JP2003179025A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2003179025A
JP2003179025A JP2002247212A JP2002247212A JP2003179025A JP 2003179025 A JP2003179025 A JP 2003179025A JP 2002247212 A JP2002247212 A JP 2002247212A JP 2002247212 A JP2002247212 A JP 2002247212A JP 2003179025 A JP2003179025 A JP 2003179025A
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removal
drying
processing unit
drying processing
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Tadashi Sasaki
忠司 佐々木
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 反応生成物を除去する処理後にその基板を確
実に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 搬入搬出部ＩＤ、除去処理部５、インタ
ーフェイスＩＦ、乾燥処理部９が一列に相互に隣接して
並べられている。すなわち、装置外部との間で基板Ｗの
搬出入を行う搬入搬出部ＩＤに、除去液によって有機物
の除去処理を行う除去処理部５が隣接して設けられてい
る。そして、除去処理が行われた基板の乾燥処理を行う
乾燥処理部９と除去処理部５との間に挟み込まれるよう
にして、除去処理部５と乾燥処理部９との間で基板の受
け渡しを行うインターフェイスＩＦが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に付
着した有機物、例えばレジスト膜をマスクとして基板の
表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによっ
て生成されたポリマーを除去液によって除去する基板処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては半導体
ウエハなどの基板上に形成されたアルミニウムや銅など
の金属の薄膜（金属膜）が、パターン化されたレジスト
膜をマスクとしてエッチングされて半導体素子の配線と
される工程がある。
【０００３】このエッチング工程は例えばＲＩＥ（Ｒｅ
ａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ／反応性イオン
エッチング）等の、ドライエッチングにより実行され
る。
【０００４】このようなドライエッチングで使用される
反応性イオンのパワーは極めて強いことから、金属膜の
エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定
の割合で変化し、その一部がポリマー等の反応生成物に
変質して金属膜の側壁に堆積する。この反応生成物は後
続するレジスト除去工程では除去されないことから、レ
ジスト除去工程を実行する前または後に、この反応生成
物を除去する必要がある。
【０００５】このため、従来、ドライエッチング工程の
後またはレジスト除去工程の後には、反応生成物を除去
する作用を有する除去液を基板に対して供給することに
より、金属膜の側壁に堆積した反応生成物を除去した
後、この基板を純水で洗浄し、さらにこの純水を振り切
り乾燥する反応生成物の除去処理を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のパタ
ーンの微細化に伴い、基板に付着した純水は振切り乾燥
のみでは十分に除去できない場合がある。仮に基板に純
水が残存していると、薄膜や空気成分や空中の汚染物質
と残存した純水とが反応して、さらに汚染物質が生成さ
れたりするおそれがある。
【０００７】よって、基板に純水を供給する処理がある
場合、基板を確実に乾燥させる必要がある。
【０００８】特に、反応生成物を除去した後の基板Ｗに
純水が残存した場合においては、基板表面に金属の薄膜
部を有することが多く、この場合、空気中で金属と純水
とが反応して不要な酸化物が生成されるという問題が発
生する。また、この基板が、ＣＶＤ等の真空条件下で処
理を行う処理工程に搬送された場合には、基板に付着し
た純水が処理に悪影響を及ぼす。
【０００９】本発明の目的は基板に純水を供給する処理
がある場合、その基板を確実に乾燥させることである。
より詳しくは、有機物を除去する処理後にその基板を確
実に乾燥させることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に付着した有機物を、該有
機物の除去液によって除去する基板処理装置において、
基板を収納したカセットを載置して、装置外部との間で
基板の搬出入を行う搬入搬出部と、前記搬入搬出部に隣
接して設けられ、前記除去液によって有機物の除去処理
を行う除去処理部と、前記除去処理が行われた基板の乾
燥処理を行う乾燥処理部と、前記除去処理部と前記乾燥
処理部との間に挟み込まれるように設けられ、前記除去
処理部と前記乾燥処理部との間で基板の受け渡しを行う
インターフェイスと、を備える。
【００１１】また、請求項２の発明は、基板に付着した
有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処理
装置において、基板を収納したカセットを載置して、装
置外部との間で基板の搬出入を行う搬入搬出部と、前記
搬入搬出部に隣接して設けられ、前記除去液によって有
機物の除去処理を行う除去処理部と、前記除去処理が行
われた基板の乾燥処理を行う乾燥処理部と、前記除去処
理部と前記乾燥処理部との間に挟み込まれるように設け
られ、前記除去処理部と前記乾燥処理部との間で基板の
受け渡しを行うインターフェイスと、を備えるととも
に、前記除去処理部に、両端が前記搬入搬出部および前
記インターフェイスにそれぞれ接触する第１搬送路と、
前記第１搬送路を挟み込むようにして配置され、基板を
回転させつつ該基板に前記除去液を供給することによっ
て該基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユ
ニットと、前記第１搬送路に配置され、前記搬入搬出
部、前記インターフェイスおよび前記複数の除去処理ユ
ニットの間で基板の搬送を行う第１搬送ロボットと、を
備え、前記乾燥処理部に、一端が前記インターフェイス
に接触する第２搬送路と、前記第２搬送路を挟み込むよ
うにして配置され、基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニ
ットと、前記第２搬送路に配置され、前記インターフェ
イスおよび前記複数の乾燥処理ユニットの間で基板の搬
送を行う第２搬送ロボットと、を備える。
【００１２】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
にかかる基板処理装置において、前記乾燥処理部に、前
記複数の乾燥処理ユニットのそれぞれの下方に、前記乾
燥処理ユニットに有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤蒸
気発生ユニットをさらに備える。
【００１３】また、請求項４の発明は、請求項２または
請求項３の発明にかかる基板処理装置において、前記第
１搬送ロボットおよび前記第２搬送ロボットに、伸縮体
の伸縮動作によって昇降動作を行う伸縮昇降機構を備え
る。
【００１４】また、請求項５の発明は、基板に付着した
有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処理
装置において、基板を収納したカセットを載置して、装
置外部との間で基板の搬出入を行う搬入搬出部と、一端
が前記搬入搬出部に接触する搬送路と、前記搬送路を挟
み込むようにして配置され、基板を回転させつつ該基板
に前記除去液を供給することによって該基板に付着した
有機物を除去する複数の除去処理ユニットと、前記搬送
路を挟み込むようにして配置され、基板を乾燥する複数
の乾燥処理ユニットと、前記搬送路に配置され、前記搬
入搬出部、前記複数の除去処理ユニットおよび前記複数
の乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送ロボッ
トと、を備える。
【００１５】また、請求項６の発明は、請求項５の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数の乾燥処理ユ
ニットのそれぞれの下方に、前記乾燥処理ユニットに有
機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤蒸気発生ユニットをさ
らに備える。
【００１６】また、請求項７の発明は、基板に付着した
有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処理
装置において、基板を収納したカセットを載置して、装
置外部との間で基板の搬出入を行う搬入搬出部と、一端
が前記搬入搬出部に接触する搬送路と、前記搬送路を挟
み込むようにして配置され、基板を回転させつつ該基板
に前記除去液を供給することによって該基板に付着した
有機物を除去する複数の除去処理ユニットと、前記搬送
路を挟み込むようにして配置され、基板を乾燥する複数
の乾燥処理ユニットと、前記搬送路に配置され、前記搬
入搬出部、前記複数の除去処理ユニットおよび前記複数
の乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送ロボッ
トと、を備え、前記複数の乾燥処理ユニットのそれぞれ
の下方に、前記除去処理ユニットを配置する。
【００１７】また、請求項８の発明は、請求項７の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数の乾燥処理ユ
ニットのそれぞれの側方に、前記乾燥処理ユニットに有
機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤蒸気発生ユニットをさ
らに備える。
【００１８】また、請求項９の発明は、基板に付着した
有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処理
装置において、基板を回転させつつ該基板に前記除去液
を供給することによって該基板に付着した有機物を除去
する複数の除去処理ユニットを多段に配置した除去処理
部と、基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットを多段に
配置した乾燥処理部と、前記複数の除去処理ユニットお
よび前記複数の乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行
う搬送ロボットと、を備え、前記搬送ロボットの周囲に
前記除去処理部および前記乾燥処理部を配置している。
【００１９】また、請求項１０の発明は、基板に付着し
た有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処
理装置において、基板を回転させつつ該基板に前記除去
液を供給することによって該基板に付着した有機物を除
去する除去処理ユニットを一段のみに配置した除去処理
部と、基板を乾燥する乾燥処理ユニットを一段のみに配
置した乾燥処理部と、前記除去処理ユニットおよび前記
乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送ロボット
と、を備え、前記搬送ロボットの周囲に前記除去処理部
および前記乾燥処理部を配置している。
【００２０】また、請求項１１の発明は、基板に付着し
た有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処
理装置において、基板を回転させつつ該基板に前記除去
液を供給することによって該基板に付着した有機物を除
去する複数の除去処理ユニットを多段に配置した除去処
理部と、基板を乾燥する乾燥処理ユニットを一段のみに
配置した乾燥処理部と、前記複数の除去処理ユニットお
よび前記乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送
ロボットと、を備え、前記搬送ロボットの周囲に前記除
去処理部および前記乾燥処理部を配置している。
【００２１】また、請求項１２の発明は、基板に付着し
た有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処
理装置において、基板を回転させつつ該基板に前記除去
液を供給することによって該基板に付着した有機物を除
去する除去処理ユニットを一段のみに配置した除去処理
部と、基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットを多段に
配置した乾燥処理部と、前記除去処理ユニットおよび前
記複数の乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送
ロボットと、を備え、前記搬送ロボットの周囲に前記除
去処理部および前記乾燥処理部を配置している。
【００２２】また、請求項１３の発明は、基板に付着し
た有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処
理装置において、基板を回転させつつ該基板に前記除去
液を供給することによって該基板に付着した有機物を除
去する複数の除去処理ユニットを多段に配置するととも
に、その多段の配置に基板に熱処理を行う熱処理ユニッ
トを組み込んだ除去処理部と、基板を乾燥する複数の乾
燥処理ユニットを多段に配置した乾燥処理部と、前記複
数の除去処理ユニット、前記複数の乾燥処理ユニットお
よび前記熱処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送ロ
ボットと、を備え、前記搬送ロボットの周囲に前記除去
処理部および前記乾燥処理部を配置している。
【００２３】また、請求項１４の発明は、基板に付着し
た有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処
理装置において、基板を回転させつつ該基板に前記除去
液を供給することによって該基板に付着した有機物を除
去する複数の除去処理ユニットを多段に配置した除去処
理部と、基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットを多段
に配置するとともに、その多段の配置に基板に熱処理を
行う熱処理ユニットを組み込んだ乾燥処理部と、前記複
数の除去処理ユニット、前記複数の乾燥処理ユニットお
よび前記熱処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送ロ
ボットと、を備え、前記搬送ロボットの周囲に前記除去
処理部および前記乾燥処理部を配置している。
【００２４】また、請求項１５の発明は、請求項５から
請求項１４のいずれかの発明にかかる基板処理装置にお
いて、前記搬送ロボットに、伸縮体の伸縮動作によって
昇降動作を行う伸縮昇降機構を備える。
【００２５】また、請求項１６の発明は、請求項１から
請求項１５のいずれかの発明にかかる基板処理装置にお
いて、基板に付着した前記有機物を、基板上に形成され
たレジスト膜が変質して生じた反応生成物としている。
【００２６】また、請求項１７の発明は、請求項１６の
発明に係る基板処理装置において、前記反応生成物を、
前記レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄
膜をドライエッチングすることによって生成されたポリ
マーとしている。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下の各実施形態において、基板
とは半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板であ
る。また、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は金属膜ま
たは絶縁膜である。金属膜を構成する金属としては銅や
アルミニウム、チタン、タングステンおよび、これらの
混合物がある。絶縁膜としては前記金属の酸化膜や窒化
膜およびシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機絶縁
膜、低誘電体層間絶縁膜がある。なお、ここでいう薄膜
とは、薄膜が形成された基板に対して垂直方向の断面に
おいて高さ寸法が底部の長さより短いものはもちろん、
高さ寸法が底部の長さより長いものも含む。従って、基
板上で部分的に形成されている膜や配線など、基板に向
って見たとき線状や島状に存在するものも薄膜に含まれ
る。
【００２８】この薄膜を、パターン化されたレジスト膜
をマスクとしてドライエッチングする工程を経た基板に
はドライエッチングによってレジストや薄膜に由来する
反応生成物であるポリマーが生成されている。
【００２９】以下の各実施形態における基板処理とは前
記ポリマーが生成された基板からポリマーを除去するポ
リマー除去処理である。
【００３０】また、以下、基板から脱落したポリマーを
汚染物質と表記する場合もある。
【００３１】また、以下の各実施形態における除去液と
はポリマー除去液である。ポリマー除去液はポリマーの
みを選択的に除去する液であり、ジメチルスルホキシ
ド、ジメチルホルムアミド等、有機アミンを含む有機ア
ミン系除去液、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系
除去液、無機系の除去液がある。
【００３２】有機アミン系の除去液としてはモノエタノ
ールアミンと水とアロマティックトリオールとの混合溶
液、２−（２−アミノエトキシ）エタノールとヒドロキ
シアミンとカテコールとの混合溶液、アルカノールアミ
ンと水とジアルキルスルホキシドとヒドロキシアミンと
アミン系防食剤の混合溶液、アルカノールアミンとグラ
イコールエーテルと水との混合溶液、ジメチルスルホキ
シドとヒドロキシアミンとトリエチレンテトラミンとピ
ロカテコールと水の混合溶液、水とヒドロキシアミンと
ピロガロールとの混合溶液、２−アミノエタノールとエ
ーテル類と糖アルコール類との混合溶液、２−（２−ア
ミノエトキシ）エタノールとＮとＮ−ジメチルアセトア
セトアミドと水とトリエタノールアミンとの混合溶液が
ある。
【００３３】フッ化アンモン系の除去液としては、有機
アルカリと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合
物と有機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、
アルキルアミドと水とフッ化アンモンとの混合溶液、ジ
メチルスルホキシドと２−アミノエタノールと有機アル
カリ水溶液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルス
ルホキシドとフッ化アンモンと水との混合溶液、フッ化
アンモンとトリエタノールアミンとペンタメチルジエチ
レントリアミンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコ
ールと硫酸アルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶
液、アミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、ア
ミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液がある。
【００３４】無機系の除去液としては水と燐酸誘導体と
の混合溶液がある。
【００３５】また、ここでいう有機溶剤は親水性の有機
溶剤であり、水溶性の有機溶剤である。詳述すると、水
と混合し、その混合物の沸点を下げる液体である。ここ
ではケトン類、エーテル類、多価アルコールを使用する
ことができる。例えば、ケトン類としては、アセトン、
ジエチルケトンが使用でき、エーテル類としてはメチル
エーテル、エチルエーテルが使用でき、多価アルコール
としてはエチレングリコールを使用することができる。
なお、金属等の不純物の含有量が少ないものが市場に多
く提供されている点などからすると、イソプロピルアル
コール（ＩＰＡ）を使用するのが最も好ましく、本実施
形態では、ＩＰＡが使用される。
【００３６】＜１．第１実施形態＞ ＜１−１．装置の全体構成＞以下、図面を参照しつつ本
発明の基板処理装置の第１実施形態について説明する。
図１は基板処理装置１の平面図である。基板処理装置１
は、搬入搬出部ＩＤと、除去処理部５と、インターフェ
イスＩＦと、乾燥処理部９とを一列に並べて配列した状
態で有する。
【００３７】搬入搬出部ＩＤは、未処理の基板Ｗを収容
したキャリア（カセット）Ｃが載置される搬入部３１
と、処理済みの基板Ｗを収容したキャリアＣが載置され
る搬出部３３と、受渡し部３５とを有する。
【００３８】搬入部３１はテーブル状の載置台を有し、
装置外の搬送機構によってキャリアＣが２個、搬入され
る。キャリアＣは例えば２５枚の基板Ｗを水平姿勢で互
いに間隔を空けて垂直方向に並べた状態で保持する。搬
出部３３もテーブル状の載置台を有し、該載置台に２個
のキャリアＣが載置され、該２個のキャリアＣは装置外
の搬送機構によって搬出される。
【００３９】受渡し部３５は、搬入部３１、搬出部３３
のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリア
Ｃに対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構３７
と、第１受渡し台３９とを有する。搬入搬出機構３７
は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向
に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直
方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作
を行うことができる。これにより、搬入搬出機構３７は
キャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うとともに、第
１受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。
【００４０】除去処理部５は、搬入搬出部ＩＤに隣接し
て設けられ、基板Ｗを収容して反応生成物の除去処理を
施す４つの除去処理ユニットＳＲと、第１受渡し台３９
および第２受渡し台７１に対して基板Ｗを授受するとと
もに、４つの除去処理ユニットＳＲに対して基板Ｗを授
受する第１搬送ロボットＴＲ１とを有している。
【００４１】除去処理ユニットＳＲは搬入搬出部ＩＤの
キャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶ
ことで除去処理ユニットＳＲの列を形成し、この除去処
理ユニットＳＲの列が間隔を開けて合計２列、キャリア
Ｃの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記除去処
理ユニットＳＲの列と列との間に挟み込まれた第１搬送
路ＴＰ１に第１搬送ロボットＴＲ１が配置されている。
【００４２】第１搬送ロボットＴＲ１は第１搬送路ＴＰ
１に沿って走行し、各除去処理ユニットＳＲに対して基
板Ｗを授受するとともに、第１受渡し台３９に対して基
板Ｗを授受する。また、第１搬送ロボットＴＲ１は後述
の第２受渡し台７１に対しても基板Ｗを授受する。な
お、除去処理ユニットＳＲおよび第１搬送ロボットＴＲ
１の詳細については後述する。
【００４３】インタフェースＩＦは、除去処理部５と乾
燥処理部９とに挟み込まれるようにして設けられ、基板
Ｗが載置される第２受渡し台７１を有する。
【００４４】乾燥処理部９はインタフェースＩＦに隣接
して設けられ、基板Ｗを収容して乾燥処理を行う４つの
乾燥処理ユニットＤＰＨと、第２受渡し台７１に対して
基板Ｗを授受するとともに、４つの乾燥処理ユニットＤ
ＰＨに対して基板Ｗを授受する第２搬送ロボットＴＲ２
とを有している。
【００４５】乾燥処理ユニットＤＰＨは搬入搬出部ＩＤ
のキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並
ぶことで乾燥処理ユニットＤＰＨの列を形成し、この乾
燥処理ユニットＤＰＨの列が間隔を開けて合計２列、キ
ャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記
乾燥処理ユニットＤＰＨの列と列との間に挟み込まれた
第２搬送路ＴＰ２に第２搬送ロボットＴＲ２が配置され
ている。
【００４６】第２搬送ロボットＴＲ２は第２搬送路ＴＰ
２に沿って走行し、各乾燥処理ユニットＤＰＨに対して
基板Ｗを授受するとともに、第２受渡し台７１に対して
基板Ｗを授受する。なお、乾燥処理ユニットＤＰＨおよ
び第２搬送ロボットＴＲ２の詳細については後述する。
【００４７】＜１−２．除去処理ユニット＞次に図２に
従い除去処理ユニットＳＲについて説明する。なお、図
２は除去処理ユニットＳＲの構成を示す図である。
【００４８】除去処理ユニットＳＲは、１枚の基板を水
平状態に保持して回転する基板保持手段６１と、保持さ
れた基板Ｗの周囲を取り囲むカップ６２と、保持された
基板Ｗに除去液を供給する除去液供給手段６３と、保持
された基板Ｗに純水を供給する純水供給手段６４と、基
板保持手段６１に保持されている基板Ｗを収容するチャ
ンバ６５とを有する。
【００４９】チャンバ６５にはシャッタ５９（図１参
照）が設けられており、該シャッタ５９は、第１搬送ロ
ボットＴＲ１がチャンバ６５内に基板Ｗを搬入または搬
出する場合には開放され、それ以外のときは閉止されて
いる。なお、チャンバ６５内は常に常圧の状態である。
なお、チャンバ６５内の雰囲気は不図示の排気機構によ
って、装置外の排気ダクトへ排出されている。このた
め、処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気がチャン
バ６５から漏出することが防止されている。
【００５０】基板保持手段６１は、チャンバ６５外に設
けられたモータ６６と、モータ６６に駆動されること
で、垂直方向に配された軸を中心に回転するチャック６
７とを有する。
【００５１】カップ６２は上面視略ドーナツ型で中央の
開口にチャック６７が通過可能な開口を有している。ま
た、カップ６２は回転する基板Ｗから飛散する液体（例
えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設けられ
ている排液口６８から捕集した液体を排出する。排液口
６８にはドレン７０へ通ずるドレン配管６９が設けら
れ、該ドレン配管６９の途中にはドレン配管６９の管路
を開閉するドレン弁７２が設けられている。なお、カッ
プ６２は不図示の機構で昇降する。
【００５２】除去液供給手段６３は、チャンバ６５外に
設けられたモータ７３と、モータ７３の回動によって回
動するアーム７４とアーム７４の先端に設けられ除去液
を下方に吐出する除去液ノズル７５と、除去液ノズル７
５に向って除去液を供給する除去液源７６とを有する。
また、除去液ノズル７５と除去液源７６との間には管路
が連通接続され、該管路には除去液弁７７が設けられて
いる。なお、モータ７３を昇降させることで除去液ノズ
ル７５を昇降させる不図示の昇降手段が設けられてい
る。
【００５３】このモータ７３を駆動することによって、
除去液ノズル７５は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置
とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する。
【００５４】純水供給手段６４は、チャンバ６５外に設
けられたモータ７８と、モータ７８の回動によって回動
するアーム７９と、アーム７９の先端に設けられ純水を
下方に吐出する純水ノズル８１と、純水ノズル８１に向
って純水を供給する純水源８２とを有する。また、純水
ノズル８１と純水源８２との間には管路が連通接続さ
れ、該管路には純水弁８３が設けられている。なお、モ
ータ７８を昇降させることで純水ノズル８１を昇降させ
る不図示の昇降手段が設けられている。
【００５５】このモータ７８を駆動することによって、
純水ノズル８１は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置と
カップ６２外の待機位置との間で往復移動する。
【００５６】このような構成により、除去処理ユニット
ＳＲは、基板Ｗを回転させつつ該基板Ｗに除去液を供給
することによって該基板Ｗに付着した有機物を除去する
ことができる。
【００５７】＜１−３．乾燥処理ユニット＞図３は、乾
燥処理ユニットＤＰＨの構成を示す図である。乾燥処理
ユニットＤＰＨは、フレーム８５上に設けられた気密の
密閉チャンバ８６と、密閉チャンバ８６内に上部が配さ
れ、温度調節機構を持つ温調プレート８７と、密閉チャ
ンバ８６内の圧力を低下させる減圧手段９０と、減圧さ
れた密閉チャンバ内の圧力を常圧に戻す常圧開放手段４
０と、密閉チャンバ８６内に有機溶剤の蒸気を供給する
溶剤蒸気供給手段８０とを有する。なお、減圧手段９０
はポンプ８４と、ポンプ８４と密閉チャンバ８６とを連
通させている管路とを有する。
【００５８】密閉チャンバ８６にはシャッタ９６が設け
られており、該シャッタ９６は第２搬送ロボットＴＲ２
が密閉チャンバ８６内に基板Ｗを搬入または搬出する場
合には開放され、それ以外のときは閉止されて密閉チャ
ンバ８６の気密性を保持する。また、密閉チャンバ８６
の下部には排気口８９が設けられており、該排気口８９
は管路でポンプ８４に通じている。ポンプ８４は密閉チ
ャンバ８６内の雰囲気を排気することで密閉チャンバ８
６内の圧力を低下させる。
【００５９】密閉チャンバ８６内には温調プレート８７
が突出している。温調プレート８７は内部に加熱または
冷却機構を有しており、基板Ｗの温度を調節する。ま
た、温調プレート８７には基板Ｗが載置されるピン８８
が３本設けられており、第２搬送ロボットＴＲ２との間
で基板Ｗを授受するときは上昇し、基板Ｗに乾燥処理を
施すときは下降する。なお、ピン８８が下降して乾燥処
理を施すときは、ピン８８の頂部は温調プレート８７の
上面よりも若干突出しており、基板Ｗと温調プレート８
７との間には微少な間隔が存在する。
【００６０】溶剤蒸気供給手段８０は密閉チャンバ８６
内に溶剤蒸気（ここではＩＰＡ＝イソプロピルアルコー
ル）を供給する溶剤蒸気供給ノズル９２と、溶剤蒸気供
給ノズル９２に対して溶剤蒸気を送り出す溶剤蒸気発生
ユニットＶＰと、溶剤蒸気発生ユニットＶＰと溶剤蒸気
供給ノズル９２とを連通接続する溶剤管路９７に設けら
れた溶剤弁９４とを有する。なお、ここで言う溶剤蒸気
とは微細な液滴から構成される霧状の有機溶剤および、
気体の有機溶剤の両方を含む。このため溶剤蒸気発生ユ
ニットＶＰは溶剤蒸気発生手段として、液体のＩＰＡに
超音波を付与して溶剤蒸気を得る超音波気化手段や液体
のＩＰＡを加熱して溶剤蒸気を得る加熱気化手段や、液
体のＩＰＡに窒素などの不活性ガスの気泡を通して溶剤
蒸気を得るバブリング気化手段を含む。
【００６１】密閉チャンバ８６には不活性ガス（ここで
は窒素ガス）の供給源であるＮ2源９９から導かれるガ
ス管路９８が連通接続されている。また、ガス管路９８
の途中にはガス管路９８の流路を開閉するガス弁９３が
設けられている。なお密閉チャンバ８６内の圧力を常圧
にする常圧開放手段４０は前記ガス管路９８とガス弁９
３とＮ2源９９とを有する。
【００６２】このような構成により、乾燥処理ユニット
ＤＰＨは、基板Ｗを減圧雰囲気下にて乾燥することがで
きる。
【００６３】＜１−４．搬送ロボット＞次に、第１搬送
ロボットＴＲ１および第２搬送ロボットＴＲ２について
説明する。ここでは、第１搬送ロボットＴＲ１について
説明するが、第２搬送ロボットＴＲ２も全く同様の構成
を有し、同様の動作を行う。
【００６４】図４は、第１搬送ロボットＴＲ１の外観斜
視図である。第１搬送ロボットＴＲ１は、伸縮体２０の
上部に搬送アーム５３ａを備えたアームステージ２５を
設けるとともに、伸縮体２０によってテレスコピック型
の多段入れ子構造を実現している。
【００６５】伸縮体２０は、上から順に４つの分割体２
０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄによって構成されてい
る。分割体２０ａは分割体２０ｂに収容可能であり、分
割体２０ｂは分割体２０ｃに収容可能であり、分割体２
０ｃは分割体２０ｄに収容可能である。そして、分割体
２０ａ〜２０ｄを順次に収納していくことによって伸縮
体２０は収縮し、逆に分割体２０ａ〜２０ｄを順次に引
き出していくことによって伸縮体２０は伸張する。すな
わち、伸縮体２０の収縮時においては、分割体２０ａが
分割体２０ｂに収容され、分割体２０ｂが分割体２０ｃ
に収容され、分割体２０ｃが分割体２０ｄに収容され
る。一方、伸縮体２０の伸張時においては、分割体２０
ａが分割体２０ｂから引き出され、分割体２０ｂが分割
体２０ｃから引き出され、分割体２０ｃが分割体２０ｄ
から引き出される。
【００６６】伸縮体２０の伸縮動作は、その内部に設け
られた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構
としては、例えば、特開平１１−１８６３６０号公報に
開示されているのと同様のベルトとローラとを複数組み
合わせたものをモータによって駆動する機構を採用する
ことができる。第１搬送ロボットＴＲ１は、このような
伸縮昇降機構によって搬送アーム５３ａの鉛直方向に沿
った昇降動作を行うことができる。
【００６７】また、図４の矢印ＡＲ４にて示すように、
第１搬送ロボットＴＲ１の搬送アーム５３ａは、雄ねじ
２７，ガイドレール２６等からなる水平方向駆動機構に
よって長尺形状の第１搬送路ＴＰ１の長手方向に沿って
移動することが可能となっている。すなわち、図外の電
動モータによって雄ねじ２７を回転させることにより、
雄ねじ２７に螺合する分割体２０ｄを第１搬送路ＴＰ１
の長手方向に沿ってスライド移動させることができるの
である。
【００６８】さらに、第１搬送ロボットＴＲ１は、搬送
アーム５３ａの水平進退移動および回転動作を行うこと
もできる。具体的には、分割体２０ａの上部にアームス
テージ２５が設けられており、そのアームステージ２５
によって搬送アーム５３ａの水平進退移動および回転動
作を行う。すなわち、特開平１１−１８６３６０号公報
に開示されているのと同様に、アームステージ２５が搬
送アーム５３ａのアームセグメントを屈伸させることに
より搬送アーム５３ａが水平進退移動を行い、アームス
テージ２５自体が伸縮体２０に対して回転動作を行うこ
とにより搬送アーム５３ａが回転動作を行う。
【００６９】従って、第１搬送ロボットＴＲ１は、搬送
アーム５３ａを高さ方向に昇降動作させること、第１搬
送路ＴＰ１の長手方向に沿って水平移動させること、回
転動作させることおよび水平方向に進退移動させること
ができる。つまり、第１搬送ロボットＴＲ１は、搬送ア
ーム５３ａを３次元的に移動させることができるのであ
る。これにより、第１搬送ロボットＴＲ１は、除去処理
ユニットＳＲの列と列との間隔（第１搬送路ＴＰ１）に
沿って走行し、搬入搬出部ＩＤ、インターフェイスＩＦ
および各除去処理ユニットＳＲの間で基板Ｗの搬送を行
う。
【００７０】同様に、第２搬送ロボットＴＲ２は、搬送
アーム９３ａ（図１参照）を高さ方向に昇降動作させる
こと、第２搬送路ＴＰ２の長手方向に沿って水平移動さ
せること、回転動作させることおよび水平方向に進退移
動させることができる。つまり、第２搬送ロボットＴＲ
２は、搬送アーム９３ａを３次元的に移動させることが
できるのである。これにより、第２搬送ロボットＴＲ２
は、乾燥処理ユニットＤＰＨの列と列との間隔（第２搬
送路ＴＰ２）に沿って走行し、インターフェイスＩＦお
よび各乾燥処理ユニットＤＰＨの間で基板Ｗの搬送を行
う。
【００７１】＜１−５．基板処理方法＞次に上記の基板
処理装置１を用いた基板処理方法について説明する。本
基板処理方法は以下の除去液供給工程、純水供給工程、
液切り工程、乾燥工程からなる。
【００７２】まず、キャリアＣに収容された基板Ｗが搬
入部３１に搬入される。この基板Ｗは薄膜を有し、該薄
膜はパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライ
エッチングを施されている。これにより、該基板Ｗには
レジスト膜や薄膜に由来する反応生成物（ここではポリ
マー）が付着している。
【００７３】搬入部３１のキャリアＣから搬入搬出機構
３７により基板Ｗが１枚取り出され、第１受渡し台３９
に載置される。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは
第１搬送ロボットＴＲ１により持ち出され、４つの除去
処理ユニットＳＲのうちの所定の１つに搬入される。除
去処理ユニットＳＲではシャッタ５９を開放して第１搬
送ロボットＴＲ１が搬送してきた基板Ｗをチャック６７
にて受取り保持する。
【００７４】基板Ｗを受けとった除去処理ユニットＳＲ
では、基板保持手段６１が基板Ｗを保持する。またドレ
ン弁７２は開放しておく。
【００７５】次に、基板保持手段６１はモータ６６を回
転させて基板Ｗを回転させる。基板Ｗが所定の回転数に
達すると除去液供給工程が実行される。除去液供給工程
ではモータ７３が回動して待機位置にある除去液ノズル
７５が吐出位置に移動する。そして、除去液弁７７を開
放して除去液ノズル７５から基板Ｗに除去液を供給す
る。基板Ｗに供給された除去液は基板Ｗの外に落下して
カップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレ
ン７０に排出される。所定時間、除去液を供給すると除
去液弁７７を閉止し、除去液ノズル７５を待機位置に戻
す。
【００７６】この除去液供給工程では基板Ｗに供給され
た除去液が基板Ｗ上の反応生成物に作用するため、基板
上の反応生成物は基板から脱落しやすくなる。このた
め、反応生成物は基板Ｗの回転や除去液の供給により、
徐々に基板Ｗ上から除去されていく。
【００７７】次に、純水供給工程が実行される。純水供
給工程ではモータ７８が回動して待機位置にある純水ノ
ズル８１が吐出位置に移動する。そして、純水弁８３を
開放して純水ノズル８１から基板Ｗに純水を供給する。
基板Ｗに供給された純水は基板Ｗの外に落下してカップ
６２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレン７０
に排出される。所定時間、純水を供給すると純水弁８３
を閉止し、純水ノズル８１を待機位置に戻す。
【００７８】この純水供給工程では基板Ｗに供給された
純水が除去液や反応生成物などの汚染物質を基板Ｗ上か
ら洗い流す。
【００７９】次に液切り工程が実行される。液切り工程
では基板Ｗを高速で回転させることにより、基板Ｗ上に
ある液体を振切る。これにより、基板Ｗがほぼ乾燥す
る。
【００８０】除去処理ユニットＳＲで処理が完了する
と、シャッタ５９が開けられて第１搬送ロボットＴＲ１
によって基板Ｗが搬出される。そして、第１搬送ロボッ
トＴＲ１はインターフェイスＩＦの第２受渡し台７１に
基板Ｗを載置する。次に、該基板Ｗは第２搬送ロボット
ＴＲ２により第２受渡し台７１から持ち出され、いずれ
かの乾燥処理ユニットＤＰＨに搬入される。乾燥処理ユ
ニットＤＰＨではシャッタ９６を開放し、第２搬送ロボ
ットＴＲ２は上昇した状態のピン８８に基板Ｗを載置す
る。そして、シャッタ９６を閉止して密閉チャンバ８６
の気密性を確保する。
【００８１】続いて乾燥処理ユニットＤＰＨでは乾燥処
理を実行する。乾燥処理は後述の温調工程、置換工程、
減圧工程、ガス供給工程、溶剤供給工程、常圧開放工程
とを含む乾燥工程により実行される。
【００８２】まず、基板Ｗが密閉チャンバ８６内に搬入
される前に温調プレート８７を乾燥温度にしておく。な
お、ここでの乾燥温度とは有機溶剤の発火点以下の温度
であり、ここでは有機溶剤としてＩＰＡを使用している
ことを勘案して３０度以上４０度以下の温度に設定して
ある。また、基板Ｗが搬入されるよりも前に温調プレー
ト８７の温調制御を行い、温調プレート８７を所定の温
度にしているのでスループットの低下を防止できる。
【００８３】そして、ピン８８を下降させ基板Ｗと温調
プレート８７とを近接させ、基板Ｗを加熱する温調工程
を実施する。また、シャッタ９６の閉止後、ポンプ８４
を駆動して密閉チャンバ８６内の雰囲気を排気するとと
もに、ガス弁９３を開いて密閉チャンバ８６内に窒素ガ
スを導入する。これにより、密閉チャンバ８６内の雰囲
気を大気雰囲気から窒素雰囲気に置換する置換工程が実
行される。
【００８４】次に、ポンプ８４の駆動を続行しながら、
ガス弁９３を閉じて密閉チャンバ８６内への窒素ガスの
供給を停止することで、密閉チャンバ８６内の圧力を減
じていく。これにより、密閉チャンバ８６内の気圧を常
圧（１０１３２５Ｐａ）よりも下げる減圧工程が実行さ
れる。ここでは密閉チャンバ８６内の圧力が６６６．５
Ｐａ〜６６６５Ｐａ、好ましくは６６６．５Ｐａ〜２６
６６Ｐａにされる。
【００８５】また、ガス弁９３を閉じたとき以降に、ポ
ンプ８４の駆動を続行しながら、溶剤弁９４を開放す
る。これにより、溶剤蒸気ノズル９２から密閉チャンバ
８６内に有機溶剤を供給する溶剤供給工程が実行され
る。所定時間、溶剤弁９４を開放した後、溶剤弁９４を
閉止する。
【００８６】溶剤弁９４の閉止以降、ポンプ８４の駆動
を続行しながら、再びガス弁９３を開放する。これによ
り、密閉チャンバ８６を常圧に戻す常圧開放工程が実行
される。また、所定時間後、ガス弁９３を開放した状態
で、ポンプ８４の駆動を停止し、その後、ガス弁９３を
閉止し、乾燥工程を終了する。
【００８７】ここでは、温調工程によって基板Ｗが加熱
されるので、基板Ｗ上に残存する水分が蒸発しやすい。
しかも、減圧工程で基板Ｗ周囲の気圧が低下している。
このため、液体の沸点が低下するので、基板Ｗ上に残存
する純水がより容易に蒸発する。すなわち、基板Ｗを減
圧雰囲気下に置くことによって確実に水分を乾燥させて
いるのである。
【００８８】さらに、減圧工程中に基板Ｗに有機溶剤の
蒸気が供給される。これにより、有機溶剤は基板Ｗ上に
残存する水分と混合する。この、水と有機溶剤との混合
物は水よりも沸点が低いため、容易に基板Ｗから蒸発
し、基板Ｗから水分を奪うことができる。しかも、温調
工程で基板Ｗが加熱され、かつ減圧工程で基板Ｗ周囲の
気圧が低下していることから、前記水と有機溶剤との混
合物は短時間で容易に蒸発する。従って、基板Ｗを極め
て確実に乾燥させることができる。
【００８９】なお、上記乾燥工程を減圧工程と常圧開放
工程とで実行してもよい。この場合は基板Ｗ周囲の気圧
低下により、基板Ｗに残存する水分の沸点が低下し、容
易に水分が蒸発して乾燥を実行できる。
【００９０】また、上記乾燥工程を減圧工程と溶剤供給
工程と、常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は
基板上の水と有機溶剤との混合物が生成されるが、該混
合物は水よりも沸点が低いため容易に蒸発する。しかも
基板Ｗ周囲の気圧低下により沸点が低下しているのでさ
らに短時間で確実に水分を蒸発させることができる。
【００９１】また、上記乾燥工程を減圧工程と温調工程
と、常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は基板
上の水分が温調工程で加熱されているとともに周囲の気
圧が低下していることから該水分が短時間で確実に蒸発
する。
【００９２】また、上記乾燥工程を溶剤供給工程のみで
実行してもよい。この場合は基板上の水と有機溶剤との
混合物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低い
ため容易に蒸発する。よって、短時間で確実に基板Ｗを
乾燥させることができる。
【００９３】また、上記乾燥工程を温調工程と、溶剤供
給工程とで実行してもよい。この場合は基板上の水と有
機溶剤との混合物が生成されるが、該混合物は水よりも
沸点が低いため容易に蒸発する。しかも温調工程によっ
て該混合物が加熱されているので該混合物が容易に沸点
に達し蒸発する。これにより、短時間で確実に基板Ｗを
乾燥させることができる。
【００９４】乾燥処理ユニットＤＰＨでの乾燥処理が完
了すれば、基板処理が全て完了するので当該処理済みの
基板Ｗを搬出部３３に向って搬送する。
【００９５】これにはまず、乾燥処理ユニットＤＰＨの
ピン８８を上昇させるとともにシャッタ９６を開放す
る。そして、第２搬送ロボットＴＲ２で乾燥処理ユニッ
トＤＰＨから基板Ｗを搬出する。次に、第２搬送ロボッ
トＴＲ２は基板ＷをインターフェイスＩＦの第２受渡し
台７１に載置する。
【００９６】そして、第１搬送ロボットＴＲ１が第２受
渡し台７１上の基板Ｗを持ち出し、搬入搬出部ＩＤの第
１受渡し台３９に載置する。第１受渡し台３９に載置さ
れた基板Ｗは搬入搬出機構３７によって持ち出され、搬
出部３３に載置されているキャリアＣに搬入される。
【００９７】なお、搬入搬出部ＩＤの第１受渡し台３９
および、インターフェイスＩＦの第２受渡し台７１を例
えば多段の載置台など、複数の基板載置手段で構成すれ
ば、処理済みの基板Ｗと未処理の基板Ｗとが同時にイン
ターフェイスＩＦに存在することができるのでスループ
ットの低下を防止することができる。
【００９８】また、本実施形態では搬入搬出部ＩＤを搬
入部３１と搬出部３３とに分割して使用しているが、搬
入搬出部ＩＤを分割しなくても良い。この場合はあるキ
ャリアＣから搬出されて処理が完了した基板Ｗは同じキ
ャリアＣに搬入される。
【００９９】また、基板Ｗにポーラス状（多孔質）の薄
膜が存在する場合、上記基板処理装置１は特に良好な処
理を施すことができる。ポーラス状の薄膜は純水が入り
込むことのできる微細な孔が多数存在する構造であるの
で比較的純水が残存しやすい。例えば、この薄膜が絶縁
膜である場合、純水が残存していると誘電率が上がり絶
縁性が損なわれるという問題がある。しかし、本基板処
理装置１では純水を確実に除去できるのでこのような問
題を解決することができる。
【０１００】＜１−６．装置のレイアウト＞基板処理装
置１の構成および動作については以上の通りであるが、
以下基板処理装置１のレイアウトについて説明する。図
５および図６は、第１実施形態の基板処理装置１のレイ
アウトを示す図である。図５は上面から見たレイアウト
であり、図６は側面から見たレイアウトである。なお、
図５以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため
必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平
面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【０１０１】基板処理装置１のレイアウトの概略は、図
５に示すように、Ｘ方向に沿って搬入搬出部ＩＤ、除去
処理部５、インターフェイスＩＦ、乾燥処理部９が一列
に相互に隣接して並べられているというものである。す
なわち、装置外部との間で基板Ｗの搬出入を行う搬入搬
出部ＩＤに、除去液によって有機物の除去処理を行う除
去処理部５が隣接して設けられている。そして、除去処
理が行われた基板の乾燥処理を行う乾燥処理部９と除去
処理部５との間に挟み込まれるようにして、除去処理部
５と乾燥処理部９との間で基板の受け渡しを行うインタ
ーフェイスＩＦが設けられている。
【０１０２】第１実施形態の基板処理装置１のレイアウ
トの詳細についてさらに説明する。上面から見ると、除
去処理部５の第１搬送路ＴＰ１はＸ方向を長手方向とす
る長尺形状を有しており、その両端が搬入搬出部ＩＤお
よびインターフェイスＩＦに接触している。また、第１
搬送路ＴＰ１の両側にはそれぞれ２つずつ除去処理ユニ
ットＳＲが配置されている。すなわち、４つの除去処理
ユニットＳＲによって第１搬送路ＴＰ１が挟み込まれて
いる。第１搬送ロボットＴＲ１は、その第１搬送路ＴＰ
１に配置され、搬入搬出部ＩＤ、インターフェイスＩＦ
および４つの除去処理ユニットＳＲの間で基板Ｗの搬送
を行う。
【０１０３】また、上面から見ると、乾燥処理部９の第
２搬送路ＴＰ２もＸ方向を長手方向とする長尺形状を有
しており、その一端がインターフェイスＩＦに接触して
いる。また、第２搬送路ＴＰ２の両側にはそれぞれ２つ
ずつ乾燥処理ユニットＤＰＨが配置されている。すなわ
ち、４つの乾燥処理ユニットＤＰＨによって第２搬送路
ＴＰ２が挟み込まれている。第２搬送ロボットＴＲ２
は、その第２搬送路ＴＰ２に配置され、インターフェイ
スＩＦおよび４つの乾燥処理ユニットＤＰＨの間で基板
Ｗの搬送を行うのである。
【０１０４】さらに、基板処理装置１を側面から見る
と、図６に示すように、４つの乾燥処理ユニットＤＰＨ
のそれぞれの下方に溶剤蒸気発生ユニットＶＰが配置さ
れており、該溶剤蒸気発生ユニットＶＰからそれぞれの
上方に設けられた乾燥処理ユニットＤＰＨに有機溶剤の
蒸気（ここではＩＰＡの蒸気）が供給される。
【０１０５】以上のようなレイアウトを採用することに
よって、除去処理ユニットＳＲの他に乾燥処理ユニット
ＤＰＨをも１つの基板処理装置１に効率良く組み込むこ
とができ、反応生成物を除去する処理後にその基板を確
実に乾燥させることが出来る。また、４つの乾燥処理ユ
ニットＤＰＨのそれぞれの下方に溶剤蒸気発生ユニット
ＶＰを配置することにより、高温の有機溶剤の蒸気が自
然に上方へ向かうこととなり、有機溶剤の蒸気の供給効
率を向上させることができる。
【０１０６】＜２．第２実施形態＞次に、本発明の第２
実施形態について説明する。図７は、第２実施形態の基
板処理装置２のレイアウトを示す図である。第２実施形
態の基板処理装置２が第１実施形態の基板処理装置１と
異なるのは、インターフェイスＩＦを設けずに、除去処
理部５と乾燥処理部９とを直接接続している点である。
従って、図７に示すように、基板処理装置２においては
１つの搬送路ＴＰに１つの搬送ロボットＴＲが設けられ
ている。
【０１０７】基板処理装置２を上面から見ると、搬送路
ＴＰがＸ方向を長手方向とする長尺形状を有しており、
その一端が搬入搬出部ＩＤに接触している。そして、搬
送路ＴＰの両側にはそれぞれ２つずつの除去処理ユニッ
トＳＲおよび乾燥処理ユニットＤＰＨが配置されてい
る。すなわち、搬送路ＴＰは、４つの除去処理ユニット
ＳＲによって挟み込まれるとともに、４つの乾燥処理ユ
ニットＤＰＨによって挟み込まれている。搬送ロボット
ＴＲは、搬送路ＴＰに配置され、搬入搬出部ＩＤ、４つ
の除去処理ユニットＳＲおよび４つの乾燥処理ユニット
ＤＰＨの間で基板Ｗの搬送を行うのである。また、第１
実施形態と同様に、４つの乾燥処理ユニットＤＰＨのそ
れぞれの下方に、該乾燥処理ユニットＤＰＨに有機溶剤
の蒸気を供給するための溶剤蒸気発生ユニット（第１実
施形態と同様のものであり図示省略）を配置している。
【０１０８】なお、第２実施形態の除去処理ユニットＳ
Ｒおよび乾燥処理ユニットＤＰＨ自体の構成および動作
は上記の第１実施形態と同じであり、基板処理装置２を
用いた基板処理方法も第１実施形態と同じであるため、
その説明は省略する。また、搬送ロボットＴＲの構成は
第１実施形態の第１搬送ロボットＴＲ１および第２搬送
ロボットＴＲ２の構成と同じである。搬送ロボットＴＲ
は、未処理の基板Ｗを搬入搬出部ＩＤからいずれかの除
去処理ユニットＳＲに搬送し、除去処理後の基板Ｗを除
去処理ユニットＳＲからいずれかの乾燥処理ユニットＤ
ＰＨに搬送するとともに、乾燥処理後の基板Ｗを乾燥処
理ユニットＤＰＨから搬入搬出部ＩＤに戻す。
【０１０９】このようにしても、第１実施形態と同じよ
うに、除去処理ユニットＳＲの他に乾燥処理ユニットＤ
ＰＨをも１つの基板処理装置２に効率良く組み込むこと
ができ、反応生成物を除去する処理後にその基板を確実
に乾燥させることが出来る。また、インターフェイスＩ
Ｆを設けていないため、その分だけ基板処理装置２のフ
ットプリント（装置が占有する平面面積）を削減するこ
とができる。
【０１１０】＜３．第３実施形態＞次に、本発明の第３
実施形態について説明する。図８および図９は、第３実
施形態の基板処理装置３のレイアウトを示す図である。
図８は斜視図であり、図９は側面図である。第３実施形
態の基板処理装置３が第１実施形態の基板処理装置１と
異なるのは、インターフェイスＩＦを設けずに、除去処
理部５と乾燥処理部９とを高さ方向（Ｚ方向）に積層し
ている点である。
【０１１１】基板処理装置３を上面から見ると、搬送路
ＴＰがＸ方向を長手方向とする長尺形状を有しており、
その一端が搬入搬出部ＩＤに接触している。そして、搬
送路ＴＰの両側にはそれぞれ２つずつの除去処理ユニッ
トＳＲおよび乾燥処理ユニットＤＰＨが配置されてい
る。すなわち、搬送路ＴＰは、４つの除去処理ユニット
ＳＲによって挟み込まれるとともに、４つの乾燥処理ユ
ニットＤＰＨによって挟み込まれている。第２実施形態
の搬送ロボットＴＲと同様の搬送ロボット（図示省略）
が、搬送路ＴＰに配置され、搬入搬出部ＩＤ、４つの除
去処理ユニットＳＲおよび４つの乾燥処理ユニットＤＰ
Ｈの間で基板Ｗの搬送を行うのである。
【０１１２】但し、第３実施形態では第２実施形態と異
なり、４つの乾燥処理ユニットＤＰＨのそれぞれの下方
に、除去処理ユニットＳＲを配置している。そして、４
つの乾燥処理ユニットＤＰＨのそれぞれの側方であっ
て、各除去処理ユニットＳＲの上方に、乾燥処理ユニッ
トＤＰＨに有機溶剤の蒸気を供給する溶剤蒸気発生ユニ
ットＶＰを配置している。
【０１１３】第３実施形態の除去処理ユニットＳＲ、乾
燥処理ユニットＤＰＨおよび溶剤蒸気発生ユニットＶＰ
自体の構成および動作は上記の第１実施形態と同じであ
り、基板処理装置３を用いた基板処理方法も第１実施形
態と同じであるため、その説明は省略する。また、搬送
路ＴＰに配置された搬送ロボットの構成は第１実施形態
の第１搬送ロボットＴＲ１および第２搬送ロボットＴＲ
２の構成と同じである。該搬送ロボットは、未処理の基
板Ｗを搬入搬出部ＩＤからいずれかの除去処理ユニット
ＳＲに搬送し、除去処理後の基板Ｗを除去処理ユニット
ＳＲからいずれかの乾燥処理ユニットＤＰＨに搬送する
とともに、乾燥処理後の基板Ｗを乾燥処理ユニットＤＰ
Ｈから搬入搬出部ＩＤに戻す。
【０１１４】このようにしても、第１実施形態と同じよ
うに、除去処理ユニットＳＲの他に乾燥処理ユニットＤ
ＰＨをも１つの基板処理装置３に効率良く組み込むこと
ができ、反応生成物を除去する処理後にその基板を確実
に乾燥させることが出来る。また、乾燥処理ユニットＤ
ＰＨのそれぞれの下方に除去処理ユニットＳＲを配置、
つまり乾燥処理ユニットＤＰＨと除去処理ユニットＳＲ
とを高さ方向に積層することにより、基板処理装置３の
フットプリントを第１実施形態よりも削減することがで
きる。
【０１１５】＜４．第４実施形態＞次に、本発明の第４
実施形態について説明する。図１０は、第４実施形態の
基板処理装置４のレイアウトを示す平面図である。図１
１は基板処理装置４をＩ−Ｉ線から見た断面図であり、
図１２は基板処理装置４をＩＩ−ＩＩ線から見た断面図
である。
【０１１６】第４実施形態の基板処理装置４は、搬入搬
出部ＩＤと処理ステーション８とを備えている。搬入搬
出部ＩＤの構成および機能は、第１受渡し台３９を設け
ていない点を除いては第１実施形態と同じである。処理
ステーション８には、除去処理部Ｕ１，Ｕ２と、乾燥処
理部Ｕ３，Ｕ４と、汎用処理部Ｕ５と、搬送ロボットＴ
Ｒとが備えられている。
【０１１７】除去処理部Ｕ１および除去処理部Ｕ２は、
いずれも２つの除去処理ユニットＳＲを高さ方向（Ｚ方
向）に積層して構成されている。すなわち、除去処理部
Ｕ１および除去処理部Ｕ２は、いずれも除去処理ユニッ
トＳＲを２段に配置している。なお、除去処理ユニット
ＳＲ自体の構成および機能は、第１実施形態と同じであ
り、基板Ｗを回転させつつ該基板Ｗに除去液を供給する
ことによって該基板Ｗに付着した有機物を除去すること
ができる。
【０１１８】乾燥処理部Ｕ３および乾燥処理部Ｕ４は、
いずれも上から順に３つの乾燥処理ユニットＤＰＨと２
つの受け渡しプレートＰＬを高さ方向（Ｚ方向）に積層
して構成されている。すなわち、乾燥処理部Ｕ３および
乾燥処理部Ｕ４は、いずれも乾燥処理ユニットＤＰＨを
３段に配置している。なお、乾燥処理ユニットＤＰＨ自
体の構成および機能は、第１実施形態と同じであり、基
板Ｗを減圧雰囲気下にて乾燥することができる。また、
受け渡しプレートＰＬは第１実施形態の第１受渡し台３
９や第２受渡し台７１と同様の構成および機能を有する
ものであり、受け渡しプレートＰＬを介在して処理ステ
ーション８の搬送ロボットＴＲと搬入搬出部ＩＤの搬入
搬出機構３７との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
【０１１９】汎用処理部Ｕ５には、必要に応じて種々の
処理ユニットを積層して組み込むことができる。汎用処
理部Ｕ５に組み込む処理ユニットとしては、例えば上記
の除去処理ユニットＳＲや乾燥処理ユニットＤＰＨであ
っても良いし、他の熱処理ユニット等であっても良い。
【０１２０】搬送ロボットＴＲは、水平方向駆動機構を
備えていない点を除いては第１実施形態の第１搬送ロボ
ットＴＲ１と同様の構成を有している。すなわち、第３
実施形態では、図４の雄ねじ２７，ガイドレール２６等
からなる水平方向駆動機構が設けられておらず、いわば
固定式の搬送ロボットとされている。よって、第３実施
形態の搬送ロボットＴＲは、搬送アームを高さ方向に昇
降動作させること、回転動作させることおよび水平方向
に進退移動させることができる。
【０１２１】図１０に示すように、処理ステーション８
においては、中心部に搬送ロボットＴＲが設けられ、そ
の周囲に除去処理部Ｕ１，Ｕ２、乾燥処理部Ｕ３，Ｕ４
および汎用処理部Ｕ５が配置されている。すなわち、除
去処理部Ｕ１，Ｕ２は処理ステーション８の手前側
（（−Ｙ）側）に隣接して並置されている。乾燥処理部
Ｕ３は搬入搬出部ＩＤに隣接して配置され、乾燥処理部
Ｕ４は搬送ロボットＴＲを挟んで乾燥処理部Ｕ３の反対
側に配置されている。そして、汎用処理部Ｕ５は処理ス
テーション８の奥側（（＋Ｙ）側）に配置されている。
従って、搬送ロボットＴＲは、水平方向駆動機構を備え
ずとも、除去処理部Ｕ１，Ｕ２、乾燥処理部Ｕ３，Ｕ４
および汎用処理部Ｕ５の全てにアクセスすることが可能
となり、除去処理ユニットＳＲ、乾燥処理ユニットＤＰ
Ｈおよび受け渡しプレートＰＬの間で基板Ｗの搬送を行
うことができる。
【０１２２】基板処理装置４を用いた基板処理方法は第
１実施形態と同じであるため、その説明は省略する。搬
送ロボットＴＲは、受け渡しプレートＰＬを介して搬入
搬出部ＩＤから未処理の基板Ｗをいずれかの除去処理ユ
ニットＳＲに搬送し、除去処理後の基板Ｗを除去処理ユ
ニットＳＲからいずれかの乾燥処理ユニットＤＰＨに搬
送するとともに、乾燥処理後の基板Ｗを乾燥処理ユニッ
トＤＰＨから受け渡しプレートＰＬを介して搬入搬出部
ＩＤに戻す。
【０１２３】このようにしても、第１実施形態と同じよ
うに、除去処理ユニットＳＲの他に乾燥処理ユニットＤ
ＰＨをも１つの基板処理装置３に効率良く組み込むこと
ができ、反応生成物を除去する処理後にその基板を確実
に乾燥させることが出来る。
【０１２４】＜５．第５実施形態＞次に、本発明の第５
実施形態について説明する。第５実施形態の基板処理装
置４ａのレイアウトは図１０に示すのと同じである。図
１３は基板処理装置４ａを図１０のＩ−Ｉ線から見た断
面図であり、図１４は基板処理装置４ａを図１０のＩＩ
−ＩＩ線から見た断面図である。
【０１２５】第５実施形態の基板処理装置４ａの構成
は、除去処理部Ｕ１，Ｕ２および乾燥処理部Ｕ３，Ｕ４
の段数を除いては、第４実施形態の基板処理装置４と同
じであり、その詳細な説明は省略する。すなわち、図１
３に示すように、除去処理部Ｕ１および除去処理部Ｕ２
は、いずれも単一の除去処理ユニットＳＲを１段に配置
して構成されている。
【０１２６】また、図１４に示すように、乾燥処理部Ｕ
３および乾燥処理部Ｕ４は、いずれも上から順に単一の
乾燥処理ユニットＤＰＨと１つの受け渡しプレートＰＬ
とを高さ方向（Ｚ方向）に積層して構成されている。す
なわち、乾燥処理部Ｕ３および乾燥処理部Ｕ４は、いず
れも単一の乾燥処理ユニットＤＰＨを１段に配置してい
る。なお、除去処理ユニットＳＲおよび乾燥処理ユニッ
トＤＰＨ自体の構成および機能は、第１実施形態と同じ
である。また、受け渡しプレートＰＬは第４実施形態と
同じものである。
【０１２７】第５実施形態においても、図１０に示すよ
うに、処理ステーション８の中心部に搬送ロボットＴＲ
が設けられ、その周囲に除去処理部Ｕ１，Ｕ２、乾燥処
理部Ｕ３，Ｕ４および汎用処理部Ｕ５が配置されてい
る。すなわち、除去処理部Ｕ１，Ｕ２は処理ステーショ
ン８の手前側（（−Ｙ）側）に隣接して並置されてい
る。乾燥処理部Ｕ３は搬入搬出部ＩＤに隣接して配置さ
れ、乾燥処理部Ｕ４は搬送ロボットＴＲを挟んで乾燥処
理部Ｕ３の反対側に配置されている。そして、汎用処理
部Ｕ５は処理ステーション８の奥側（（＋Ｙ）側）に配
置されている。従って、搬送ロボットＴＲは、水平方向
駆動機構を備えずとも、除去処理部Ｕ１，Ｕ２、乾燥処
理部Ｕ３，Ｕ４および汎用処理部Ｕ５の全てにアクセス
することが可能となり、除去処理ユニットＳＲ、乾燥処
理ユニットＤＰＨおよび受け渡しプレートＰＬの間で基
板Ｗの搬送を行うことができる。
【０１２８】基板処理装置４ａを用いた基板処理方法は
第１実施形態と同じであるため、その説明は省略する。
搬送ロボットＴＲは、受け渡しプレートＰＬを介して搬
入搬出部ＩＤから未処理の基板Ｗをいずれかの除去処理
ユニットＳＲに搬送し、除去処理後の基板Ｗを除去処理
ユニットＳＲからいずれかの乾燥処理ユニットＤＰＨに
搬送するとともに、乾燥処理後の基板Ｗを乾燥処理ユニ
ットＤＰＨから受け渡しプレートＰＬを介して搬入搬出
部ＩＤに戻す。
【０１２９】このようにしても、第１実施形態と同じよ
うに、除去処理ユニットＳＲの他に乾燥処理ユニットＤ
ＰＨをも１つの基板処理装置４ａに効率良く組み込むこ
とができ、反応生成物を除去する処理後にその基板を確
実に乾燥させることが出来る。
【０１３０】＜６．第６実施形態＞次に、本発明の第６
実施形態について説明する。第６実施形態の基板処理装
置４ｂのレイアウトは図１０に示すのと同じである。図
１５は基板処理装置４ｂを図１０のＩ−Ｉ線から見た断
面図であり、図１６は基板処理装置４ｂを図１０のＩＩ
−ＩＩ線から見た断面図である。
【０１３１】第６実施形態の基板処理装置４ｂの構成
は、除去処理部Ｕ１，Ｕ２および乾燥処理部Ｕ３，Ｕ４
の構成を除いては、第４実施形態の基板処理装置４と同
じであり、その詳細な説明は省略する。
【０１３２】図１５に示すように、第６実施形態の除去
処理部Ｕ１および除去処理部Ｕ２は、いずれも上から順
に２つの加熱ユニットＨＰ、１つの冷却ユニットＣＰ、
２つの除去処理ユニットＳＲを高さ方向（Ｚ方向）に積
層して構成されている。すなわち、除去処理部Ｕ１およ
び除去処理部Ｕ２は、いずれも処理ユニットを多段に積
層して構成されており、それら多段の処理ユニットには
除去処理ユニットＳＲおよび熱処理ユニット（加熱ユニ
ットＨＰおよび冷却ユニットＣＰ）の双方が含まれる。
加熱ユニットＨＰは、基板Ｗを加熱して所定の温度にま
で昇温する、いわゆるホットプレートである。冷却ユニ
ットＣＰは、基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温す
るとともに、基板Ｗを当該所定の温度に維持する、いわ
ゆるクールプレートである。なお、除去処理ユニットＳ
Ｒの構成および機能は、第１実施形態と同じである。
【０１３３】また、図１６に示すように、第６実施形態
の乾燥処理部Ｕ３および乾燥処理部Ｕ４は、いずれも上
から順に３つの乾燥処理ユニットＤＰＨ、２つの加熱ユ
ニットＨＰ、１つの冷却ユニットＣＰを高さ方向（Ｚ方
向）に積層して構成されている。すなわち、乾燥処理部
Ｕ３および乾燥処理部Ｕ４は、いずれも処理ユニットを
多段に積層して構成されており、それら多段の処理ユニ
ットには乾燥処理ユニットＤＰＨおよび熱処理ユニット
（加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰ）の双方が
含まれる。加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰは
上記と同じである。また、乾燥処理ユニットＤＰＨの構
成および機能は、第１実施形態と同じである。
【０１３４】第６実施形態においても、図１０に示すよ
うに、処理ステーション８の中心部に搬送ロボットＴＲ
が設けられ、その周囲に除去処理部Ｕ１，Ｕ２、乾燥処
理部Ｕ３，Ｕ４および汎用処理部Ｕ５が配置されてい
る。すなわち、除去処理部Ｕ１，Ｕ２は処理ステーショ
ン８の手前側（（−Ｙ）側）に隣接して並置されてい
る。乾燥処理部Ｕ３は搬入搬出部ＩＤに隣接して配置さ
れ、乾燥処理部Ｕ４は搬送ロボットＴＲを挟んで乾燥処
理部Ｕ３の反対側に配置されている。そして、汎用処理
部Ｕ５は処理ステーション８の奥側（（＋Ｙ）側）に配
置されている。従って、搬送ロボットＴＲは、水平方向
駆動機構を備えずとも、除去処理部Ｕ１，Ｕ２、乾燥処
理部Ｕ３，Ｕ４および汎用処理部Ｕ５の全てにアクセス
することが可能となり、除去処理ユニットＳＲ、乾燥処
理ユニットＤＰＨ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニッ
トＣＰの間で基板Ｗの搬送を行うことができる。
【０１３５】基板処理装置４ｂを用いた基板処理方法は
第１実施形態と同じであるため、その説明は省略する。
搬送ロボットＴＲは、冷却ユニットＣＰを介して搬入搬
出部ＩＤから未処理の基板Ｗをいずれかの除去処理ユニ
ットＳＲに搬送し、除去処理後の基板Ｗを除去処理ユニ
ットＳＲからいずれかの乾燥処理ユニットＤＰＨに搬送
するとともに、乾燥処理後の基板Ｗを乾燥処理ユニット
ＤＰＨから冷却ユニットＣＰを介して搬入搬出部ＩＤに
戻す。また、第６実施形態の基板処理装置４ｂにおいて
は、処理の内容に応じて適宜加熱ユニットＨＰおよび冷
却ユニットＣＰを使用した基板Ｗの熱処理を行うことも
できる。
【０１３６】このようにしても、第１実施形態と同じよ
うに、除去処理ユニットＳＲの他に乾燥処理ユニットＤ
ＰＨをも１つの基板処理装置４ｂに効率良く組み込むこ
とができ、反応生成物を除去する処理後にその基板を確
実に乾燥させることが出来る。
【０１３７】＜７．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記各実施形態においては、レ
ジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をド
ライエッチングするドライエッチング工程を経た基板に
対して、ドライエッチング時に生成された反応生成物で
あるポリマーを除去することを開示したが、本発明はド
ライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板
から前記ポリマーを除去することに限定されるものでは
ない。
【０１３８】例えば、本発明はプラズマアッシングの際
に生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
よって、本発明は、必ずしもドライエッチングとは限ら
ない各種処理において、レジストに起因して生成された
ポリマーを基板から除去する場合も含む。
【０１３９】また、本発明は、ドライエッチングや、プ
ラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーだけ
を除去することに限定されるものではなく、レジストに
由来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含
む。
【０１４０】また、本発明ではレジストに由来する反応
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。
【０１４１】例えば、レジストが塗布され、該レジスト
に配線パターン等の模様が露光され、該レジストが現像
され、該レジストの下層に対して下層処理（例えば下層
としての薄膜に対するエッチング）が施された基板を対
象とし、下層処理が終了して、不要になったレジスト膜
を除去する場合も含まれる。
【０１４２】なお、この場合、不要になったレジスト膜
を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反
応生成物があればこれも同時に除去できるので、スルー
プットが向上するとともに、コストを削減できる。例え
ば、上記下層処理において、下層である薄膜に対してド
ライエッチングを施した場合は反応生成物も生成され
る。よって、ドライエッチング時に下層をマスクするこ
とに供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜
が変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。
【０１４３】また、本発明はレジストに由来する反応生
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを該有機物の除去液によって基
板から除去することも含む。
【０１４４】また、第１実施形態〜第３実施形態におい
ては、搬送ロボットを水平方向駆動機構を備えた走行式
のものとしていたが、これを第４実施形態と同様の水平
方向駆動機構を有さない固定式のものとしても良い。
【０１４５】また、上記の各実施形態においては、搬送
ロボットの搬送アームを１つにしたいわゆるシングルア
ームを採用していたが、搬送ロボットに２つの搬送アー
ムを備えるいわゆるダブルアームにしても良い。搬送先
が多数存在する場合はダブルアームとした方がスループ
ットが向上する。
【０１４６】また、上記の各実施形態においては、搬送
ロボットに伸縮昇降機構を備えることによって搬送アー
ムの昇降を行うようにしていたが、これに限定されるも
のではなく、他の昇降機構、例えばボールネジとリニア
ガイドとの組み合わせによって搬送アームを昇降させる
ようにしても良い。もっとも、伸縮体２０の伸縮動作に
よって昇降動作を行う伸縮昇降機構を採用する方が、処
理ユニットを多段に積層して装置高さが高くなった場合
であっても、昇降機構の大型化を抑制することができ
る。
【０１４７】また、上記の第４実施形態においては、除
去処理ユニットＳＲを２段に配置し、乾燥処理ユニット
ＤＰＨを３段に配置していたが、ユニットの段数はこれ
らに限定されるものでないことは勿論である。
【０１４８】また、上記の第５実施形態においては、除
去処理部Ｕ１，Ｕ２および乾燥処理部Ｕ３，Ｕ４の双方
に１段の除去処理ユニットＳＲおよび乾燥処理ユニット
ＤＰＨをそれぞれ組み込んでいたが、除去処理部または
乾燥処理部のいずれか一方に１段の除去処理ユニットＳ
Ｒまたは乾燥処理ユニットＤＰＨを組み込み、他方に多
段の除去処理ユニットＳＲまたは乾燥処理ユニットＤＰ
Ｈを組み込むようにしても良い。
【０１４９】また、上記の第６実施形態においては、除
去処理部Ｕ１，Ｕ２および乾燥処理部Ｕ３，Ｕ４の双方
に熱処理ユニットを組み込むようにしていたが、除去処
理部または乾燥処理部のいずれか一方のみに熱処理ユニ
ットを組み込むようにしても良い。
【０１５０】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、基板を収納したカセットを載置して、装置外
部との間で基板の搬出入を行う搬入搬出部と、搬入搬出
部に隣接して設けられ、除去液によって有機物の除去処
理を行う除去処理部と、除去処理が行われた基板の乾燥
処理を行う乾燥処理部と、除去処理部と乾燥処理部との
間に挟み込まれるように設けられ、除去処理部と乾燥処
理部との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス
と、を備えるため、除去処理部と乾燥処理部とを一の装
置に組み込むことができ、有機物を除去する処理後にそ
の基板を確実に乾燥させることができる。
【０１５１】また、請求項２の発明によれば、除去処理
部が、両端が搬入搬出部およびインターフェイスにそれ
ぞれ接触する第１搬送路と、第１搬送路を挟み込むよう
にして配置され、基板を回転させつつ該基板に前記除去
液を供給することによって該基板に付着した有機物を除
去する複数の除去処理ユニットと、第１搬送路に配置さ
れ、搬入搬出部、インターフェイスおよび複数の除去処
理ユニットの間で基板の搬送を行う第１搬送ロボット
と、を備えるとともに、乾燥処理部が、一端が前記イン
ターフェイスに接触する第２搬送路と、第２搬送路を挟
み込むようにして配置され、基板を乾燥する複数の乾燥
処理ユニットと、第２搬送路に配置され、インターフェ
イスおよび複数の乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を
行う第２搬送ロボットと、を備えるため、除去処理ユニ
ットと乾燥処理ユニットとを効率良く一の装置に組み込
むことができ、有機物を除去する処理後にその基板を確
実に乾燥させることができる。
【０１５２】また、請求項３の発明によれば、複数の乾
燥処理ユニットのそれぞれの下方に、乾燥処理ユニット
に有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤蒸気発生ユニット
を備えるため、乾燥処理ユニットに効率良く有機溶剤の
蒸気を供給することができる。
【０１５３】また、請求項４の発明によれば、第１搬送
ロボットおよび第２搬送ロボットが、伸縮体の伸縮動作
によって昇降動作を行う伸縮昇降機構を備えるため、装
置高さが高くなった場合であっても、搬送ロボットの昇
降機構の大型化を抑制することができる。
【０１５４】また、請求項５の発明によれば、基板を収
納したカセットを載置して、装置外部との間で基板の搬
出入を行う搬入搬出部と、一端が搬入搬出部に接触する
搬送路と、搬送路を挟み込むようにして配置され、基板
を回転させつつ該基板に除去液を供給することによって
該基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユニ
ットと、搬送路を挟み込むようにして配置され、基板を
乾燥する複数の乾燥処理ユニットと、搬送路に配置さ
れ、搬入搬出部、複数の除去処理ユニットおよび複数の
乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送ロボット
と、を備えるため、除去処理ユニットと乾燥処理ユニッ
トとを効率良く一の装置に組み込むことができ、有機物
を除去する処理後にその基板を確実に乾燥させることが
できる。
【０１５５】また、請求項６の発明によれば、複数の乾
燥処理ユニットのそれぞれの下方に、乾燥処理ユニット
に有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤蒸気発生ユニット
を備えるため、乾燥処理ユニットに効率良く有機溶剤の
蒸気を供給することができる。
【０１５６】また、請求項７の発明によれば、基板を収
納したカセットを載置して、装置外部との間で基板の搬
出入を行う搬入搬出部と、一端が前記搬入搬出部に接触
する搬送路と、搬送路を挟み込むようにして配置され、
基板を回転させつつ該基板に除去液を供給することによ
って該基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理
ユニットと、搬送路を挟み込むようにして配置され、基
板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットと、搬送路に配置
され、搬入搬出部、複数の除去処理ユニットおよび複数
の乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行う搬送ロボッ
トと、を備え、複数の乾燥処理ユニットのそれぞれの下
方に、除去処理ユニットを配置するため、除去処理ユニ
ットと乾燥処理ユニットとを効率良く一の装置に組み込
むことができ、有機物を除去する処理後にその基板を確
実に乾燥させることができるとともに、装置のフットプ
リントを削減することができる。
【０１５７】また、請求項８の発明によれば、複数の乾
燥処理ユニットのそれぞれの側方に、乾燥処理ユニット
に有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤蒸気発生ユニット
を備えるため、乾燥処理ユニットに効率良く有機溶剤の
蒸気を供給することができる。
【０１５８】また、請求項９の発明によれば、基板を回
転させつつ該基板に除去液を供給することによって該基
板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユニット
を多段に配置した除去処理部と、基板を乾燥する複数の
乾燥処理ユニットを多段に配置した乾燥処理部と、複数
の除去処理ユニットおよび複数の乾燥処理ユニットの間
で基板の搬送を行う搬送ロボットと、を備え、搬送ロボ
ットの周囲に除去処理部および乾燥処理部を配置するた
め、除去処理ユニットと乾燥処理ユニットとを効率良く
一の装置に組み込むことができ、有機物を除去する処理
後にその基板を確実に乾燥させることができる。
【０１５９】また、請求項１０の発明によれば、基板を
回転させつつ該基板に除去液を供給することによって該
基板に付着した有機物を除去する除去処理ユニットを一
段のみに配置した除去処理部と、基板を乾燥する乾燥処
理ユニットを一段のみに配置した乾燥処理部と、除去処
理ユニットおよび乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を
行う搬送ロボットと、を備え、搬送ロボットの周囲に除
去処理部および乾燥処理部を配置するため、除去処理ユ
ニットと乾燥処理ユニットとを効率良く一の装置に組み
込むことができ、有機物を除去する処理後にその基板を
確実に乾燥させることができる。
【０１６０】また、請求項１１の発明によれば、基板を
回転させつつ該基板に除去液を供給することによって該
基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユニッ
トを多段に配置した除去処理部と、基板を乾燥する乾燥
処理ユニットを一段のみに配置した乾燥処理部と、複数
の除去処理ユニットおよび乾燥処理ユニットの間で基板
の搬送を行う搬送ロボットと、を備え、搬送ロボットの
周囲に除去処理部および乾燥処理部を配置するため、除
去処理ユニットと乾燥処理ユニットとを効率良く一の装
置に組み込むことができ、有機物を除去する処理後にそ
の基板を確実に乾燥させることができる。
【０１６１】また、請求項１２の発明によれば、基板を
回転させつつ該基板に除去液を供給することによって該
基板に付着した有機物を除去する除去処理ユニットを一
段のみに配置した除去処理部と、基板を乾燥する複数の
乾燥処理ユニットを多段に配置した乾燥処理部と、除去
処理ユニットおよび複数の乾燥処理ユニットの間で基板
の搬送を行う搬送ロボットと、を備え、搬送ロボットの
周囲に除去処理部および乾燥処理部を配置するため、除
去処理ユニットと乾燥処理ユニットとを効率良く一の装
置に組み込むことができ、有機物を除去する処理後にそ
の基板を確実に乾燥させることができる。
【０１６２】また、請求項１３の発明によれば、基板を
回転させつつ該基板に除去液を供給することによって該
基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユニッ
トを多段に配置するとともに、その多段の配置に基板に
熱処理を行う熱処理ユニットを組み込んだ除去処理部
と、基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットを多段に配
置した乾燥処理部と、複数の除去処理ユニット、複数の
乾燥処理ユニットおよび熱処理ユニットの間で基板の搬
送を行う搬送ロボットと、を備え、搬送ロボットの周囲
に除去処理部および乾燥処理部を配置するため、除去処
理ユニットと乾燥処理ユニットとを効率良く一の装置に
組み込むことができ、有機物を除去する処理後にその基
板を確実に乾燥させることができる。
【０１６３】また、請求項１４の発明によれば、基板を
回転させつつ該基板に除去液を供給することによって該
基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユニッ
トを多段に配置した除去処理部と、基板を乾燥する複数
の乾燥処理ユニットを多段に配置するとともに、その多
段の配置に基板に熱処理を行う熱処理ユニットを組み込
んだ乾燥処理部と、複数の除去処理ユニット、複数の乾
燥処理ユニットおよび熱処理ユニットの間で基板の搬送
を行う搬送ロボットと、を備え、搬送ロボットの周囲に
除去処理部および乾燥処理部を配置するため、除去処理
ユニットと乾燥処理ユニットとを効率良く一の装置に組
み込むことができ、有機物を除去する処理後にその基板
を確実に乾燥させることができる。
【０１６４】また、請求項１５の発明によれば、搬送ロ
ボットが、伸縮体の伸縮動作によって昇降動作を行う伸
縮昇降機構を備えるため、装置高さが高くなった場合で
あっても、搬送ロボットの昇降機構の大型化を抑制する
ことができる。
【０１６５】また、請求項１６の発明によれば、基板に
付着した前記有機物が、基板上に形成されたレジスト膜
が変質して生じた反応生成物であるため、レジスト膜が
変質して生じた反応生成物を除去する処理後にその基板
を確実に乾燥させることができる。
【０１６６】また、請求項１７の発明によれば、反応生
成物が、レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在す
る薄膜をドライエッチングすることによって生成された
ポリマーであるため、ポリマーを除去する処理後にその
基板を確実に乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の除去処理ユニットの構成
を示す図である。
【図３】図１の基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成
を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置の搬送ロボットの外観斜視
図である。
【図５】第１実施形態の基板処理装置のレイアウトを示
す図である。
【図６】第１実施形態の基板処理装置のレイアウトを示
す図である。
【図７】第２実施形態の基板処理装置のレイアウトを示
す図である。
【図８】第３実施形態の基板処理装置のレイアウトを示
す図である。
【図９】第３実施形態の基板処理装置のレイアウトを示
す図である。
【図１０】第４実施形態の基板処理装置のレイアウトを
示す平面図である。
【図１１】図１０の基板処理装置をＩ−Ｉ線から見た断
面図である。
【図１２】図１０の基板処理装置をＩＩ−ＩＩ線から見
た断面図である。
【図１３】第５実施形態の基板処理装置の断面図であ
る。
【図１４】第５実施形態の基板処理装置の断面図であ
る。
【図１５】第６実施形態の基板処理装置の断面図であ
る。
【図１６】第６実施形態の基板処理装置の断面図であ
る。
【符号の説明】
１，２，３，４ 基板処理装置 ５，Ｕ１，Ｕ２ 除去処理部 ８ 処理ステーション ９，Ｕ３，Ｕ４ 乾燥処理部 ２０ 伸縮体 ＤＰＨ 乾燥処理ユニット ＩＤ 搬入搬出部 ＩＦ インターフェイス ＳＲ 除去処理ユニット ＴＰ 搬送路 ＴＰ１ 第１搬送路 ＴＰ２ 第２搬送路 ＴＲ 搬送ロボット ＴＲ１ 第１搬送ロボット ＴＲ２ 第２搬送ロボット ＶＰ 溶剤蒸気発生ユニット Ｗ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 １０４Ｈ 21/68 21/30 ５７２Ｂ Ｆターム(参考） 5F004 AA14 BD07 DB00 EA10 EB02 FA08 5F031 CA02 FA01 FA11 FA12 FA15 GA02 GA43 GA47 GA48 GA49 GA50 HA33 HA37 HA38 HA48 HA59 LA12 LA13 MA02 MA03 MA04 MA06 MA09 MA23 NA04 NA05 NA14 NA18 5F043 AA40 BB30 EE07 EE08 EE36 EE40 GG02 5F046 MA10 MA18

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に付着した有機物を、該有機物の除
    去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を収納したカセットを載置して、装置外部との間で
    基板の搬出入を行う搬入搬出部と、 前記搬入搬出部に隣接して設けられ、前記除去液によっ
    て有機物の除去処理を行う除去処理部と、 前記除去処理が行われた基板の乾燥処理を行う乾燥処理
    部と、 前記除去処理部と前記乾燥処理部との間に挟み込まれる
    ように設けられ、前記除去処理部と前記乾燥処理部との
    間で基板の受け渡しを行うインターフェイスと、を備え
    ることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 基板に付着した有機物を、該有機物の除
    去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を収納したカセットを載置して、装置外部との間で
    基板の搬出入を行う搬入搬出部と、 前記搬入搬出部に隣接して設けられ、前記除去液によっ
    て有機物の除去処理を行う除去処理部と、 前記除去処理が行われた基板の乾燥処理を行う乾燥処理
    部と、 前記除去処理部と前記乾燥処理部との間に挟み込まれる
    ように設けられ、前記除去処理部と前記乾燥処理部との
    間で基板の受け渡しを行うインターフェイスと、を備え
    るとともに、前記除去処理部は、 両端が前記搬入搬出部および前記インターフェイスにそ
    れぞれ接触する第１搬送路と、 前記第１搬送路を挟み込むようにして配置され、基板を
    回転させつつ該基板に前記除去液を供給することによっ
    て該基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユ
    ニットと、 前記第１搬送路に配置され、前記搬入搬出部、前記イン
    ターフェイスおよび前記複数の除去処理ユニットの間で
    基板の搬送を行う第１搬送ロボットと、を備え、前記乾
    燥処理部は、 一端が前記インターフェイスに接触する第２搬送路と、 前記第２搬送路を挟み込むようにして配置され、基板を
    乾燥する複数の乾燥処理ユニットと、 前記第２搬送路に配置され、前記インターフェイスおよ
    び前記複数の乾燥処理ユニットの間で基板の搬送を行う
    第２搬送ロボットと、を備えることを特徴とする基板処
    理装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、
    前記乾燥処理部は、 前記複数の乾燥処理ユニットのそれぞれの下方に、前記
    乾燥処理ユニットに有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤
    蒸気発生ユニットをさらに備えることを特徴とする基板
    処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載の基板処
    理装置において、 前記第１搬送ロボットおよび前記第２搬送ロボットは、
    伸縮体の伸縮動作によって昇降動作を行う伸縮昇降機構
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項５】 基板に付着した有機物を、該有機物の除
    去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を収納したカセットを載置して、装置外部との間で
    基板の搬出入を行う搬入搬出部と、 一端が前記搬入搬出部に接触する搬送路と、 前記搬送路を挟み込むようにして配置され、基板を回転
    させつつ該基板に前記除去液を供給することによって該
    基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユニッ
    トと、 前記搬送路を挟み込むようにして配置され、基板を乾燥
    する複数の乾燥処理ユニットと、 前記搬送路に配置され、前記搬入搬出部、前記複数の除
    去処理ユニットおよび前記複数の乾燥処理ユニットの間
    で基板の搬送を行う搬送ロボットと、を備えることを特
    徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の基板処理装置において、 前記複数の乾燥処理ユニットのそれぞれの下方に、前記
    乾燥処理ユニットに有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤
    蒸気発生ユニットをさらに備えることを特徴とする基板
    処理装置。
  7. 【請求項７】 基板に付着した有機物を、該有機物の除
    去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を収納したカセットを載置して、装置外部との間で
    基板の搬出入を行う搬入搬出部と、 一端が前記搬入搬出部に接触する搬送路と、 前記搬送路を挟み込むようにして配置され、基板を回転
    させつつ該基板に前記除去液を供給することによって該
    基板に付着した有機物を除去する複数の除去処理ユニッ
    トと、 前記搬送路を挟み込むようにして配置され、基板を乾燥
    する複数の乾燥処理ユニットと、 前記搬送路に配置され、前記搬入搬出部、前記複数の除
    去処理ユニットおよび前記複数の乾燥処理ユニットの間
    で基板の搬送を行う搬送ロボットと、を備え、 前記複数の乾燥処理ユニットのそれぞれの下方に、前記
    除去処理ユニットを配置することを特徴とする基板処理
    装置。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の基板処理装置において、 前記複数の乾燥処理ユニットのそれぞれの側方に、前記
    乾燥処理ユニットに有機溶剤の蒸気を供給する有機溶剤
    蒸気発生ユニットをさらに備えることを特徴とする基板
    処理装置。
  9. 【請求項９】 基板に付着した有機物を、該有機物の除
    去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を回転させつつ該基板に前記除去液を供給すること
    によって該基板に付着した有機物を除去する複数の除去
    処理ユニットを多段に配置した除去処理部と、 基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットを多段に配置し
    た乾燥処理部と、 前記複数の除去処理ユニットおよび前記複数の乾燥処理
    ユニットの間で基板の搬送を行う搬送ロボットと、を備
    え、 前記搬送ロボットの周囲に前記除去処理部および前記乾
    燥処理部を配置したことを特徴とする基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 基板に付着した有機物を、該有機物の
    除去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を回転させつつ該基板に前記除去液を供給すること
    によって該基板に付着した有機物を除去する除去処理ユ
    ニットを一段のみに配置した除去処理部と、 基板を乾燥する乾燥処理ユニットを一段のみに配置した
    乾燥処理部と、 前記除去処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットの間
    で基板の搬送を行う搬送ロボットと、を備え、 前記搬送ロボットの周囲に前記除去処理部および前記乾
    燥処理部を配置したことを特徴とする基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 基板に付着した有機物を、該有機物の
    除去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を回転させつつ該基板に前記除去液を供給すること
    によって該基板に付着した有機物を除去する複数の除去
    処理ユニットを多段に配置した除去処理部と、 基板を乾燥する乾燥処理ユニットを一段のみに配置した
    乾燥処理部と、 前記複数の除去処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニッ
    トの間で基板の搬送を行う搬送ロボットと、を備え、 前記搬送ロボットの周囲に前記除去処理部および前記乾
    燥処理部を配置したことを特徴とする基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 基板に付着した有機物を、該有機物の
    除去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を回転させつつ該基板に前記除去液を供給すること
    によって該基板に付着した有機物を除去する除去処理ユ
    ニットを一段のみに配置した除去処理部と、 基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットを多段に配置し
    た乾燥処理部と、 前記除去処理ユニットおよび前記複数の乾燥処理ユニッ
    トの間で基板の搬送を行う搬送ロボットと、を備え、 前記搬送ロボットの周囲に前記除去処理部および前記乾
    燥処理部を配置したことを特徴とする基板処理装置。
  13. 【請求項１３】 基板に付着した有機物を、該有機物の
    除去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を回転させつつ該基板に前記除去液を供給すること
    によって該基板に付着した有機物を除去する複数の除去
    処理ユニットを多段に配置するとともに、その多段の配
    置に基板に熱処理を行う熱処理ユニットを組み込んだ除
    去処理部と、 基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットを多段に配置し
    た乾燥処理部と、 前記複数の除去処理ユニット、前記複数の乾燥処理ユニ
    ットおよび前記熱処理ユニットの間で基板の搬送を行う
    搬送ロボットと、を備え、 前記搬送ロボットの周囲に前記除去処理部および前記乾
    燥処理部を配置したことを特徴とする基板処理装置。
  14. 【請求項１４】 基板に付着した有機物を、該有機物の
    除去液によって除去する基板処理装置であって、 基板を回転させつつ該基板に前記除去液を供給すること
    によって該基板に付着した有機物を除去する複数の除去
    処理ユニットを多段に配置した除去処理部と、 基板を乾燥する複数の乾燥処理ユニットを多段に配置す
    るとともに、その多段の配置に基板に熱処理を行う熱処
    理ユニットを組み込んだ乾燥処理部と、 前記複数の除去処理ユニット、前記複数の乾燥処理ユニ
    ットおよび前記熱処理ユニットの間で基板の搬送を行う
    搬送ロボットと、を備え、 前記搬送ロボットの周囲に前記除去処理部および前記乾
    燥処理部を配置したことを特徴とする基板処理装置。
  15. 【請求項１５】 請求項５から請求項１４のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 前記搬送ロボットは、伸縮体の伸縮動作によって昇降動
    作を行う伸縮昇降機構を備えることを特徴とする基板処
    理装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１から請求項１５のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 基板に付着した前記有機物は、基板上に形成されたレジ
    スト膜が変質して生じた反応生成物であることを特徴と
    する基板処理装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１６記載の基板処理装置におい
    て、 前記反応生成物は、前記レジスト膜をマスクとして基板
    の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによ
    って生成されたポリマーであることを特徴とする基板処
    理装置。
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