JP2011067864A - 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法 - Google Patents

加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011067864A
JP2011067864A JP2009254255A JP2009254255A JP2011067864A JP 2011067864 A JP2011067864 A JP 2011067864A JP 2009254255 A JP2009254255 A JP 2009254255A JP 2009254255 A JP2009254255 A JP 2009254255A JP 2011067864 A JP2011067864 A JP 2011067864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
heating
melting
carboxylic acid
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009254255A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5424201B2 (ja
Inventor
Hideyuki Abe
英之 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ayumi Industry Co Ltd
Ayumi Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Ayumi Industry Co Ltd
Ayumi Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2009254255A priority Critical patent/JP5424201B2/ja
Application filed by Ayumi Industry Co Ltd, Ayumi Kogyo Co Ltd filed Critical Ayumi Industry Co Ltd
Priority to CN201080038060.2A priority patent/CN102481650B/zh
Priority to PCT/JP2010/064299 priority patent/WO2011024813A1/ja
Priority to US13/392,303 priority patent/US8864011B2/en
Priority to KR1020127004832A priority patent/KR101707577B1/ko
Priority to EP10811863.9A priority patent/EP2471622B1/en
Priority to TW099128732A priority patent/TWI492347B/zh
Publication of JP2011067864A publication Critical patent/JP2011067864A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5424201B2 publication Critical patent/JP5424201B2/ja
Priority to US14/484,418 priority patent/US9101995B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016—Brazing of electronic components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/008—Soldering within a furnace
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/04—Heating appliances
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/08—Auxiliary devices therefor
    • B23K3/085—Cooling, heat sink or heat shielding means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/08—Auxiliary devices therefor
    • B23K3/087—Soldering or brazing jigs, fixtures or clamping means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/003—Cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/046—Surface mounting
    • H05K13/0465—Surface mounting by soldering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/04—Tubular or hollow articles
    • B23K2101/12—Vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/42—Printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8121—Applying energy for connecting using a reflow oven
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】処理対象物を直接的に冷却することができ、別途の冷却板を設置する必要がない加熱溶融処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の加熱溶融処理装置は、半田を含む処理対象物１００についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置１であって、加熱溶融処理した処理対象物１００を載せて搬送するためのハンド部４を冷却板として兼用する。
【選択図】図６

Description

本発明は、半田を含む処理対象物を加熱溶融処理するための加熱溶融処理装置およびその方法に関する。
半田付け処理装置や半田ボールの成形装置などのように、半田を含む処理対象物を加熱溶融処理するための加熱溶融処理装置が広く用いられている。特に、フラックスを用いることなく半田付け処理や半田ボール成形処理を可能とするために、ギ酸その他のカルボン酸を用いる加熱溶融処理装置が知られている（特許文献１、２）。
これらの加熱溶融処理装置では、半田が溶融してから冷却するまでの時間を短縮することが、作業速度の向上の見地から要求される。この点、特許文献１に記載の装置では、加熱手段を備えている熱板の下方に、冷却板を昇降可能に設け、冷却時には、冷却板を熱板の下面に密着させることによって、半田付け基板を強制冷却する。
特開平１１−２３３９３４号公報 特開２００１−２４４６１８号公報
しかしながら、上記の従来の加熱溶融処理装置では、半田付け基板など処理対象物自体に冷却板を密着させるのではなく、加熱手段が設けられた熱板に冷却板を密着させるものにすぎない。
したがって、この従来技術の加熱溶融処理装置は、熱板を介して間接的に処理対象物を冷却できるにすぎず、処理対象物自体を直接的に冷却することができないという問題がある。さらに、処理対象物をチャンバ内に出し入れするための搬送手段のほかに、別途の冷却板を移動可能に設置する必要があるという問題がある。
そこで本発明は、処理対象物を直接的に冷却することができ、別途の冷却板を設置する必要がない加熱溶融処理装置を提供することを目的とする。
本発明の加熱溶融処理装置は、半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置であって、前記加熱溶融処理した処理対象物を載せて搬送するためのハンド部を冷却板として兼用することを特徴とする。
本発明の加熱溶融処理方法は、半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する段階と、前記加熱溶融処理した処理対象物を、冷却板として兼用されるハンド部に載せて搬送する段階と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、加熱手段を備えた熱板を介して処理対象物を間接的に冷却する場合に比べて、急速冷却が可能となり、作業速度を高めて生産性を高めることができる。
本発明の第１実施形態の半田付け処理装置を示す断面図である。 図１の半田付け処理装置のハンド部を示す平面図である。 図１の半田付け処理装置による半田付け処理の工程を示す断面図である。 図３に後続する工程を示す断面図である。 図４に後続する工程を示す断面図である。 図５に後続する工程を示す断面図である。 図６に後続する工程を示す断面図である。 図７に後続する工程を示す断面図である。 図８に後続する工程を示す断面図である。 図１の半田付け処理装置による昇降温特性を示す図である。 比較例の半田付け処理装置による昇降温特性を示す図である。 図１０および図１１の昇降温特性の温度分布測定位置を示す図である。 図１０および図１１の昇降温特性の測定の際のプロセス条件を示す図である。 加熱状態を維持したまま、処理対象物を受け渡す場合における図１の半田付け処理装置による昇降温特性を示す図である。 第２の実施形態の半田付け処理装置の内部を上方から見た概略平面図である。 本発明の変形例における昇温特性の一例を示す図である。
＜第１の実施形態＞
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の第１の実施形態を説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
図１は、本発明の加熱溶融処理装置を半田付け処理装置として適用した場合の第１の実施形態を示している。半田付け処理装置１は、第１チャンバ２と、第２チャンバ３とを有し、これらの間で処理対象物たる半田付け基板を載せて搬送するハンド部４を冷却板としても兼用するものである。
ここで、第１チャンバ２と第２チャンバ３とは、開閉可能なゲートバルブ５を介して連結されている。第１チャンバ２は、半田を含む処理対象物である半田付け基板１００を半田付けするための処理室をなし、第２チャンバ３は、半田付け基板１００を投入するためのロードロック室をなす。なお、半田付け基板１００は、表面に複数の半田バンプが形成されているチップを少なくとも含む一対のチップであってもよく、この場合、前記半田付け処理として、前記一対のチップを前記半田バンプ同士または前記半田バンプと電極とを介して積層して接合するフリップチップボンディング処理が実行される。つまり、フリップチップボンディング処理を採用する場合は、第１のチップと第２のチップの双方の表面に半田バンプが形成され、これら半田バンプ同士を介して第１のチップと第２のチップとが半田接合されてもよく、第１のチップの表面に半田バンプが形成される一方、第２のチップの表面に電極部が形成され、第１のチップの半田バンプと第２のチップの電極部とを介して第１のチップと第２のチップとが半田接合されてもよい。
以上の説明では、第１のチップと第２のチップの双方を半田接合する場合について述べたが、これ以外に、表面に複数の半田バンプが形成されているチップとウェハーの相互を半田接合すること、または、表面に複数の半田バンプが形成されている複数のウェハー同士を相互に半田接合することも考えられる。
＜給排気系について＞
まず、第１チャンバ２および第２チャンバ３へ接続される給排気系について説明する。第１チャンバ２および第２チャンバ３には、それぞれバルブ６、７を介して排気ポンプ（真空ポンプ）８が接続されている。この排気ポンプ８は、第１チャンバ内および第２チャンバ内を減圧するための排気手段である。なお、本実施形態では、第１チャンバ２および第２チャンバ３用の排気手段として、１つの排気ポンプ８が設けられているが、本実施形態と異なり、それぞれのチャンバ２、３に別個独立した排気ポンプを設けてもよい。
また、第１チャンバ２には、フラックスなしで半田付けを可能とするためにカルボン酸蒸気の供給系（カルボン酸供給手段）９がバルブ１０を介して接続される。カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、アクリル酸、サリチル酸、乳酸等を用いることができる。
カルボン酸蒸気の供給系９は、水素、一酸化炭素のような還元性ガス、または窒素のような不活性ガス等のキャリアガスをカルボン酸蒸気に混合して第１チャンバ２内に導入する。カルボン酸蒸気の供給系９は、カルボン酸の液体を収容した密閉容器１１を有し、その密閉容器１１には、バルブ１２を介してキャリアガスを供給するキャリアガス供給管１３が接続されている。キャリアガス供給管１３は、容器１１内において気泡を発生（バブリング）させるためのバブリング部１４に接続される。なお、容器１１の周辺には、カルボン酸の液体を温めるためのヒータを設けてもよい。ヒータは、カルボン酸の液体を一定の温度に保つ。このように、キャリアガスを併用することにより、第１チャンバ２内へのカルボン酸蒸気の導入が容易になり、かつ十分に気化していない状態のカルボン酸が処理対象物上に付着して残渣を生じさせることを防止することができる。
なお、本実施形態と異なり、キャリアガスを用いることなく、カルボン酸の液体を収容した密閉容器１１を第１チャンバ２に連通させることにより、その蒸気を第１チャンバ２内に導入するようにしてよい。また、カルボン酸の液体を収容した密閉容器１１を第１チャンバ２に連通させる途中でキャリアガスを混合するようにしてもよい。これらの場合、その蒸発量は、第１チャンバ２内のガス圧力に依存する。
また、第１チャンバ２内にカルボン酸を加熱して気化させるカルボン酸加熱手段（不図示）を設けておき、カルボン酸の液体を供給管（不図示）を介して前記第１チャンバ内のカルボン酸加熱手段に供給することもできる。この場合、第１チャンバ２内でカルボン酸加熱手段が、液体のカルボン酸を加熱して気化することによって、カルボン酸蒸気雰囲気が提供されることになる。
次に、カルボン酸回収部について説明する。本実施形態の半田付け処理装置１は、排気ポンプ８の吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、気化したカルボン酸を回収するカルボン酸回収部（回収機構）１５を有する。カルボン酸回収部１５は、排気ポンプ８の吸気側または排気側に取り付けられるフィルタであってもよく、排気側に取り付けられるスクラバであってもよい。フィルタとしては、Ｃａ（ＯＨ）２などの混合物を用いたアルカリ固形物による中和方式のフィルタやカルボン酸を熱分解する熱分解方式のフィルタを採用することができる。また、カルボン酸を捕捉するモレキュラーシーブを用いた吸着方式のフィルタ、または触媒分解反応を用いた触媒反応方式などその他の方式のフィルタを採用することもできる。一方、スクラバとしては、カルボン酸を液体処理により中和する方式のスクラバ、または気化したカルボン酸を溶液に溶かして回収する方式のスクラバを採用することができる。気化したカルボン酸を溶液に溶かして回収する方式のスクラバは、排気ポンプの排気側に連結された第１の排気管を液槽内の溶液に挿入するとともに、液槽の上部に第２の排気管を接続する構成を有する。
さらに、第１チャンバ２には、内部を窒素雰囲気に置換（パージ）するための窒素供給管１６がバルブ１７を介して接続されており、第２チャンバ３には、同様に窒素供給管１８がバルブ１９を介して接続されている。
＜加熱手段について＞
次に、第１チャンバ２内に設けられる加熱手段について説明する。
第１チャンバ２内には、加熱手段としての熱板２０が設けられている。熱板２０の上面には、半田付け基板１００が載せられ加熱される。しかしながら、半田付け基板１００の個数が多い場合などは、金属、セラミックその他の材料で形成されたトレー板１１０を介して半田付け基板１００を熱板２０上に配置することもできる。図１では、トレー板１１０を介して半田付け基板１００が配置される場合を例示する。したがって、以下の説明では、説明の便宜上、半田付け基板１００のみならずトレー板１１０を処理対象物と称する場合がある。
なお、熱板２０としては、ヒータが附設された金属、セラミックスその他の材料で構成することができ、ヒータとしてはシーズヒータのような電気抵抗発熱体を採用することができる。しかしながら、より好適には、耐食性を向上する見地から、熱板２０をカーボン板状体で形成し、このカーボン板状体２０自体に通電することによって、熱板２０自体を発熱させて処理対象物を加熱することが望ましい。
＜搬送部などについて＞
次に、本実施形態の半田付け処理装置における搬送部について説明する。
第２チャンバ３には、処理対象物を出し入れするめの蓋２１が設けられている。そして、半田付け処理装置１は、投入された処理対象物を第１チャンバ２と第２チャンバ３との間で搬送する搬送部（搬送手段）２２を具える。
搬送部２２は、ハンド部４と、ハンド部４を進退自在に移動するための移動機構（移動手段）２３とを有する。ここで、本出願において、「ハンド部」とは、処理対象物を搬送する際に、この処理対象物を載せる部分を意味する。本実施形態では、ハンド部４は、板状体をしている。しかしながら、この場合に限られるものではなく、種々の形状のハンド部４を採用することができる。また、冷却効率を高める見地からは、ハンド部４の上面は、基板１００あるいはトレー板１１０などの下面に密着できるように平坦に形成されることが望ましい。ハンド部４は、金属、セラミックその他の材料で形成することができる。
図２は、ハンド部の一例を示す。ハンド部４は、冷却用媒体が内部を流通する流通路２４を有する。図２に示す例では、ハンド部４の内部に流通路を設けてもよい。たとえば、ハンド部は、流通路をなす溝が形成されたハンド部本体と、ハンド部本体に接合される蓋部とを有し、ハンド部本体に蓋部を接合することで流通路が完成するようにしてもよい。流通路２４は、ハンド部４の広い範囲を冷却するべく面内で蛇行するように設けられることが望ましい。なお、本実施形態と異なり、基板１００やトレー板１００を載せる面と反対側の面である下面側に流通路２４を外付けしてもよい。流通路２４内を流れる冷却用媒体は、液体でも気体でもよい。しかしながら、冷却効率の観点からは液体であることが望ましく、特に取り扱いの便宜の見地からは水が望ましい。流通路２４の流入口２５および流出口２６は、好ましくは、可撓性を有する管（不図示）を介して第２チャンバの外部に延びて外部の冷媒循環装置（不図示）に接続される。
このようなハンド部４は、移動機構２３に取り付けられている。移動機構２３は、第１チャンバ２と第２チャンバ３との間で前記ハンド部４を進退自在に移動するものである。図１では、移動機構２３は、レール２７（２７ａ、２７ｂ、２７ｃ）と、当該レール２７上をモータ動力で移動する移動ステージ２８とを有する。レール２７は、第１チャンバ２内に位置する第１レール部２７ａと、第２チャンバ３内に位置する第２レール部２７ｂと、それらの間にある第３レール部２７ｃとを有する。なお、第３レール部２７ｃは、ゲートバルブ５の上部に取り付けられており、第１チャンバ２と第２チャンバ３との間のゲートバルブ５の開閉動作に連動して移動し、ゲートバルブ５が開いた状態で、第１レール部２７ａと第２レール部２７ｂとを連結して全体のレール２７を完成させる。
なお、本実施形態では、レール２７と移動ステージ２８とを移動機構２３として用いたが、移動機構は、この場合に限られず、ハンド部４を第１チャンバ２と第２チャンバ３との間で移動可能であるものである限り、一軸または多軸のロボットアームなどその他の各種機構であってもよい。
次に、第１チャンバ２内において、ハンド部４との間で処理対象物を受け渡すために処理対象物を昇降する昇降機構について説明する。図１に示すように、昇降機構２９、２９は、基板１００やトレー板１１０を支持しつつ昇降動作をするための機構である。昇降機構２９、２９は、基板１００や基板１００が載せられたトレー板１１０など処理対象物を熱板２０（加熱手段）の上面に置かれた状態から離間させるように上昇移動させることができる。また、逆に熱板２０から離間した状態で処理対象物を受け取った後、熱板２０の上面に処理対象物を載置する状態となるまで処理対象物を下降移動させることができる。本実施形態では、棒形状の昇降桿を昇降機構２９、２９として用いる場合を説明したが、この場合に限られない。処理対象物などを支持しつつ上下方向に昇降動作することが可能である限り、昇降機構として採用することができる。
次に、以上のように構成される本実施形態の半田付け処理装置１の動作について説明する。
まず、図３に示されるように、第２チャンバ３の蓋２１が開かれて、処理対象物である基板１００が第２チャンバ３内に投入される。本実施形態では、複数の基板１００が、トレー板１１０に載せられた状態で投入される。投入されたトレー板１１０は、ハンド部４の上面に載せられる。
次いで、図４に示されるように、蓋２１が閉じられる。バルブ６、７が開かれて排気ポンプ８が駆動され、第１チャンバ２および第２チャンバ３内が真空排気される。真空度は、適宜に決定することができるが、たとえば、１００００Ｐａ（≒８０Ｔｏｒｒ）よりも高真空にすることが望ましい、さらに好もしくは１０Ｐａ（≒８×１０−２Ｔｏｒｒ）よりも高真空にすることが望ましい。本実施形態では、真空度を、６．６Ｐａ（５×１０−２Ｔｏｒｒ）としている。
次に、図５に示されるように、ゲートバルブ５を開く。そして、搬送部２２が第２チャンバ３から第１チャンバ２へとトレー板１１０を搬送する。具体的には、ゲートバルブ５が開かれるのに連動して、第１レール部２７ａ、第２レール部２７ｂ、第３レール部２７ｃが繋がった状態となり、レール２７が完成する。そして、移動ステージ２８のモータ動力がオンされレール２７に沿ってハンド部４を第１チャンバ２内へと移動させる。移動ステージ２８は、ハンド部４が熱板２０の上方に位置するまで移動を続ける。たとえば、移動ステージ２８は、熱板２０と接触しないように熱板２０を跨ぐような形状をしている。
次いで、図６に示されるように、昇降機構２９、２９が上昇してハンド部４上のトレー板１１０を受け取る。トレー板１１０を昇降機構２９，２９に受け渡した後、移動ステージ２８は、ハンド部４を第２チャンバ３内へ戻す。
次いで、図７に示されるように、昇降機構２９、２９が降下して、トレー板１１０を熱板２０上に載置する。これとともに、ゲートバルブ５が閉じられて、第１チャンバ２と第２チャンバ３との間が閉鎖された状態となる。
この状態で、カルボン酸蒸気の供給系９は、水素、一酸化炭素のような還元性ガス、または窒素のような不活性ガス等のキャリアガスをカルボン酸蒸気に混合して第１チャンバ２内に導入する。具体的には、バルブ１２を開いてキャリアガスを密閉容器９内に導入してバブリングし、バルブ１０を調整しつつ開いて、キャリアガスとともにカルボン酸蒸気を第１チャンバ２内に導入する。本実施形態では、カルボン酸としてギ酸を用いている。
第１チャンバ２内の圧力は、カルボン酸蒸気およびキャリアガスの導入に伴って、たとえば、所定の圧力まで導入する。具体的には、カルボン酸蒸気およびキャリアガスの圧力は、処理対象物の表面の酸化の程度を考慮して、数Ｐａ〜１×１０５Ｐａまでの広い範囲の中から選択される。カルボン酸蒸気およびキャリアガスの圧力は、バルブ１０およびバルブ６の開度などを調整することによって設定することができる。なお、排気ポンプ８（排気手段）によって排気されたカルボン酸蒸気は、排気手段の吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、気化したカルボン酸を回収するカルボン酸回収部（回収機構）１５によって回収されて、無害化される。
このようなカルボン酸蒸気およびキャリアガスの導入に並行して熱板４により基板１００の加熱がなされる。熱板２０をカーボン板状体で形成した場合には、このカーボン板状体２０自体に通電することによって、熱板２０自体を発熱させることが可能である。カーボン板状体２００自体を発熱させる構成によれば、カルボン酸に侵されにくくすることができ、耐食性を向上させることができる。熱板４は、基板１００の半田の融点以上の温度となるまで、基板１００を加熱する。たとえば、半田がＳｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）である場合には、半田付けに適した２３０℃〜２５０℃程度まで加熱する。Ｐｂ−５Ｓｎ(融点３１４℃)である場合には、半田付けに適した３３０℃〜３６０℃程度まで加熱する。なお、ボイドを防止する観点からは、カルボン酸蒸気は、基板１００の温度が融点に達する前には少なくとも導入することが望ましい。
たとえば、所定時間（たとえば、５分〜１０分程度）が経過すると、熱板２０への通電を停止する。そして、バルブ１０、１２を閉めてカルボン酸蒸気の供給を停止する。次いで、バルブ１５を閉じて排気ポンプ８の運転を停止し、バルブ１７、１９を開いて窒素ガスを導入して第１チャンバ１、２の内部を窒素ガスで置換する。
次に、図８に示されるように、ゲートバルブ５を開く。これに伴ってレール２７が完成する。そして、第１チャンバ２内においては、昇降機構２９、２９が上昇する。昇降機構２９、２９は、熱板２０上のトレー板１１０を支持しつつトレー板１１０を熱板２０から離間させる。これに連動して、移動ステージ２８が、第２チャンバ３内から第１チャンバ２内へとレール２７上を走行する。そして、昇降機構２９、２９によってトレー板１１０（あるいは、基板１００が複数でないならば、基板１００自身でもよい）が熱板２０の上面から離間された状態で、移動ステージ（移動手段）２８は、ハンド部４をトレー板１１０と熱板２０との間に挿入する。このとき、ハンド部４は、熱板２０自身には接触しない。
次いで、昇降機構２９、２９が下降し、トレー板１１０をハンド部４上に受け渡す。ハンド部４は、流通路２４が設けられており、その流通路２４の内部を水その他の冷却用媒体が循環している。したがって、ハンド部４上にトレー板１１０（あるいは基板１００）が載置された時点で、既に基板１００の冷却が開始される。しかも、ハンド部４は、熱板２０を介して基板１００を間接的に冷却するのではなく、基板１００自体あるいはトレー板１１０を直接に冷却するので、急速に冷却することができる。
次いで、図９に示されるように、搬送部２２は、第１チャンバ２から第２チャンバ３へとトレー板１１０を搬送する。すなわち、第１チャンバ２と第２チャンバ３との間で処理対象物を搬送する際に処理対象物を載せるハンド部４が、冷却板としても兼用されるので、処理対象物を搬送しつつ、その搬送時間も強制冷却を継続することができる。第２チャンバ３内にトレー板１１０が戻ると、ゲートバルブ５を閉じられる。そして、蓋２１を開いて半田付けを終わった基板１００をトレー板１１０ごと取り出す。そして、次に処理する基板１００があれば、図４の状態に戻り、基板１００を載せたトレー板１１０をハンド部４上に投入し、半田付け操作を繰り返す。
以上のような処理を行う半田付け処理装置を用いた効果について説明する。図１０は、本実施形態の半田付け処理装置１を用いた場合の昇降温特性であり、図１１は、比較例として、ヒータを備える熱板に冷却板を密着させる従来のタイプの半田付け処理装置を用いた場合の昇降温特性である。なお、測定は、図１２に示すように、カーボン板状体の熱板（カーボンヒータ）上に、３００×３００ｍｍで厚さ５ｍｍのカーボンのトレー板１１０を載せ、トレー板１１０の点１〜点１１の各点で温度を測定した。また、プロセス条件としては、本実施形態の半田付け処理装置の場合も比較例の半田付け処理装置の場合も、図１３に示すような同一の条件を採用した。
図１１に示されるように、従来のタイプの半田付け処理装置では、トレー板１１０上の温度が２５０℃から５０℃になるまでに１６分程度の時間が必要であったのに対し、本実施形態の半田付け処理装置では、トレー板１１０上の温度が２５０℃から５０℃になるまで３分程度の時間で足りた。また、カーボン板状体を採用して、カーボン板状体への通電によってカーボン板状体自体を発熱させることができるので、測定点１〜１１の各温度分布が均一であった。
このように、本実施形態の半田付け処理装置によれば、処理対象物を急速冷却する際に、加熱手段を備えた熱板を介して処理対象物を間接的に冷却する必要がないので、さらに急速冷却が可能となる。つまり、降温時間を短縮することにより、作業速度を高めて生成性を高めることができることがわかる。
なお、上述した条件では、室温から昇温を開始する場合を説明したが、本実施形態の半田処理装置によれば、冷却板として機能するハンド部４が熱板２０に接触せず、熱板２０を冷却する必要がない。したがって、熱板２０自体の温度を所定温度以上、たとえば、７０℃〜３００℃程度に維持したまま、次の処理対象物の処理を行うことができる。したがって、必要に応じて、昇温時間についても短縮することもできる。つまり、上述した特許文献１に記載されているような従来の方法によれば、処理対象物を冷却するために熱板を冷却する必要がある。つまり、処理対象物における半田の酸化を防止したり、オペレータの火傷などを防止したりする見地から処理対象物を冷却する必要があるが、従来の方法によれば、熱板までも冷却する必要がある。この結果、従来の方法によれば、熱板を常温（ＪＩＳ規格によれば２０±１５℃）近くまで下降する必要があったが、本実施形態の半田処理装置によれば、熱板２０を常温近くまで下降する必要がない。したがって、たとえば、加熱手段として機能する熱板２０の温度を、予め７０℃以上の温度範囲に上げておくことで、昇温時間を短縮することができる。
図１４は、熱板２０自体を２７０℃程度の温度に維持したまま、冷却板として機能するハンド部４により処理対象物を受け渡す場合における昇降温特性を示している。図１４の縦軸は温度（℃）を示し、横軸は経過時間（分）を示している。なお、図１４において、点線は熱板２０の温度を示し、各実線は、図１２に示すトレー板（処理対象物）の点１〜点１２の各点での温度を示す。図１４では、目標温度は、半田付けに適した２３０℃〜２５０℃に設定することが望ましく、本実施例では、２５０℃に設定している。図１４に示される例では、処理対象物が載せられていない場合にも、熱板２０は通電を維持して加熱状態を保つ。そして、熱板２０自体を目標温度よりも高い設定温度である２７０℃程度に維持したまま、トレー板（処理対象物）が載せられる。このトレー板を載せた瞬間は、トレー板に熱が奪われるので、熱板２０の温度は一旦は２３０℃程度まで低下する。しかし、その後の温度制御により再び設定温度に復帰する。
図１４に示されるように、熱板２０自体の温度を目標温度付近（好ましくは、目標温度より高い温度領域）に維持したまま処理対照物を受け渡すことにより、非対称物の処理温度を室温付近から目標温度（２５０℃）まで昇温するのに要する時間を短縮することができる。図１４に示す場合には、室温から目標温度（２５０℃）までに昇温するのに要する時間は、１分程度に抑えられている。なお、図１１のように熱板２０自体の温度を昇降する制御をする場合には室温付近から目標温度まで昇温するのに５分程度かかっていることと比較すると、図１４に示すように、熱板２０自体の温度を目標温度付近（好ましくは、目標温度より高い温度）に維持したまま処理対照物を受け渡すことによって、大幅な処理時間の短縮が可能であることがわかる。
また、図１４に示されるように、熱板２０自体の温度を目標温度付近（好ましくは、目標温度より高い温度）に維持したまま処理対照物を受け渡す場合には、図１１に示されるように熱板２０自体の温度の昇降する場合と比べて、熱板２０の温度がオーバーシュートすることがない。したがって、制御も容易になる。
以上、図１４に示したように、本実施形態の半田付け処理装置は、処理対象物を急速冷却する際に、加熱手段を備えた熱板を介して処理対象物を間接的に冷却する必要がないので、さらに急速冷却が可能となる。つまり、降温時間を短縮することにより、作業速度を高めて生成性を高めることができることがわかる。
以上のように本実施形態の半田付け処理装置は、以下の効果を奏する。
（１）処理対象物を急速冷却する際に、加熱手段を備えた熱板を介して処理対象物を間接的に冷却する場合に比べて、降温時間を短縮することができる。
（２）熱板２０自体の温度を高いまま維持しつつ、次の処理対象物の処理を行うことができる。したがって、必要に応じて、昇温時間についても短縮することもできる。
（３）搬送手段の構成部分であるハンド部４を冷却板として兼用することができるので、搬送時間をも強制冷却期間として利用することができる。また、搬送系と冷却系とを別々の機械構成として設ける必要がなくなる。
（４）熱板２０として、カーボン板状体を採用して、カーボン板状体への通電によってカーボン板状体自体を発熱させることができるので、耐腐食性を向上することができる。
＜第２の実施形態＞
上記の第１の実施形態では、冷却用液体が内部を流通する流通路を有するハンド部４を用いる場合を説明した。第２の実施形態では、ハンド部４は、冷却用液体が内部を流通する流通路を有しない。
図１５は、第２の実施形態の半田付け処理装置の内部を上方から見た概略平面図を示す。なお、第１の実施形態と同様の構成について説明を省略する。本実施形態の半田付け装置のハンド部４は、銅（３９８ Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）などのように熱伝導率が大きい物質で形成されることが望ましく、好ましくは熱伝導率が１００Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１以上の物質で形成されることが望ましい。そして、本実施形態では、ハンド部４自体は、冷却用液体が流通する流通路を有しない。
図１５に示されるように、第２チャンバ３内には、ハンド部４を強制冷却する冷却部（強制冷却手段）３０を有する。冷却部３０は、たとえば、第１の実施形態におけるハンド部のように冷却用液体が流通する冷却路を有しており常に冷却されていてもよく、また、空冷されていてもよく、ペルチェ冷却など他の手段により冷却されていてもよい。
移動機構（図１５では、レール部２７のみを示している）は、第１チャンバ２（特に、熱板２０）と第２チャンバ３との間でハンド部４を進退自在に移動させるのみならず、ハンド部４を冷却部３０上に当接させるように移動させる。
本実施形態の半田付け処理装置は、以下のような動作を行う。まず、移動機構は、ハンド部４を冷却部３０上に移動させて、冷却部３０に当接させる。冷却部３０に当接されることによって、ハンド部４は強制冷却される。そして、移動機構は、ハンド部４を冷却部３０から離間させる。そして、第２チャンバ３から第１チャンバ２へと移動し、次いで、第１チャンバ２において基板１００や基板１００が載せられたトレー板１１０を受け取り、ハンド部４は、第１チャンバ２から前記第２チャンバ３へと処理対象物を載せて搬送する。そして、加熱済みの処理対象物を載せて搬送することによって温度が高まってしまったハンド部４は、ハンド部４を冷却部３０上に移動されて強制冷却される。つまり、ハンド部４は、加熱された処理対象物を第１チャンバ２から取り出した後、加熱された処理対象物を第１チャンバ２から取り出すまでの間に、少なくとも１回は、冷却部３０により強制冷却されることとなる。なお、新たに投入された処理対象物を加熱処理するために第２チャンバ３から第１チャンバ２へ搬入する場合にもハンド部４を用いることはできるが、このように第２チャンバ３から第１チャンバ２への搬入には冷却板として兼用されるハンド部４を用いる必要はないので、搬入用の別のハンド部を用意しておき、冷却板として兼用されるハンド部４は、別のハンド部による搬入処理の間も、次の取り出しに備えて冷却部３０により強制冷却を継続することもできる。なお、処理対象物の受け取りと搬送は、図８および図９を参照しつつ説明した第１の実施形態の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。
以上のように本実施形態の半田付け処理装置も、強制冷却した後のハンド部４を用いて処理対象物を搬送するので、搬送時間をも強制冷却期間として利用することができるという効果を奏する。したがって、上記の第１の実施形態の場合と同様の効果を奏する。また、ハンド部４自体には、冷却用液体を循環させる必要がなく、移動する部分には冷却用液体の管を配置する必要がない。したがって、設備のメンテナンスが容易である。
＜変形例＞
第１の実施形態の昇温過程では、（ア）第１チャンバ２および第２チャンバ３内を真空排気し、（イ）第１チャンバ２内に、キャリアガスをカルボン酸蒸気に混合して第１チャンバ２内に導入しつつ、キャリアガスとカルボン酸蒸気の雰囲気中で基板の加熱をし、還元処理をしつつ半田の融解をした。また、第１の実施形態の降温過程では、（ウ）第１チャンバ２内からカルボン酸蒸気とキャリアガスの混合ガスを排気して、（エ）第１チャンバ２および第３チャンバ３内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス雰囲気中で、第１チャンバ２から第２チャンバ３へ処理対象物を搬出した。また、図１３に示すように、昇温過程において温度を常に上昇する場合を例にとって説明した。
しかし、本発明は、この場合に限られない。熱板は、図１６に示されるように、処理対象物を半田の融点よりも低い還元処理温度（好ましくは１３０℃以上、特に好ましくは１５０℃以上）に数分程度の間、保持するようにしてもよい。このように還元処理温度に保持することによって、十分に半田の還元処理をすることができる。このように還元処理が促進される還元処理温度に保持する場合においても、本発明によれば、冷却板として機能するハンド部４が熱板２０に接触せず、熱板２０を冷却する必要がない。したがって、熱板２０自体の温度を常に、還元処理温度に保持しておくこともできる。
また、還元処理する前の時点では、カルボン酸蒸気の雰囲気中で昇温する必要は必ずしもない。たとえば、還元処理温度になるまでの間は、真空中で昇温加熱してもよく、窒素など不活性ガス雰囲気中で昇温加熱してもよい。これらの場合、還元処理温度に達した後に、第１チャンバ２内にカルボン酸を導入すればよい。窒素など不活性ガス雰囲気中で昇温する場合には、昇温速度を高める点で有利である。
さらに、第１の実施形態では、第１チャンバ２内をキャリアガスとカルボン酸蒸気の雰囲気とする前に、一旦、真空排気する場合を説明した。確かに、第１チャンバ２内の酸素を低減するためには、一旦、真空排気することが望ましいが、必要に応じて、真空排気処理を省略することもできる。たとえば、窒素などの不活性ガスにより第１チャンバ２内を十分に置換し、還元処理が促進される温度に到達する時点で、カルボン酸蒸気をチャンバ内に導入することもできる。この場合、半田付け装置は、真空排気手段に代えて、第１チャンバ２内および／または第２チャンバ３内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給手段を有することになる。
また、降温過程においても、第１実施形態のように、カルボン酸雰囲気を排気した後、第１チャンバ２および第３チャンバ３内を窒素ガスで置換し、窒素ガス雰囲気中で降温して処理対象物を取り出す場合に限られるわけではない。確かに、窒素ガス雰囲気中で降温して処理対象物を取り出すことは、降温することは降温速度を速める見地からは好ましいが、必要に応じて表面の酸化を避けるべく真空中で降温してもよく、カルボン酸雰囲気を排気しないまま第１チャンバ２から第２チャンバ３へと処理対象物を取り出すようにすることもできる。
以上のように本発明の実施形態および変形例について説明したが、これらに本発明は限定されるものではない。
たとえば、上記の説明では、処理対象物として半田付け基板を例にとるとともに、加熱溶融処理装置として半田付け処理装置を例にとって説明したが、本発明は、この場合に限られない。本発明は、半田を含む処理対象物について半田の加熱溶融処理するものである限り適用することができる。たとえば、半田を溶融して半田ボールなどを成形する半田ボール成形装置、その他の加熱溶融処理装置に利用することができる。また、基板は、半田付け基板に限られない。
また、以上の説明では、第１チャンバと第２チャンバとを有する加熱溶融処理装置を説明したが、本発明はこの場合に限れない。半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置において、第１チャンバから装置外部に搬送して取り出す搬送手段のハンド部を冷却板として兼用することもできる。また、加熱溶融処理装置は、３つ以上のチャンバを有していてもよい。たとえば、加熱処理前の処理対象物を第１チャンバ内に投入するための投入側チャンバと、加熱処理後の処理後の処理対象物を第１チャンバ内から搬出するための搬出側チャンバとを有していてもよい。この場合も、複数のハンド部のうち、加熱後の処理対象物を搬送するためのハンド部を冷却板として兼用することもできる。
すなわち、半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置であって、前記加熱溶融処理した処理対象物を載せて搬送するためのハンド部を冷却板として兼用するものであれば、本発明を適用することができる。 本発明は、特許請求の範囲から逸脱しない範囲で追加、削除、変更などが可能である。
１ 半田付け処理装置、
２ 第１チャンバ、
３ 第２チャンバ、
４ ハンド部、
５ ゲートバルブ（開閉可能なバルブ）、
８ 排気ポンプ（排気手段）、
９ カルボン酸蒸気の供給系（供給手段）、
１０ 原稿読取部、
１１ 密閉容器、
１３ キャリアガス供給管、
１４ バブリング部、
１５ カルボン酸回収部（回収機構）、
２０ 熱板（加熱手段）、
２１ 入力装置
２２ 搬送部（搬送手段）、
２３ 移動機構、
２４ 流通路、
２９ 昇降機構、
１００ 基板、
１１０ トレー板。

Claims (17)

  1. 半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置であって、
    前記加熱溶融処理した処理対象物を載せて搬送するためのハンド部を冷却板として兼用することを特徴とする加熱溶融処理装置。
  2. 半田を含む前記処理対象物を加熱溶融処理するための第１チャンバと、
    前記第１チャンバとの間で開閉可能なバルブを介して連結される第２チャンバと、
    前記第１チャンバ中に前記カルボン酸を供給するカルボン酸供給手段と、
    前記処理対象物を加熱するために前記第１チャンバ中に設けられた加熱手段と、
    前記第１チャンバと前記第２チャンバとの間で前記処理対象物を搬送する際に前記処理対象物を載せる前記ハンド部を有しており当該ハンド部が冷却板として兼用される搬送手段と、を有することを特徴とする請求項１に記載の加熱溶融処理装置。
  3. 前記ハンド部は、冷却用液体が内部を流通する流通路を有することを特徴とする請求項２に記載の加熱溶融処理装置。
  4. 前記第２チャンバ内に設けられて、当接された前記ハンド部を強制冷却する強制冷却手段を有し、
    強制冷却手段によって冷却された後のハンド部が、前記第１チャンバから前記第２チャンバへと前記処理対象物を載せて搬送することを特徴とする請求項２に記載の加熱溶融処理装置。
  5. 前記搬送手段は、前記ハンド部を進退自在に移動するための移動機構を含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  6. 前記加熱手段は、前記処理対象物が載置されるカーボン板状体であり、当該カーボン板状体への通電によって前記処理対象物を加熱することを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  7. 前記加熱手段の上面に載置された前記処理対象物を昇降する昇降機構を有し、
    前記ハンド部は、前記昇降機構によって前記処理対象物が前記加熱手段の上面から離間された状態で、前記処理対象物と前記加熱手段との間に挿入されることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  8. 前記カルボン酸供給手段は、
    カルボン酸の液体を収容する容器と、
    前記容器において生じたカルボン酸蒸気と混合されるキャリアガスを供給するために前記容器に連通される供給管とを備えることを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  9. 前記カルボン酸供給手段は、
    カルボン酸の液体を前記第１チャンバ内に供給する供給管と、
    前記第１チャンバ内に設けられて前記カルボン酸の液体を気化させるカルボン酸加熱手段と、を有することを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  10. さらに、前記第１チャンバ内および前記第２チャンバ内を減圧するための一または複数の排気手段を有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  11. さらに、前記排気手段の吸気又は排気側に設けられ又は取り付けられて、気化したカルボン酸を回収する回収機構を有することを特徴とする請求項１０に記載の加熱溶融処理装置。
  12. さらに、前記第１チャンバ内および／または前記第２チャンバ内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給手段を有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  13. 前記処理対象物は、半田付け基板であり、
    前記加熱溶融処理は、半田付け処理であることを特徴とする請求項２〜１２のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  14. 前記半田付け基板は、表面に複数の半田バンプが形成されているチップを少なくとも含む一対のチップであり、
    前記半田付け処理は、前記一対のチップを前記半田バンプ同士または前記半田バンプと電極とを介して接合するフリップチップボンディング処理であることを特徴とする請求項１３に記載の加熱溶融処理装置。
  15. 前記半田付け基板は、表面に複数の半田バンプが形成されているチップとウェハー、または、表面に複数の半田バンプが形成されている複数のウェハー同士であることを特徴とする請求項１４に記載の加熱溶融処理装置。
  16. 前記冷却板として兼用される前記ハンド部は、前記加熱手段に触れることなく前記処理対象物を載せるものであり、
    昇温時間を短くするために、予め加熱手段の温度を７０℃以上の温度に上げておくことを特徴とする請求項２〜９のいずれか１項に記載の加熱溶融処理装置。
  17. 半田を含む処理対象物についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する段階と、
    前記加熱溶融処理した処理対象物を、冷却板として兼用されるハンド部に載せて搬送する段階と、を有することを特徴とする加熱溶融処理方法。
JP2009254255A 2009-08-27 2009-11-05 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法 Active JP5424201B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009254255A JP5424201B2 (ja) 2009-08-27 2009-11-05 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法
PCT/JP2010/064299 WO2011024813A1 (ja) 2009-08-27 2010-08-24 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法
US13/392,303 US8864011B2 (en) 2009-08-27 2010-08-24 Apparatus for thermal melting process and method of thermal melting process
KR1020127004832A KR101707577B1 (ko) 2009-08-27 2010-08-24 가열 용융 처리 장치 및 가열 용융 처리 방법
CN201080038060.2A CN102481650B (zh) 2009-08-27 2010-08-24 加热熔融处理装置以及加热熔融处理方法
EP10811863.9A EP2471622B1 (en) 2009-08-27 2010-08-24 Heating and melting treatment device and heating and melting treatment method
TW099128732A TWI492347B (zh) 2009-08-27 2010-08-27 加熱熔融處理裝置以及加熱熔融處理方法
US14/484,418 US9101995B2 (en) 2009-08-27 2014-09-12 Apparatus for thermal melting process and method of thermal melting process

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009196687 2009-08-27
JP2009196687 2009-08-27
JP2009254255A JP5424201B2 (ja) 2009-08-27 2009-11-05 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011067864A true JP2011067864A (ja) 2011-04-07
JP5424201B2 JP5424201B2 (ja) 2014-02-26

Family

ID=43627914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009254255A Active JP5424201B2 (ja) 2009-08-27 2009-11-05 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8864011B2 (ja)
EP (1) EP2471622B1 (ja)
JP (1) JP5424201B2 (ja)
KR (1) KR101707577B1 (ja)
CN (1) CN102481650B (ja)
TW (1) TWI492347B (ja)
WO (1) WO2011024813A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013111646A (ja) * 2011-12-01 2013-06-10 Fuji Electric Co Ltd ガス発生装置、はんだ接合装置およびはんだ接合方法
JP2014060401A (ja) * 2012-09-17 2014-04-03 Psk Inc 連続線形熱処理装置の配列
JP5548813B1 (ja) * 2013-09-30 2014-07-16 オリジン電気株式会社 ギ酸分解用装置、半田付け装置、ギ酸の分解方法
JP5557951B1 (ja) * 2013-11-01 2014-07-23 オリジン電気株式会社 分解機構を備える半田付け装置および分解方法
JP5687755B1 (ja) * 2013-12-06 2015-03-18 オリジン電気株式会社 半田付け装置及び接合部材の製造方法
JP2015068827A (ja) * 2014-04-10 2015-04-13 オリジン電気株式会社 ギ酸分解用装置における触媒活性診断方法
WO2021141087A1 (ja) * 2020-01-09 2021-07-15 株式会社オリジン 酸化物除去済部材の製造方法及び酸化物除去装置
JP2022516946A (ja) * 2019-01-09 2022-03-03 クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． 半導体素子を基板にボンディングする方法、および関連ボンディングシステム

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103100771A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 梁刚 环保型全自动旧电路板焊锡快速回收机
US9242313B2 (en) * 2012-07-30 2016-01-26 General Electric Company Welding furnace and viewport assembly
CN103056472B (zh) * 2013-01-07 2015-02-25 山东高唐杰盛半导体科技有限公司 一种真空焊接炉的温度控制装置
JP6144495B2 (ja) * 2013-01-24 2017-06-07 オリジン電気株式会社 加熱接合装置及び加熱接合製品の製造方法
JP6149827B2 (ja) 2014-09-02 2017-06-21 千住金属工業株式会社 真空処理装置、その制御方法、真空はんだ処理装置及びその制御方法
CN104400174B (zh) * 2014-10-10 2016-08-24 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种用于陶瓷基板上锡焊元器件的新型焊接装置及方法
WO2016176566A1 (en) * 2015-04-29 2016-11-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for correcting substrate deformity
KR102589733B1 (ko) * 2015-04-29 2023-10-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 기형을 정정하기 위한 방법 및 장치
US10325790B2 (en) 2016-04-29 2019-06-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for correcting substrate deformity
JP6322746B1 (ja) 2017-03-30 2018-05-09 オリジン電気株式会社 ワーク処理装置及び処理済ワークの製造方法
WO2018202919A1 (de) * 2017-05-05 2018-11-08 Pink Gmbh Thermosysteme Lötvorrichtung und verfahren zum herstellen einer lötverbindung von bauteilen unter verwendung von haftmaterial für provisorische verbindung der bauteile
CN107138825A (zh) * 2017-06-09 2017-09-08 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种微型器件焊接装置及焊接方法
US11515286B2 (en) 2019-01-09 2022-11-29 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems
CN113543514B (zh) * 2020-04-15 2022-09-23 昆山达菲乐电子产品有限公司 回焊炉
CN112427762A (zh) * 2020-11-04 2021-03-02 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材焊接、冷却一体化装置及其运行方法
CN113634845A (zh) * 2021-07-29 2021-11-12 泗洪红芯半导体有限公司 一种二极管免清洗的甲酸焊接装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244618A (ja) * 1999-12-20 2001-09-07 Fujitsu Ltd 加熱溶融処理装置
WO2007137547A1 (de) * 2006-05-29 2007-12-06 Pink Gmbh Vakuumtechnik Verfahren und vorrichtung zur temperaturbehandlung, insbesondere lotverbindung
JP2008034746A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP2008041980A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Seiki Co Ltd はんだ付け方法およびはんだ付け装置
JP2009164435A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2009164523A (ja) * 2008-01-10 2009-07-23 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3151591A (en) * 1960-10-07 1964-10-06 Bell Aerospace Corp Heat bonding apparatus
US4996781A (en) * 1989-10-25 1991-03-05 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Vapor reflow type soldering apparatus with an improved flux separating unit
JPH082495B2 (ja) * 1989-12-25 1996-01-17 日立テクノエンジニアリング株式会社 ベーパーリフロー式はんだ付け方法及び同装置
DE4119572A1 (de) * 1991-06-14 1992-12-17 Standard Elektrik Lorenz Ag Weichloetflussmittel zum loeten elektronischer schaltungen unter schutzgas
JP2709365B2 (ja) * 1992-03-16 1998-02-04 日立テクノエンジニアリング株式会社 ベーパーリフローはんだ付け装置
US6145734A (en) * 1996-04-16 2000-11-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflow method and reflow device
KR100193899B1 (ko) * 1996-06-29 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 감광막 형성장치 및 이를 이용한 감광막 형성방법
JP3409679B2 (ja) 1998-02-06 2003-05-26 神港精機株式会社 半田付け装置
US6267245B1 (en) 1998-07-10 2001-07-31 Fluoroware, Inc. Cushioned wafer container
JP3397313B2 (ja) 1999-12-20 2003-04-14 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法
US6375060B1 (en) * 2000-07-19 2002-04-23 The Boeing Company Fluxless solder attachment of a microelectronic chip to a substrate
KR20030068291A (ko) * 2002-02-14 2003-08-21 삼성코닝 주식회사 인라인 스퍼터링 시스템용 쿨링 머신
JP3809806B2 (ja) * 2002-03-29 2006-08-16 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置の製造方法
US7380699B2 (en) * 2002-06-14 2008-06-03 Vapour Phase Technology Aps Method and apparatus for vapour phase soldering
US20130175323A1 (en) * 2002-07-01 2013-07-11 Jian Zhang Serial thermal linear processor arrangement
JP2004143420A (ja) 2002-08-29 2004-05-20 Sanyo Chem Ind Ltd 粘着剤組成物
JP4482271B2 (ja) 2002-12-03 2010-06-16 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ
JP4095972B2 (ja) 2003-03-06 2008-06-04 日立化成ポリマー株式会社 自動車内装材用プレコート表皮材および自動車内装材の製造方法
US7306133B2 (en) * 2003-04-25 2007-12-11 St Assembly Test Services Ltd. System for fabricating an integrated circuit package on a printed circuit board
JP2006181641A (ja) * 2004-12-02 2006-07-13 Ebara Corp 接合装置及び接合方法
JP4749751B2 (ja) 2005-04-07 2011-08-17 電気化学工業株式会社 部材の仮固定方法
WO2007010005A1 (de) * 2005-07-19 2007-01-25 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung eines elektrischen bauelements und einer zwei-phasen-kühlvorrichtung und verfahren zum herstellen der anordnung
JP2007053245A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Shinko Seiki Co Ltd はんだ付け方法及びはんだ付け装置
JP2007119634A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 感温性樹脂組成物及びその成形体
JP4956963B2 (ja) * 2005-11-02 2012-06-20 富士通セミコンダクター株式会社 リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法
JP2007224270A (ja) 2006-01-26 2007-09-06 Jsr Corp 透明複合体およびその製造方法
CN101454107B (zh) * 2006-05-29 2013-03-27 平克塞莫系统有限公司 对工件或元件进行温度处理的方法和装置
US20080006294A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-10 Neeraj Saxena Solder cooling system
KR100865910B1 (ko) * 2007-07-30 2008-11-10 미래산업 주식회사 핸들러 및 그를 이용한 반도체 소자 제조방법
JP2009283871A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Fujitsu Ltd リワークソルダリング方法及びその装置
JP5091296B2 (ja) * 2010-10-18 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 接合装置
JP5129848B2 (ja) * 2010-10-18 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244618A (ja) * 1999-12-20 2001-09-07 Fujitsu Ltd 加熱溶融処理装置
WO2007137547A1 (de) * 2006-05-29 2007-12-06 Pink Gmbh Vakuumtechnik Verfahren und vorrichtung zur temperaturbehandlung, insbesondere lotverbindung
JP2008034746A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP2008041980A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Seiki Co Ltd はんだ付け方法およびはんだ付け装置
JP2009164435A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2009164523A (ja) * 2008-01-10 2009-07-23 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013111646A (ja) * 2011-12-01 2013-06-10 Fuji Electric Co Ltd ガス発生装置、はんだ接合装置およびはんだ接合方法
JP2014060401A (ja) * 2012-09-17 2014-04-03 Psk Inc 連続線形熱処理装置の配列
JP5548813B1 (ja) * 2013-09-30 2014-07-16 オリジン電気株式会社 ギ酸分解用装置、半田付け装置、ギ酸の分解方法
JP5557951B1 (ja) * 2013-11-01 2014-07-23 オリジン電気株式会社 分解機構を備える半田付け装置および分解方法
JP2015085379A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 オリジン電気株式会社 分解機構を備える半田付け装置および分解方法
WO2015064166A1 (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 オリジン電気株式会社 分解機構を備える半田付け装置および分解方法
JP5687755B1 (ja) * 2013-12-06 2015-03-18 オリジン電気株式会社 半田付け装置及び接合部材の製造方法
JP2015068827A (ja) * 2014-04-10 2015-04-13 オリジン電気株式会社 ギ酸分解用装置における触媒活性診断方法
JP2022516946A (ja) * 2019-01-09 2022-03-03 クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． 半導体素子を基板にボンディングする方法、および関連ボンディングシステム
JP7431831B2 (ja) 2019-01-09 2024-02-15 クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． 半導体素子を基板にボンディングする方法、および関連ボンディングシステム
WO2021141087A1 (ja) * 2020-01-09 2021-07-15 株式会社オリジン 酸化物除去済部材の製造方法及び酸化物除去装置
JP2021109199A (ja) * 2020-01-09 2021-08-02 株式会社オリジン 酸化物除去済部材の製造方法及び酸化物除去装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201110295A (en) 2011-03-16
WO2011024813A1 (ja) 2011-03-03
TWI492347B (zh) 2015-07-11
US20120153010A1 (en) 2012-06-21
US20150001282A1 (en) 2015-01-01
JP5424201B2 (ja) 2014-02-26
EP2471622A4 (en) 2016-04-06
CN102481650A (zh) 2012-05-30
EP2471622A1 (en) 2012-07-04
KR20120062729A (ko) 2012-06-14
CN102481650B (zh) 2015-07-08
US8864011B2 (en) 2014-10-21
EP2471622B1 (en) 2020-03-18
KR101707577B1 (ko) 2017-02-16
US9101995B2 (en) 2015-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5424201B2 (ja) 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法
JP3404021B2 (ja) はんだ接合装置
JP5343566B2 (ja) 接合方法及びリフロー装置
KR101763545B1 (ko) 납땜 장치 및 진공 납땜 방법
JP6285305B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体の製造方法
CN110678288B (zh) 用于产生焊接连接部的方法
JP5314607B2 (ja) 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101505944B1 (ko) 연속 선형 열 처리장치 배열
JP2016111078A (ja) 半導体装置の製造方法
US20230191518A1 (en) System for connecting electronic assemblies
WO2007088695A1 (ja) 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法
KR101096601B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2010161207A (ja) 半田付け方法および半田付け装置
JP6124255B2 (ja) リフロー装置
JP2011054865A (ja) リフロー装置およびリフロー方法
JP2018034162A (ja) 加熱方法及び加熱装置
JP2012121046A (ja) はんだ接合方法及びはんだ接合装置
JP2002144076A (ja) リフロー炉及びその処理方法
JP2004119664A (ja) 接合方法および装置
CN116532743A (zh) 一种基片热处理装置和方法
WO2018037610A1 (ja) 変温処理装置および変温処理方法
JP2013173157A (ja) ハンダ実装装置及びハンダ実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120914

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5424201

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250