JP5778731B2 - 連続線形熱処理装置の配列 - Google Patents
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Description
16 支持プレート、
18 はんだパッド、
20 はんだバンプ、
100 チッププロセスチャンバ、
102 支持トレイ、
104 チップ、
120 上部カバー、
122、124 温度センサーとヒーター線管。
Claims (5)
- 線形チッププロセッサ内において、一連の線形で隣接している独立チャンバを介して、離隔されて予めはんだ付けされた半導体部品の予め組み立てられたチップ/基板のアセンブリをフラックス−フリー連続熱処理配列によって連続的に処理する、チップ部材の製造のための電子半導体部品のシステムにおいて、
前記予め組み立てられたチップ/基板は、前記プロセッサの最初のロード/ロックステーションからチャンバ内のデバイス支持トレイにロードされ、前記予め組み立てられたチップ/基板は、大気圧の状態に置かれ、前記チャンバは窒素ガスによってパージされ、
前記予め組み立てられたチップ/基板は、上部ヒータープレートと垂直方向に移動することができる下部ヒータープレートとの間の位置に移動される前記デバイス支持トレイによって、第1処理チャンバまたはステーションに進入され、前記予め組み立てられたチップ/基板のアセンブリは、はんだ溶融温度より低い温度で加熱され、前記第1処理チャンバは大気圧より低く維持され、ギ酸蒸気ベントが導入され、前記ステーションの下部処理チャンバが下降され、
前記予め組み立てられたチップ/基板のアセンブリは、前記上部と下部ヒータープレートの間に開放されて待機している第2チャンバまたはステーションに進入され、前記第2チャンバは、その下部処理チャンバ部の垂直方向の動きによって密閉され、前記予め組み立てられたチップ/基板のアセンブリは、前記はんだ溶融温度より高い温度に加熱され、前記第2チャンバは、真空に維持され、ギ酸蒸気ベントが前記チャンバ内に導入され、
前記予め組み立てられたチップ/基板のアセンブリの処理チャンバは、その下部処理チャンバ部の垂直降下によって開放され、それぞれの上部と下部ヒータープレートの間に開放されて待機している第3チャンバまたはステーションに前記デバイストレイが進入され、前記チャンバが密閉され、前記予め組み立てされたチップ/基板のアセンブリが前記はんだの融点より高い温度に加熱され、真空に維持され、ギ酸蒸気ベントが前記チャンバ内に導入され、
前記予め組み立てられたチップ/基板のアセンブリは、前記第3ステーションがその下部処理チャンバ部の下降によって開放されると、前記第3ステーションから、第4ステーションの下部または下部処理チャンバ部の下降によって開放されて待機している前記第4ステーションに進入され、前記予め組み立てられたチップ/基板のアセンブリは、前記上部と下部プレートとの間に配置され、前記チャンバの下部処理部は、前記チャンバを密閉するために前記下部処理チャンバ部を上昇させることにより持ち上げられ、前記チップの前記はんだと前記基板を電気的に接続するために、前記離隔されたチップと基板との間の前記はんだを処理するように前記チップ/基板のアセンブリは高い温度で加熱され、ギ酸蒸気ベントが前記チャンバ内に導入され、
加熱されて結合された前記チップ/基板のアセンブリは、第5ステーションの下部処理チャンバ部が下降すると、前記第5ステーションに進入され、前記下部処理チャンバ部が前記チャンバを密閉するために昇降され、前記チップ/基板のアセンブリは、真空のもとで前記予め結合されたチップ/基板のアセンブリを溶融接続するために、ピークはんだ溶融温度で加熱され、前記チャンバは窒素にベントされ、
接続された前記チップ/基板のアセンブリは、前記第5ステーションが開放されると、前記第5ステーションから第6ステーションに搬送されて室温で冷却され、
前記チップ/基板のアセンブリは、最下流のロード/ロックステーションに搬送され、接続された前記チップ/基板のアセンブリは、前記最下流のロード/ロックステーションにおいて前記チャンバからアンロードされ、前記第1、第2、第3、第4ステーションは、それぞれ単独で約150℃〜270℃の温度で約10〜300秒間約760トールの圧力で加熱されることを特徴とする連続熱処理装置。 - 前記第1〜第4ステーションの初期設定温度は、それぞれ前記アセンブリで使用される前記特定のはんだの溶融温度より低く維持されることを特徴とする請求項1に記載の連続熱処理装置。
- 前記第1〜第5ステーションの初期設定温度は、それぞれ前記アセンブリで使用される前記特定のはんだの融点温度より高く維持されることを特徴とする請求項1に記載の連続熱処理装置。
- 前記第1と第2ステーションの初期設定温度は、それぞれ前記アセンブリで使用される前記特定のはんだの融点温度より低く維持され、第3〜第5ステーションの初期設定温度は、前記アセンブリで使用される前記特定のはんだの融点温度より高く維持されることを特徴とする請求項1に記載の連続熱処理装置。
- 前記第5ステーションの初期設定温度は、前記熱処理装置のすべてステーションの中でピークの温度に維持され、前記アセンブリで使用される前記特定のはんだの融点温度より高いことを特徴とする請求項1に記載の連続熱処理装置。
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