CN117577562B - 用于芯片封装的真空装置 - Google Patents
用于芯片封装的真空装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117577562B CN117577562B CN202410053739.2A CN202410053739A CN117577562B CN 117577562 B CN117577562 B CN 117577562B CN 202410053739 A CN202410053739 A CN 202410053739A CN 117577562 B CN117577562 B CN 117577562B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature sensor
- lifting
- vacuum
- heating
- detection end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 201
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 108
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 70
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 39
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D19/00—Arrangements of controlling devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D19/00—Arrangements of controlling devices
- F27D2019/0003—Monitoring the temperature or a characteristic of the charge and using it as a controlling value
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明涉及芯片加工设备技术领域,本发明提供一种用于芯片封装的真空装置,包括:壳体、加热装置、第一升降装置和温度传感器,壳体内设有真空腔体,壳体包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁,第一侧壁开设有进料口,第二侧壁开设有出料口,第一侧壁和第二侧壁中的至少一个设有第一物料支撑装置,第一物料支撑装置用于支撑物料;第一升降装置相对于加热装置和第一物料支撑装置升降,以实现在第一位置和第二位置的切换;温度传感器连接第一升降装置,在第一位置,检测端用于接触物料;在第二位置,温度传感器的检测端伸出第一升降装置。通过第一升降装置来支撑物料,避免物料发生位置的偏移。
Description
技术领域
本发明涉及芯片加工设备技术领域,尤其涉及一种用于芯片封装的真空装置。
背景技术
真空装置为芯片封装提供了干净、稳定的环境,确保芯片的质量、性能和可靠性。以真空共晶炉为例,其采用真空腔体的形式,将芯片或装有芯片的治具放置在腔体内的加热台上,利用加热台的升温和降温过程,完成芯片的焊接。
相关技术中,加热台通常包括载台和加热装置,载台盛放芯片,利用加热装置直接对芯片进行加热,芯片的位置易变动,不仅会导致加热不均匀,还会导致芯片加工温度难以得到控制,影响芯片的质量。同时,当工件底部不平时,加热装置与工件直接接触进行芯片加热,由于工件的底部不平,芯片位置容易发生变动,不仅难以完成加热焊接或封装等工序,还会导致加热不均匀,影响芯片加工质量。
发明内容
本发明旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提供一种用于芯片封装的真空装置,真空装置结构简单,载台设置有温度传感器,能够实时监测载台温度,从而有助于对芯片封装过程中的温度监控和控制,提高芯片的加工质量。
本发明实施例提供一种用于芯片封装的真空装置,包括:
壳体,所述壳体内设有真空腔体,所述壳体包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁开设有进料口,所述第二侧壁开设有出料口,所述第一侧壁和所述第二侧壁中的至少一个设有第一物料支撑装置,所述第一物料支撑装置用于支撑物料,以使物料可沿着所述进料口向所述出料口的方向运动;
加热装置,固定连接所述壳体,所述加热装置用于加热所述物料;
第一升降装置,相对于所述加热装置和所述第一物料支撑装置升降,以实现在第一位置和第二位置的切换;在所述第一位置,所述第一升降装置用于接触所述物料;在所述第二位置,所述第一升降装置与所述物料隔开设定距离;
温度传感器,连接所述第一升降装置,在所述第二位置,所述温度传感器的检测端伸出所述第一升降装置;在所述第一位置,所述检测端用于接触所述物料。
根据本发明的一个实施例,所述第一升降装置设置有安装孔,所述检测端穿设于所述安装孔,所述检测端可沿所述安装孔运动;在所述第二位置,所述检测端的顶面高于所述安装孔的顶面;在所述第一位置,所述检测端限位于所述安装孔内。
根据本发明的一个实施例,沿远离所述安装孔的顶面的方向,所述安装孔的横截面积减小。
根据本发明的一个实施例,所述温度传感器包括:
温度传感器本体,设置所述检测端;
第一套体,固定连接所述第一升降装置,所述第一套体内设置有升降通道;
第二套体,设置于所述升降通道,所述第二套体固定连接所述温度传感器本体,所述温度传感器本体穿设于所述第二套体,所述第二套体可在所述升降通道内升降,以实现所述检测端的升降。
根据本发明的一个实施例,所述温度传感器还包括第一弹性元件,所述第一弹性元件设置在所述第一套体和所述第二套体之间。
根据本发明的一个实施例,所述第一套体设置有第一装配孔,所述第一升降装置设置有第二装配孔,通过穿设于所述第一装配孔和所述第二装配孔的连接件连接所述第一套体和所述第一升降装置。
根据本发明的一个实施例,所述第一升降装置包括:
第二物料支撑装置,穿设于所述壳体底部的配合孔;
驱动装置,驱动所述第二物料支撑装置相对于所述配合孔移动,以驱动所述第二物料支撑装置在所述第一位置和所述第二位置之间切换。
根据本发明的一个实施例,所述温度传感器设置在所述第二物料支撑装置。
根据本发明的一个实施例,还包括第二升降装置,所述第二升降装置连接所述温度传感器以控制所述检测端的升降。
根据本发明的一个实施例,还包括载台,所述载台设置于真空腔体内,所述第一升降装置连接所述载台以控制所述载台相对于所述加热装置和所述第一物料支撑装置升降;
和/或,还包括高度限位装置,所述高度限位装置设置在所述壳体内,所述高度限位装置包括限位板和第二弹性元件,所述第二弹性元件连接所述限位板,所述第二弹性元件伸出所述限位板的下端面,在所述第一位置,所述第二弹性元件抵接所述载台,所述载台限位于所述下端面。
本发明实施例中的上述一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果之一:
(1)本发明实施例提供的真空装置,采用加热装置和物料非接触式加热的方式,当物料运输至预设位置时,第一升降装置上升,与物料接触,然后加热装置通过加热芯片。通过第一升降装置来支撑物料,能够确保物料难以受底部不平的影响而在加工过程中发生位置的偏移,确保物料能够均匀受热加工,从而确保产品的加工质量可靠稳定。
(2)载台设置有温度传感器,在第一位置,载台接触物料,温度传感器的检测端接触物料,可以实时监测物料的温度,有助于实现温度的精确控制和调节,确保物料在加工过程中温度的稳定性,可以提高封装物料加工的一致性,从而提高产品的可靠性和稳定性。
除了上述所描述的本发明解决的技术问题、构成的技术方案的技术特征以及有这些技术特征的技术方案所带来的优点之外,本发明的其他技术特征及这些技术特征带来的优点,将结合附图作出进一步的说明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的第一种用于芯片封装的真空装置的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的第二种用于芯片封装的真空装置的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的用于芯片封装的真空装置的侧视图;
图4是图2中A处的放大图;
图5是本发明实施例提供的第一升降装置和温度传感器的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的载台、温度传感器和物料的结构示意图;
图7是图6中D处的放大图;
图8是本发明实施例提供的载台和温度传感器的结构示意图;
图9是图3中C处的放大图;
图10是本发明实施例提供的壳体的结构示意图;
图11是本发明实施例提供的壳体和冷却管路的结构示意图;
图12是本发明实施例提供的第三种用于芯片封装的真空装置的结构示意图;
图13是本发明实施例提供的第四种用于芯片封装的真空装置的结构示意图。
附图标记:
100、壳体;110、真空腔体;
120、第一侧壁;121、进料口;
130、第二侧壁;131、出料口;
140、第三侧壁;150、第四侧壁;
160、第一物料支撑装置;
171、配合孔;173、第三配合孔;174、第四配合孔;
180、上盖;181、气体注口;
190、高度限位装置;191、限位板;192、第二弹性元件;
200、载台;210、避让孔;220、安装孔;230、第二装配孔;240、物料;
300、加热装置;310、安装部; 320、加热器;
400、第一升降装置;410、导向装置;420、第二物料支撑装置;421、板体; 430、驱动装置;431、外壳;432、升降杆;440、密封装置;
450、温度传感器;451、检测端;452、温度传感器本体;453、第一套体;454、升降通道;455、第二套体;456、第一弹性元件;457、第一装配孔;
511、滚轮;
600、真空门阀;610、阀体;611、阀孔;620、阀片;630、第三驱动装置;640、法兰;650、安装通孔;
800、冷却管路;810、进水口;820、出水口;830、工艺口;840、封堵;
910、挡停装置;920、位置传感器。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明实施例的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
在本发明实施例中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
下面结合图1-图13描述本发明的用于芯片封装的真空装置(以下简称为真空装置)。
参考图1、图3和图5所示,本发明实施例提供一种用于芯片封装的真空装置,包括:壳体100、加热装置300、第一升降装置400和温度传感器450。
壳体100内设有真空腔体110,壳体100包括相对设置的第一侧壁120和第二侧壁130,第一侧壁120开设有进料口121,第二侧壁130开设有出料口131,第一侧壁120和第二侧壁130中的至少一个设有第一物料支撑装置160,第一物料支撑装置160用于支撑物料240,以使物料240可沿着进料口121向出料口131的方向运动。 加热装置300固定连接壳体100,加热装置300用于加热物料240。第一升降装置400相对于加热装置300和第一物料支撑装置160升降,以实现在第一位置和第二位置的切换。在第一位置,第一升降装置400用于接触物料240;在第二位置,第一升降装置400与物料240隔开设定距离。
结合图1,壳体100设置有进料口121和出料口131,物料240从进料口121和出料口131进出壳体100实现物料240的加工,第一物料支撑装置160可保证物料240在传输过程中的稳定性,通过第一升降装置400相对于加热装置300和第一物料支撑装置160升降,第一升降装置400可上升至物料240的位置进行加热,能够避免物料240放置在加热台上随着加热台运动造成物料240偏移的问题。
其中,物料240可以是盛放有芯片的工件,也可以是盛放有芯片的治具、还可以是盛放有芯片的工件通过治具在壳体100的传输轨道上传输。
以物料240为芯片,芯片通过工件运输为例,工件底部不平,可以理解为工件的底部表面不是平坦的,而是具有不规则形状、凹凸不平或不完全平坦的特征。而相关技术中,加热装置300与工件直接接触进行芯片加热,由于工件的底部不平,芯片位置容易发生变动,不仅难以完成加热焊接或封装等工序,还会导致加热不均匀,影响芯片加工质量。
本发明实施例提供的真空装置,采用加热装置300和物料240(也可以理解为芯片或用于盛放芯片的工件)非接触式加热的方式,当物料240运输至预设位置(也可以理解为加热装置300的上方)时,第一升降装置400上升,与物料240接触(可以是刚刚接触,也可以是接触物料240后第一升降装置400继续上升,以将物料240顶起),然后加热装置300通过加热芯片。通过第一升降装置400来支撑物料240,能够确保物料240难以受底部不平的影响而在加工过程中发生位置的偏移,确保物料240能够均匀受热加工,从而确保产品的加工质量可靠稳定。
结合图1,第一物料支撑装置160设置在第一侧壁120,能够对进料口121处的物料240实现支撑;第一物料支撑装置160设置在第二侧壁130,能够对出料口131处的物料240实现支撑;当然,还可以是第一侧壁120和第二侧壁130均设置第一物料支撑装置160,优化物料240的支撑,保证物料240在运输过程中稳定性,防止物料240偏移,通过稳定的物料240传输,还能提高生产效率和工艺控制的稳定性。
需要说明的是,本发明实施例提供的真空装置,设置有进料口121和出料口131,能够与其他在线设备进行集成形成更加复杂的系统,能够应用于在线生产设备中,实现更多功能和服务。本申请的真空装置设置有进料口121和出料口131,可多个真空装置进行组装,相邻真空装置之间的进料口121与出料口131互相对应,以实现物料240在相邻真空装置之间的运输。可以理解的是,不同物料240(如芯片)所需要的加工条件不同,本申请可通过多个真空装置,进行模块组装以满足不同物料240的加工条件,模块化安装组装自由,可实现安装数量自由组合,可以灵活地适应不同物料240的加工需求。如:可通过多个真空装置组装,实现多个加热区的设置。同时,通过多个真空装置组装,可同时进行多个加工任务,还可以大大提高生产效率,减少生产周期,每个真空装置可独立工作,不受其他模块(真空装置)的影响,从而提高生产效率。
其中,在线生产设备可以理解为可以连接在生产线上直接参与加工过程的设备,可以试试进行物料240处理和加工操作。相较于在生产线外独立操作的离线设备,离线设备需要将物料240从生产线中取出进行单独处理,本申请的真空装置可应用于在线设备,可以与生产线连接,实时地响应和处理物料240,与整个生产流程无缝衔接,大大提高了自动化程度。
需要说明的是,第一升降装置400在第一位置和第二位置的切换,可以理解为第一升降装置400可在第一位置和第二位置之间进行调节。
结合图4,在第一位置,第一升降装置400可将物料240顶起,物料240与第一升降装置400充分接触,在加热装置300对物料240提供所需的加热处理,实现加热功能。在第二位置,第一升降装置400的顶面低于滚轮511,滚轮511的轮面与物料240接触,以实现物料240的运输。
在第二位置,物料240与滚轮511的轮面接触,第一升降装置400不会对物料240的运输过程造成干涉,保证物料240能够稳定运输直至从出料口131移出。真空装置集加热功能和运输功能于一体,集成度高,可靠性强,实用性好,适用于各种应用场景。结合图5至图7,在本实施例中,真空装置还包括温度传感器450,温度传感器450连接第一升降装置400。
结合图5,在第二位置,温度传感器450的检测端451伸出第一升降装置400;在第一位置,检测端451用于接触物料240。在第一位置,温度传感器450的检测端451接触物料240,能够实时监测物料240的温度,从而确保在加热过程中温度保持在所需范围内。温度传感器450提供了对物料240加工温度的实时反馈,这有助于操作人员调整加热装置300以满足特定工艺要求(如不同产品所需的加工温度可能不同)。同时,温度传感器450的设置还可以避免将物料240加热到可能引发过热或烧损的温度。通过温度传感器450,可以更好地控制加工温度,从而提高产品的一致性和质量,这对于需要高度可靠性的应用(如半导体芯片的制造)非常重要。
第一升降装置400设置有安装孔220,检测端451穿设于安装孔220,检测端451可沿安装孔220运动,检测端451可在安装孔220内升降调节,检测端451与第一升降装置400的安装方式简单。
可以理解的是,第一升降装置400内部设置有用于安装温度传感器450的安装腔(图中未标示),温度传感器450设置在第一升降装置400的安装腔中,且检测端451伸出第一升降装置的顶面。
在第二位置,检测端451的顶面高于安装孔220的顶面。当第一升降装置400上升与物料240接触时,由于检测端451的顶面高于安装孔220的顶面,也即,检测端451的顶面超出第一升降装置400的上表面,检测端451先与物料240接触,然后检测端451在安装孔220内下降,然后第一升降装置400再与物料240进行接触。
本实施例中,在第二位置,检测端451的顶面高于安装孔220的顶面,能够确保检测端451与物料240接触,提高检测端451与物料240接触的可靠性,避免检测端451因接触不到物料240而造成检测结果不准确的问题。同时,物料240先与检测端451接触、检测端451下降、最后与载台200接触的方式有助于减小接触可能引起的震动或冲击,有助于确保工序的平稳性和检测的可靠性。
以真空装置还包括载台200,载台200设置于真空腔体110内,第一升降装置400连接所述载台200以控制载台200相对于加热装置300和第一物料支撑装置160升降为例,对温度传感器450进行说明。此时,安装孔220可设置在载台上。
结合图5和图6,在第一位置,检测端451限位于安装孔220内。可以理解的是,在载台200上升过程中,检测端451先与物料240接触,然后载台200继续上升,检测端451收到物料240向下的压力在安装孔220内下降(也即向下移动),直至第二位置时载台200与物料240接触,此时,检测端451限位于安装孔220,检测端451的底部与安装孔220的底部接触。
本实施例中,限位于安装孔220内的检测端451可以更好地保持固定位置,不会意外移动或摇摆,有助于确保温度传感器450的位置和接触物料240的方式在操作过程中稳定,从而提高测量的可重复性。同时,在第一位置,由于检测端451位于安装孔220内,有助于对检测端451实现保护,避免检测端451受其他因素影响而产生检测结构不准确的问题。
需要说明的是,检测端451接触物料240,可以是在检测端451刚接触物料240时就限位于安装孔220,此时,可以理解为检测端451在竖直方向上的长度和安装孔220在竖直方向上的长度相同。
当然,也可以是在竖直方向上检测端451的长度大于安装孔220的长度。此时,检测端451可以是弹性接触件。检测端451在接触物料240之后下降,在检测端451下端抵接安装孔220的底壁之后,由于此时载台200还没接触物料240,载台200继续上升,物料240向下挤压检测端451,检测端451继续下降,检测端451被挤压而弹性变形,直至载台200接触物料240。在本实施例中,通过安装孔220和弹性接触件的配合能够增大检测端451与物料240的接触压力,从而能够使检测端451与物料240能够始终紧密接触,提高检测效果。
在其他实施例中,还可以是检测端451接触物料240,在第一位置,检测端451的底部高于限位孔,检测端451与物料240接触实现物料240的温度检测即可。
沿远离安装孔220的顶面的方向,安装孔220的横截面积减小,方便对检测端451实现限位。结合图6,安装孔220下端的横截面积小,上端的横截面积大。在第一位置,检测端451底部抵接安装孔220的下端,安装孔220的下端的横截面积减小,有助于减小检测端451与安装孔220之间的间隙,提高检测端451与安装孔220的接触压力,从而提高安装孔220对检测端451的限位效果。
其中,安装孔220的横截面积减小,可以是安装孔220的横截面积逐渐减小,也即,安装孔220的横截面积平滑变化;也可以是安装孔220的横截面积呈现阶梯变化,也即,安装孔220的横截面积不是平滑地逐渐减小,而是以呈现分段变化。
下面,对温度传感器450的结构进行说明。
参考图6和图7所示,温度传感器450包括:温度传感器本体452、第一套体453和第二套体455。
温度传感器本体452设置检测端451。第一套体453固定连接载台200,第一套体453内设置有升降通道454。第二套体455设置于升降通道454,第二套体455固定连接温度传感器本体452,温度传感器本体452穿设于第二套体455,第二套体455可在升降通道454内升降,以实现检测端451的升降。
在本实施例中,第一套体453固定连接第一升降装置,第二套体455滑动连接第一套体453,第二套体455可在第一套体453内滑动。第二套体455固定连接温度传感器本体452,温度传感器本体452设置有检测端451,检测端451用于接触物料240,以检测物料240的温度。当然,在真空装置还包括载台时,第一套体453也可以固定连接载台200。
结合图6,当物料240接触检测端451时,检测端451下降,检测端451固定连接第二套体455,从而带动第二套体455在升降通道454内下降。也可以理解为,温度传感器本体452通过第二套体455连接载台200,温度传感器450的结构简单,通过第二套体455在升降通道454内升降实现检测端451的升降,检测端451的高度调节简单。
第一套体453设置有第一装配孔457,第一升降装置400设置有第二装配孔230,通过穿设于第一装配孔457和第二装配孔230的连接件连接第一套体453和第一升降装置400。通过连接件连接第一套体453和第一升降装置400,能够保证第一套体453与第一升降装置400的连接强度,提高温度传感器450与第一升降装置400的连接强度,有助于为温度传感器450在升降调节和温度调节过程中提供可靠的支撑。
第一装配孔457和第二装配孔230能为第一套体453和载体的连接提供定位,使第一套体453能够精确地被定为在第一升降装置400上,第一套体453与载台200的装配简单便捷,有助于降低装配难度,提高装配效率。
其中,连接件可以是螺钉、螺柱等,此时第一装配孔457和第二装配孔230设置有与之啮合的螺纹段,连接件螺纹连接第一装配孔457和第二装配孔230。连接件还可以是插销,第二装配孔230设置有卡槽,通过将插销穿设于第一装配孔457并插接卡槽,实现第一套体453与载台200的连接,连接方式简单。当然,连接件还可以是卡销,连接件的结构可根据实际需求进行选择,在此不作限定。
温度传感器450还包括第一弹性元件456,第一弹性元件456设置在第一套体453和第二套体455之间。当检测端451升降运动时,第一弹性元件456可以减少来自振动和机械冲击,检测端451的调节可靠稳定,从而有助于维护温度传感器450的检测稳定性。
在本实施例中,当第一位置时,检测端451下降,带动第二套体455下降,第一弹性元件456被压缩,第一弹性元件456会对第二套体455施加一个向上的回复力,也可以理解为,第一弹性元件456会对第二套体455施加向上的回复力,能够提高检测端451与物料240的接触压力,增强检测效果。同时,当加工结束,载台200下降时,第一弹性元件456的回复力可以使检测端451自动上升到伸出第一升降装置400的位置,简化检测端451的调节流程,检测端451的升降调节便捷简单。
下面,结合图3,对第一升降装置400进行说明。
参考图3所示,第一升降装置400包括:第二物料支撑装置420和驱动装置430,第二物料支撑装置420穿设于壳体100底部的配合孔171;驱动装置430驱动第二物料支撑装置420相对于配合孔171移动,以驱动第二物料支撑装置420在第一位置和第二位置之间切换。通过驱动装置430驱动载台200升降,可以对载台200的升降提供精确的升降控制,使载台200的升降过程稳定。
当真空装置还包括载台200时,第二物料支撑装置420通过壳体100底部的配合孔171与载台200固定连接。驱动装置430驱动第二物料支撑装置420相对于配合孔171移动,以驱动载台200带动载台200升降。
结合图1,温度传感器450设置在第二物料支撑装置420。在本实施例中,第二物料支撑装置420包括支撑杆,支撑杆内形成有安装通道,温度传感器450设置在安装通道并位于支撑杆的一端。
当真空装置还包括载台200时,支撑杆的一端可固定连接载台200。载台200设置有安装孔220,第二物料支撑装置420与载台200固定连接,就能实现温度传感器450与载台200的连接,其中,温度传感器450的检测端451设置在安装孔220中,方便检测物料240温度。
在本实施例中,由于第二物料支撑装置420与载台200直接相连,升降过程由驱动装置430提供精确的升降控制,这意味着温度传感器450与载台200能够实现同步升降过程,提高系统的控制集成性。同时,将温度传感器450设置在第二物料支撑装置420中,还能省去为温度传感器450额外设置固定装置的需求,减少真空装置所需零部件数量,从而简化真空装置结构,减少成本。
结合图3,第一升降装置400还包括导向装置410、板体421和密封装置440。
导向装置410的一端固定连接壳体100,导向装置410的另一端滑动连接板体421,也即,板体421滑动连接导向装置410,导向装置410可为板体421提供稳定的导向作用,从而确保载台200能够在预设路径上稳定移动,预设路径可以理解为载台200的升降路径。
本实施例中,板体421固定连接多个第二物料支撑装置420,第二物料支撑装置420的轴线平行于导向装置410的轴线。设置多个第二物料支撑装置420可为载台200提供更加稳定的支撑,通过板体421固定连接多个第二物料支撑装置420,并使其轴线平行于导向装置410的轴线,可以实现多个第二物料支撑装置420的协同工作,不仅可以提高第二物料支撑装置420的承载能力和工作效率,还可以保证载台200在升降过程的稳定性。
密封装置440连接第二物料支撑装置420并设置在配合孔171处,第二物料支撑装置420与壳体100通过密封装置440实现动密封。密封装置440的设置能够确保在第二物料支撑装置420升降运动的同时维持真空装置的密封性,有助于维持壳体100内的真空环境,确保真空腔体110的真空功能,提高真空腔体110用于芯片封装时的密封性,进而提高芯片加工的质量。
当设置有多个第二物料支撑装置420时,对应的,壳体100设置有多个配合孔171,进而,密封装置440也设置有多个,能够保证每个第二物料支撑装置420在运动过程中的动密封,确保真空腔体110的真空效果,保证物料240的加工质量。
驱动装置430包括外壳431、电机和升降杆432,外壳431固定连接板体421;电机设置在外壳431内,电机的输出轴的一端连接传动齿轮,输出轴转动带动传动齿轮转动;升降杆432的一端固定连接壳体100,升降杆432的另一端设置有与传动齿轮啮合的螺纹段,螺纹段穿设于传动齿轮的连接孔,传动齿轮转动带动升降杆432移动,以使升降杆432带动板体421升降,从而通过板体421带第二物料支撑装置420升降以实现载台200的升降。
在一些实施例中,真空装置还包括第二升降装置(图中未标示),第二升降装置连接温度传感器450以控制检测端451的升降。通过第二升降装置控制温度传感器本体452的上升行程,能够提高温度传感器450升降的控制精度,控制检测端451的升降精度,进而控制检测端451与物料240的接触压力,以使得检测端451和不同底部形状的物料240能够始终接触紧密(也可以理解为检测端451和检测端451之间形成预定的接触压力),进而提高检测的精度。
通过第二升降装置单独控制温度传感器450的升降,能够实现自动化的温度测量控制。通过在工艺中预先设置或实时调整检测端451位置,可以降低人工操作的需求,提高生产效率。
当然,还可以是设置第一升降装置400的同时设置第二升降装置,提高控制精度。
第一升降装置400和第二升降装置的设置在此不作限定,可根据实际需求进行设置。
下面,对载台200进行说明。
第一升降装置能够驱动载台200升降,可使载台200位于第一位置,也可以使载台200位于第二位置,还可以使载台200位于第一位置和第二位置之间。
其中,结合图3,载台200设有避让孔210,避让孔210可避让滚轮511,保证载台200稳定在第一位置和第二位置的切换。当然,还可以是滚轮511设置在载台200的两侧,此时载台200可不设置避让孔210,载台200的面积更大,与物料240的接触面积大,有助于与物料240的充分接触。
在第一位置,载台200接触物料240,此时载台200与加热装置300间隔设置。可以理解的是,加热装置300加热载台200,也即加热装置300的热量传递到载台200,再通过载台200加热物料240。在本实施例中,载台200与加热装置300间隔设置,能够解决相关技术中通过加热装置300直接加热物料240(如芯片),当物料240底部不平时难以实现加工的问题。
其中,载台200可以是透光结构,以使加热装置的加热光线(如红外线)能穿过载台200直接作用与物料240,物料240的加热效果好。
本发明实施例提供的真空装置,采用加热装置300和物料240(也可以理解为芯片或用于盛放芯片的工件)非接触式加热的方法,加热装置300通过载台200来加热芯片,加热装置300的热量不会直接传递到物料240,而是先传递到载台200上。载台200充当热传递介质,不仅能够保证热量能够均匀加热物料240,还能够适应底部不平的物料240,确保物料240能够均匀受热加工,从而确保产品的加工质量可靠稳定。
需要说明的是,加热装置300加热载台200,可以是辐射加热,相对于相关技术中加热装置300直接加热物料240,热传导效率更好,加热效果更好。当然,还可以是感应加热等方式。
下面,结合图3和图8,以真空装置设置有载台200为例,对加热装置300进行说明。
参考图3所示,在载台200的下侧设置加热装置300,加热装置300设置在载台200的下方,能够避免加热装置300的热量直接作用于芯片,减少对芯片的热冲击,减少加热装置300的直接暴露,从而能够保证温度的稳定性。
在一些实施例中,可以是在载台200的上侧设置加热装置300,加热装置300设置在载台200的上方,加热装置300的热量可以直接传递给芯片,提高热传导速度,缩短加热时间,从而提高加工效率,同时,能够更好地实现对芯片的均匀加热,实现更均匀的温度分布。
在一些实施例中,还可以是在载台200的上侧和下侧均设置加热装置300,能够优化温度控制的效果,进一步提高芯片的加工效率。
在载台200的上侧与下侧中的至少一侧设置加热装置300,加热装置300可设置在载台200的上侧、下侧或同时设置在上下两侧,加热装置300的位置可根据实际需求进行设置。
其中,在一些实施例中,参考图11所示,壳体100可以包括上盖180,加热装置300设置在壳体100的上侧,可以是通过上盖180实现装配。在壳部包括上盖180的情况下,上盖180可以设有气体注口181,通过气体注口181可向真空腔体110内引入特定的气体,从而实现芯片在加工过程中的气体环境需求,满足特定工艺需求。
需要说明的是,在一些实施例中,参考图11所示,在壳体100包括上盖180的情况下,壳体100还包括下壳体,在下壳体的顶部可设有法兰结构,法兰结构用于密封上盖180和下壳体,实现上盖180与下壳体的密封,保证芯片封装过程中的密封效果,加工过程的可靠性强。同时,设置上盖180可使下壳体形成开放式的腔体结构,不仅方便对载台200进行维护和更换,而且制造工艺简单,制造成本低,生产效率高。
参考图8所示,加热装置300包括安装部310和加热器320,安装部310密封连接壳体100,加热器320不参与密封,加热器320可拆卸连接于安装部310,方便加热器320的拆卸和重新安装,简化维护和更换过程,从而减少装置停机时间和成本。可以理解的是,不同的封装工艺可能需要不同类型的加热器320,加热器320可拆卸连接于安装部310还可以根据需要更换不同规格、功率或类型的加热器320,以适应不同封装工艺和要求,提高灵活性和适应性。
其中,加热器320可拆卸连接于安装部310,可以是加热器320插接于安装部310,方便维修更换,当然,可拆卸连接还可以是卡接、螺纹连接等。
可以理解的是,壳体100设有第三配合孔173,安装部310装设于第三配合孔173,并与壳体100固定连接。
结合图1和图3所示,沿进料口121向出料口131的方向,安装部310设置多个,对应的,加热器320设置多个,多个加热器320能够充分覆盖对应的加热区域,充分加热载台200,使载台200的温度更加均匀,有助于提要封装过程中芯片的质量和性能。
其中,多个加热器320可以是统一控制。也可以是多个加热器320分别独立控制,根据需要调整的温度和功率,以满足真空腔体110内不同封装区域的热量需求,能够更精确地控制热量分布,优化封装工艺,提高可靠性。
安装部310包括石英套管,石英套管的热稳定性和耐高温性强,石英套管能够承受高温并保持稳定的加热状态;加热器320包括红外加热器,红外加热器以辐射热能的方式对载台200进行加热,能够避免载台200在升降过程中与加热器320产生一定距离,导致加热器320的加热效果下降的影响,能够精准地实现加热控制。红外加热器插接于石英套管,不仅方便对红外加热器的拆装,同时,石英套管的透光率高,能够让红外加热器所产生的红外线以较高的透射率通过,减少红外线的损失,保证加热效果。
优选地,载台200为透光结构。当加热器320为红外加热器时,载台200可使红外线穿过,也即,红外线可穿过透光的载台200直接抵达物料240,红外线直接对物料240进行加热,加热器320的加热效果更好,加热速率更快。
下面,对高度限位装置190进行说明。
结合图2和图4,真空装置还包括高度限位装置190,高度限位装置190设置在壳体100内,高度限位装置190包括限位板191和第二弹性元件192,第二弹性元件192连接限位板191,第二弹性元件192伸出限位板191的下端面,在第二位置,第二弹性元件192抵接载台200,载台200限位于下端面。本实施例中,限位板191可以提供载台200的升降提供限位作用,限位板191设置在载台200的上方,当载台200上升至第二位置时就会限位在限位板191的下端面,限位板191的存在可以防止载台200的上升超出规定的高度范围,提高载台200的稳定性和安装性,同时通过限制载台200的上升范围,可以确保载台200上的物料处于所需的操作位置,在操作位置能够实现对芯片的精确加工处理。
其中,第二弹性元件192连接到限位板191,第二弹性元件192的存在允许对载台200的上升实现缓冲作用,吸收振动或冲击,能够减少载台200上升至限位板191下端面所产生的振动,从而减少载台200损坏的风险,延长载台200的使用寿命。同时,弹性元件的存在可以帮助平稳地调整载台200的高度,从而提高载台200的调节精度,进而提高加工的可靠性。当然,可以是载台200限位于限位板191的下端面,当载台200上设置有物料,如放置有芯片的治具或工件时,还可以是治具或工件限位于限位板191的下端面。下面,结合图9和图10,对冷却管路800进行说明。
参考图2所示,用于芯片封装的真空装置还包括冷却管路800,冷却管路800连接壳体100并位于壳体100的外部,冷却管路800可以吸收壳体100的热量,实现壳体100的散热降温,能有效地控制壳体100的温度,使壳体100温度维持在芯片封装过程的所需的设定温度。可以理解的是,本发明实施例的用于芯片封装的真空装置需要设置密封结构来保证真空腔体110的密封性,通过冷却管路800的冷却,还可以防止壳体100过热,避免密封结构长期处于高温环境中可能会发生硬化和老化等现象,防止造成密封效果下降的问题,保证密封结构长期使用的稳定性。
在冷却管路800连接于壳体100并位于壳体100的外部时,冷却管路800可位于加热装置300的上方,能够实现冷却速度的可调性,通过调节加热装置300的加热温度,可以实现冷却管路800的快速冷却或缓慢冷却,从而适应不同的工艺要求。如,某些芯片在快速冷却条件下可能导致应力集中、变形或裂纹的产生,通过加热装置300对冷却管路800的加热,可以限制冷却速度,避免过快的温度变化,从而减少材料应力,提高冷却过程的均匀性。当然,冷却管路800还可以单独设置有加热装置300,此加热装置300可单独对冷却管路800进行加热。
在壳体100包括内壳体和外壳体时,冷却管路800设于内壳体与外壳体之间,冷却管路800实现壳体100的散热降温,内壳体与外壳体位冷却管路800提供安装空间,无需额外再设置冷却管路800的安装空间,整体结构的紧凑程度高,同时,外壳体还可以起到保护冷却管路800的作用。
在本实施例中,结合图10,图中箭头示意水流动的方向,水从进水口810处进入,沿冷却管路800向右、向上、向左流动,最后从出水口820流出。其中,冷却管路800迂回布置,能有效增大冷却面积。冷却管路800设置有进水口810和出水口820,进水口810用于连接外部水源,为冷却管路800提供可循环的冷却水,有效提高壳体100的冷却效果。其中,结合图10,壳体100设置有工艺口830,工艺口830用于加工冷却管路800,冷却管路800可与壳体100一体成型。在冷却管路800成型之后,可采用密封件或密封材料对工艺口830处进行封堵840,确保冷却管路800的密封效果。
冷却管路800连接载台200并位于载台200的内部,冷却管路800与载台200直接接触,可以快速有效地吸收载台200的热量,提高散热效率,同时,将冷却管路800集成在载台200内部,可以减少外部管路的布置和连接,节省装置占用空间,使整体结构更加紧凑。
需要说明的是,可以根据实际物料的需求设置预热区、加热区和冷却区,预热区、加热区和冷却区可以均通过多个真空装置组装而成,再通过不同区域的真空装置进行组装形成加工生产线。结合图12所示,从左到右依次设置有4个加工模块,预热区设置两个为例,从左到右依次为预热区、预热区、焊接区和冷却区。其中,预热区与加热区的真空装置的结构一致,区别是加热温度的不同;冷却区的区别是设置有冷却管路800,通过冷却管路800实现冷却。
本发明实施例提供的真空装置,可以实现真空装置的模块化安装组装自由,可实现安装数量自由组合,不同的加工需求可以通过选择不同数量和类型(设置冷却管路800或没有设置冷却管路800)的真空装置来满足,提供灵活的装置配置和扩展性,可根据工艺步骤的要求进行自由组合,从而提高加工的质量。
当然,不同区域的真空装置可以是由多个真空装置组装而成,也可以是每个区域设置一个真空装置,可根据实际的加工需求进行设置。
在一些实施例中,参考图2所示,在出料口131的一端,壳体100设有用于挡停物料240的挡停装置910,挡停装置910可以确保物料240在输料口停止并保持稳定位置,避免物料240的滑动和溢出;壳体100在进料口121和出料口131的至少一端设有检测物料240位置的位置传感器920,位置传感器920可提供物料240位置的实时监测信息,使操作人员或自动控制系统能够即时获取物料240的位置状态,有助于监控流程和进行必要的调整,确保装置的正常运行和产品质量。挡停装置910和位置传感器920的结合可以提高生产效率,通过准确停放物料240并实时监控其位置,可以减少处理过程中的停顿时间和误操作,提高装置的工作效率。可以理解的是,壳体100设有第四配合孔174,位置传感器920设置在第四配合孔174。
需要说明的是,壳体100还包括相对设置的第三侧壁140和第四侧壁150,第三侧壁140和第四侧壁150连接第一侧壁120和第二侧壁130,可以是在第一侧壁120、第二侧壁130、第三侧壁140和第四侧壁150中的至少一个设有检测物料240位置的位置传感器920。
其中,挡停装置910 可以是挡板式装置,通过设置一个可移动的挡板,用于阻止物料240的运动并停止其流动,挡板可以通过手动或自动控制移动,以控制物料240的停止和释放。挡停装置910可以是闸板式装置,由一个或多个水平或垂直移动的闸板组成,通过闸板的升降运动来阻挡或放行物料240,闸板可以通过液压、气动或电动驱动来实现控制。挡停装置910还可以是机械挡停装置910,通过设置物理障碍或机械部件,如推杆、销子或凸轮等,来阻止物料240的运动。
参考图12所示,本发明实施例提供的真空装置还包括真空门阀600,真空门阀600密封连接第一侧壁120和第二侧壁130中的至少一个,真空门阀600包括阀体610、阀片620和第三驱动装置630,阀体610设有贯通的阀孔611,阀孔611与进料口121和出料口131中的一个对应,第三驱动装置630适于驱动阀片620运动至开启阀孔611或关闭阀孔611。通过阀片620的开启和关闭阀孔611,可以实现进料口121和出料口131与外界的连通,从而实现物料240的传输,使物料240进出壳体100。真空门阀600密封连接第一侧壁120和第二侧壁130,在阀片620关闭阀孔611时,壳体100与真空门阀600能稳定形成密封区,为芯片封装提供了密封的可靠性。通过第三驱动装置630实现真空门阀600的开启或关闭,能够实现工艺流程的自动化,提高芯片加工效率。
真空门阀600设置有法兰640,法兰640设置在阀孔611,也可以理解为法兰640围设出阀孔611,壳体100设置有与法兰640的安装通孔650对应的螺纹孔,通过穿设于安装通孔650的螺纹孔的连接件实现真空门体与壳体100的连接。
在本实施例中,在安装通孔650和螺纹孔的至少一个的周围设置有环形密封槽,环形密封槽用于安装密封件,以实现真空门阀600与壳体100的密封。其中,密封件可以是密封圈、密封垫中的至少一种。
在一些实施例中,可以是一个真空装置的进料口121和出料口131处均设置真空门阀600,还是可以多个真空装置组装,相邻装置的进料口121与出料口131相互对应且密封连接,在首端(物料240进入装置一端)和末端(物料240送出装置的一端)设置真空门阀600。也就是,本发明实施例的用于芯片封装的真空装置可实现模块化的组装,可根据需求选取设定数量的用于芯片封装的真空装置进行组装,满足多种芯片的加工工艺要求。
在一些实施例中,结合图2,还包括载台200,载台200设置于真空腔体110内,第一升降装置400连接载台200以控制载台200相对于加热装置300和第一物料支撑装置160升降,第一升降装置400通过载台200接触物料240。
根据本发明实施例的用于芯片封装的真空装置,加热装置300固定连接壳体100,载台200能够相对加热装置300升降,载台200能够在第一位置(参见图6)和第二位置(参见图7)之间进行切换,避免载台200升降过程中会带动加热装置300运动,从而保证运行过程的稳定和安全。
其中,载台200与加热装置300采用分体式设计,在进行装配和维修时,载台200的拆装方便,进而降低整体装置的组装和维修难度以及维修成本。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (7)
1.一种用于芯片封装的真空装置,其特征在于,包括:
壳体,所述壳体内设有真空腔体,所述壳体包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁开设有进料口,所述第二侧壁开设有出料口,所述第一侧壁和所述第二侧壁中的至少一个设有第一物料支撑装置,所述第一物料支撑装置用于支撑物料,以使物料可沿着所述进料口向所述出料口的方向运动;
加热装置,固定连接所述壳体,所述加热装置用于加热所述物料;
第一升降装置,相对于所述加热装置和所述第一物料支撑装置升降,以实现在第一位置和第二位置的切换;在所述第一位置,所述第一升降装置用于接触所述物料;在所述第二位置,所述第一升降装置与所述物料隔开设定距离;温度传感器,连接所述第一升降装置,在所述第二位置,所述温度传感器的检测端伸出所述第一升降装置;在所述第一位置,所述检测端用于接触所述物料;所述第一升降装置设置有安装孔,所述检测端穿设于所述安装孔,所述检测端可沿所述安装孔运动;在所述第二位置,所述检测端的顶面高于所述安装孔的顶面;在所述第一位置,所述检测端限位于所述安装孔内;
其中,所述温度传感器包括:
温度传感器本体,设置所述检测端;
第一套体,固定连接所述第一升降装置,所述第一套体内设置有升降通道;
第二套体,设置于所述升降通道,所述第二套体固定连接所述温度传感器本体,所述温度传感器本体穿设于所述第二套体,所述第二套体可在所述升降通道内升降,以实现所述检测端的升降;
所述第一升降装置包括:
第二物料支撑装置,穿设于所述壳体底部的配合孔;
驱动装置,驱动所述第二物料支撑装置相对于所述配合孔移动,以驱动所述第二物料支撑装置在所述第一位置和所述第二位置之间切换。
2.根据权利要求1所述的用于芯片封装的真空装置,其特征在于,沿远离所述安装孔的顶面的方向,所述安装孔的横截面积减小。
3.根据权利要求1所述的用于芯片封装的真空装置,其特征在于,所述温度传感器还包括第一弹性元件,所述第一弹性元件设置在所述第一套体和所述第二套体之间。
4.根据权利要求1所述的用于芯片封装的真空装置,其特征在于,所述第一套体设置有第一装配孔,所述第一升降装置设置有第二装配孔,通过穿设于所述第一装配孔和所述第二装配孔的连接件连接所述第一套体和所述第一升降装置。
5.根据权利要求1所述的用于芯片封装的真空装置,其特征在于,所述温度传感器设置在所述第二物料支撑装置。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的用于芯片封装的真空装置,其特征在于,还包括第二升降装置,所述第二升降装置连接所述温度传感器以控制所述检测端的升降。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的用于芯片封装的真空装置,其特征在于,还包括载台,所述载台设置于真空腔体内,所述第一升降装置连接所述载台以控制所述载台相对于所述加热装置和所述第一物料支撑装置升降;
和/或,还包括高度限位装置,所述高度限位装置设置在所述壳体内,所述高度限位装置包括限位板和第二弹性元件,所述第二弹性元件连接所述限位板,所述第二弹性元件伸出所述限位板的下端面,在所述第一位置,所述第二弹性元件抵接所述载台,所述载台限位于所述下端面。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410053739.2A CN117577562B (zh) | 2024-01-15 | 2024-01-15 | 用于芯片封装的真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410053739.2A CN117577562B (zh) | 2024-01-15 | 2024-01-15 | 用于芯片封装的真空装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117577562A CN117577562A (zh) | 2024-02-20 |
CN117577562B true CN117577562B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=89862750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202410053739.2A Active CN117577562B (zh) | 2024-01-15 | 2024-01-15 | 用于芯片封装的真空装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117577562B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117872098B (zh) * | 2024-03-13 | 2024-05-14 | 无锡迈步智能装备有限公司 | 一种大容量封装芯片高温高电压老化装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4060377A (en) * | 1976-06-14 | 1977-11-29 | International Business Machines Corporation | Temperature monitoring furnace |
CN101109601A (zh) * | 2007-07-05 | 2008-01-23 | 林茂昌 | 内控真空焊接炉 |
CN201096536Y (zh) * | 2007-08-23 | 2008-08-06 | 宝山钢铁股份有限公司 | 伸缩转向式测温装置 |
KR101176847B1 (ko) * | 2011-04-25 | 2012-08-23 | 삼일테크(주) | 진공 챔버 솔더링 장치 |
KR20140036984A (ko) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 피에스케이 주식회사 | 연속 선형 열 처리장치 배열 |
CN107225303A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 深圳市宝瑞达科技有限公司 | 一种精密回流焊机 |
CN107949185A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-04-20 | 陕西高华知本化工科技有限公司 | 智能控制的小型回流焊接炉 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10607866B2 (en) * | 2018-08-01 | 2020-03-31 | Boston Process Technologies, Inc | Hot wall flux free solder ball treatment arrangement |
-
2024
- 2024-01-15 CN CN202410053739.2A patent/CN117577562B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4060377A (en) * | 1976-06-14 | 1977-11-29 | International Business Machines Corporation | Temperature monitoring furnace |
CN101109601A (zh) * | 2007-07-05 | 2008-01-23 | 林茂昌 | 内控真空焊接炉 |
CN201096536Y (zh) * | 2007-08-23 | 2008-08-06 | 宝山钢铁股份有限公司 | 伸缩转向式测温装置 |
KR101176847B1 (ko) * | 2011-04-25 | 2012-08-23 | 삼일테크(주) | 진공 챔버 솔더링 장치 |
KR20140036984A (ko) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 피에스케이 주식회사 | 연속 선형 열 처리장치 배열 |
CN107225303A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 深圳市宝瑞达科技有限公司 | 一种精密回流焊机 |
CN107949185A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-04-20 | 陕西高华知本化工科技有限公司 | 智能控制的小型回流焊接炉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117577562A (zh) | 2024-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN117577562B (zh) | 用于芯片封装的真空装置 | |
KR102425674B1 (ko) | 리프트 핀 시스템, 반응 챔버 및 반도체 가공 디바이스 | |
CN111489949B (zh) | 半导体加工设备及其工艺控制方法 | |
KR20140140046A (ko) | 진공 펌핑 장치, 진공유리 제작 시스템, 및 관련 방법 | |
CN113770608A (zh) | 一种通道式真空焊接炉 | |
CN108326389B (zh) | 真空钎焊炉 | |
US9978616B2 (en) | Pressing apparatus, substrate bonding apparatus and stacked substrate | |
CN110125512B (zh) | 一种在线式负压焊接炉 | |
CN117878040A (zh) | 用于芯片封装的真空设备 | |
CN220672522U (zh) | 半导体工艺腔室 | |
CN115654913A (zh) | 半导体芯片连续封装的真空炉升降装置、治具框及系统 | |
CN112589222B (zh) | 一种电路引脚锡焊装置 | |
CN115265198A (zh) | 一种用于生产半导体器件扩散炉炉体 | |
CN214724192U (zh) | 一种爬行定位机器人结构 | |
CN213984508U (zh) | 一种气氛烧结炉结构 | |
CN111725100A (zh) | 预热装置及预热方法 | |
CN217062204U (zh) | 电池负压化成设备 | |
KR102445655B1 (ko) | 열탈착을 이용한 분석 자동화 시스템 및 이를 이용한 분석 방법 | |
CN220921182U (zh) | 一种简易高温真空回流焊接炉 | |
CN214304884U (zh) | 一种轴承热装配真空密封装置 | |
JPH11157847A (ja) | 溶融ガラスの供給装置及び供給方法 | |
CN209830270U (zh) | 一种用于选区激光熔化设备的可隔热工作平台 | |
CN214439117U (zh) | 一种物理实验用真空罩结构 | |
CN117995736B (zh) | 晶圆供应设备 | |
CN212991053U (zh) | 一种igbt模块的在线加热装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |