-11 |
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US20150001282A1 (en) | 2015-01-01 |
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US8864011B2 (en) | 2014-10-21 |
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US9101995B2 (en) | 2015-08-11 |
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