JP2014183063A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、洗浄及び乾燥後の基板の表裏両面の清浄度を保つ。
【解決手段】基板処理装置10であって、基板処理室40において、基板Wの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部47と、基板Wの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部48と、揮発性溶媒が供給された基板Wを加熱する加熱手段51と、加熱手段51による加熱作用で基板Wの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有すると共に、前記乾燥手段によって乾燥された基板を冷却する冷却手段を更に有する。
【選択図】図2

Description

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関する。
基板処理装置は、半導体等の製造工程において、ウェーハや液晶基板等の基板の表面に処理液を供給してその基板表面を処理し、その後、基板表面に超純水等の洗浄液を供給してその基板表面を洗浄し、更にこれを乾燥する装置である。この乾燥工程において、近年の半導体の高集積化や高容量化に伴う微細化によって、例えばメモリセルやゲート周りのパターンが倒壊する問題が発生している。これは、パターン同士の間隔や構造、洗浄液の表面張力等に起因している。
そこで、上述のパターン崩壊を抑制することを目的として、表面張力が超純水よりも小さいIPA(2−プロパノール:イソプロピルアルコール)を用いた基板乾燥方法が提案されており(例えば、特許文献1参照)、基板表面上の超純水をIPAに置換して基板乾燥を行なう方法が量産工場等で用いられている。
特開2008-34779号公報
しかしながら、半導体の微細化は益々進んでおり、IPAのように表面張力が小さい有機溶媒等の液体を用いた乾燥であっても、ウェーハの微細パターンがその液体の表面張力等により倒れてしまうことがある。
例えば、液体が乾燥していく過程で基板表面の各部の乾燥速度に不均一を生じ、図5(B)に示す如く、一部のパターンP間に液体A1が残ると、その部分の液体A1の表面張力によってパターンが倒壊する。特に、液体が残った部分のパターン同士が液体の表面張力による引き付けによって弾性変形的に倒れ、その液中にわずかに溶けた残渣が凝集し、その後に液体が完全に乾燥すると、倒れたパターン同士が残渣の介在等によって固着してしまう。
また、半導体の微細化が進むにつれ、ウェーハや液晶基板等の基板の表裏両面の異物微粒子や表面吸着化学物質等による汚染は、半導体の歩留りや性能面での信頼性に益々大きな影響を及ぼすようになっている。従って、基板表面の洗浄及び乾燥後においても、基板の表裏両面の清浄度を管理することが重要である。
本発明の課題は、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、洗浄及び乾燥後の基板の表裏両面の清浄度を保つことにある。
本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段と、加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有してなる基板処理装置であって、前記乾燥手段によって乾燥された基板を冷却する冷却手段を、更に有してなるようにしたものである。
本発明に係る基板処理方法は、基板の表面に洗浄液を供給する工程と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程と、基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する工程とを有してなる基板処理方法であって、前記加熱された基板を冷却手段によって冷却する工程を、更に有してなるようにしたものである。
本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、洗浄及び乾燥後の基板の表裏両面の清浄度を保つことができる。
図1は基板処理装置を示す模式図である。 図2は基板処理装置の基板処理室の構成を示す模式図である。 図3は基板処理装置の基板搬送過程の構成を示す模式図である。 図4は基板処理装置の基板搬送過程の変形例を示す模式図である。 図5は基板表面における揮発性溶媒の乾燥状況を示す模式図である。
基板処置装置10は、図1に示す如く、基板給排部20と、基板保管用バッファ部30と、複数の基板処理室40とを有し、基板給排部20と基板保管用バッファ部30の間に搬送ロボット11を設け、基板保管用バッファ部30と基板処理室40の間に搬送ロボット12を設けている。
基板給排部20は、複数の基板収納カセット21を搬入、搬出可能とされる。基板収納カセット21は、未処理のウェーハや液晶基板等の複数の基板Wを収納されて基板給排部20に搬入されるとともに、基板処理室40で処理された基板Wを収納されて基板給排部20から搬出される。未処理の基板Wは、搬送ロボット11により基板給排部20内の基板収納カセット21において多段をなす各収納棚から順に取出されて基板保管用バッファ部30の後述するイン専用バッファ31に供給され、更に搬送ロボット12により基板保管用バッファ部30のイン専用バッファ31から取出され、基板処理室40に供給されて洗浄及び乾燥処理される。こうして処理済となった基板Wは搬送ロボット12により基板処理室40から取出されて基板保管用バッファ部30の後述するアウト専用バッファ32に投入されて冷却処理される。基板保管用バッファ部30のアウト専用バッファ32内で所定の温度状態にまで冷却された基板Wは、搬送ロボット11により取出され、基板給排部20内の基板収納カセット21の空の収納棚に順に排出される。処理済の基板Wで満杯になった基板収納カセット21が基板給排部20から搬出されるものになる。
基板保管用バッファ部30は、図3に示す如く、未処理の基板Wを保管する複数のイン専用バッファ31が多段をなす棚状に設けられるとともに、基板処理室40で洗浄及び乾燥処理された基板Wを保管する複数のアウト専用バッファ32が多段をなす棚状に設けられる。アウト専用バッファ32の内部には冷却手段70が後述する如くに設けられている。尚、イン専用バッファ31やアウト専用バッファ32は多段でなくても良い。
基板処理室40は、図2に示す如く、処理室となる処理ボックス41と、その処理ボックス41内に設けられたカップ42と、そのカップ42内で基板Wを水平状態で支持するテーブル43と、そのテーブル43を水平面内で回転させる回転機構44と、テーブル43の周囲で昇降する溶媒吸引排出部45とを備えている。更に、基板処理室40は、テーブル43上の基板Wの表面に薬液を供給する薬液供給部46と、テーブル43上の基板Wの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部47と、揮発性溶媒を供給する溶媒供給部48と、ガスを供給するガス供給部49と、揮発性溶媒が供給された基板Wを加熱する加熱手段51と、各部を制御する制御部60とを備えている。
処理ボックス41は基板出し入れ口41Aを周壁の一部に開口している。基板出し入れ口41Aはシャッタ41Bにより開閉される。
カップ42は、円筒形状に形成されており、テーブル43を周囲から囲んで内部に収容する。カップ42の周壁の上部は斜め上向きに縮径しており、テーブル43上の基板Wが上方に向けて露出するように開口している。このカップ42は、回転する基板Wから流れ落ちた或いは飛散した薬液、洗浄液を受け取る。尚、カップ42の底部には、受け取った薬液、洗浄液を排出するための排出管(図示せず)が設けられている。
テーブル43は、カップ42の中央付近に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。このテーブル43は、ピン等の支持部材43Aを複数有しており、これらの支持部材43Aにより、ウェーハや液晶基板等の基板Wを脱着可能に保持する。
回転機構44は、テーブル43に連結された回転軸やその回転軸を回転させる駆動源となるモータ(いずれも図示せず)等を有しており、モータの駆動により回転軸を介してテーブル43を回転させる。この回転機構44は制御部60に電気的に接続されており、その駆動が制御部60により制御される。
溶媒吸引排出部45は、テーブル43の周囲を囲んで環状に開口する溶媒吸引口45Aを備える。溶媒吸引排出部45は溶媒吸引口45Aを昇降する昇降機構(図示せず)を有し、テーブル43のテーブル面より下位に溶媒吸引口45Aを位置付ける待機位置と、テーブル43に保持された基板Wの周囲に溶媒吸引口45Aを位置付ける作業位置とに、溶媒吸引口45Aを昇降する。溶媒吸引口45Aは、回転する基板W上から飛散した揮発性溶媒を吸引して受け取る。尚、溶媒吸引口45Aには、揮発性溶媒を吸引するための排気ファン又はバキュームポンプ(図示せず)、及び吸引して受け取った揮発性溶媒を排出するための排出管(図示せず)が接続されている。
薬液供給部46は、テーブル43上の基板Wの表面に対して斜め方向から薬液を吐出するノズル46Aを有しており、このノズル46Aからテーブル43上の基板Wの表面に薬液、例えばレジスト剥離処理用のAPM(アンモニア水及び過酸化水素水の混合液)を供給する。ノズル46Aはカップ42の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Wの表面中心付近に薬液が供給されるように調整されている。この薬液供給部46は制御部60に電気的に接続されており、その駆動が制御部60により制御される。尚、薬液供給部46は、薬液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ(いずれも図示せず)等を備えている。
洗浄液供給部47は、テーブル43上の基板Wの表面に対して斜め方向から洗浄液を吐出するノズル47Aを有しており、このノズル47Aからテーブル43上の基板Wの表面に洗浄液、例えば洗浄処理用の純水(超純水)を供給する。ノズル47Aはカップ42の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Wの表面中心付近に薬液が供給されるように調整されている。この洗浄液供給部47は制御部60に電気的に接続されており、その駆動が制御部60により制御される。尚、洗浄液供給部47は、洗浄液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ(いずれも図示せず)等を備えている。
溶媒供給部48は、テーブル43上の基板Wの表面に対して斜め方向から揮発性溶媒を吐出するノズル48Aを有しており、このノズル48Aからテーブル43上の基板Wの表面に揮発性溶媒、例えばIPAを供給する。この溶媒供給部48は洗浄液供給部47によって供給された洗浄液で洗浄された基板Wの表面に揮発性溶媒を供給し、基板Wの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する。ノズル48Aはカップ42の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Wの表面中心付近に揮発性溶媒が供給されるように調整されている。この溶媒供給部48は制御部60に電気的に接続されており、その駆動が制御部60により制御される。尚、溶媒供給部48は、揮発性溶媒を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ(いずれも図示せず)等を備えている。
ここで、揮発性溶媒としては、IPA以外にも、例えば、エタノール等の1価のアルコール類、また、ジエチルエーテルやエチルメチルエーテル等のエーテル類、更に、炭酸エチレン等を用いることが可能である。
ガス供給部49は、テーブル43上の基板Wの表面に対して斜め方向からガスを吐出するノズル49Aを有しており、このノズル49Aからテーブル43上の基板Wの表面にガス、例えば窒素ガスを供給し、処理ボックス41内で基板Wの表面上の空間を窒素ガス雰囲気にする。ノズル49Aはカップ42の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Wの表面中心付近にガスが供給されるように調整されている。このガス供給部49は制御部60に電気的に接続されており、その駆動が制御部60により制御される。尚、ガス供給部49は、ガスを貯留するタンクや供給量を調整する調整弁となるバルブ(いずれも図示せず)等を備えている。
ここで、供給するガスとしては、窒素ガス以外の不活性ガス、例えばアルゴンガスや二酸化炭素ガス、ヘリウムガス等を用いることが可能である。この不活性ガスが基板Wの表面に供給されるため、基板Wの表面上の酸素を除去し、ウォーターマーク(水シミ)の生成を防ぐことが可能となる。
加熱手段51は、複数のランプ51Aを有しており、テーブル43の上方に設けられ、各ランプ51Aの点灯によりテーブル43上の基板Wの表面に光を照射する。この加熱手段51は移動機構51Bにより上下方向(昇降方向)に移動可能に構成されており、カップ42に近接した照射位置(図2中の実線で示すように、基板Wの表面に近接した位置)とカップ42から所定距離だけ離間した待機位置(図2中の一点鎖線で示すように、基板Wの表面から離間した位置)とに移動する。この加熱手段51は制御部60に電気的に接続されており、その駆動が制御部60により制御される。
ここで、加熱手段51としては、例えば直管タイプのランプ51Aを複数本並列に設けたものや電球タイプのランプ51Aを複数個アレイ状に設けたものを用いることが可能である。また、ランプ51Aとしては、例えばハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ等を用いることが可能である。
加熱手段51を用いた基板Wの加熱工程では、その加熱手段51による加熱によって、図5(A)に示すように、基板Wの表面上のパターンPに接触している揮発性溶媒の液体A1が他の部分の揮発性溶媒の液体A1よりも早く気化を始める。つまり、基板Wの表面に供給された揮発性溶媒の液体A1のうち、基板Wの表面に接触している部分のみが気相になるように急速加熱される。これにより、基板Wの表面上のパターンPの周囲には、揮発性溶媒の液体A1の気化(沸騰)によりガスの層(気泡の集合)、即ち、揮発性溶媒の気層A2が薄膜のように形成される。このため、隣り合うパターンPの間の揮発性溶媒の液体A1はその気層A2によって基板Wの表面に押し出されながら自らの表面張力で多数の液玉になる。
しかるに、基板処理装置10にあっては、基板処理室40において洗浄及び乾燥処理され、加熱手段51により加熱されて高温になった基板Wを冷却する冷却手段70を有している。尚、加熱手段51による加熱段階で、基板Wは後述する如くに数秒で数百度の高温まで加熱される。
本実施例の冷却手段70は、基板処理室40から搬出された基板Wの搬送過程に設けた。例えば、下記(A)及び(B)である。
(A)基板処理室40から取り出された基板Wが保管される、基板保管用バッファ部30のアウト専用バッファ32に不活性ガス供給手段からなる冷却手段70を設ける(図3)。これにより、冷却手段70が供給する例えば室温の窒素ガス等の不活性ガスでアウト専用バッファ32の内部空間を満たし、基板処理室40から基板給排部20の基板収納カセット21への搬送過程でこのバッファ32に投入される高温の基板Wを所定温度以下、例えば室温程度にまで冷却可能にする。尚、冷却手段70から供給されるガスは、基板冷却能力があれば良いことから室温の空気でも良く、これを効率的に基板面に供給するための、ファン機構でも良い。また、冷却手段70は、アウト専用バッファ32に保管される基板Wを冷却するものであれば良いわけで、気体に限るものでもない。
(B)基板処理室40から基板Wを取り出す搬送ロボット12における搬送アーム12Aの基板載置部12Bにペルチェ素子等を用いた電子冷却器等からなる冷却手段70を内蔵する(図4)。これにより、基板処理室40から基板保管用バッファ部30への搬送過程で、搬送アーム12Aの基板載置部12Bに載置される高温の基板Wを所定温度以下、例えば室温程度にまで冷却可能にする。この冷却手段70は搬送ロボット11に組み込まれても良い。
上述(A)及び/又は(B)の冷却手段70により冷却された基板Wは、その後、基板給排部20の基板収納カセット21に排出されるものになる。
制御部60は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラム等を記憶する記憶部とを備えている。この制御部60は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて回転機構44や溶媒吸引排出部45、薬液供給部46、洗浄液供給部47、溶媒供給部48、ガス供給部49、加熱手段51、冷却手段70等を制御し、回転中のテーブル43上の基板Wの表面に対し、溶媒吸引排出部45による吸引、薬液供給部46による薬液の供給、洗浄液供給部47による洗浄液の供給、溶媒供給部48による揮発性溶媒の供給、ガス供給部49によるガスの供給、加熱手段51による加熱、冷却手段70による冷却等の制御を行なう。
以下、基板処理装置10による基板Wの洗浄及び乾燥処理手順について説明する。
(1)搬送ロボット11が基板給排部20の基板収納カセット21から基板保管用バッファ部30のイン専用バッファ31に供給した基板Wを搬送ロボット12により取り出し、この基板Wを基板処理室40のテーブル43上にセットした状態で、基板処理室40の制御部60は回転機構44を制御し、テーブル43を所定の回転数で回転させ、次いで、溶媒吸引排出部45を待機位置に位置付けた状態で、薬液供給部46を制御し、回転するテーブル43上の基板Wの表面にノズル46Aから薬液、即ちAPMを所定時間供給する。薬液としてのAPMは、ノズル46Aから、回転するテーブル43上の基板Wの中央に向けて吐出され、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル43上の基板Wの表面はAPMにより覆われて処理されることになる。
尚、制御部60はテーブル43を上述(1)から後述(6)まで継続して回転させる。このとき、テーブル43の回転数や所定時間等の処理条件は予め設定されているが、操作者によって任意に変更可能である。
(2)次に、制御部60は、薬液の供給を停止されてから、洗浄液供給部47を制御し、回転するテーブル43上の基板Wの表面にノズル47Aから洗浄液、即ち超純水を所定時間供給する。洗浄液としての超純水は、ノズル47Aから、回転するテーブル43上の基板Wの中央に向けて吐出され、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル43上の基板Wの表面は超純水により覆われて洗浄されることになる。
(3)次に、制御部60は、溶媒吸引排出部45を作業位置に位置付け、溶媒供給部48を制御し、回転するテーブル43上の基板Wの表面にノズル48Aから揮発性溶媒、即ちIPAを所定時間供給する。揮発性溶媒としてのIPAは、ノズル48Aから、回転するテーブル43上の基板Wの中央に向けて吐出され、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル43上の基板Wの表面は超純水からIPAに置換されることになる。尚、このときのテーブル43、即ち基板Wの回転数は、基板Wの表面が露出しない程度に、揮発性溶媒の膜が基板Wの表面上で薄膜となるように設定されている。
また、溶媒供給部48のノズル48Aから吐出されるIPAの温度はその沸点未満とされ、IPAを確実に液体の状態として基板Wの表面に供給することにより、基板Wの表面の全域において超純水がIPAにより均等に置換されることの確実を図る。
(4)次に、制御部60は、ガス供給部49を制御し、回転するテーブル43上の基板Wの表面にノズル49Aからガス、即ち窒素ガスを所定時間供給する。窒素ガスは、ノズル49Aから、テーブル43上の基板Wの全域に向けて吐出される。これにより、テーブル43上の基板Wを包む空間は窒素雰囲気となる。この空間を窒素雰囲気にすることで、酸素濃度を減少させて、基板Wの表面におけるウォーターマークの発生を抑止することができる。
(5)次に、制御部60は、加熱手段51を制御し、加熱手段51の各ランプ51Aを点灯して、回転するテーブル43上の基板Wを所定時間加熱する。このとき、加熱手段51は、基板Wの温度が10秒で100度以上になることを可能にする加熱を行なうことができる。これにより、基板Wの表面上のパターンPに接触している揮発性溶媒の液体A1を瞬時に気化させ、基板Wの表面上における他の部分の揮発性溶媒の液体A1を直ちに液玉化させることが可能となる。
ここで、加熱手段51による加熱乾燥では、基板WのパターンPに接触している揮発性溶媒たるIPAを瞬時に気化させるため、数秒で数百度の高温まで基板Wを加熱することが重要である。また、IPAは加熱せず、基板Wだけを加熱することも必要である。このためには、波長500〜3000nmにピーク強度を有するランプ51Aを用いることが望ましい。また、確実な乾燥のためには、基板Wの最終温度(加熱による到達する最終温度)は、処理液や溶媒の大気圧の沸点よりも20℃以上の加熱温度であることが望ましく、加えて、最終温度に達する時間が10秒以内、例えば、数10msec〜数秒の範囲内であることが望ましい。
(6)加熱手段51による加熱作用で基板Wの表面に生成されたIPAの液玉は、基板Wの回転による遠心力で外周に飛ばされ、溶媒吸引排出部45に到達する。このとき溶媒吸引口45Aには吸引力が付与されているから、溶媒吸引排出部45に到達したIPAの液玉は、溶媒吸引口45Aを経由して吸引され除去される。これにより乾燥が終了する。従って、本実施例では、回転テーブル43、回転機構44、溶媒吸引排出部45は、基板の表面を乾燥する乾燥手段を構成する。基板Wの表面に生成されたIPAの液玉は、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの表面より除去されるが、基板Wの表面に向けて気体を吹きかけることでIPAの液玉を吹き飛ばし除去することで基板Wの乾燥を行なうようにしても良い。この場合、吹飛ばしたIPAを受ける受け部材等の回収手段を配置させておくと好ましい。
(7)次に、搬送ロボット12により基板処理室40の回転停止されたテーブル43上にて洗浄及び乾燥済となっている基板Wを取り出し、この基板Wを基板保管用バッファ部30のアウト専用バッファ32に投入する。基板Wのこのような基板処理室40から基板保管用バッファ部30のアウト専用バッファ32への搬送過程で、基板Wは、前述(A)のアウト専用バッファ32に設けた冷却手段70、又は前述(B)の搬送ロボット12における搬送アーム12Aの基板載置部12Bに内蔵した冷却手段70により所定温度以下にまで冷却される。
(8)搬送ロボット11は、上述(7)により冷却されて低温化された基板Wを基板保管用バッファ部30のアウト専用バッファ32から取り出し、基板給排部20の基板収納カセット21に排出する。尚、基板Wは、搬送ロボット11による基板保管用バッファ部30から基板給排部20への搬送過程で例えば上述(7)におけると同様にして冷却されても良い。
本実施例によれば以下の作用効果を奏する。
(a)加熱手段51による基板Wの加熱作用により、基板Wの表面上のパターンPの周囲で置換済の揮発性溶媒たるIPAの液体が気化し、これにより、基板Wの表面上のパターンPの周囲にはIPAが気化した気層が薄膜のように形成される。このため、基板Wの隣り合うパターンPの間のIPAの液体は気層によって押し出されながら、自らの表面張力で多数の液玉になる。このようにして基板Wの表面に生成されたIPAの液玉は、基板Wの回転による遠心力で外周に飛ばされ、溶媒吸引排出部45の溶媒吸引口45Aを経由して吸引され除去される。従って、基板Wの全表面でIPAの液体を瞬時に乾燥されることができ、基板Wの表面の各部の乾燥速度を均一にする結果、一部のパターンPの間にIPAの残留を生じることがなく、そのような残留IPAの液体の表面張力によるパターンPの倒壊を抑止できる。
(b)加熱手段51を経て加熱されて乾燥され、清浄化された基板Wを冷却手段70により冷却するものにした。従って、乾燥後の基板Wを低温状態で下流側の基板給排部20、基板収納カセット21の如くの基板収納設備等に送り込みでき、下流側設備を高温の基板Wによって熱的に損傷させることがない。これにより、下流側設備の例えば樹脂系構造材が熱的な損傷に基づく染物質を放出する等がなく、基板Wの表裏両面の清浄を保つことができる。
(c)冷却手段70を基板Wの搬送過程に設けた。従って、基板Wの下流側設備への搬送時間中に、冷却手段70による冷却作業を行なうものになり、基板Wの生産性を損なうことがない。基板Wが大型化するときにも、その量産性を向上できる。
以上、本発明の実施例を図面により詳述したが、本発明の具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。例えば、本実施例において、上述した手順(4)と(5)は順番を逆にしても良い。
本発明によれば、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、洗浄及び乾燥後の基板の表裏両面の清浄度を保つ基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
10 基板処理装置
43 回転テーブル(乾燥手段)
44 回転機構(乾燥手段)
45 溶媒吸引排出部(乾燥手段)
47 洗浄液供給部
48 溶媒供給部
51 加熱手段
70 冷却手段
W 基板

Claims (4)

  1. 基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
    洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、
    揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段と、
    加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有してなる基板処理装置であって、
    前記乾燥手段によって乾燥された基板を冷却する冷却手段を、更に有してなる基板処理装置。
  2. 前記冷却手段を、基板の搬送過程に設けてなる請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
    洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、
    揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程と、
    基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する工程とを有してなる基板処理方法であって、
    前記加熱された基板を冷却手段によって冷却する工程を、更に有してなる基板処理方法。
  4. 前記冷却手段により冷却する工程を、基板の搬送過程に有してなる請求項3に記載の基板処理方法。
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