JP5884448B2 - はんだ接合装置およびはんだ接合方法 - Google Patents
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Description
(積層体)
図1は、本発明の実施の形態に係る積層体の模式的側面図である。
(ガス発生装置)
図2は、本発明の実施の形態に係るガス発生装置の模式的断面図である。
このように、ガス発生装置20では、容器21内に供給されるカルボン酸22が、送気管24から供給されるキャリアガスによりバブリングされ、温度制御手段27a、27bにより温度を制御され、さらに、液面検知手段28a、28bによりその液面と容器21に形成された開口部26aとの間の距離dが制御される。この結果、カルボン酸22とキャリアガスが均一に混合する空間が容器21内に確保されるので、高濃度のカルボン酸を含有するガスを発生させることができるとともに、カルボン酸含有量を一定に保ち、供給することができるガス発生装置20を提供することができる。
(はんだ接合装置)
図3は、本発明の実施の形態に係るはんだ接合装置の模式的系統図である。
このように、はんだ接合装置50では、ガス発生装置20の容器21内に供給されるカルボン酸22が、送気管24から供給されるキャリアガスによりバブリングされ、温度制御手段27a、27bにより温度を制御され、さらに、液面検知手段28a、28bによりその液面22aと容器21に形成された開口部26aとの間の距離dが制御される。この結果、カルボン酸22とキャリアガスが均一に混合する空間が容器21内に確保され、高濃度で一定の含有量に保たれたカルボン酸含有ガス25をリフロー炉30に供給することができるので、短時間で積層体1をはんだ接合できるはんだ接合装置50を提供することができる。
(はんだ接合方法)
図4は、本発明の実施の形態に係るはんだ接合方法の工程図である。このはんだ接合方法は、上記のはんだ接合装置50により実施することができる。
ガス発生工程(S2)では、ガス発生装置20から供給されるカルボン酸含有ガス25を、必要に応じてバッファタンク40内でキャリアガスと混合、希釈してリフロー炉30に供給する。カルボン酸として蟻酸を用い、IGBT等の半導体素子を含む積層体1を還元処理するときは、蟻酸の濃度を3〜5vol%とすることが望ましい。
このように、本発明の実施の形態に係るはんだ接合方法では、ガス発生工程(S2)において、容器21内に供給されるカルボン酸22が、送気管24から供給されるキャリアガスによりバブリングされ、温度制御手段27a、27bにより温度を制御され、さらに、液面検知手段28a、28bによりその液面22aと容器21に形成された開口部26aとの間の距離dが制御される。容器21内で発生したカルボン酸含有ガス25は、還元工程(S3)において、リフロー炉30内に供給され、加熱された被接合部材表面を還元する。ガス発生工程(S2)において、高濃度で一定の含有量に保たれたカルボン酸含有ガス25を発生させ、リフロー炉30に供給することができるので、還元工程(S3)において短時間で十分に積層体1の被接合部材表面を還元することができ、短時間ではんだ接合できる接合方法を提供することができる。
2 金属ベース
3 絶縁基板
4、5 回路パターン
6 導電パターン付き絶縁基板
7、8 電子部品
9、10 はんだ部材
20 ガス発生装置
21 容器
22 カルボン酸
22a 液面
23 送液管
24 送気管
25 カルボン酸含有ガス
26 ガス取り出し部
26a 開口部
27 温度制御手段
28 液面検知手段
30 リフロー炉
31 熱板
40 バッファタンク
41、42 キャリアガスタンク
43 カルボン酸貯留タンク
50 はんだ接合装置
Claims (5)
- 積層体の還元処理およびはんだ接合に用いる加熱手段を備えるリフロー炉と、
前記リフロー炉内にカルボン酸含有ガスを供給するためのガス発生装置と、を少なくとも備え、
前記ガス発生装置は、
両端面が塞がれた筒状形状の容器と、
カルボン酸を前記容器内に供給するため前記容器に固定された送液管と、
キャリアガスを前記容器内に供給し、前記カルボン酸に吹き込むため前記容器に固定された送気管と、
前記カルボン酸および前記キャリアガスを含み前記容器内で発生する前記カルボン酸含有ガスを前記容器外へ供給するため前記容器内に開口している開口部を備えるガス取り出し部と、
前記容器内に供給される前記カルボン酸の温度を制御するため前記容器に設置された温度制御手段と、
前記容器内に供給される前記カルボン酸の液面を検知して、当該液面と前記開口部の間の距離を制御するため、前記容器に設置された液面検知手段と、
を備え、
前記ガス発生装置は、前記ガス取り出し部に接続されたバッファタンクを介して、前記リフロー炉に接続されており、前記バッファタンクにおいて前記カルボン酸含有ガスが希釈され前記リフロー炉に供給されるはんだ接合装置。 - 前記液面検知手段は、前記カルボン酸の液面と前記開口部の間の距離を、前記容器の深さの3分の1以上、3分の2以下に保つように設置されている請求項1記載のはんだ接合装置。
- 前記温度制御手段は、前記容器内に供給される前記カルボン酸を、1.0×105Pa〜1.1×105Paの圧力下において、該カルボン酸の融点以上、沸点以下の温度に保つ請求項1または2記載のはんだ接合装置。
- 前記送液管の開口部が、前記容器内に供給される前記カルボン酸に浸漬するよう、前記容器の底部に配置され、
前記送気管の開口部が、前記容器内に供給される前記カルボン酸に浸漬するよう、前記容器の底部に配置されるとともに、前記容器の底部に沿って複数個所で開口している請求項1〜3のいずれか一項に記載のはんだ接合装置。 - 少なくとも2つの被接合部材間にはんだ部材が挟まれた積層体をリフロー炉内に配置する配置工程と、
前記リフロー炉へカルボン酸含有ガスを供給するためのガス発生装置において、カルボン酸にキャリアガスを吹き込み前記カルボン酸含有ガスを発生するガス発生工程と、
前記カルボン酸含有ガスを前記リフロー炉に供給するとともに、当該リフロー炉内に配置した前記積層体を加熱して当該積層体を還元する還元工程と、
前記リフロー炉内において前記積層体のはんだ接合を行う接合工程と、を備え、
前記ガス発生装置が、
両端面が塞がれた筒状形状の容器と、
カルボン酸を前記容器内に供給するため前記容器に固定された送液管と、
キャリアガスを前記容器内に供給するため前記容器に固定された送気管と、
前記カルボン酸および前記キャリアガスを含み前記容器内で発生する前記カルボン酸含有ガスを前記容器外へ供給するため前記容器内に開口している開口部を備えるガス取り出し部と、
前記容器内に供給される前記カルボン酸の温度を制御するため前記容器に設置された温度制御手段と、
前記容器内に供給される前記カルボン酸の液面を検知して、当該液面と前記開口部の間の距離を制御するため、前記容器に設置された液面検知手段と、
を備え、
前記ガス発生工程に続いて、前記カルボン酸含有ガスをバッファタンクにおいて希釈する希釈工程を備え、希釈された前記カルボン酸含有ガスを前記リフロー炉に供給する積層体のはんだ接合方法。
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