JP2015085379A - 分解機構を備える半田付け装置および分解方法 - Google Patents
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Abstract
Description
HCOOH→H2O+CO
HCOOH→H2+CO2
真空チャンバーから排気される排ガスを、
真空チャンバーと真空ポンプとを接続する排気流路に設けた触媒層のみに、酸素あるいは酸素を含むガスとともに通過させ、前記還元剤を分解して還元剤濃度を設定値以下に低減させた後、
真空チャンバーと真空ポンプとを接続する排気流路に設けた、触媒層を介さないバイパス流路を開放状態とし、
前記バイパス流路を介して真空チャンバー内部を真空状態とする
ことを特徴とする分解方法。
本発明の半田付け装置および分解方法は、ギ酸、ホルムアルデヒドなどの還元剤に好適に適用することができる。
HCOOH+1/2O2→H2O+CO2
HCHO+1/2O2→HCOOH+1/2O2→H2O+CO2
ガスクロマトグラフィーにより測定した。
図2に示す構成の半田付け装置を用い、チャンバー内部に残存するガス(ギ酸濃度:2.5%、残部:窒素ガス)の分解処理を実施した。触媒層は、アルミナに白金を1.8g/L〜3g/L担持させたもの500mLを充填することで形成し、反応開始前の設定温度を100℃とした。
その結果、チャンバー内部の排気に使用した真空ポンプの内部部品が、高濃度のギ酸により腐食した。
図3に示す構成の半田付け装置を用い、チャンバー内部に残存するガス(ギ酸濃度:2.5%、残部:窒素ガス)の分解処理を実施した。各触媒層の構成は、比較例1と同様とした。
その結果、真空ポンプ手前におけるギ酸濃度は100ppm以下に減少したが、触媒による圧力損失が大きく、排気速度が遅くなり、プロセス時間内で、所定の真空度を確保することができなかった。
図1に示す構成の半田付け装置を用い、図4および図5に示すプロセスフローにしたがって、チャンバー内部に残存するガス(ギ酸濃度:2.5%、残部:窒素ガス)の分解処理を実施した。各触媒層は、アルミナに白金を1.8g/L〜3g/L担持させたもの500mLを充填することにより形成し、反応開始前の設定温度を100℃とした。
この間、真空チャンバー10から排気する排ガスの流量を流量計で測定し、酸素とギ酸の割合が、酸素/ギ酸=1.75/1(モル比)となるよう酸素量を調整しながら、分解用エアーを投入した。その結果、真空ポンプ11手前におけるギ酸濃度は100ppm以下となり、真空ポンプ11の後流に設けた第2触媒層7を通過したガス中のギ酸濃度は0ppm(検出限界以下)となった。
触媒層を、280mLのハニカム状アルミナ(500セル/in2)に白金0.56gを担持させたもので形成した以外は、実施例1と同様の半田付け装置および方法にしたがい、チャンバー内部に残存するガス(ギ酸濃度:2.5%、残部:窒素ガス)の分解処理を実施した。その結果、実施例1と同様、真空ポンプ11手前におけるガス中のギ酸濃度は100ppm以下となり、真空ポンプ11の後流に設けた第2触媒層7を通過したガス中のギ酸濃度は0ppm(検出限界以下)となった。
4 第2ガス導入機構
6 排気口
7 第2触媒層
9 マスフローコントローラー
10 真空チャンバー
11 真空ポンプ
12 バイパス流路
13 ガス導入機構
15 触媒層
16 流路
17 マスフローコントローラー
20 バルブ
21 バルブ
23 流量計
24 バルブ
前記分解機構として、真空チャンバーと真空ポンプとを接続する排気流路に、触媒層を有する流路と、該触媒層を介さない開閉バルブを有するバイパス流路と、該触媒層に酸素あるいは酸素を含むガスを導入するガス導入機構と、を設け、
真空チャンバーから排気される排ガスを、前記排気流路に設けた触媒層のみに、酸素あるいは酸素を含むガスとともに通過させ、前記還元剤を分解して還元剤濃度を設定値以下に低減させた後、真空チャンバーと真空ポンプとを接続する排気流路に設けた、触媒層を介さないバイパス流路を開放状態とし、前記バイパス流路を介して真空チャンバー内部を真空状態とするように構成したことを特徴とする半田付け装置。
Claims (12)
- 真空チャンバーから排気される排ガスに含まれる還元剤を分解可能な分解機構を備える半田付け装置であって、前記分解機構として、真空チャンバーと真空ポンプとを接続する排気流路に、触媒層を有する流路と、該触媒層を介さない開閉バルブを有するバイパス流路と、該触媒層に酸素あるいは酸素を含むガスを導入するガス導入機構と、を設けたことを特徴とする半田付け装置。
- 真空ポンプの後流に、第2触媒層を有する流路と、該第2触媒層に酸素あるいは酸素を含むガスを導入する第2ガス導入機構と、を備える請求項1記載の半田付け装置。
- 前記還元剤が、ギ酸である請求項1または2記載の半田付け装置。
- 前記排ガスが、ギ酸、二酸化炭素、水を含有する不活性ガスである請求項1〜3いずれか記載の半田付け装置。
- 前記酸素を含むガスが、空気である請求項1〜4いずれか記載の半田付け装置。
- 真空チャンバーから排気される排ガスに含まれる還元剤の分解方法であって、
真空チャンバーから排気される排ガスを、
真空チャンバーと真空ポンプとを接続する排気流路に設けた触媒層のみに、酸素あるいは酸素を含むガスとともに通過させ、前記還元剤を分解して還元剤濃度を設定値以下に低減させた後、
真空チャンバーと真空ポンプとを接続する排気流路に設けた、触媒層を介さないバイパス流路を開放状態とし、
前記バイパス流路を介して真空チャンバー内部を真空状態とする
ことを特徴とする分解方法。 - 前記排気流路を介して排気される排ガスを、酸素あるいは酸素を含むガスとともに、真空ポンプの後流に設けた第2触媒層を通過させる請求項6記載の分解方法。
- 前記還元剤が、ギ酸である請求項6または7記載の分解方法。
- 前記排ガスが、ギ酸、二酸化炭素、水を含有する不活性ガスである請求項6〜8いずれか記載の分解方法。
- 前記酸素を含むガスが、空気である請求項6〜9いずれか記載の分解方法。
- 前記排ガスと、酸素あるいは酸素を含むガスとを、還元剤と酸素のモル比(酸素/還元剤)1.5以上で用いる請求項6〜10いずれか記載の分解方法。
- 前記触媒層の温度が、20〜200℃の範囲である請求項6〜11いずれか記載の分解方法。
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