JP3967677B2 - 乾燥処理装置および基板処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を純水等の処理液（洗浄液）によって洗浄し、続いて当該基板に付着した処理液を回転運動によって振切った後に、当該基板を乾燥させる乾燥処理、および当該乾燥処理装置を備える基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板処理装置では、種々の薬液による薬液処理、純水などの洗浄液による洗浄処理等の表面処理が順次実施される。そして、純水による仕上げの洗浄が行われた後に、最終処理として乾燥処理が実行される。このような基板の乾燥処理として、例えば、基板１枚ずつに対して基板処理を実施するいわゆる枚葉式の基板処理装置において、従来より、基板を高速に回転させてその遠心力により水分を基板上から振り切って除去する振切り乾燥（スピンドライ）が知られている。
【０００３】
しかし、さらに乾燥効率を高めるため、振切り乾燥を行う前に基板に付着した水分の表面張力を小さくするような物質の蒸気を基板と接触させる乾燥方式（例えば、特許文献１、２）や、振切り乾燥を行う際に基板が置かれる雰囲気を大気圧より低い圧力に調整する乾燥方式（例えば、特許文献３）が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０５−２４３２０５号公報
【特許文献２】
特開２００１−０２３９４６号公報
【特許文献３】
特開平０７−２８３１２６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板上に形成されたパターンのさらなる微細化・複雑化にともない、特許文献１〜３に記載された乾燥方式を使用しても当該パターンのライン間やホール内部およびレジスト膜の内部などの微細構造の内部に侵入した水分を確実に乾燥することが困難となっている。
【０００６】
そこで、本発明では、洗浄処理が終了した基板を回転させることによって基板に付着した純水を振切った後において、基板上に形成された微細構造の内部に進入した洗浄液を確実に乾燥することができる乾燥処理装置、および当該乾燥処理装置を備える基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、表面に付着した洗浄液を回転運動によって振切った後の基板を乾燥させる乾燥処理装置であって、収容器と、前記収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する保持手段と、前記収容器内に有機溶剤を吐出して、前記基板付近に有機溶剤を含む雰囲気を形成する有機溶剤吐出手段と、前記収容器内を排気して減圧雰囲気とする減圧手段と、前記有機溶剤吐出手段と前記減圧手段とを制御して、前記減圧手段を動作させて前記収容器内を減圧雰囲気とし、減圧雰囲気の前記収容器内に有機溶剤を吐出した後、前記有機溶剤の蒸気の吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記収容器内を略同一圧力に保持し、前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させる制御手段と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の乾燥処理装置であって、前記収容器内に配置され、表面に複数の貫通孔を有する拡散板をさらに備え、前記拡散板は、前記有機溶剤吐出手段と前記保持手段との間に配置されることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の乾燥処理装置において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、表面に付着した洗浄液を回転運動によって振切った後の基板を乾燥させる乾燥処理装置であって、第１の収容器と、前記第１の収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する第１の保持手段と、前記第１の収容器内に設けられ、前記第１の保持手段に保持された前記基板を加熱する加熱手段と、前記第１の収容器内にプロセスガスを吐出する第１のプロセスガス吐出手段と、前記第１の収容器内を減圧する第１の減圧手段と、前記第１のプロセスガス吐出手段と、前記減圧手段と、を制御して、前記減圧手段を動作させて前記第１の収容器内を低酸素雰囲気とし、前記プロセスガスの吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記第１の収容器内を略同一圧力に保持し、前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させる制御手段と、を備え、前記加熱手段は、前記プロセスガスの吐出によって低酸素雰囲気とされた前記第１の収容器内にて前記基板を加熱することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の乾燥処理装置であって、前記加熱手段によって加熱された基板を低酸素雰囲気とされた前記第１の収容器内にて冷却する冷却手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の乾燥処理装置であって、前記冷却手段は、前記第１の収容器内に設けられ、前記第１の保持手段によって気体雰囲気中で保持された基板に向けて冷却ガスを吐出する冷却ガス吐出手段、を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７の発明は、請求項５に記載の乾燥処理装置であって、前記冷却手段は、前記第１の収容器外と前記第１の保持手段との間で前記基板を授受して搬送する第１の搬送手段に設けられており、前記第１の保持手段付近に前記第１の搬送手段を移動させて前記基板を冷却することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８の発明は、請求項５に記載の乾燥処理装置であって、前記冷却手段は、第２の収容器と、前記第２の収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する第２の保持手段と、前記第２の収容器内に設けられ、前記第２の保持手段によって保持された前記基板を冷却する冷却部と、前記第２の収容器内にプロセスガスを吐出する第２のプロセスガス吐出手段と、前記第２の収容器内を減圧する第２の減圧手段と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の乾燥処理装置であって、前記加熱手段によって、基板を摂氏２００度から摂氏３００度の範囲で加熱することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１０の発明は、請求項１に記載の乾燥処理装置であって、前記収容器内に設けられ、前記保持手段に保持された前記基板を加熱する加熱手段と、前記収容器内にプロセスガスを吐出するプロセスガス吐出手段と、をさらに備え、前記制御手段は、さらに、前記第１のプロセスガス吐出手段と、前記減圧手段と、を制御して、前記減圧手段を動作させて前記収容器内を低酸素雰囲気とし、前記プロセスガスの吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記収容器内を略同一圧力に保持し、前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させ、前記加熱手段は、前記プロセスガスの吐出によって低酸素雰囲気とされた前記収容器内にて前記基板を加熱することを特徴とする乾燥処理装置。
【００１９】
また、請求項１１の発明は、請求項１０に記載の乾燥処理装置であって、前記有機溶剤吐出手段と前記加熱手段とを排他的に能動化させる排他的制御手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１２の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板表面の洗浄液を回転によって振切る回転振切り手段を備える第１の装置と、前記第１の装置の外部に設けられて、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の乾燥処理装置として構成された第２の装置と、を備えることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１３の発明は、請求項１２に記載の基板処理装置であって、前記乾燥処理装置は、バックエンド工程にて使用することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置１の全体構成を模式的に示す正面図である。基板処理装置１は、レジスト膜をマスクとして使用するドライエッチング処理において、レジスト膜の一部が飛散し、配線パターンの底や側壁に付着して硬化したポリマー残渣を除去する装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、主として、複数の除去処理ユニット３０を有する除去処理部２０と、複数の乾燥処理ユニット１００を有する乾燥処理部５０と、インデクサ１０とから構成されている。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２４】
インデクサ１０は、未処理の基板Ｗを複数収容したキャリア（カセット）Ｃが載置される搬入部１１と、処理済みの基板Ｗを複数収容したキャリアＣが載置される搬出部１３と、受渡し部１５とを有する。
【００２５】
搬入部１１はテーブル状の載置台を有し、装置外の例えばＡＧＶ(Automatic Guided Vehicle)等の搬送機構によって２個のキャリアＣが当該載置台上に搬入される。キャリアＣは例えば２５枚の基板Ｗを水平姿勢にて互いに間隔を隔てて鉛直方向に積層配置した状態で保持する。搬出部１３もテーブル状の載置台を有し、該載置台に２個のキャリアＣが載置され、当該２個のキャリアＣは装置外の搬送機構によって搬出される。
【００２６】
受渡し部１５は、搬入部１１、搬出部１３のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリアＣに対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構１７と、受渡し台１９とを有する。搬入搬出機構１７は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作を行うことができる。これにより、搬入搬出機構１７はキャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うとともに、受渡し台１９、４９に対して基板Ｗを授受する。
【００２７】
除去処理部２０は、図１に示すように、主として、基板に付着したポリマーを除去する複数の除去処理ユニット３０と、受渡し台１９と各除去処理ユニット３０との間で基板Ｗの授受を行う搬送ユニット２６とを有している。
【００２８】
除去処理ユニット３０は、インデクサ１０のキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで除去処理ユニット３０の列を形成し、この除去処理ユニット３０の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。ここで、除去処理ユニット３０は、処理室２１に配置された回転保持部３１に基板を保持して回転させつつ、基板上に形成されたポリマー残渣のみを選択して溶解する除去液（例えば、有機アルカリ液を含む液体、無機酸を含む液体、フッ化アンモン系物質を含む液体）を基板に向けて吐出することにより、基板Ｗ上に付着した当該ポリマー残渣のみを除去して洗浄する装置である。また、この除去処理ユニット３０では、純水による基板洗浄と回転による振切り乾燥も行われる。
【００２９】
処理室２１は、処理室２１内の雰囲気とその外部の雰囲気とを遮断する密閉構造を有しており、当該処理室２１内の雰囲気が搬送路ＴＰ１、インデクサ１０、およびインターフェース４０に漏出することを防止できる。また、処理室２１の搬送路ＴＰ１側の壁面には、シャッター２５が設けられている。ここで、シャッター２５は、搬送ユニット２６から処理室２１内の回転保持部３１に基板Ｗを搬入または搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。さらに、処理室２１内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の排気ダクトへ排出されている。そのため、ポリマ除去処理によって発生する処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気が処理室２１から搬送路ＴＰ１に漏出することを防止できる。
【００３０】
搬送ユニット２６は、搬送路ＴＰ２の長手方向（上述した除去処理ユニット３０の列の形成方向）に沿って走行する搬送ロボットである。搬送ユニット２６のアーム２７ａは図示を省略する伸縮機構によってアーム２７ａの長手方向に伸縮自在に設けられている。また、アーム２７ａは図示を省略する回転機構によってＺ軸と略平行な回転軸を中心に回転可能に設けられている。したがって、搬送ユニット２６は、アーム２７ａを回転および伸縮されることによって、４つの除去処理ユニット３０のそれぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台１９、４９に対して基板Ｗを授受する。
【００３１】
インターフェース４０は、除去処理部２０と乾燥処理部５０とに挟み込まれるようにして設けられており、基板Ｗが載置される受渡し台４９を有する。
【００３２】
乾燥処理部５０は、図１に示すように、インターフェース４０に隣接して設けられ、基板Ｗを収容して乾燥処理を行う４つの乾燥処理ユニット１００と、受渡し台４９に対して基板Ｗを授受するとともに４つの乾燥処理ユニット１００に対して基板Ｗを授受する搬送ユニット５６とを有している。
【００３３】
乾燥処理ユニット１００は、インデクサ１０のキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで乾燥処理ユニット１００の列を形成し、この乾燥処理ユニット１００の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、これら乾燥処理ユニット１００の列と列との間に挟み込まれた搬送路ＴＰ２に搬送ユニット５６が配置されている。
【００３４】
搬送ユニット５６は、搬送路ＴＰ２の長手方向（上述した乾燥処理ユニット１００の列の形成方向）に沿って走行する搬送ロボットである。搬送ユニット５６のアーム５７ａは図示を省略する伸縮機構によってアーム５７ａ方向に伸縮自在に設けられている。また、アーム５７ａは図示を省略する回転機構によってＺ軸と略平行な回転軸を中心に回転可能に設けられている。したがって、搬送ユニット５６は、アーム５７ａを回転および伸縮されることによって、４つの乾燥処理ユニット１００のそれぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台４９に対して基板Ｗを授受する。なお、乾燥処理ユニット１００の詳細については後述する。
【００３５】
制御部９０は、プログラムや変数等を格納するメモリ９１と、メモリ９１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ９２とを備えている。ＣＰＵ９２は、メモリ９１に格納されているプログラムに従って、回転保持部３１の回転制御、搬送ユニット２６、５６の駆動制御、シャッター２５、５９の開閉制御、後述するバルブ１３５、１４５、１４６、１５５、１６５の開閉制御や、加熱プレート１１２の出力制御等を所定のタイミングで行う。
【００３６】
＜１．２．乾燥処理ユニットの構成＞
図２は、本実施の形態における乾燥処理ユニット１００を模式的に示す正面図である。乾燥処理ユニット１００は、（１）減圧雰囲気にて基板Ｗ付近に有機溶剤の蒸気を供給して、基板Ｗに付着した水分を乾燥させる有機溶剤乾燥処理と、（２）減圧雰囲気にて基板Ｗを加熱して基板Ｗに付着した水分を乾燥させる加熱乾燥処理とをそれぞれ排他的に能動化（換言すれば、選択的に能動化）することができるユニットである。
【００３７】
図２に示すように、乾燥処理ユニット１００は、主として、処理室５１と、処理室５１の内側に配置されて乾燥処理を実施する収容器１０５と、収容器１０５内の雰囲気１１０（以下、「収容器内雰囲気１１０」とも呼ぶ）を収容器１０５外部に排出して減圧雰囲気とするポンプ１５３と、収容器１０５内に配置されて基板Ｗに向けて乾燥溶剤の蒸気を吐出する吐出ノズル１４１と、収容器１０５内に配置されて基板Ｗを加熱する加熱プレート１１２とから構成されている。
【００３８】
処理室５１は、その内側の雰囲気が外部に流出することを遮断する密閉構造を有している。すなわち、当該処理室５１内の雰囲気が冷却処理ユニット２００、搬送路ＴＰ２、およびインターフェース４０に漏出することを防止できる。また、処理室５１の搬送路ＴＰ２側の壁面には、図１に示すように、シャッター５９が設けられている。ここで、シャッター５９は、搬送ユニット５６から処理室５１内に基板Ｗが搬入または搬出される場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。
【００３９】
さらに、処理室５１内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の排気ダクトへ排出されている。そのため、収容器１０５から処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気が処理室５１に流入した場合であっても搬送路ＴＰ２に漏出することを防止できる。
【００４０】
収容器１０５は、処理室５１の内側に設けられており、その内部で乾燥処理が実施される。図２に示すように、収容器１０５は、上部蓋１１５とベース部１１７とから構成されている。上部蓋１１５は、その下部に開口部を有する略円筒状の部材である。また、上部蓋１１５は昇降機構１１６と接続されており、当該開口部の高さがベース部１１７の上面位置と略同一となる位置を下端位置として上下方向に昇降可能に設けられている。
【００４１】
さらに、ベース部１１７と上部蓋１１５とが接触する部分には図示を省略する密閉機構が設けられている。これにより、上部蓋１１５の内面とベース部１１７とによって囲まれる空間の雰囲気（以下、「収容器内雰囲気」とも呼ぶ）１１０は、処理室５１内の雰囲気から密閉される。したがって、昇降機構１１６によって上部蓋１１５を下端位置まで下降させて当該密閉機構によって収容器内雰囲気１１０を密閉するとともに、後述するポンプ１５３によって収容器内雰囲気１１０を外部に排出することによって、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とすることができる。
【００４２】
加熱プレート１１２は、ベース部１１７上に固定して設けられた略円柱状の部材であり、その内部には電熱線等の熱源が配置されている。また、加熱プレート１１２の上面には、複数（具体的には３以上）の支持ピン１１１が立設されており、基板Ｗは当該複数の支持ピン１１１によって支持されることによって略水平姿勢で気体雰囲気中に静置して保持される。この複数の支持ピン１１１は、図示を省略する昇降機構によって各支持ピン１１１の上端位置が略同一高さとなるように連動して上昇・下降するように設けられている。したがって、前述したシャッター５９（図１参照）を開放して上部蓋１１５を上昇させるとともに、各支持ピン１１１を上昇させて基板Ｗを受け渡し位置まで上昇させることによって、加熱プレート１１２と搬送ユニット５６との間で基板Ｗを授受することができる（図４参照）。
【００４３】
また、加熱プレート１１２によって基板Ｗを加熱する際には、支持ピン１１１を下降させる。これにより、加熱プレート１１２の上面に基板Ｗの裏面を近接させることができる。そのため、加熱プレート１１２の熱エネルギーを基板Ｗに伝達することができ、基板Ｗを加熱することができる。なお、図２において、基板Ｗを加熱する際、加熱プレート１１２の上面に基板Ｗを近接させる場合について図示しているが、加熱プレート１１２の上面と基板Ｗの裏面とを接触させてもよい。
【００４４】
略円筒形状を有する上部蓋１１５の軸心付近であって、当該上部蓋１１５の内側上部付近には、基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を吐出する吐出ノズル１４１が設けられている。図２に示すように、吐出ノズル１４１は、配管１４２およびバルブ１４５を介して、有機溶剤１４８が貯留された貯留槽１４７の上部空間と連通されている。また、図２に示すように、配管１４３は、その一端が、貯留槽１４７に貯留された有機溶剤１４８部分に浸漬しており、バルブ１４６を介してプロセスガス供給源１４９と連通されている。
【００４５】
これにより、有機溶剤１４８に対してプロセスガスの気泡を供給することができ、当該プロセスガスによって有機溶剤１４８をバブリングすることができる。そのため、バルブ１４６およびバルブ１４５が開放されると、このバブリングによってプロセスガス中に有機溶剤１４８の気相（蒸気）を混合することができる。そして、配管１４２を介して吐出ノズル１４１から支持ピン１１１に支持された基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を吐出することができる。
【００４６】
なお、本実施の形態において、有機溶剤としてイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」とも呼ぶ）を使用しているが、純水より表面張力が小さく、かつ、蒸発潜熱の小さいものであれば、低分子アルコール、シリコーン、フッ素系溶剤のハイドロフィオロエーテル（ＨＦＥ）等の有機溶剤の蒸気を使用してもよい。
【００４７】
また、本実施の形態において、プロセスガスとして窒素ガスを使用しているが、化学的に安定なガス（不活性ガス）であれば、ヘリウムガスやアルゴンガスを使用してもよい。
【００４８】
また、有機溶剤として防爆性を有するＩＰＡを使用する場合、加熱プレート１１２による加熱処理と、吐出ノズル１４１から有機溶剤を吐出処理とが同時に能動化されことを防止する必要がある。そのため、本実施の形態のメモリ９１には、加熱プレート１１２の出力値をゼロ以上にする出力制御と、バルブ１４５を開放する開放制御とを排他的に能動化するプログラムが格納されている。そして、当該プログラムがＣＰＵ９２に読み込まれることにより、制御部９０によって加熱プレート１１２によって基板Ｗを加熱して乾燥させる処理と、有機溶剤の蒸気を吐出して基板Ｗの乾燥させる処理とが排他的に能動化される。
【００４９】
さらに、上部蓋１１５の内側上部付近には、吐出ノズル１４１と隣接して吐出ノズル１３１が設けられている。吐出ノズル１３１は、基板Ｗに向けて冷却ガスやプロセスガスを吐出するノズルである。図２に示すように、配管１３２は、（１）配管１３２、分岐配管１６２およびバルブ１６５を介して冷却ガス供給源１６７と、また、（２）配管１３２およびバルブ１３５を介してプロセスガス供給源１３７とそれぞれ連通接続されている。したがって、バルブ１６５を閉鎖しつつバルブ１３５を開放することによって、収容器内雰囲気１１０にプロセスガスを吐出することができる。また、バルブ１３５を閉鎖しつつバルブ１６５を開放することによって、基板Ｗに向けて冷却ガスを吐出することができる。
【００５０】
ここで、本実施の形態では、冷却ガスとして、冷却されたヘリウムガスを使用しているが、これに限定されるものでなく、化学的に安定（不活性）であって比熱の高い気体であればよい。また、本実施の形態の図２において、プロセスガス供給源１３７は、プロセスガス供給源１４９と別のものを使用しているが、共通のプロセスガス供給源から同一のプロセスガスを供給してもよい。
【００５１】
吐出ノズル１３１、１４１と加熱プレート１１２との間には、拡散板１２０が配設されている。図４は、本実施の形態における拡散板を模式的に示す上面図である。図２および図４に示すように、拡散板１２０は、上部蓋１１５の内径と略同一な大きさを有する略円形状の板材であり、拡散板１２０の表面には多数の貫通孔１２１が設けられている。これにより、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けて吐出される有機溶剤の蒸気は、多数の貫通孔１２１によって拡散されて基板Ｗに到達する。
【００５２】
そのため、拡散板１２０を使用しない場合と比較して、基板Ｗの表面に有機溶剤の蒸気を均等に供給することができ、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗに形成された微細パターンのライン間やホール内部およびレジスト膜の内部に侵入した水分も確実に有機溶剤の蒸気と置換して基板Ｗを乾燥することができる。また同様に、吐出ノズル１３１から吐出される冷却ガスも、拡散板１２０によって拡散して基板Ｗの表面に均等に供給することができる。そのため、効率的に基板Ｗを冷却することができる。
【００５３】
ベース部１１７には、２つの排気口１５１が設けられている。そして、これら排気口１５１は、配管１５２、ポンプ１５３およびバルブ１５５を介して排気ドレイン１５７と連通接続されている。したがって、収容器１０５内を密閉状態にするとともに、バルブ１５５を開放しつつポンプ１５３を動作させて収容器内雰囲気１１０を収容器１０５外部に排出することによって、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とすることができる。
【００５４】
＜１．３．基板処理手順＞
ここでは、本実施の形態の基板処理装置１を使用して、基板Ｗに付着したポリマー残渣を除去する基板処理の手順について説明する。基板処理装置１による処理は、主として、（１）除去処理部２０において、基板Ｗに付着したポリマ残渣を除去する除去工程と、（２）乾燥処理部５０において、基板Ｗを乾燥する乾燥工程とから構成される。この装置１は、基板を枚葉で（すなわち１枚ずつ）順次に処理する枚葉式の処理装置である。
【００５５】
なお、乾燥処理部５０の構成要素である乾燥処理ユニット１００は、前述のように有機溶剤乾燥処理と加熱乾燥処理とをそれぞれ排他的に能動化することができるが、本実施の形態では、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とし、基板Ｗ付近に有機溶剤の蒸気を供給することによって基板Ｗを乾燥させる有機溶剤乾燥処理について説明する。
【００５６】
まず、キャリアＣに収容された複数の基板Ｗが搬入部１１に搬入される（図１参照）。この基板Ｗは薄膜を有し、該薄膜はパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを施されている。これにより、当該基板Ｗにはレジスト膜や薄膜に由来する反応生成物（ポリマー）が付着している。
【００５７】
具体的には、搬入部１１のキャリアＣから搬入搬出機構１７により基板Ｗが１枚取り出され、受渡し台１９に載置される。次に、受渡し台１９に載置された基板Ｗは搬送ユニット２６により持ち出される。続いて、搬送ユニット２６は、４つの除去処理ユニット３０のうちの所定の除去処理ユニット３０のシャッター２５まで移動する。続いて、当該シャッター２５が開放されることによって生ずる開口部を介して、搬送ユニット２６から処理室２１内の回転保持部３１に基板Ｗが搬入される。そして、基板Ｗの搬入が完了するとシャッター２５が閉鎖されることにより、処理室２１内が密閉されるため、処理室２１内にてポリマ除去処理を行う際に発生する処理液のミストや蒸気が処理室２１外に漏出するのを防止する。
【００５８】
次に、除去処理ユニット３０において基板Ｗ上に付着したポリマー残渣の除去を行う。まず、回転保持部３１に基板Ｗを保持して回転させつつ、基板上に形成されたポリマー残渣のみを選択する除去液を基板に向けて吐出する。これにより、配線パターンの底や側壁に付着したポリマー残渣が溶解する。続いて、除去液の吐出を停止するとともに、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗに純水（一般には洗浄液）を吐出して洗浄処理を実施する。これにより、基板Ｗに付着した除去液や溶解された反応生成物などの汚染物質が基板Ｗ上から洗い流される。そして、洗浄処理が終了すると、基板Ｗへの純水の供給を停止し、回転保持部３１の回転速度を上げることによって基板Ｗ上に付着した水分を回転の遠心力によって振切る。これにより、基板Ｗに付着した水分は、ほぼ乾燥するが、基板Ｗ上のラインやホールなどの微細構造内に入り込んでいる水分はまだ残存している。
【００５９】
除去処理ユニット３０でのポリマ除去処理が完了すると、ポリマ除去処理が完了した基板Ｗは、除去処理ユニット３０から乾燥処理ユニット１００に搬送される。具体的に言うと、まず、搬送ユニット２６によって除去処理ユニット３０から搬出されて受渡し台４９に載置される。次に、当該基板Ｗは搬送ユニット５６によって受渡し台４９から持ち出されて、いずれかの乾燥処理ユニット１００に搬入される。
【００６０】
すなわち、乾燥処理ユニット１００において、処理室５１のシャッター５９を開放するとともに、収容器１０５の上部蓋１１５が昇降機構１１６によって矢印ＡＲ１方向に上昇させられ、搬送ユニット５６から上昇した状態の支持ピン１１１に基板Ｗを支持する（図４参照）。そして、基板Ｗの搬入が完了すると、シャッター５９を閉鎖するとともに、上部蓋１１５を下降させて収容器１０５内の気密性を確保する。
【００６１】
続いて、乾燥処理ユニット１００において、基板Ｗの乾燥処理が実行される。乾燥処理ユニット１００では、収容器内雰囲気１１０をポンプ１５３によって排気ドレイン１５７に排出することによって収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気としつつ、吐出ノズル１４１から有機溶剤の蒸気を供給することによって、支持ピン１１１に支持された基板Ｗを効率的に乾燥させる。
【００６２】
図５は、有機溶剤の蒸気の供給量、プロセスガスの供給量、およびポンプ１５３の出力と、収容器内雰囲気１１０の圧力との関係を示したものである。図５(a)〜(d)の横軸は、時刻ｔに対応し、図５(a)の縦軸は各時刻ｔにおける有機溶剤の蒸気の単位時間あたりの供給量Ｖｉに、図５(b)の縦軸は各時刻ｔにおけるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐに、図５(c)の縦軸は各時刻ｔにおけるポンプ１５３の出力Ｗｐに、図５(d)の縦軸は各時刻ｔにおける収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐにそれぞれ対応する。
【００６３】
乾燥処理を開始する時刻ｔ11より前の時点では、ポンプ１５３の出力値Ｗｐは「ゼロ」であるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは大気圧とほぼ等しい値Ｐ１１となる。また、バルブ１４５およびバルブ１３５はそれぞれ閉鎖されているため、有機溶剤の蒸気の供給量Ｖｉおよびプロセスガスの供給量Ｖｐはいずれも「ゼロ」である。さらに、収容器１０５内はプロセスガス雰囲気とされている。
【００６４】
時刻ｔ11において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によってＷｐ11に設定されると、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」からＷｐ11に向かって徐々に増加する。これにより、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排出されるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは、値Ｐ11から徐々に低下して減圧雰囲気となる。
【００６５】
続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ13となる時刻ｔ12において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが「ゼロ」に設定されるとともに、バルブ１４５およびバルブ１４６が開放される。そして、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けて吐出される有機溶剤の蒸気の単位時間あたりの供給量Ｖｐは、「ゼロ」から徐々に増加して値Ｖｐ11となる。
【００６６】
なお、吐出ノズル１４１から吐出される有機溶剤の蒸気は、吐出ノズル１４１の下方に配置された拡散板１２０上にほぼ均一に分布して多数設けられた貫通孔１２１を介して基板Ｗに到達する。これにより、有機溶剤の蒸気は、拡散板１２０によって拡散されるため、基板Ｗに対して有機溶剤の蒸気を均等に供給することができ、基板Ｗ付近を有機溶剤の蒸気を含む雰囲気とすることができる。また、ポンプ１５３の出力を「ゼロ」とし、収容器内雰囲気１１０に対して有機溶剤の蒸気の供給を開始する時点における圧力Ｐ13は、基板Ｗの乾燥時間やポンプ１５３の排気能力に応じて決定される値であり、実験等により予め求めておく。
【００６７】
有機溶剤の蒸気が供給されて収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ12となる時刻ｔ13において、バルブ１４５およびバルブ１４６が閉鎖されるとともに、収容器内雰囲気１１０に対する有機溶剤の蒸気の供給が停止されて、収容器内雰囲気１１０の圧力が一定値Ｐ12に保持される。すなわち、時刻ｔ13からｔ14において、収容器内雰囲気１１０には、有機溶剤の蒸気およびプロセスガスが供給されず、また、ポンプ１５３の出力Ｗが「ゼロ」に設定されており、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排気されないため、収容器内雰囲気１１０の圧力は、大気圧よりも低い一定値Ｐ12に保持される。
【００６８】
これにより、収容器１０５内の上部から下部に向かって流れる気流を抑制することができる。そのため、基板Ｗ付近の有機溶剤の蒸気を含む雰囲気が気流によって揺らぐことなく安定して存在することができる。その結果、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗ上に形成された微細パターンのライン間およびホール内部やレジスト膜の内部に侵入した水分と有機溶剤の蒸気との置換効率をさらに向上させ、乾燥効率を向上させることができる。
【００６９】
なお、収容器内雰囲気１１０の圧力を大気圧よりも低い一定値Ｐ12に保持する時間Ｔ1（時刻ｔ13から時刻ｔ14までの時間）は、基板Ｗの材料や、収容器内雰囲気１１０の圧力等によって定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【００７０】
続いて、時刻ｔ13から時間Ｔ1だけ経過した時刻ｔ14において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によってＷｐ11に設定されると、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｗｐ11となる。これにより、収容器内雰囲気１１０に含まれる有機溶剤の蒸気および水分の蒸気は、ポンプ１５３によって排気ドレインに排出される。
【００７１】
さらに、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ13となる時刻ｔ15において、ポンプ１５３の出力ＷｐをＷｐ11に保持した状態でバルブ１３５が開放される。これにより、収容器内雰囲気１１０に供給されるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐが、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｖｐ11となる。そのため、収容器内雰囲気１１０に含まれる有機溶剤の蒸気および水分の蒸気は、プロセスガスと置換されて排気ドレイン１５７に排出される。
【００７２】
続いて、収容器内雰囲気１１０の有機溶剤の蒸気がほぼ排気ドレイン１５７に排出された時刻ｔ16において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によって「ゼロ」に設定され、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、Ｗｐ11から徐々に減少して「ゼロ」となる。これにより、収容器内雰囲気１１０の圧力は、急激に増加する。続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ14となる時刻ｔ17においてバルブ１３５が閉鎖されてプロセスガスの供給が停止される。そして、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐが大気圧とほぼ等しい値Ｐ11となる時刻ｔ18において乾燥処理ユニット１００による乾燥処理が完了する。
【００７３】
乾燥処理ユニット１００での乾燥処理が完了すると、基板処理が全て完了するので当該処理済みの基板Ｗは搬出部１３に向って搬送される。具体的には、まず、加熱プレート１１２に立設されたの支持ピン１１１を上昇させ、昇降機構１１６によって上部蓋１１５を矢印ＡＲ１方向に上昇させるとともに（図４参照）、シャッター５９が開放される。そして、搬送ユニット５６によって支持ピン１１１に支持された基板Ｗが乾燥処理ユニット１００から搬出される。次に、基板Ｗを受け取った搬送ユニット５６は受渡し台４９に当該基板Ｗを載置する。
【００７４】
続いて、搬送ユニット２６は受渡し台４９上に載置された処理済の基板Ｗを持ち出し、受渡し台１９に載置する。受渡し台１９に載置された処理済の基板Ｗは搬入搬出機構１７によって持ち出され、搬出部１３に載置されているキャリアＣに搬入される。そして、搬出部１３に載置されたキャリアＣは、図示を省略する搬送機構によって基板処理装置１外に搬出される。
【００７５】
なお、受渡し台１９および受渡し台４９は、例えば多段の載置台など、複数の基板載置手段によって構成すれば、処理済みの基板Ｗと未処理の基板Ｗとを同時にインターフェース４０に存在させることができるため、スループットの低下を防止できる。
【００７６】
＜１．４．第１の実施の形態における基板処理装置の利点＞
第１の実施の形態の収容器内雰囲気１１０では、ポンプ１５３によって収容器１０５内の雰囲気を減圧雰囲気としつつ、収容器１０５に配置された基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を供給することができる。そのため、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗに形成された微細構造、すなわち微細パターンのライン間やホール内部およびレジスト膜の内部に侵入した水分も、確実に有機溶剤の蒸気と置換し、基板Ｗを乾燥することができる。
【００７７】
また、吐出ノズル１４１と基板Ｗとの間に拡散板１２０を設けることにより、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けて吐出される有機溶剤の蒸気は、拡散板１２０上に設けられた貫通孔１２１によって拡散されて基板Ｗに到達する。そのため、拡散板１２０を設けない場合と比較して有機溶剤の蒸気を効率的に拡散することができ、基板Ｗ付近に均等に有機溶剤の蒸気を供給することができる。
【００７８】
また、本実施の形態の乾燥処理では、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気にして、基板Ｗ付近に有機溶剤の蒸気を供給し、続いて、ポンプ１５３の出力Ｗｐを「ゼロ」にするとともに、収容器内雰囲気１１０に対する有機溶剤の蒸気の供給を停止して収容器内雰囲気１１０の圧力を一定値Ｐ１２に保持する。これにより、基板Ｗ付近に有機溶剤の蒸気を安定して存在させることができる。そのため、基板Ｗ上に形成された微細パターンのライン間およびホール内部やレジスト膜の内部に侵入した水分と有機溶剤の蒸気とをさらに効率的に置換し、乾燥効率を向上させることができる。
【００７９】
＜２．第２の実施の形態＞
第２の実施の形態では、基板処理装置１を使用し、（１）除去処理部２０において基板Ｗに処理液（除去液、純水）を供給することによって基板Ｗに付着したポリマ残渣を除去し、続いて、（２）乾燥処理部５０において、減圧雰囲気下にて基板Ｗを加熱することによって基板Ｗ表面の水分を乾燥させている。すなわち、第２の実施の形態の基板処理は、第１の実施の形態と比較して、乾燥処理部５０において実施される乾燥処理が異なるのみで、ハードウェア構成および除去処理部２０で実施されるポリマ残渣を除去処理は、第１の実施の形態のものと同様である。そこで、本実施の形態では、この相違点を中心に説明する。
【００８０】
＜２．１．乾燥処理手順＞
ポリマ除去処理が完了した後、搬送ユニット２６、受渡し台４９および搬送ユニット５６を介して収容器１０５内に基板Ｗが支持されると、収容器１０５内において加熱プレート１１２による基板Ｗの乾燥処理が実行される。
【００８１】
図６は、本実施の形態の乾燥工程における冷却ガスの供給量、加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。図６(a)〜(e)の横軸は、時刻ｔに対応し、図６(a)の縦軸は、各時刻ｔにおける冷却ガスの単位時間あたりの供給量Ｖｃに、図６(b)の縦軸は、各時刻ｔにおける加熱プレート１１２の出力（電力）Ｗｈに、図６(c)の縦軸は、各時刻ｔにおけるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐに、図６(d)の縦軸は各時刻ｔにおけるポンプ１５３の出力Ｗｐに、図６(e)の縦軸は各時刻ｔにおける収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐにそれぞれ対応する。
【００８２】
乾燥処理が開始される時刻ｔ21より前の時点において、ポンプ１５３の出力値Ｗｐは「ゼロ」であるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは大気圧とほぼ等しい値Ｐ21となる。また、加熱プレート１１２の出力値Ｗｈは、「ゼロ」に設定されている。また、バルブ１３５は閉鎖されているため、プロセスガスの供給量Ｖｐは「ゼロ」である。さらに、収容器１０５内はプロセスガス雰囲気とされている。
【００８３】
時刻ｔ21において、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」からＷｐ21に向かって徐々に増加する。これにより、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排出されるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは、値Ｐ21から徐々に低下して減圧雰囲気となる。また、時刻ｔ21において、制御部９０によって加熱プレート１１２の出力値Ｗｈが、Ｗｈ21に設定される。これにより、加熱プレート１１２の出力値Ｗｈは、「ゼロ」からＷｈ21に向かって徐々に増加し、加熱プレート１１２の上面が昇温する。そのため、加熱プレート１１２の上面から基板Ｗの裏面に向けて熱移動が生じ、基板Ｗ温度が上昇する。
【００８４】
なお、本実施の形態では、特に基板Ｗに配線と絶縁膜を形成する工程（以下、「バックエンド工程」とも呼ぶ）での乾燥処理を対象としている。そのため、シリコン層にトランジスタやコンデンサ等の回路素子を形成する工程（以下、基板上に配線層を形成する工程と、それ以降の工程の総称として「フロントエンド工程」とも呼ぶ）のように基板Ｗを加熱して乾燥してもウォータマークの影響をほとんど受けず、良好に基板Ｗを乾燥することができる。
【００８５】
また、前述のように、乾燥工程が開始される時刻ｔ21より前の時点において、収容器１０５内には不活性なプロセスガスが供給され、収容器内雰囲気１１０の酸素はプロセスガスと置換されている。すなわち、収容器内雰囲気１１０には、低酸素雰囲気が形成されている。そのため、基板Ｗ温度が昇温しても基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【００８６】
また、本実施の形態の乾燥工程において、基板Ｗの温度が摂氏３００度より高くになると、低酸素雰囲気であっても基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化することが知られている。そのため、本実施の形態では、基板Ｗを加熱して乾燥させる際、基板Ｗの温度は、純水の沸点より高い摂氏２００度から低酸素雰囲気であっても配線パターンが酸化する温度よりも低い摂氏３００度までの範囲内（好ましくは、摂氏２４０度から２６０度までの範囲内）としている。
【００８７】
続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ22となる時刻ｔ22において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが「ゼロ」に設定される。これにより、収容器内雰囲気１１０が収容器１０５の外部に排出されるのが停止されて収容器内雰囲気１１０の圧力が一定値Ｐ22に保持される。
【００８８】
すなわち、時刻ｔ22からｔ24において、収容器内雰囲気１１０にはプロセスガスが供給されず、また、収容器内雰囲気１１０は排気ドレイン１５７に排出されないため、収容器内雰囲気１１０の圧力は、大気圧よりも低い一定値Ｐ22に保持される。また、時刻ｔ22からｔ24において、基板Ｗは加熱され続ける。これにより、収容器１０５内の上部から下部に向かって流れる気流を抑制することができる。
【００８９】
そのため、基板Ｗ付近の雰囲気がゆらぐことを防止し、加熱プレート１１２から基板Ｗへの熱移動を良好に行うことができる。その結果、基板Ｗを効率的に加熱することができ、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗ上に形成された微細パターンのライン間およびホール内部やレジスト膜の内部に侵入した水分をも効率的に乾燥することができる。
【００９０】
なお、収容器内雰囲気１１０の圧力を一定値Ｐ22に保持する時間Ｔ2（時刻ｔ22から時刻ｔ24までの時間）は、基板Ｗの材料や収容器内雰囲気１１０の圧力等によって定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【００９１】
続いて、時刻ｔ22から時間Ｔ2だけ経過した時刻ｔ24において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によってＷｐ21に設定されると、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｗｐ21となる。これにより、収容器内雰囲気１１０に含まれる水分の蒸気は、ポンプ１５３によって排気ドレインに排出され続ける。
【００９２】
さらに、基板Ｗから水分の蒸発が完了した時刻ｔ25において、ポンプ１５３の出力ＷｐをＷｐ21に保持した状態で、図２に示すバルブ１３５が開放される。これにより、収容器内雰囲気１１０に供給されるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐは、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｖｐ21となる。そのため、収容器内雰囲気１１０に含まれる水分の蒸気は、プロセスガスと置換されて排気ドレイン１５７に排出され続ける。
【００９３】
また、時刻ｔ25において、冷却ガス供給源１６７に連通されるバルブ１６５が開放されるとともに、加熱プレート１１２の出力Ｗｈが制御部９０によって「ゼロ」に設定される。これにより、冷却ガスの単位時間あたりの供給量Ｖｃが「ゼロ」から徐々に増加してＶｃ21になるとともに、加熱プレート１１２の出力ＷｈがＷｈ21から徐々に減少して「ゼロ」になる。そのため、基板Ｗの加熱を停止するとともに基板Ｗに対して冷却ガスを吐出することができ、基板Ｗを冷却することができる。また、収容器内雰囲気１１０には、化学的に不活性なプロセスガスおよび冷却ガスが満たされており低酸素雰囲気が形成されている。そのため、基板Ｗを加熱する場合と同様に、基板Ｗを冷却する場合も、基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【００９４】
続いて、収容器内雰囲気１１０の水分の蒸気がほぼ排気ドレイン１５７に排出された時刻ｔ26において、ポンプ１５３の出力Ｗｐは制御部９０によって「ゼロ」に設定され、ポンプ１５３の出力ＷｐはＷｐ21から徐々に減少して「ゼロ」になる。これにより、収容器内雰囲気１１０の圧力が急激に増加する。続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ24となる時刻ｔ27においてバルブ１３５が閉鎖されてプロセスガスの供給が停止される。そして、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐが大気圧とほぼ同一な値Ｐ21となる時刻ｔ28において、乾燥処理ユニット１００による乾燥処理が完了する。
【００９５】
乾燥処理ユニット１００での乾燥処理が完了すると、基板処理がすべて完了するため、当該処理済みの基板Ｗは搬出部１３に向かって搬送される。具体的には、図４に示すように、加熱プレート１１２に立設された支持ピン１１１を上昇させ、昇降機構１１６によって上部蓋１１５を矢印ＡＲ１方向に上昇させるとともに、シャッター５９を開放する。次に、支持ピン１１１に支持された基板Ｗが、搬送ユニット５６によって乾燥処理ユニット１００から搬出される。乾燥処理ユニット１００から搬出された処理済みの基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、受渡し台４９、搬送ユニット２６、受渡し台１９、搬入搬出機構１７を介して、搬出部１３に載置されているキャリアＣに搬入される。そして、基板処理が終了した基板Ｗを配置するキャリアＣは、図示を省略する搬送機構によって基板処理装置１外に搬出される。
【００９６】
＜２．２．第２の実施の形態における基板処理装置の利点＞
第２の実施の形態では、収容器１０５内の酸素をプロセスガスによって置換した雰囲気を、ポンプ１５３によって減圧することにより、減圧された低酸素雰囲気にて基板Ｗを加熱して乾燥することができる。そのため、加熱によって基板Ｗ温度が昇温しても、基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。また、同様に低酸素雰囲気にて基板Ｗを冷却することができるため、昇温した基板Ｗを冷却する際も、基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【００９７】
＜３．第３の実施の形態＞
ここでは、第３の実施の形態における基板処理装置５００について説明する。図７は、本発明の第３の実施の形態におけるおける基板処理装置５００の全体構成を模式的に示す正面図である。図８は、第３の実施の形態における乾燥処理ユニット１００および冷却処理ユニット２００を模式的に示す上面図である。図９から図１１は、図８に示す乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットをＶ−Ｖ線から見た断面を示す図である。
【００９８】
第３の実施の形態における基板処理装置５００は、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様に、基板Ｗに付着したポリマー残渣を除去する装置である。図７から図１１に示すように、第３の実施の形態における基板処理装置５００のハードウェア構成は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、後述するように、乾燥処理部５０において乾燥処理ユニット１００に加えて冷却処理ユニット２００が追加され、加熱処理と冷却処理とがそれぞれ別の処理ユニットで実施される点で相違するが、それ以外の点では、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様である。そこで、本実施の形態では、第１の実施の形態のハードウェア構成との相違点、すなわち乾燥処理部５０に追加された冷却処理ユニット２００を中心に説明する。
【００９９】
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施の形態では説明を省略する。
【０１００】
＜３．１．乾燥処理部の構成＞
乾燥処理部５０は、図７に示すように、インターフェース４０に隣接して設けられ、基板Ｗを加熱して乾燥する２つの乾燥処理ユニット１００と、基板Ｗを冷却ガスによって冷却する２つの冷却処理ユニット２００と、乾燥処理ユニット１００および冷却処理ユニット２００に対して基板Ｗを授受する搬送ユニット５６とを有している。
【０１０１】
ここで、基板処理装置５００における基板Ｗの流れに関してインデクサ１０を上流側、乾燥処理部５０を下流側と呼ぶことにすると、乾燥処理ユニット１００および冷却処理ユニット２００は、インデクサ１０のキャリアＣの並び方向と直交する方向において、上流側に乾燥処理ユニット１００が、下流側に冷却処理ユニット２００が並ぶことでユニットの列を形成し、このユニットの列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、これらユニットの列と列との間に挟み込まれた搬送路ＴＰ２に搬送ユニット５６が配置されている。
【０１０２】
本実施の形態の乾燥処理ユニット１００では、第２の実施の形態と同様に、減圧雰囲気下にて基板Ｗを加熱することによって基板が乾燥される。処理室５１は、処理室５１内の雰囲気と外部とを遮断する密閉構造を有している。図７および図８に示すように、処理室５１の搬送路ＴＰ２側の壁面には、シャッター５９が、処理室５１の冷却処理ユニット２００側の壁面にはシャッター５８が、それぞれ設けられている。
【０１０３】
ここで、シャッター５９は、搬送ユニット５６によって処理室５１内に基板Ｗを搬入する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。また、シャッター５８は、後述するように、乾燥処理ユニット１００において基板Ｗの加熱処理が終了した後、乾燥処理ユニット１００から冷却処理ユニット２００に対して基板Ｗを搬出する場合には、図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。
【０１０４】
また、冷却処理ユニット２００は、図８、図９に示すように、主として、処理室６１と、処理室６１の内側に配置されて冷却処理を実施する収容器２０５と、収容器２０５内の雰囲気（以下、「収容器内雰囲気２１０」とも呼ぶ）を収容器２０５外に排出して収容器内雰囲気２１０を減圧雰囲気とするポンプ２５３と、収容器２０５内に配置され、基板Ｗを冷却する冷却プレート２１２とから構成されている。
【０１０５】
処理室６１は、処理室６１内の雰囲気と外部とを遮断する密閉構造を有しており、当該処理室６１内の雰囲気が乾燥処理ユニット１００、搬送路ＴＰ２、およびインターフェース４０に漏出することを防止できる。また、処理室６１の乾燥処理ユニット１００側の壁面にはシャッター６８が設けられており、処理室６１の搬送路ＴＰ２側の壁面には、シャッター６９が設けられている。
【０１０６】
ここで、シャッター６８は、乾燥処理ユニット１００において基板Ｗの加熱処理が完了した後に、乾燥処理ユニット１００から冷却処理ユニット２００に基板Ｗを搬出する場合には、図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。また、シャッター６９は、冷却処理ユニット２００において後述する基板Ｗの冷却処理が完了した後に、搬送ユニット５６によって処理室６１外に基板Ｗを搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。
【０１０７】
また、冷却処理ユニット２００の内側空間と乾燥処理ユニット１００の内側空間とは、図１０に示すように、処理室５１に設けられたシャッター５８と処理室６１に設けられたシャッター６８とを開放することにより、開口部２６０を介して連続した空間となる。したがって、シャッター５８とシャッター６８とを同時に開放した状態にすることにより、後述する搬送ユニット６６によって乾燥処理ユニット１００と冷却処理ユニット２００との間で基板Ｗを授受することができる。
【０１０８】
収容器２０５は、処理室６１の内側に設けられており、その内部で冷却処理が実施される。図９に示すように、収容器２０５は、上部蓋２１５とベース部２１７とから構成されている。上部蓋２１５は、その下部に開口部を有する略円筒状の部材である。また、上部蓋２１５は、昇降機構２１６と接続されており、当該開口部の高さがベース部２１７の上面位置と略同一となる位置を下端位置として上下方向に昇降可能に設けられている。
【０１０９】
さらに、ベース部２１７と上部蓋２１５とが接触する部分には図示を省略する密閉機構が設けられている。これにより、上部蓋２１５の内面とベース部２１７とによって囲まれる空間の雰囲気（以下、「収容器内雰囲気」とも呼ぶ）２１０は、処理室６１内の雰囲気から密閉される。したがって、昇降機構２１６によって上部蓋２１５を下端位置まで下降させて当該密閉機構によって収容器内雰囲気２１０を密閉するとともに、後述するポンプ２５３によって収容器内雰囲気２１０を外部に排出することによって、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とすることができる。
【０１１０】
冷却プレート２１２は、ベース部２１７上に固定して設けられた略円柱状の部材である。冷却プレート２１２の上面には、複数（具体的には３以上）の支持ピン２１１が立設されており、基板Ｗは当該複数の支持ピン２１１に支持されることによって静置して保持される。この複数の支持ピン２１１は、図示を省略する昇降機構によって各支持ピン２１１の上端位置が略同一高さとなるように連動して上昇・下降可能に設けられている。したがって、上部蓋２１５を上昇させるとともに、支持ピン２１１を上昇させて基板Ｗを受渡し位置まで上昇させることによって、冷却プレート２１２と後述する搬送ユニット６６との間で基板Ｗの授受を行うことができる（図１１参照）。
【０１１１】
また、冷却プレート２１２によって基板Ｗを冷却する際には、支持ピン２１１を下降させる、これにより、冷却プレート２１２の上面と基板Ｗと裏面を近接、または接触させることができる。そのため、基板Ｗから冷却プレート２１２に向かって熱の移動が生じて基板Ｗを冷却することができる。
【０１１２】
また、冷却プレート２１２の内部には、冷却管２１２ａが配設されている。図１２に示すように、冷却管２１２ａは、その表面積を増加させるため、冷却プレート２１２の内部を複数回折り返すように蛇行して配設されている。また、冷却管２１２ａの一端は、配管２１８ａおよびバルブ２１９ｃを介して冷却媒体供給源２１９ａに連通されている。また、冷却管２１２ａの他端は、配管２１８ｂを介して排液ドレイン２１９ｂに連通されている。そのため、バルブ２１９ｃを開放することによって、冷却管２１２ａに冷却媒体を供給することができる。そのため、冷却管２１２ａに供給された冷却媒体が冷却プレート２１２の上面を介して基板Ｗと熱交換（基板Ｗから冷却媒体への熱移動）することができ、基板Ｗの冷却することができる。そして、熱交換に使用された冷却媒体は、冷却管２１２ａから排液ドレイン２１９ｂに排出される。
【０１１３】
なお、本実施の形態では、冷却媒体として水を使用しているが、これに限定されるものでなく、熱伝導の高い流体であれば他のものであっても良い。また、図１２では、冷却管２１２ａにおいて熱交換に使用された冷却媒体は排液ドレイン２１９ｂに排出されているが、これに限定されるものでなく、配管２１８ｂから排出された冷却媒体を基板Ｗを冷却するのに必要とされる温度まで冷却し、再度、冷却管２１２ａに供給して冷却処理に使用してもよい。さらに、冷却プレート２１２では、上述のように冷却構造として冷却媒体を冷却管２１２ａに供給する構造を採用しているが、ペルチェ素子などを利用してもよい。
【０１１４】
また、略円筒形状を有する上部蓋２１５の軸心付近であって、当該上部蓋２１５の内側上部付近には、基板Ｗに向けてプロセスガスを吐出する吐出ノズル２３１が設けられている。図９に示すように、吐出ノズル２３１は、配管２３２およびバルブ２３５を介してプロセスガス供給源２３７に連通されている。そのため、バルブ２３５を開放することによって収容器２０５内にプロセスガスを供給することができ、収容器内雰囲気２１０をプロセスガス雰囲気とすることができる。なお、本実施の形態では、プロセスガスとして窒素ガスを使用しているが、化学的に安定なガス（不活性ガス）であれば、ヘリウムガスやアルゴンガスを使用してもよい。
【０１１５】
ベース部２１７には、図９に示すように、２つの排気口２５１が設けられている。そして、これら排気口２５１は、配管２５２、ポンプ２５３およびバルブ２５５を介して排気ドレイン２５７と連通接続されている。したがって、収容器２０５内を密閉状態にするとともに、バルブ２５５を開放しつつポンプ１５３を動作させ、収容器内雰囲気２１０を収容器２０５外部に排出することによって、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とすることができる。
【０１１６】
図８、図９に示すように、処理室６１内のシャッター６８と収容器２０５との間には、基板Ｗを搬送する搬送ユニット６６が配設されている。搬送ユニット６６は、乾燥処理ユニット１００の収容器１０５と冷却処理ユニット２００の収容器２０５との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットである。
【０１１７】
搬送ユニット６６のアーム６７ａは、アーム支持部６７ｂの上部に取り付けられ、図示を省略する回転機構によって軸Ｊを中心に矢印ＡＲ４方向に回転することができる。また、アーム６７ａは、軸Ｊからアーム６７ａの先端方向（矢印ＡＲ３方向）に伸縮自在に設けられている。そのため、シャッター５８、６８を開放するとともに、アーム６７ａを回転および伸縮されることによって、乾燥処理ユニット１００の収容器１０５と冷却処理ユニット２００の収容器２０５との間で基板Ｗを搬送することができる。
【０１１８】
＜３．２．基板処理手順＞
ここでは、本実施の形態の基板処理装置５００によって基板Ｗに付着したポリマー残渣を除去する基板処理の手順について説明する。基板処理装置５００による処理は、主として、（１）除去処理部２０において、基板Ｗに付着したポリマ残渣を除去する除去工程と、（２）乾燥処理部５０の乾燥処理ユニット１００において基板Ｗを加熱する加熱工程と、（３）乾燥処理部５０の冷却処理ユニット２００において基板Ｗを冷却する冷却工程とから構成される。
【０１１９】
なお、除去処理部２０における除去工程は、第１の実施の形態において説明済みである。そこで、本実施の形態では、乾燥処理部５０における加熱工程および冷却工程について説明する。
【０１２０】
除去処理部２０におけるポリマ除去処理が完了した基板Ｗは、搬送ユニット２６によって受渡し台４９に載置される。そして、当該基板Ｗは搬送ユニット５６によって受渡し台４９から持ち出され、いずれかの乾燥処理ユニット１００に搬入される。すなわち、乾燥処理ユニット１００において、処理室５１のシャッター５９が開放されるとともに、収容器１０５の上部蓋１１５を昇降機構１１６によって矢印ＡＲ１方向に上昇させることによって、搬送ユニット５６から上昇した状態の支持ピン１１１に基板Ｗが支持される（図４参照）。そして、シャッター５９を閉鎖するとともに、上部蓋１１５を下降させて収容器１０５内の気密性を確保する。
【０１２１】
収容器１０５内に基板Ｗが支持されると、第２の実施の形態と同様に、収容器１０５内において加熱プレート１１２による基板Ｗの乾燥処理が実行される。
【０１２２】
図１３は、本実施の形態の加熱工程における加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。図１３(a)〜(d)の横軸は、時刻ｔに対応し、図１３(a)の縦軸は、各時刻ｔにおける加熱プレート１１２の出力（電力）Ｗｈに、図１３(b)の縦軸は、各時刻ｔにおけるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐに、図１３(c)の縦軸は各時刻ｔにおけるポンプ１５３の出力Ｗｐに、図１３(d)の縦軸は各時刻ｔにおける収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐにそれぞれ対応する。
【０１２３】
乾燥処理を開始する時刻ｔ31より前の時点において、ポンプ１５３の出力値Ｗｐは「ゼロ」であるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは大気圧とほぼ等しい値Ｐ３１となる。また、加熱プレート１１２の出力値Ｗｈは、一定値Ｗｈ31に設定されている。さらに、バルブ１３５は閉鎖されているため、プロセスガスの供給量Ｖｐは「ゼロ」である。さらに、収容器１０５内はプロセスガス雰囲気とされている。
【０１２４】
時刻ｔ31において、ポンプ１５３の基板Ｗｐは、「ゼロ」からＷｐ31に向かって徐々に増加する。これにより、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排出されるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは、値Ｐ31から徐々に低下して減圧雰囲気となる。
【０１２５】
また、時刻ｔ31において、制御部９０によって加熱プレート１１２の出力値Ｗｈが、Ｗｈ31に設定される。これにより、加熱プレート１１２の出力値Ｗｈは、「ゼロ」からＷｈ31に向かって徐々に増加し、加熱プレート１１２の上面が昇温する。そのため、加熱プレート１１２の上面から基板Ｗの裏面に向けて熱移動が生じ、基板Ｗ温度が上昇する。
【０１２６】
なお、本実施の形態では、第２の実施の形態と同様に、バックエンド工程での乾燥処理を対象としている。そのため、基板Ｗを加熱して乾燥してもウォータマークの影響をほとんど受けず、良好に基板Ｗを乾燥することができる。
【０１２７】
また、第２の実施の形態と同様に、乾燥工程が開始される時刻ｔ31より前の時点において、収容器１０５内には不活性なプロセスガスが供給され、収容器内雰囲気１１０の酸素はプロセスガスと置換されて、収容器内雰囲気１１０には低酸素雰囲気が形成されている。そのため、基板Ｗ温度が昇温しても基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【０１２８】
さらに、第２の実施の形態と同様に、基板Ｗを加熱して乾燥させる際、基板Ｗの温度は、純水の沸点より高い摂氏２００度から、低酸素雰囲気であっても配線パターンが酸化する温度よりも低い摂氏３００度までの範囲内（好ましくは、摂氏２４０度から２６０度までの範囲内）としている。
【０１２９】
続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ32となる時刻ｔ32において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが「ゼロ」に設定される。これにより、収容器内雰囲気１１０が収容器１０５の外部に排出されるのが停止されて収容器内雰囲気１１０の圧力が一定値Ｐ32に保持されつつ、加熱プレート１１２の出力Ｗｈは、一定値Ｗｈ31に保持される。
【０１３０】
すなわち、時刻ｔ32からｔ34において、収容器内雰囲気１１０にはプロセスガスが供給されず、また、ポンプ１５３の出力Ｗが「ゼロ」に設定されており、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排出されないため、収容器内雰囲気１１０の圧力は、一定値Ｐ32に保持される。また、時刻ｔ32からｔ34において、基板Ｗは加熱され続ける。これにより、収容器１０５内の上部から下部に向かって流れる気流を抑制することができる。
【０１３１】
そのため、第２の実施の形態と同様に、基板Ｗ付近の雰囲気がゆらぐことを防止し、加熱プレート１１２から基板Ｗへの熱移動を良好に行うことができる。その結果、基板Ｗを効率的に加熱することができ、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗ上に形成された微細パターンのライン間およびホール内部やレジスト膜の内部に侵入した水分をも効率的に乾燥することができる。
【０１３２】
なお、収容器内雰囲気１１０の圧力を一定値に保持する時間Ｔ3（時刻ｔ32から時刻ｔ34までの時間）は、基板Ｗの材料や収容器内雰囲気１１０の圧力等によって定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【０１３３】
続いて、時刻ｔ32から時間Ｔ3だけ経過した時刻ｔ34において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によってＷｐ31に設定されると、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｗｐ31となる。これにより、収容器内雰囲気１１０に含まれる水分の蒸気は、ポンプ１５３によって排気ドレインに排出される。
【０１３４】
さらに、基板Ｗから水分の蒸発が完了した時刻ｔ35において、ポンプ１５３の出力ＷｐをＷｐ31に保持した状態で、図９に示すバルブ１３５が開放される。これにより、収容器内雰囲気１１０に供給されるプロセスガスの単位時間あたりの供給量ＶＰが、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｖｐ31となる。そのため、収容器内雰囲気１１０に含まれる水分の蒸気は、プロセスガスと置換されて排気ドレイン１５７に排出される。
【０１３５】
また、基板Ｗから水分の蒸発が完了した時刻ｔ35において、加熱プレート１１２の出力Ｗｈが制御部９０によって「ゼロ」に設定される。これにより、加熱プレート１１２の出力ＷｈがＷｈ31から徐々に減少して「ゼロ」になる。
【０１３６】
続いて、収容器内雰囲気１１０の有機溶剤の蒸気がほぼ排気ドレイン１５７に排出された時刻ｔ36において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によって「ゼロ」に設定され、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、Ｗ31から徐々に減少して「ゼロ」となる。これにより、収容器内雰囲気１１０の圧力は増加する。続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ34となる時刻ｔ37においてバルブ１３５が閉鎖されてプロセスガスの供給が停止される。そして、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐが値Ｐ32となる時刻ｔ38において、乾燥処理ユニット１００による乾燥処理が完了する。
【０１３７】
乾燥処理ユニット１００での乾燥処理が完了すると、加熱された基板Ｗは、搬送ユニット６６によって乾燥処理ユニット１００から冷却処理ユニット２００に搬送される。まず、搬送ユニット６６によって乾燥処理ユニット１００の処理室５１から基板Ｗが搬出される。すなわち、処理室５１のシャッター５８および処理室６１のシャッター６８が開放されて、処理室５１の内側空間と処理室６１の内側空間とが開口部２６０を介して連通する。
【０１３８】
次に、昇降機構１１６によって収容器１０５の上部蓋１１５が矢印ＡＲ１方向に上昇し、支持ピン１１１が上昇するとともに、搬送ユニット６６のアーム６７ａが回転および伸縮することによって、基板Ｗが加熱プレート１１２からアーム６７ａに授受される（図１０参照）。そして、処理室５１から搬送ユニット６６が処理室５１から退避すると、上部蓋１１５が下降するとともに、シャッター５８、６８が閉鎖される。
【０１３９】
続いて、搬送ユニット６６によって冷却処理ユニット２００の収容器２０５に基板Ｗが搬入される。すなわち、昇降機構２１６によって収容器２０５の上部蓋２１５が矢印ＡＲ２方向に上昇し、支持ピン２１１が上昇するとともに、搬送ユニット６６のアーム６７ａが回転および伸縮することによって、基板Ｗがアーム６７ａから冷却プレート２１２に授受される（図１１参照）。そして、上部蓋２１５の下方から搬送ユニット６６が退避すると、上部蓋２１５が下降し、上部蓋２１５とベース部２１７との接合部に配設された密閉機構（図示省略）によって収容器２０５が密閉される。
【０１４０】
続いて、支持ピン２１１が下降して基板の裏面と冷却プレート２１２の上面とが接触または近接（本実施の形態では接触）することによって基板Ｗの冷却工程が開始される。図１４は、冷却媒体供給源２１９ａ（図１２参照）から供給される冷却媒体の供給量およびプロセスガス供給源２３７（図９参照）から供給されるプロセスガスの供給量と、収容器内雰囲気２１０の圧力との関係を示したものである。図１４(a)〜(c)の横軸は、時刻ｔに対応し、図１４(a)の縦軸は各時刻ｔにおける冷却媒体の単位時間あたりの供給量Ｖｃに、図１４(b)の縦軸は各時刻ｔにおけるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐに、また、図１４(c)の縦軸は各時刻ｔにおける収容器内雰囲気２１０の圧力Ｐにそれぞれ対応する。
【０１４１】
なお、冷却処理を開始する時刻ｔ41より前の時点において、プロセスガス供給源２３７から供給されるプロセスガスを収容器内雰囲気２１０に供給するとともに、ポンプ２５３によって収容器内雰囲気２１０が排気ドレイン２５７に排出されている。これにより、収容器２０５内に存在していた酸素はプロセスガスと置換されて、収容器２０５内には、プロセスガスで満たされた減圧雰囲気（すなわち減圧された低酸素雰囲気）が形成されている。また、時刻ｔ41より前の時点において、バルブ２１９ｃは閉鎖されている。そのため、冷却プレート２１２の冷却管２１２ａには冷却媒体が供給されていない。
【０１４２】
時刻ｔ41において、バルブ２１９ｃが開放されて、冷却媒体供給源２１９ａから冷却管２１２ａに供給される冷却媒体の単位時間あたりの供給量Ｖｃが「ゼロ」からＶｃ41に向かって徐々に増加する。これにより、基板Ｗの熱は、冷却プレート２１２の上面を介して冷却管２１２ａに供給される冷却媒体に移動するため、基板Ｗは冷却される。また、時刻ｔ４１からｔ４５において、ポンプ２５３の出力Ｗｐは「ゼロ」であり、また、プロセスガス供給源２３７から収容器内雰囲気２１０に供給されるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐは「ゼロ」であるため、収容器内雰囲気２１０は、収容器２０５外部に排出されず、収容器内雰囲気２１０の圧力は一定値Ｐ42に保持されている。
【０１４３】
これにより、収容器２０５の上部から下部に向かって流れる気流を抑制することができる。そのため、基板Ｗ付近の雰囲気がゆらぐことを防止して冷却プレート２１２から基板Ｗへの熱移動を良好に行うことができ、その結果、基板Ｗを効率的に冷却することができる。
【０１４４】
なお、収容器内雰囲気２１０の圧力を一定値Ｐ42に保持して基板Ｗを冷却する時間Ｔ4（時刻ｔ41からｔ45までの時間）は、基板Ｗの材料や収容器内雰囲気１１０の圧力等によって定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【０１４５】
また、本実施の形態では、前述のように、減圧された低酸素雰囲気にて加熱された基板Ｗを冷却している。そのため、基板Ｗ温度が高温であっても基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【０１４６】
次に、時刻ｔ41から時間Ｔ4だけ経過した時刻ｔ45において、バルブ２３５が開放される。これにより、収容器内雰囲気２１０に供給されるプロセスガスの単位時間当たりの供給量Ｖｐが「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｖｐ41となる。そのため、収容器内雰囲気１１０にプロセスガスが供給されて、収容器内雰囲気１１０の圧力が急速に増加する。
【０１４７】
続いて、収容器内雰囲気２１０の圧力ＰがＰ43となる時刻ｔ47において、バルブ２３５が閉鎖されることによって、収容器内雰囲気２１０に対するプロセスガスの供給が停止するとともに、バルブ２１９ｃが閉鎖されることによって冷却管２１２ａに対する冷却媒体の供給が停止する。そして、収容器内雰囲気２１０の圧力Ｐが大気圧とほぼ等しい値Ｐ41となる時刻ｔ48において冷却処理が完了する。
【０１４８】
冷却処理ユニット２００での冷却処理が完了すると、基板処理がすべて完了するため、当該処理済みの基板Ｗは搬出部１３に向かって搬送される。具体的には、昇降機構２１６によって上部蓋２１５を矢印ＡＲ２方向に上昇させ、冷却プレート２１２に立設されたの支持ピン２１１を上昇させることによって基板Ｗを上昇させるとともに、シャッター６９を開放する。
【０１４９】
次に、支持ピン２１１に支持された基板Ｗが、搬送ユニット５６によって冷却処理ユニット２００から搬出される。続いて、冷却処理ユニット２００から搬出された処理済みの基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、受渡し台４９、搬送ユニット２６、受渡し台１９、搬入搬出機構１７を介して、搬出部１３に載置されているキャリアＣに搬入される。そして、基板処理が終了した基板Ｗを配置するキャリアＣは、図示を省略する搬送機構によって基板処理装置１外に搬出される。
【０１５０】
＜３．３．第３の実施の形態における基板処理装置の利点＞
第３の実施の形態では、乾燥処理ユニット１００において、収容器内雰囲気１１０を減圧された低酸素雰囲気とし、基板Ｗを加熱して乾燥させるとともに、冷却処理ユニット２００において、収容器内雰囲気２１０を減圧された低酸素雰囲気とし、乾燥処理ユニット１００で加熱された基板Ｗを冷却する。そのため、基板Ｗを加熱および冷却する際に、基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【０１５１】
＜４．第４の実施の形態＞
続いて、第４の実施の形態における基板処理装置について説明する。なお、本実施の形態の基板処理装置のハードウェア構成は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、後述するように、乾燥処理部５０に含まれる搬送ユニット５６が冷却構造を有する点を除き、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様である。そこで、本実施の形態では、この相違点を中心に説明する。
【０１５２】
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施の形態では説明を省略する。
【０１５３】
＜４．１．乾燥処理部の構成＞
図１５は、第４の実施の形態の搬送ユニット５６が有するアーム５７ａの先端部５７ｃを模式的に示す上面図である。アーム５７ａは、第１の実施の形態で説明したように、アーム５７ａの長手方向に伸縮自在に設けられており、Ｚ軸と略平行な回転軸を中心に回転可能に設けられている。したがって、搬送ユニット５６は、アーム５７ａを回転および伸縮し、基板Ｗをアーム５７ａの先端部５７ｃの上面と接触して載置することによって、４つの乾燥処理ユニット１００のそれぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台４９に対して基板Ｗを授受することができる。なお、基板Ｗをアーム５７ａの先端部５７ｃに載置する際、図示を省略する吸着機構によって基板Ｗをアーム５７ａの先端部に真空吸着して保持してもよい。
【０１５４】
本実施の形態では、冷却媒体によって基板Ｗを冷却する冷却構造を採用している。アーム５７ａの先端部５７ｃの内部には、図１５に示すように、冷却管３３４が配設されている。冷却管３３４は、その表面積を増加させるため、アーム５７ａの先端部５７ｃの内部を複数回折り返すように蛇行して配設されている。また、冷却管３３４の一端は、配管３３２を介して冷却媒体供給源３３７に連通されており、他端は、配管３３３を介して排液ドレイン３３８に連通されている。そのため、冷却管３３４に冷却媒体を供給することによってアーム５７ａの先端部５７ｃの上面に載置された基板Ｗを効率的に冷却することができる。
【０１５５】
すなわち、蛇行して配設された冷却管３３４に供給された冷却媒体がアーム５７ａの先端部５７ｃの上面を介して基板Ｗと熱交換（基板Ｗから冷却媒体への熱移動）を行うことができる。また、熱交換に使用されて加温された冷却媒体は、冷却管３３４から排液ドレイン３３８に排出される。そのため、基板Ｗの冷却には加温されていない冷却媒体を使用することができ、基板Ｗを効率的に冷却することができる。
【０１５６】
なお、本実施の形態では、冷却媒体として水を使用しているが、これに限定されるものでなく、熱交換に適している流体であれば他のものであっても良い。また、本実施の形態において、アーム５７ａの先端部５７ｃの内部に配設された冷却管３３４には、その上面に基板Ｗが載置されているいないに関わらず、常に冷却媒体が供給されているが、これに限定されるものでなく、接触または非接触センサによってアーム５７ａの先端部５７ｃに基板Ｗが載置されたことが検知された場合に、冷却管３３４に対して冷却媒体を供給するようにしてもよい。
【０１５７】
また、図１５に示すように、冷却管３３４において熱交換に使用された冷却媒体は排液ドレイン２１９ｂに排出されて廃棄されているが、これに限定されるものでなく、配管３３３から排出された冷却媒体を基板Ｗを冷却するのに必要とされる温度まで冷却し、再度、冷却管３３４に供給して冷却処理に使用してもよい。さらに、アーム５７ａの先端部５７ｃでは、上述のように冷却構造として冷却媒体を冷却管３３４に供給する構造を採用しているが、ペルチェ素子などの電子的冷却素子を利用してもよい。
【０１５８】
また、図１５に示すように、アーム５７ａの先端部５７ｃには、基板Ｗの裏面の中心部付近と接触するように接触式の温度計３３５（例えば、測温抵抗体によって構成される温度計）が配置されている。これにより、基板Ｗの温度を正確にモニタリングすることができる。
【０１５９】
＜４．２．基板処理手順＞
ここでは、本実施の形態の基板処理装置によって基板Ｗに付着したポリマー残渣を除去する基板処理の手順について説明する。本実施の形態の基板処理は、主として、（１）除去処理部２０において、基板Ｗに付着したポリマ残渣を除去する除去工程と、（２）乾燥処理部５０の乾燥処理ユニット１００において基板Ｗを加熱する加熱工程と、（３）乾燥処理部５０の搬送ユニット５６に基板Ｗを載置して冷却する冷却工程とから構成される。
【０１６０】
なお、除去処理部２０における除去工程は、第１の実施の形態において説明済みである。また、乾燥処理部５０の乾燥処理ユニット１００における加熱工程は、第２の実施の形態において説明済みである。そこで、本実施の形態では、乾燥処理部５０の搬送ユニット５６における基板Ｗの冷却工程について説明する。
【０１６１】
乾燥処理ユニット１００にて乾燥処理が完了すると、加熱された基板Ｗは、搬送ユニット５６が有する冷却構造によって冷却される。冷却工程では、まず、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けてプロセスガスが吐出される。続いて、加熱プレート１１２に立設された支持ピン１１１を上昇させて基板Ｗを受渡し位置まで上昇させ、昇降機構１１６によって上部蓋１１５を矢印ＡＲ１方向に上昇させるとともに、シャッター５９が開放される。これにより、上部蓋１１５を上昇させても基板Ｗ付近の雰囲気をプロセスガス雰囲気に維持することができ、基板Ｗ付近を低酸素雰囲気とすることができる。
【０１６２】
次に、アーム５７ａを伸張することによって、アーム５７ａの先端部５７ｃを加熱プレート１１２の上方まで移動させる。そして、支持ピン１１１に支持された基板Ｗを、冷却媒体が供給され続けているアーム５７ａの先端部５７ｃの上面に載置する。これにより、加熱によって昇温した基板Ｗから冷却管３３４の冷却媒体に向けて熱移動が生じて基板Ｗの温度は急激に降温する。なお、このときも、基板Ｗに向けてプロセスガスが吐出され続けている。
【０１６３】
このように、本実施の形態では、アーム５７ａに設けられた冷却構造によって基板Ｗを冷却する際、基板Ｗ付近を低酸素雰囲気とすることができる。そのため、冷却時に基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。また、本実施の形態では、搬送ユニット５６によって基板Ｗを乾燥処理ユニット１００から搬出する作業とともに、基板Ｗを冷却することができる。すなわち、基板Ｗの搬出作業と冷却工程とを同時に実施することができる。そのため、基板処理全体としてサイクルタイムを減少することができる。
【０１６４】
続いて、温度計３３５によって基板Ｗが所定の温度になったことが検出されると、冷却された基板Ｗは、搬送ユニット５６から受渡し台４９に授受されて冷却処理を終了する。ここで、本実施の形態では、温度計３３５によって測定される基板Ｗの温度に基づいて冷却処理を行っているが、これに限定されるものでなく、例えば、一定時間だけ基板Ｗをアーム５７ａの先端部５７ｃに載置して冷却してもよい。なお、基板Ｗを冷却する時間は、基板Ｗの大きさや基板Ｗ上に形成された微細パターンの材料等により定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【０１６５】
そして、第１の実施の形態と同様に、受渡し台４９、搬送ユニット２６、受渡し台１９、搬入搬出機構１７を介して、搬出部１３に載置されているキャリアＣに搬入される。そして、基板処理が終了した基板Ｗを配置するキャリアＣは、図示を省略する搬送機構によって基板処理装置１外に搬出される。
【０１６６】
＜４．３．第４の実施の形態における基板処理装置の利点＞
第４の実施の形態では、乾燥処理ユニット１００において、収容器内雰囲気１１０を減圧された低酸素雰囲気として基板Ｗを加熱して乾燥させ、続いて、乾燥処理ユニット１００から基板Ｗを搬出する作業を行う際に、合わせて搬送ユニット５６に設けられた冷却構造によって基板Ｗを冷却することができるため、基板処理のサイクルタイムを低減することができる。
【０１６７】
また、第４の実施の形態では、低酸素雰囲気にて基板Ｗを冷却することができる。そのため、冷却処理時に基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【０１６８】
＜５．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【０１６９】
（１）第１ないし第４の実施の形態において、基板Ｗを乾燥させる場合、（Ａ）減圧雰囲気にて基板Ｗに対して有機溶剤の蒸気を吐出して乾燥する乾燥処理と、（Ｂ）減圧雰囲気にて基板Ｗを加熱して乾燥する乾燥処理とのどちらか一方を使用して基板Ｗを乾燥させる手順について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、（Ｂ）の加熱による乾燥処理を施した後に、（Ａ）の有機溶剤の蒸気による乾燥処理を順次実施してもよいし、また、処理順序を入れ替えて、（Ａ）の乾燥処理を実施した後、（Ｂ）の乾燥処理を実施してもよい。
【０１７０】
（２）また、第１ないし第４の実施の形態において、プロセスガスを吐出する吐出ノズル１３１、２３１は、それぞれ収容器１０５および収容器２０５の内側上部に配設されているが、これに限定されるものでなく、上部蓋１１５および上部蓋２１５の下部に配設し、基板Ｗ上面付近にプロセスガスが供給されるようにしてもよい。
【０１７１】
（３）第１、第２および第４の実施の形態の除去処理ユニット３０、乾燥処理ユニット１００は平面的に配置されているが、これに限定されるものでなく、高さ方向（Ｚ軸方向）に積層して配置してもよい。また第３の実施の形態の除去処理ユニット３０、および乾燥処理ユニット１００と冷却処理ユニット２００とを１組とするユニット対も同様に、高さ方向に積層して配置してもよい。これにより、基板処理装置の床面積を縮小することができる。
【０１７２】
（４）第２および第４の実施の形態では、収容器１０５内および収容器２０５内の圧力（以下、「収容器内圧力」とも呼ぶ）を一定に保持して基板Ｗを冷却する際、予め実験等によって求めた時間だけ冷却し、続いて、収容器１０５内および収容器２０５内にプロセスガスを供給することによって収容器内圧力が大気圧と略同一となるようにしているが、これに限定されるものでなく、接触式の温度計や非接触式の温度計を使用して基板Ｗの温度を計測し、当該温度に基づいて、プロセスガスを供給するタイミングを決定してもよい。
【０１７３】
（５）第１の実施の形態において、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を吐出して、基板Ｗに付着した水分を有機溶剤の蒸気と置換することによって基板Ｗを乾燥させているが、これに限定されるものでなく、有機溶剤の蒸気を吐出する代わりに液体状の有機溶剤を霧状にして基板Ｗに吐出してもよい。
【０１７４】
（６）第２の実施の形態において、冷却ガス供給源１６７から供給される冷却ガスと、プロセスガス供給源１３７から供給されるプロセスガスとは、共通の吐出ノズル１３１から収容器１０５内に向けて供給されるが、これに限定されるものでない。例えば、吐出ノズル１３１、１４１の他に追加の吐出ノズルを設けてルを設け、吐出ノズル１３１からは冷却ガスが、また、当該他の追加の吐出ノズルからはプロセスガスがそれぞれ吐出されるようにしてもよい。
【０１７５】
（７）第３の実施の形態において、収容器２０５内に配置された吐出ノズル２３１と冷却プレート２１２上に支持された基板Ｗとの間に、第１の実施の形態で説明した拡散板１２０を配置してもよい。これにより、吐出ノズル２３１から吐出されるプロセスガスを拡散することができるため、収容器内雰囲気２１０を効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【０１７６】
（８）また、第３の実施の形態の乾燥処理部５０では、２つの乾燥処理ユニット１００と２つの冷却処理ユニット２００とにより構成されているが、乾燥処理ユニット１００および冷却処理ユニット２００の数が同数なら、それぞれのユニット数は２つに限定されない。
【０１７７】
（９）さらに、第３の実施の形態の冷却構造では、冷却工程が実施する場合には、冷却管２１２ａに対して冷却媒体を供給し、また、冷却工程が実施されていない場合には、冷却管２１２ａに対して冷却媒体を供給しない方式を採用しているが、これに限定されるものではない。例えば、冷却媒体を廃棄せず再利用する冷却構造を採用する場合には、第３の実施の形態のように、バルブ２１９ｃによって冷却管２１２ａに冷却媒体を供給するタイミングを制御することなく、常に冷却媒体を供給し続ける冷却方式を採用してもよい。このような構成を取ることにより、制御部９０の処理負担を軽減することができる。
【０１７８】
（１０）第４の実施の形態において、アーム５７ａの先端部５７ｃの内部に配設された冷却管３３４には、常に冷却媒体が供給されているが、これに限定されるものでなく、接触または非接触センサによってアーム５７ａの先端部５７ｃに基板Ｗが載置されたことが検知された場合に、冷却管３３４に対して冷却媒体を供給するようにしてもよい。
【０１７９】
（１１）また、第４の実施の形態において、アーム５７ａの先端部５７ｃに載置された基板Ｗの温度を測定する際、接触式の温度計が使用されているが、これに限定されるものでなく、非接触式の温度計（例えば、放射温度計）を使用してもよい。
【０１８０】
【発明の効果】
請求項１ないし請求項４に記載の発明によれば、収容器内を減圧雰囲気として基板付近に有機溶剤を含む雰囲気を形成することにより、基板上に形成されたライン間およびホール内部に入り込んだ純水や基板上に形成された膜の内部の純水が有機溶剤と置換する。そのため、目的にあわせて内部を効率的に乾燥することができる。
【０１８１】
特に、請求項２に記載の発明によれば、拡散板の表面に設けられた複数の貫通孔を通過した有機溶剤は、拡散して基板付近に到達する。そのため、基板付近をさらに効率的に有機溶剤の雰囲気とすることができる。
【０１８２】
また、請求項１ないし請求項３に記載の発明によれば、有機溶剤を吐出した後、一定時間、収容器内の圧力を略同一に保持することにより、基板上に形成されたライン間およびホール内部に入り込んだ純水や基板上に形成された膜の内部の純水と有機溶剤との置換効率を向上させることができるため、さらに効率的に基板を乾燥することができる。
【０１８３】
特に、請求項３に記載の発明によれば、有機溶剤が純水より表面張力が小さく、さらに蒸発潜熱の小さいイソプロピルアルコールであるため、効率的に基板を乾燥することができる。
【０１８４】
また、請求項４ないし請求項９に記載の発明によれば、第１の収容器内にプロセスガスを吐出しつつ減圧することにより、第１の保持手段に保持された基板を低酸素かつ減圧された雰囲気で基板を加熱して乾燥することができる。そのため、加熱する際に基板が酸化されることを防止しつつ、効率的に基板を乾燥することができる。
【０１８５】
特に、請求項５に記載の発明によれば、第１の収容器内において、加熱された基板を低酸素雰囲気にて冷却することができるため、冷却処理においても基板が酸化することを防止できる。
【０１８６】
特に、請求項６に記載の発明によれば、プロセスガス雰囲気とされた第１の収容器内にて、冷却ガスを基板に向けて吐出することによって基板を冷却することができる。そのため、冷却する際に基板が酸化されることを防止できる。
【０１８７】
特に、請求項７に記載の発明によれば、第１の搬送手段を第１の保持手段の付近に移動させ、基板を冷却することにより、低酸素雰囲気にて基板を冷却することができるため、冷却の際に基板が酸化されることを防止できる。
【０１８８】
特に、請求項８に記載の発明によれば、加熱された基板を減圧雰囲気とされた第２の収容器内にて冷却することができるため、冷却の際に基板が酸化されることを防止できる。
【０１８９】
特に、請求項９に記載の発明によれば、基板を摂氏２００度から摂氏３００度の範囲で加熱するため、加熱の際に基板上に形成された膜が酸化することを防止できる。
【０１９０】
また、請求項４ないし請求項９に記載の発明によれば、第１の収容器内を減圧し、一定時間、当該第１の収容器内の圧力を略同一にしつつ、基板を加熱することにより、基板上に形成されたライン間およびホール内部に入り込んだ純水や基板上に形成された膜の内部の水分を安定して蒸発することができるため、さらに効率的に基板を乾燥することができる。
【０１９１】
また、請求項１０に記載の発明によれば、（１）収容器内を減圧雰囲気とし、基板付近に有機溶剤を含む雰囲気を形成して基板を乾燥する処理と、（２）プロセスガス雰囲気として減圧するとともに、保持手段に保持された基板を減圧された収容器内にて加熱して乾燥する処理とを能動化させることができる。そのため、基板上に形成された膜の種類に応じて、それぞれの乾燥処理を選択することができきる。
【０１９２】
特に、請求項１１に記載の発明によれば、有機溶剤吐出手段と加熱手段とを排他的に能動化させることができる。そのため、有機溶剤が防爆性を有する場合であっても、安全に乾燥処理を実施することができる。
【０１９３】
さらに、請求項１２および請求項１３に記載の発明によれば、基板処理装置が請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の乾燥処理装置を備えているため、回転振切り手段によって洗浄液の振切りを済ませた後の基板を受け入れて、請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発明と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図２】第１の実施の形態における乾燥処理ユニットを模式的に示す正面図である。
【図３】第１の実施の形態における乾燥処理ユニットを模式的に示す正面図
【図４】第１の実施の形態における拡散板を模式的に示す上面図である。
である。
【図５】第１の実施の形態におけるイソプロピルアルコールの供給量、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における冷却ガスの供給量、加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングとチャンバ内雰囲気の圧力とを示す図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態における基板処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図８】第３の実施の形態における乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットを模式的に示す上面図である。
【図９】図８の乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットをＶ−Ｖ線から見た断面を示す図である。
【図１０】図８の乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットをＶ−Ｖ線から見た断面を示す図である。
【図１１】図８の乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットをＶ−Ｖ線から見た断面を示す図である。
【図１２】第３の実施の形態における冷却プレートを模式的に示す上面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態における加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態における加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。
【図１５】本発明の第４の実施の形態における搬送ユニットのアームを模式的に示す上面図である。
【符号の説明】
１、５００ 基板処理装置
１０ インデクサ
２０ 除去処理部
４０ インターフェース
５０ 乾燥処理部
５１、６１ 処理室
５８、５９、６８、６９ シャッター
９０ 制御部
１００ 乾燥処理ユニット
１１２ 加熱プレート
１２０ 拡散板１２０
１４７ 有機溶媒供給源
１５３、２５３ ポンプ
１６７ 冷却ガス供給源
２００ 冷却処理ユニット
２１２ 冷却プレート
２６０ 開口部
３３７ 冷却媒体供給源
Ｃ カセット
Ｗ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を純水等の処理液（洗浄液）によって洗浄し、続いて当該基板に付着した処理液を回転運動によって振切った後に、当該基板を乾燥させる乾燥処理、および当該乾燥処理装置を備える基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板処理装置では、種々の薬液による薬液処理、純水などの洗浄液による洗浄処理等の表面処理が順次実施される。そして、純水による仕上げの洗浄が行われた後に、最終処理として乾燥処理が実行される。このような基板の乾燥処理として、例えば、基板１枚ずつに対して基板処理を実施するいわゆる枚葉式の基板処理装置において、従来より、基板を高速に回転させてその遠心力により水分を基板上から振り切って除去する振切り乾燥（スピンドライ）が知られている。
【０００３】
しかし、さらに乾燥効率を高めるため、振切り乾燥を行う前に基板に付着した水分の表面張力を小さくするような物質の蒸気を基板と接触させる乾燥方式（例えば、特許文献１、２）や、振切り乾燥を行う際に基板が置かれる雰囲気を大気圧より低い圧力に調整する乾燥方式（例えば、特許文献３）が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０５−２４３２０５号公報
【特許文献２】
特開２００１−０２３９４６号公報
【特許文献３】
特開平０７−２８３１２６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板上に形成されたパターンのさらなる微細化・複雑化にともない、特許文献１〜３に記載された乾燥方式を使用しても当該パターンのライン間やホール内部およびレジスト膜の内部などの微細構造の内部に侵入した水分を確実に乾燥することが困難となっている。
【０００６】
そこで、本発明では、洗浄処理が終了した基板を回転させることによって基板に付着した純水を振切った後において、基板上に形成された微細構造の内部に進入した洗浄液を確実に乾燥することができる乾燥処理装置、および当該乾燥処理装置を備える基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、表面に付着した洗浄液を回転運動によって振切った後の基板を乾燥させる乾燥処理装置であって、収容器と、前記収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する保持手段と、前記収容器内に有機溶剤を吐出して、前記基板付近に有機溶剤を含む雰囲気を形成する有機溶剤吐出手段と、前記収容器内を排気して減圧雰囲気とする減圧手段と、前記有機溶剤吐出手段と前記減圧手段とを制御して、前記減圧手段を動作させて前記収容器内を減圧雰囲気とし、減圧雰囲気の前記収容器内に有機溶剤を吐出した後、前記有機溶剤の蒸気の吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記収容器内を略同一圧力に保持し、前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させる制御手段と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の乾燥処理装置であって、前記収容器内に配置され、表面に複数の貫通孔を有する拡散板をさらに備え、前記拡散板は、前記有機溶剤吐出手段と前記保持手段との間に配置されることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の乾燥処理装置において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、表面に付着した洗浄液を回転運動によって振切った後の基板を乾燥させる乾燥処理装置であって、第１の収容器と、前記第１の収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する第１の保持手段と、前記第１の収容器内に設けられ、前記第１の保持手段に保持された前記基板を加熱する加熱手段と、前記第１の収容器内にプロセスガスを吐出する第１のプロセスガス吐出手段と、前記第１の収容器内を減圧する第１の減圧手段と、前記第１のプロセスガス吐出手段と、前記減圧手段と、を制御して、前記減圧手段を動作させて前記第１の収容器内を低酸素雰囲気とし、前記プロセスガスの吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記第１の収容器内を略同一圧力に保持し、前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させる制御手段と、を備え、前記加熱手段は、前記プロセスガスの吐出によって低酸素雰囲気とされた前記第１の収容器内にて前記基板を加熱することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の乾燥処理装置であって、前記加熱手段によって加熱された基板を低酸素雰囲気とされた前記第１の収容器内にて冷却する冷却手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の乾燥処理装置であって、前記冷却手段は、前記第１の収容器内に設けられ、前記第１の保持手段によって気体雰囲気中で保持された基板に向けて冷却ガスを吐出する冷却ガス吐出手段、を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７の発明は、請求項５に記載の乾燥処理装置であって、前記冷却手段は、前記第１の収容器外と前記第１の保持手段との間で前記基板を授受して搬送する第１の搬送手段に設けられており、前記第１の保持手段付近に前記第１の搬送手段を移動させて前記基板を冷却することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８の発明は、請求項５に記載の乾燥処理装置であって、前記冷却手段は、第２の収容器と、前記第２の収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する第２の保持手段と、前記第２の収容器内に設けられ、前記第２の保持手段によって保持された前記基板を冷却する冷却部と、前記第２の収容器内にプロセスガスを吐出する第２のプロセスガス吐出手段と、前記第２の収容器内を減圧する第２の減圧手段と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の乾燥処理装置であって、前記加熱手段によって、基板を摂氏２００度から摂氏３００度の範囲で加熱することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１０の発明は、請求項１に記載の乾燥処理装置であって、前記収容器内に設けられ、前記保持手段に保持された前記基板を加熱する加熱手段と、前記収容器内にプロセスガスを吐出するプロセスガス吐出手段と、をさらに備え、前記制御手段は、さらに、前記第１のプロセスガス吐出手段と、前記減圧手段と、を制御して、前記減圧手段を動作させて前記収容器内を低酸素雰囲気とし、前記プロセスガスの吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記収容器内を略同一圧力に保持し、前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させ、前記加熱手段は、前記プロセスガスの吐出によって低酸素雰囲気とされた前記収容器内にて前記基板を加熱することを特徴とする乾燥処理装置。
【００１９】
また、請求項１１の発明は、請求項１０に記載の乾燥処理装置であって、前記有機溶剤吐出手段と前記加熱手段とを排他的に能動化させる排他的制御手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１２の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板表面の洗浄液を回転によって振切る回転振切り手段を備える第１の装置と、前記第１の装置の外部に設けられて、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の乾燥処理装置として構成された第２の装置と、を備えることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１３の発明は、請求項１２に記載の基板処理装置であって、前記乾燥処理装置は、バックエンド工程にて使用することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置１の全体構成を模式的に示す正面図である。基板処理装置１は、レジスト膜をマスクとして使用するドライエッチング処理において、レジスト膜の一部が飛散し、配線パターンの底や側壁に付着して硬化したポリマー残渣を除去する装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、主として、複数の除去処理ユニット３０を有する除去処理部２０と、複数の乾燥処理ユニット１００を有する乾燥処理部５０と、インデクサ１０とから構成されている。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２４】
インデクサ１０は、未処理の基板Ｗを複数収容したキャリア（カセット）Ｃが載置される搬入部１１と、処理済みの基板Ｗを複数収容したキャリアＣが載置される搬出部１３と、受渡し部１５とを有する。
【００２５】
搬入部１１はテーブル状の載置台を有し、装置外の例えばＡＧＶ(Automatic Guided Vehicle)等の搬送機構によって２個のキャリアＣが当該載置台上に搬入される。キャリアＣは例えば２５枚の基板Ｗを水平姿勢にて互いに間隔を隔てて鉛直方向に積層配置した状態で保持する。搬出部１３もテーブル状の載置台を有し、該載置台に２個のキャリアＣが載置され、当該２個のキャリアＣは装置外の搬送機構によって搬出される。
【００２６】
受渡し部１５は、搬入部１１、搬出部１３のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリアＣに対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構１７と、受渡し台１９とを有する。搬入搬出機構１７は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作を行うことができる。これにより、搬入搬出機構１７はキャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うとともに、受渡し台１９、４９に対して基板Ｗを授受する。
【００２７】
除去処理部２０は、図１に示すように、主として、基板に付着したポリマーを除去する複数の除去処理ユニット３０と、受渡し台１９と各除去処理ユニット３０との間で基板Ｗの授受を行う搬送ユニット２６とを有している。
【００２８】
除去処理ユニット３０は、インデクサ１０のキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで除去処理ユニット３０の列を形成し、この除去処理ユニット３０の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。ここで、除去処理ユニット３０は、処理室２１に配置された回転保持部３１に基板を保持して回転させつつ、基板上に形成されたポリマー残渣のみを選択して溶解する除去液（例えば、有機アルカリ液を含む液体、無機酸を含む液体、フッ化アンモン系物質を含む液体）を基板に向けて吐出することにより、基板Ｗ上に付着した当該ポリマー残渣のみを除去して洗浄する装置である。また、この除去処理ユニット３０では、純水による基板洗浄と回転による振切り乾燥も行われる。
【００２９】
処理室２１は、処理室２１内の雰囲気とその外部の雰囲気とを遮断する密閉構造を有しており、当該処理室２１内の雰囲気が搬送路ＴＰ１、インデクサ１０、およびインターフェース４０に漏出することを防止できる。また、処理室２１の搬送路ＴＰ１側の壁面には、シャッター２５が設けられている。ここで、シャッター２５は、搬送ユニット２６から処理室２１内の回転保持部３１に基板Ｗを搬入または搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。さらに、処理室２１内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の排気ダクトへ排出されている。そのため、ポリマ除去処理によって発生する処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気が処理室２１から搬送路ＴＰ１に漏出することを防止できる。
【００３０】
搬送ユニット２６は、搬送路ＴＰ２の長手方向（上述した除去処理ユニット３０の列の形成方向）に沿って走行する搬送ロボットである。搬送ユニット２６のアーム２７ａは図示を省略する伸縮機構によってアーム２７ａの長手方向に伸縮自在に設けられている。また、アーム２７ａは図示を省略する回転機構によってＺ軸と略平行な回転軸を中心に回転可能に設けられている。したがって、搬送ユニット２６は、アーム２７ａを回転および伸縮されることによって、４つの除去処理ユニット３０のそれぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台１９、４９に対して基板Ｗを授受する。
【００３１】
インターフェース４０は、除去処理部２０と乾燥処理部５０とに挟み込まれるようにして設けられており、基板Ｗが載置される受渡し台４９を有する。
【００３２】
乾燥処理部５０は、図１に示すように、インターフェース４０に隣接して設けられ、基板Ｗを収容して乾燥処理を行う４つの乾燥処理ユニット１００と、受渡し台４９に対して基板Ｗを授受するとともに４つの乾燥処理ユニット１００に対して基板Ｗを授受する搬送ユニット５６とを有している。
【００３３】
乾燥処理ユニット１００は、インデクサ１０のキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで乾燥処理ユニット１００の列を形成し、この乾燥処理ユニット１００の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、これら乾燥処理ユニット１００の列と列との間に挟み込まれた搬送路ＴＰ２に搬送ユニット５６が配置されている。
【００３４】
搬送ユニット５６は、搬送路ＴＰ２の長手方向（上述した乾燥処理ユニット１００の列の形成方向）に沿って走行する搬送ロボットである。搬送ユニット５６のアーム５７ａは図示を省略する伸縮機構によってアーム５７ａ方向に伸縮自在に設けられている。また、アーム５７ａは図示を省略する回転機構によってＺ軸と略平行な回転軸を中心に回転可能に設けられている。したがって、搬送ユニット５６は、アーム５７ａを回転および伸縮されることによって、４つの乾燥処理ユニット１００のそれぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台４９に対して基板Ｗを授受する。なお、乾燥処理ユニット１００の詳細については後述する。
【００３５】
制御部９０は、プログラムや変数等を格納するメモリ９１と、メモリ９１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ９２とを備えている。ＣＰＵ９２は、メモリ９１に格納されているプログラムに従って、回転保持部３１の回転制御、搬送ユニット２６、５６の駆動制御、シャッター２５、５９の開閉制御、後述するバルブ１３５、１４５、１４６、１５５、１６５の開閉制御や、加熱プレート１１２の出力制御等を所定のタイミングで行う。
【００３６】
＜１．２．乾燥処理ユニットの構成＞
図２は、本実施の形態における乾燥処理ユニット１００を模式的に示す正面図である。乾燥処理ユニット１００は、（１）減圧雰囲気にて基板Ｗ付近に有機溶剤の蒸気を供給して、基板Ｗに付着した水分を乾燥させる有機溶剤乾燥処理と、（２）減圧雰囲気にて基板Ｗを加熱して基板Ｗに付着した水分を乾燥させる加熱乾燥処理とをそれぞれ排他的に能動化（換言すれば、選択的に能動化）することができるユニットである。
【００３７】
図２に示すように、乾燥処理ユニット１００は、主として、処理室５１と、処理室５１の内側に配置されて乾燥処理を実施する収容器１０５と、収容器１０５内の雰囲気１１０（以下、「収容器内雰囲気１１０」とも呼ぶ）を収容器１０５外部に排出して減圧雰囲気とするポンプ１５３と、収容器１０５内に配置されて基板Ｗに向けて乾燥溶剤の蒸気を吐出する吐出ノズル１４１と、収容器１０５内に配置されて基板Ｗを加熱する加熱プレート１１２とから構成されている。
【００３８】
処理室５１は、その内側の雰囲気が外部に流出することを遮断する密閉構造を有している。すなわち、当該処理室５１内の雰囲気が冷却処理ユニット２００、搬送路ＴＰ２、およびインターフェース４０に漏出することを防止できる。また、処理室５１の搬送路ＴＰ２側の壁面には、図１に示すように、シャッター５９が設けられている。ここで、シャッター５９は、搬送ユニット５６から処理室５１内に基板Ｗが搬入または搬出される場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。
【００３９】
さらに、処理室５１内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の排気ダクトへ排出されている。そのため、収容器１０５から処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気が処理室５１に流入した場合であっても搬送路ＴＰ２に漏出することを防止できる。
【００４０】
収容器１０５は、処理室５１の内側に設けられており、その内部で乾燥処理が実施される。図２に示すように、収容器１０５は、上部蓋１１５とベース部１１７とから構成されている。上部蓋１１５は、その下部に開口部を有する略円筒状の部材である。また、上部蓋１１５は昇降機構１１６と接続されており、当該開口部の高さがベース部１１７の上面位置と略同一となる位置を下端位置として上下方向に昇降可能に設けられている。
【００４１】
さらに、ベース部１１７と上部蓋１１５とが接触する部分には図示を省略する密閉機構が設けられている。これにより、上部蓋１１５の内面とベース部１１７とによって囲まれる空間の雰囲気（以下、「収容器内雰囲気」とも呼ぶ）１１０は、処理室５１内の雰囲気から密閉される。したがって、昇降機構１１６によって上部蓋１１５を下端位置まで下降させて当該密閉機構によって収容器内雰囲気１１０を密閉するとともに、後述するポンプ１５３によって収容器内雰囲気１１０を外部に排出することによって、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とすることができる。
【００４２】
加熱プレート１１２は、ベース部１１７上に固定して設けられた略円柱状の部材であり、その内部には電熱線等の熱源が配置されている。また、加熱プレート１１２の上面には、複数（具体的には３以上）の支持ピン１１１が立設されており、基板Ｗは当該複数の支持ピン１１１によって支持されることによって略水平姿勢で気体雰囲気中に静置して保持される。この複数の支持ピン１１１は、図示を省略する昇降機構によって各支持ピン１１１の上端位置が略同一高さとなるように連動して上昇・下降するように設けられている。したがって、前述したシャッター５９（図１参照）を開放して上部蓋１１５を上昇させるとともに、各支持ピン１１１を上昇させて基板Ｗを受け渡し位置まで上昇させることによって、加熱プレート１１２と搬送ユニット５６との間で基板Ｗを授受することができる（図４参照）。
【００４３】
また、加熱プレート１１２によって基板Ｗを加熱する際には、支持ピン１１１を下降させる。これにより、加熱プレート１１２の上面に基板Ｗの裏面を近接させることができる。そのため、加熱プレート１１２の熱エネルギーを基板Ｗに伝達することができ、基板Ｗを加熱することができる。なお、図２において、基板Ｗを加熱する際、加熱プレート１１２の上面に基板Ｗを近接させる場合について図示しているが、加熱プレート１１２の上面と基板Ｗの裏面とを接触させてもよい。
【００４４】
略円筒形状を有する上部蓋１１５の軸心付近であって、当該上部蓋１１５の内側上部付近には、基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を吐出する吐出ノズル１４１が設けられている。図２に示すように、吐出ノズル１４１は、配管１４２およびバルブ１４５を介して、有機溶剤１４８が貯留された貯留槽１４７の上部空間と連通されている。また、図２に示すように、配管１４３は、その一端が、貯留槽１４７に貯留された有機溶剤１４８部分に浸漬しており、バルブ１４６を介してプロセスガス供給源１４９と連通されている。
【００４５】
これにより、有機溶剤１４８に対してプロセスガスの気泡を供給することができ、当該プロセスガスによって有機溶剤１４８をバブリングすることができる。そのため、バルブ１４６およびバルブ１４５が開放されると、このバブリングによってプロセスガス中に有機溶剤１４８の気相（蒸気）を混合することができる。そして、配管１４２を介して吐出ノズル１４１から支持ピン１１１に支持された基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を吐出することができる。
【００４６】
なお、本実施の形態において、有機溶剤としてイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」とも呼ぶ）を使用しているが、純水より表面張力が小さく、かつ、蒸発潜熱の小さいものであれば、低分子アルコール、シリコーン、フッ素系溶剤のハイドロフィオロエーテル（ＨＦＥ）等の有機溶剤の蒸気を使用してもよい。
【００４７】
また、本実施の形態において、プロセスガスとして窒素ガスを使用しているが、化学的に安定なガス（不活性ガス）であれば、ヘリウムガスやアルゴンガスを使用してもよい。
【００４８】
また、有機溶剤として防爆性を有するＩＰＡを使用する場合、加熱プレート１１２による加熱処理と、吐出ノズル１４１から有機溶剤を吐出処理とが同時に能動化されことを防止する必要がある。そのため、本実施の形態のメモリ９１には、加熱プレート１１２の出力値をゼロ以上にする出力制御と、バルブ１４５を開放する開放制御とを排他的に能動化するプログラムが格納されている。そして、当該プログラムがＣＰＵ９２に読み込まれることにより、制御部９０によって加熱プレート１１２によって基板Ｗを加熱して乾燥させる処理と、有機溶剤の蒸気を吐出して基板Ｗの乾燥させる処理とが排他的に能動化される。
【００４９】
さらに、上部蓋１１５の内側上部付近には、吐出ノズル１４１と隣接して吐出ノズル１３１が設けられている。吐出ノズル１３１は、基板Ｗに向けて冷却ガスやプロセスガスを吐出するノズルである。図２に示すように、配管１３２は、（１）配管１３２、分岐配管１６２およびバルブ１６５を介して冷却ガス供給源１６７と、また、（２）配管１３２およびバルブ１３５を介してプロセスガス供給源１３７とそれぞれ連通接続されている。したがって、バルブ１６５を閉鎖しつつバルブ１３５を開放することによって、収容器内雰囲気１１０にプロセスガスを吐出することができる。また、バルブ１３５を閉鎖しつつバルブ１６５を開放することによって、基板Ｗに向けて冷却ガスを吐出することができる。
【００５０】
ここで、本実施の形態では、冷却ガスとして、冷却されたヘリウムガスを使用しているが、これに限定されるものでなく、化学的に安定（不活性）であって比熱の高い気体であればよい。また、本実施の形態の図２において、プロセスガス供給源１３７は、プロセスガス供給源１４９と別のものを使用しているが、共通のプロセスガス供給源から同一のプロセスガスを供給してもよい。
【００５１】
吐出ノズル１３１、１４１と加熱プレート１１２との間には、拡散板１２０が配設されている。図４は、本実施の形態における拡散板を模式的に示す上面図である。図２および図４に示すように、拡散板１２０は、上部蓋１１５の内径と略同一な大きさを有する略円形状の板材であり、拡散板１２０の表面には多数の貫通孔１２１が設けられている。これにより、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けて吐出される有機溶剤の蒸気は、多数の貫通孔１２１によって拡散されて基板Ｗに到達する。
【００５２】
そのため、拡散板１２０を使用しない場合と比較して、基板Ｗの表面に有機溶剤の蒸気を均等に供給することができ、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗに形成された微細パターンのライン間やホール内部およびレジスト膜の内部に侵入した水分も確実に有機溶剤の蒸気と置換して基板Ｗを乾燥することができる。また同様に、吐出ノズル１３１から吐出される冷却ガスも、拡散板１２０によって拡散して基板Ｗの表面に均等に供給することができる。そのため、効率的に基板Ｗを冷却することができる。
【００５３】
ベース部１１７には、２つの排気口１５１が設けられている。そして、これら排気口１５１は、配管１５２、ポンプ１５３およびバルブ１５５を介して排気ドレイン１５７と連通接続されている。したがって、収容器１０５内を密閉状態にするとともに、バルブ１５５を開放しつつポンプ１５３を動作させて収容器内雰囲気１１０を収容器１０５外部に排出することによって、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とすることができる。
【００５４】
＜１．３．基板処理手順＞
ここでは、本実施の形態の基板処理装置１を使用して、基板Ｗに付着したポリマー残渣を除去する基板処理の手順について説明する。基板処理装置１による処理は、主として、（１）除去処理部２０において、基板Ｗに付着したポリマ残渣を除去する除去工程と、（２）乾燥処理部５０において、基板Ｗを乾燥する乾燥工程とから構成される。この装置１は、基板を枚葉で（すなわち１枚ずつ）順次に処理する枚葉式の処理装置である。
【００５５】
なお、乾燥処理部５０の構成要素である乾燥処理ユニット１００は、前述のように有機溶剤乾燥処理と加熱乾燥処理とをそれぞれ排他的に能動化することができるが、本実施の形態では、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とし、基板Ｗ付近に有機溶剤の蒸気を供給することによって基板Ｗを乾燥させる有機溶剤乾燥処理について説明する。
【００５６】
まず、キャリアＣに収容された複数の基板Ｗが搬入部１１に搬入される（図１参照）。この基板Ｗは薄膜を有し、該薄膜はパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを施されている。これにより、当該基板Ｗにはレジスト膜や薄膜に由来する反応生成物（ポリマー）が付着している。
【００５７】
具体的には、搬入部１１のキャリアＣから搬入搬出機構１７により基板Ｗが１枚取り出され、受渡し台１９に載置される。次に、受渡し台１９に載置された基板Ｗは搬送ユニット２６により持ち出される。続いて、搬送ユニット２６は、４つの除去処理ユニット３０のうちの所定の除去処理ユニット３０のシャッター２５まで移動する。続いて、当該シャッター２５が開放されることによって生ずる開口部を介して、搬送ユニット２６から処理室２１内の回転保持部３１に基板Ｗが搬入される。そして、基板Ｗの搬入が完了するとシャッター２５が閉鎖されることにより、処理室２１内が密閉されるため、処理室２１内にてポリマ除去処理を行う際に発生する処理液のミストや蒸気が処理室２１外に漏出するのを防止する。
【００５８】
次に、除去処理ユニット３０において基板Ｗ上に付着したポリマー残渣の除去を行う。まず、回転保持部３１に基板Ｗを保持して回転させつつ、基板上に形成されたポリマー残渣のみを選択する除去液を基板に向けて吐出する。これにより、配線パターンの底や側壁に付着したポリマー残渣が溶解する。続いて、除去液の吐出を停止するとともに、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗに純水（一般には洗浄液）を吐出して洗浄処理を実施する。これにより、基板Ｗに付着した除去液や溶解された反応生成物などの汚染物質が基板Ｗ上から洗い流される。そして、洗浄処理が終了すると、基板Ｗへの純水の供給を停止し、回転保持部３１の回転速度を上げることによって基板Ｗ上に付着した水分を回転の遠心力によって振切る。これにより、基板Ｗに付着した水分は、ほぼ乾燥するが、基板Ｗ上のラインやホールなどの微細構造内に入り込んでいる水分はまだ残存している。
【００５９】
除去処理ユニット３０でのポリマ除去処理が完了すると、ポリマ除去処理が完了した基板Ｗは、除去処理ユニット３０から乾燥処理ユニット１００に搬送される。具体的に言うと、まず、搬送ユニット２６によって除去処理ユニット３０から搬出されて受渡し台４９に載置される。次に、当該基板Ｗは搬送ユニット５６によって受渡し台４９から持ち出されて、いずれかの乾燥処理ユニット１００に搬入される。
【００６０】
すなわち、乾燥処理ユニット１００において、処理室５１のシャッター５９を開放するとともに、収容器１０５の上部蓋１１５が昇降機構１１６によって矢印ＡＲ１方向に上昇させられ、搬送ユニット５６から上昇した状態の支持ピン１１１に基板Ｗを支持する（図４参照）。そして、基板Ｗの搬入が完了すると、シャッター５９を閉鎖するとともに、上部蓋１１５を下降させて収容器１０５内の気密性を確保する。
【００６１】
続いて、乾燥処理ユニット１００において、基板Ｗの乾燥処理が実行される。乾燥処理ユニット１００では、収容器内雰囲気１１０をポンプ１５３によって排気ドレイン１５７に排出することによって収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気としつつ、吐出ノズル１４１から有機溶剤の蒸気を供給することによって、支持ピン１１１に支持された基板Ｗを効率的に乾燥させる。
【００６２】
図５は、有機溶剤の蒸気の供給量、プロセスガスの供給量、およびポンプ１５３の出力と、収容器内雰囲気１１０の圧力との関係を示したものである。図５(a)〜(d)の横軸は、時刻ｔに対応し、図５(a)の縦軸は各時刻ｔにおける有機溶剤の蒸気の単位時間あたりの供給量Ｖｉに、図５(b)の縦軸は各時刻ｔにおけるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐに、図５(c)の縦軸は各時刻ｔにおけるポンプ１５３の出力Ｗｐに、図５(d)の縦軸は各時刻ｔにおける収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐにそれぞれ対応する。
【００６３】
乾燥処理を開始する時刻ｔ11より前の時点では、ポンプ１５３の出力値Ｗｐは「ゼロ」であるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは大気圧とほぼ等しい値Ｐ１１となる。また、バルブ１４５およびバルブ１３５はそれぞれ閉鎖されているため、有機溶剤の蒸気の供給量Ｖｉおよびプロセスガスの供給量Ｖｐはいずれも「ゼロ」である。さらに、収容器１０５内はプロセスガス雰囲気とされている。
【００６４】
時刻ｔ11において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によってＷｐ11に設定されると、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」からＷｐ11に向かって徐々に増加する。これにより、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排出されるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは、値Ｐ11から徐々に低下して減圧雰囲気となる。
【００６５】
続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ13となる時刻ｔ12において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが「ゼロ」に設定されるとともに、バルブ１４５およびバルブ１４６が開放される。そして、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けて吐出される有機溶剤の蒸気の単位時間あたりの供給量Ｖｐは、「ゼロ」から徐々に増加して値Ｖｐ11となる。
【００６６】
なお、吐出ノズル１４１から吐出される有機溶剤の蒸気は、吐出ノズル１４１の下方に配置された拡散板１２０上にほぼ均一に分布して多数設けられた貫通孔１２１を介して基板Ｗに到達する。これにより、有機溶剤の蒸気は、拡散板１２０によって拡散されるため、基板Ｗに対して有機溶剤の蒸気を均等に供給することができ、基板Ｗ付近を有機溶剤の蒸気を含む雰囲気とすることができる。また、ポンプ１５３の出力を「ゼロ」とし、収容器内雰囲気１１０に対して有機溶剤の蒸気の供給を開始する時点における圧力Ｐ13は、基板Ｗの乾燥時間やポンプ１５３の排気能力に応じて決定される値であり、実験等により予め求めておく。
【００６７】
有機溶剤の蒸気が供給されて収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ12となる時刻ｔ13において、バルブ１４５およびバルブ１４６が閉鎖されるとともに、収容器内雰囲気１１０に対する有機溶剤の蒸気の供給が停止されて、収容器内雰囲気１１０の圧力が一定値Ｐ12に保持される。すなわち、時刻ｔ13からｔ14において、収容器内雰囲気１１０には、有機溶剤の蒸気およびプロセスガスが供給されず、また、ポンプ１５３の出力Ｗが「ゼロ」に設定されており、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排気されないため、収容器内雰囲気１１０の圧力は、大気圧よりも低い一定値Ｐ12に保持される。
【００６８】
これにより、収容器１０５内の上部から下部に向かって流れる気流を抑制することができる。そのため、基板Ｗ付近の有機溶剤の蒸気を含む雰囲気が気流によって揺らぐことなく安定して存在することができる。その結果、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗ上に形成された微細パターンのライン間およびホール内部やレジスト膜の内部に侵入した水分と有機溶剤の蒸気との置換効率をさらに向上させ、乾燥効率を向上させることができる。
【００６９】
なお、収容器内雰囲気１１０の圧力を大気圧よりも低い一定値Ｐ12に保持する時間Ｔ1（時刻ｔ13から時刻ｔ14までの時間）は、基板Ｗの材料や、収容器内雰囲気１１０の圧力等によって定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【００７０】
続いて、時刻ｔ13から時間Ｔ1だけ経過した時刻ｔ14において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によってＷｐ11に設定されると、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｗｐ11となる。これにより、収容器内雰囲気１１０に含まれる有機溶剤の蒸気および水分の蒸気は、ポンプ１５３によって排気ドレインに排出される。
【００７１】
さらに、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ13となる時刻ｔ15において、ポンプ１５３の出力ＷｐをＷｐ11に保持した状態でバルブ１３５が開放される。これにより、収容器内雰囲気１１０に供給されるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐが、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｖｐ11となる。そのため、収容器内雰囲気１１０に含まれる有機溶剤の蒸気および水分の蒸気は、プロセスガスと置換されて排気ドレイン１５７に排出される。
【００７２】
続いて、収容器内雰囲気１１０の有機溶剤の蒸気がほぼ排気ドレイン１５７に排出された時刻ｔ16において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によって「ゼロ」に設定され、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、Ｗｐ11から徐々に減少して「ゼロ」となる。これにより、収容器内雰囲気１１０の圧力は、急激に増加する。続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ14となる時刻ｔ17においてバルブ１３５が閉鎖されてプロセスガスの供給が停止される。そして、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐが大気圧とほぼ等しい値Ｐ11となる時刻ｔ18において乾燥処理ユニット１００による乾燥処理が完了する。
【００７３】
乾燥処理ユニット１００での乾燥処理が完了すると、基板処理が全て完了するので当該処理済みの基板Ｗは搬出部１３に向って搬送される。具体的には、まず、加熱プレート１１２に立設されたの支持ピン１１１を上昇させ、昇降機構１１６によって上部蓋１１５を矢印ＡＲ１方向に上昇させるとともに（図４参照）、シャッター５９が開放される。そして、搬送ユニット５６によって支持ピン１１１に支持された基板Ｗが乾燥処理ユニット１００から搬出される。次に、基板Ｗを受け取った搬送ユニット５６は受渡し台４９に当該基板Ｗを載置する。
【００７４】
続いて、搬送ユニット２６は受渡し台４９上に載置された処理済の基板Ｗを持ち出し、受渡し台１９に載置する。受渡し台１９に載置された処理済の基板Ｗは搬入搬出機構１７によって持ち出され、搬出部１３に載置されているキャリアＣに搬入される。そして、搬出部１３に載置されたキャリアＣは、図示を省略する搬送機構によって基板処理装置１外に搬出される。
【００７５】
なお、受渡し台１９および受渡し台４９は、例えば多段の載置台など、複数の基板載置手段によって構成すれば、処理済みの基板Ｗと未処理の基板Ｗとを同時にインターフェース４０に存在させることができるため、スループットの低下を防止できる。
【００７６】
＜１．４．第１の実施の形態における基板処理装置の利点＞
第１の実施の形態の収容器内雰囲気１１０では、ポンプ１５３によって収容器１０５内の雰囲気を減圧雰囲気としつつ、収容器１０５に配置された基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を供給することができる。そのため、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗに形成された微細構造、すなわち微細パターンのライン間やホール内部およびレジスト膜の内部に侵入した水分も、確実に有機溶剤の蒸気と置換し、基板Ｗを乾燥することができる。
【００７７】
また、吐出ノズル１４１と基板Ｗとの間に拡散板１２０を設けることにより、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けて吐出される有機溶剤の蒸気は、拡散板１２０上に設けられた貫通孔１２１によって拡散されて基板Ｗに到達する。そのため、拡散板１２０を設けない場合と比較して有機溶剤の蒸気を効率的に拡散することができ、基板Ｗ付近に均等に有機溶剤の蒸気を供給することができる。
【００７８】
また、本実施の形態の乾燥処理では、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気にして、基板Ｗ付近に有機溶剤の蒸気を供給し、続いて、ポンプ１５３の出力Ｗｐを「ゼロ」にするとともに、収容器内雰囲気１１０に対する有機溶剤の蒸気の供給を停止して収容器内雰囲気１１０の圧力を一定値Ｐ１２に保持する。これにより、基板Ｗ付近に有機溶剤の蒸気を安定して存在させることができる。そのため、基板Ｗ上に形成された微細パターンのライン間およびホール内部やレジスト膜の内部に侵入した水分と有機溶剤の蒸気とをさらに効率的に置換し、乾燥効率を向上させることができる。
【００７９】
＜２．第２の実施の形態＞
第２の実施の形態では、基板処理装置１を使用し、（１）除去処理部２０において基板Ｗに処理液（除去液、純水）を供給することによって基板Ｗに付着したポリマ残渣を除去し、続いて、（２）乾燥処理部５０において、減圧雰囲気下にて基板Ｗを加熱することによって基板Ｗ表面の水分を乾燥させている。すなわち、第２の実施の形態の基板処理は、第１の実施の形態と比較して、乾燥処理部５０において実施される乾燥処理が異なるのみで、ハードウェア構成および除去処理部２０で実施されるポリマ残渣を除去処理は、第１の実施の形態のものと同様である。そこで、本実施の形態では、この相違点を中心に説明する。
【００８０】
＜２．１．乾燥処理手順＞
ポリマ除去処理が完了した後、搬送ユニット２６、受渡し台４９および搬送ユニット５６を介して収容器１０５内に基板Ｗが支持されると、収容器１０５内において加熱プレート１１２による基板Ｗの乾燥処理が実行される。
【００８１】
図６は、本実施の形態の乾燥工程における冷却ガスの供給量、加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。図６(a)〜(e)の横軸は、時刻ｔに対応し、図６(a)の縦軸は、各時刻ｔにおける冷却ガスの単位時間あたりの供給量Ｖｃに、図６(b)の縦軸は、各時刻ｔにおける加熱プレート１１２の出力（電力）Ｗｈに、図６(c)の縦軸は、各時刻ｔにおけるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐに、図６(d)の縦軸は各時刻ｔにおけるポンプ１５３の出力Ｗｐに、図６(e)の縦軸は各時刻ｔにおける収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐにそれぞれ対応する。
【００８２】
乾燥処理が開始される時刻ｔ21より前の時点において、ポンプ１５３の出力値Ｗｐは「ゼロ」であるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは大気圧とほぼ等しい値Ｐ21となる。また、加熱プレート１１２の出力値Ｗｈは、「ゼロ」に設定されている。また、バルブ１３５は閉鎖されているため、プロセスガスの供給量Ｖｐは「ゼロ」である。さらに、収容器１０５内はプロセスガス雰囲気とされている。
【００８３】
時刻ｔ21において、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」からＷｐ21に向かって徐々に増加する。これにより、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排出されるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは、値Ｐ21から徐々に低下して減圧雰囲気となる。また、時刻ｔ21において、制御部９０によって加熱プレート１１２の出力値Ｗｈが、Ｗｈ21に設定される。これにより、加熱プレート１１２の出力値Ｗｈは、「ゼロ」からＷｈ21に向かって徐々に増加し、加熱プレート１１２の上面が昇温する。そのため、加熱プレート１１２の上面から基板Ｗの裏面に向けて熱移動が生じ、基板Ｗ温度が上昇する。
【００８４】
なお、本実施の形態では、特に基板Ｗに配線と絶縁膜を形成する工程（以下、「バックエンド工程」とも呼ぶ）での乾燥処理を対象としている。そのため、シリコン層にトランジスタやコンデンサ等の回路素子を形成する工程（以下、基板上に配線層を形成する工程と、それ以降の工程の総称として「フロントエンド工程」とも呼ぶ）のように基板Ｗを加熱して乾燥してもウォータマークの影響をほとんど受けず、良好に基板Ｗを乾燥することができる。
【００８５】
また、前述のように、乾燥工程が開始される時刻ｔ21より前の時点において、収容器１０５内には不活性なプロセスガスが供給され、収容器内雰囲気１１０の酸素はプロセスガスと置換されている。すなわち、収容器内雰囲気１１０には、低酸素雰囲気が形成されている。そのため、基板Ｗ温度が昇温しても基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【００８６】
また、本実施の形態の乾燥工程において、基板Ｗの温度が摂氏３００度より高くになると、低酸素雰囲気であっても基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化することが知られている。そのため、本実施の形態では、基板Ｗを加熱して乾燥させる際、基板Ｗの温度は、純水の沸点より高い摂氏２００度から低酸素雰囲気であっても配線パターンが酸化する温度よりも低い摂氏３００度までの範囲内（好ましくは、摂氏２４０度から２６０度までの範囲内）としている。
【００８７】
続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ22となる時刻ｔ22において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが「ゼロ」に設定される。これにより、収容器内雰囲気１１０が収容器１０５の外部に排出されるのが停止されて収容器内雰囲気１１０の圧力が一定値Ｐ22に保持される。
【００８８】
すなわち、時刻ｔ22からｔ24において、収容器内雰囲気１１０にはプロセスガスが供給されず、また、収容器内雰囲気１１０は排気ドレイン１５７に排出されないため、収容器内雰囲気１１０の圧力は、大気圧よりも低い一定値Ｐ22に保持される。また、時刻ｔ22からｔ24において、基板Ｗは加熱され続ける。これにより、収容器１０５内の上部から下部に向かって流れる気流を抑制することができる。
【００８９】
そのため、基板Ｗ付近の雰囲気がゆらぐことを防止し、加熱プレート１１２から基板Ｗへの熱移動を良好に行うことができる。その結果、基板Ｗを効率的に加熱することができ、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗ上に形成された微細パターンのライン間およびホール内部やレジスト膜の内部に侵入した水分をも効率的に乾燥することができる。
【００９０】
なお、収容器内雰囲気１１０の圧力を一定値Ｐ22に保持する時間Ｔ2（時刻ｔ22から時刻ｔ24までの時間）は、基板Ｗの材料や収容器内雰囲気１１０の圧力等によって定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【００９１】
続いて、時刻ｔ22から時間Ｔ2だけ経過した時刻ｔ24において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によってＷｐ21に設定されると、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｗｐ21となる。これにより、収容器内雰囲気１１０に含まれる水分の蒸気は、ポンプ１５３によって排気ドレインに排出され続ける。
【００９２】
さらに、基板Ｗから水分の蒸発が完了した時刻ｔ25において、ポンプ１５３の出力ＷｐをＷｐ21に保持した状態で、図２に示すバルブ１３５が開放される。これにより、収容器内雰囲気１１０に供給されるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐは、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｖｐ21となる。そのため、収容器内雰囲気１１０に含まれる水分の蒸気は、プロセスガスと置換されて排気ドレイン１５７に排出され続ける。
【００９３】
また、時刻ｔ25において、冷却ガス供給源１６７に連通されるバルブ１６５が開放されるとともに、加熱プレート１１２の出力Ｗｈが制御部９０によって「ゼロ」に設定される。これにより、冷却ガスの単位時間あたりの供給量Ｖｃが「ゼロ」から徐々に増加してＶｃ21になるとともに、加熱プレート１１２の出力ＷｈがＷｈ21から徐々に減少して「ゼロ」になる。そのため、基板Ｗの加熱を停止するとともに基板Ｗに対して冷却ガスを吐出することができ、基板Ｗを冷却することができる。また、収容器内雰囲気１１０には、化学的に不活性なプロセスガスおよび冷却ガスが満たされており低酸素雰囲気が形成されている。そのため、基板Ｗを加熱する場合と同様に、基板Ｗを冷却する場合も、基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【００９４】
続いて、収容器内雰囲気１１０の水分の蒸気がほぼ排気ドレイン１５７に排出された時刻ｔ26において、ポンプ１５３の出力Ｗｐは制御部９０によって「ゼロ」に設定され、ポンプ１５３の出力ＷｐはＷｐ21から徐々に減少して「ゼロ」になる。これにより、収容器内雰囲気１１０の圧力が急激に増加する。続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ24となる時刻ｔ27においてバルブ１３５が閉鎖されてプロセスガスの供給が停止される。そして、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐが大気圧とほぼ同一な値Ｐ21となる時刻ｔ28において、乾燥処理ユニット１００による乾燥処理が完了する。
【００９５】
乾燥処理ユニット１００での乾燥処理が完了すると、基板処理がすべて完了するため、当該処理済みの基板Ｗは搬出部１３に向かって搬送される。具体的には、図４に示すように、加熱プレート１１２に立設された支持ピン１１１を上昇させ、昇降機構１１６によって上部蓋１１５を矢印ＡＲ１方向に上昇させるとともに、シャッター５９を開放する。次に、支持ピン１１１に支持された基板Ｗが、搬送ユニット５６によって乾燥処理ユニット１００から搬出される。乾燥処理ユニット１００から搬出された処理済みの基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、受渡し台４９、搬送ユニット２６、受渡し台１９、搬入搬出機構１７を介して、搬出部１３に載置されているキャリアＣに搬入される。そして、基板処理が終了した基板Ｗを配置するキャリアＣは、図示を省略する搬送機構によって基板処理装置１外に搬出される。
【００９６】
＜２．２．第２の実施の形態における基板処理装置の利点＞
第２の実施の形態では、収容器１０５内の酸素をプロセスガスによって置換した雰囲気を、ポンプ１５３によって減圧することにより、減圧された低酸素雰囲気にて基板Ｗを加熱して乾燥することができる。そのため、加熱によって基板Ｗ温度が昇温しても、基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。また、同様に低酸素雰囲気にて基板Ｗを冷却することができるため、昇温した基板Ｗを冷却する際も、基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【００９７】
＜３．第３の実施の形態＞
ここでは、第３の実施の形態における基板処理装置５００について説明する。図７は、本発明の第３の実施の形態におけるおける基板処理装置５００の全体構成を模式的に示す正面図である。図８は、第３の実施の形態における乾燥処理ユニット１００および冷却処理ユニット２００を模式的に示す上面図である。図９から図１１は、図８に示す乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットをＶ−Ｖ線から見た断面を示す図である。
【００９８】
第３の実施の形態における基板処理装置５００は、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様に、基板Ｗに付着したポリマー残渣を除去する装置である。図７から図１１に示すように、第３の実施の形態における基板処理装置５００のハードウェア構成は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、後述するように、乾燥処理部５０において乾燥処理ユニット１００に加えて冷却処理ユニット２００が追加され、加熱処理と冷却処理とがそれぞれ別の処理ユニットで実施される点で相違するが、それ以外の点では、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様である。そこで、本実施の形態では、第１の実施の形態のハードウェア構成との相違点、すなわち乾燥処理部５０に追加された冷却処理ユニット２００を中心に説明する。
【００９９】
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施の形態では説明を省略する。
【０１００】
＜３．１．乾燥処理部の構成＞
乾燥処理部５０は、図７に示すように、インターフェース４０に隣接して設けられ、基板Ｗを加熱して乾燥する２つの乾燥処理ユニット１００と、基板Ｗを冷却ガスによって冷却する２つの冷却処理ユニット２００と、乾燥処理ユニット１００および冷却処理ユニット２００に対して基板Ｗを授受する搬送ユニット５６とを有している。
【０１０１】
ここで、基板処理装置５００における基板Ｗの流れに関してインデクサ１０を上流側、乾燥処理部５０を下流側と呼ぶことにすると、乾燥処理ユニット１００および冷却処理ユニット２００は、インデクサ１０のキャリアＣの並び方向と直交する方向において、上流側に乾燥処理ユニット１００が、下流側に冷却処理ユニット２００が並ぶことでユニットの列を形成し、このユニットの列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、これらユニットの列と列との間に挟み込まれた搬送路ＴＰ２に搬送ユニット５６が配置されている。
【０１０２】
本実施の形態の乾燥処理ユニット１００では、第２の実施の形態と同様に、減圧雰囲気下にて基板Ｗを加熱することによって基板が乾燥される。処理室５１は、処理室５１内の雰囲気と外部とを遮断する密閉構造を有している。図７および図８に示すように、処理室５１の搬送路ＴＰ２側の壁面には、シャッター５９が、処理室５１の冷却処理ユニット２００側の壁面にはシャッター５８が、それぞれ設けられている。
【０１０３】
ここで、シャッター５９は、搬送ユニット５６によって処理室５１内に基板Ｗを搬入する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。また、シャッター５８は、後述するように、乾燥処理ユニット１００において基板Ｗの加熱処理が終了した後、乾燥処理ユニット１００から冷却処理ユニット２００に対して基板Ｗを搬出する場合には、図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。
【０１０４】
また、冷却処理ユニット２００は、図８、図９に示すように、主として、処理室６１と、処理室６１の内側に配置されて冷却処理を実施する収容器２０５と、収容器２０５内の雰囲気（以下、「収容器内雰囲気２１０」とも呼ぶ）を収容器２０５外に排出して収容器内雰囲気２１０を減圧雰囲気とするポンプ２５３と、収容器２０５内に配置され、基板Ｗを冷却する冷却プレート２１２とから構成されている。
【０１０５】
処理室６１は、処理室６１内の雰囲気と外部とを遮断する密閉構造を有しており、当該処理室６１内の雰囲気が乾燥処理ユニット１００、搬送路ＴＰ２、およびインターフェース４０に漏出することを防止できる。また、処理室６１の乾燥処理ユニット１００側の壁面にはシャッター６８が設けられており、処理室６１の搬送路ＴＰ２側の壁面には、シャッター６９が設けられている。
【０１０６】
ここで、シャッター６８は、乾燥処理ユニット１００において基板Ｗの加熱処理が完了した後に、乾燥処理ユニット１００から冷却処理ユニット２００に基板Ｗを搬出する場合には、図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。また、シャッター６９は、冷却処理ユニット２００において後述する基板Ｗの冷却処理が完了した後に、搬送ユニット５６によって処理室６１外に基板Ｗを搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。
【０１０７】
また、冷却処理ユニット２００の内側空間と乾燥処理ユニット１００の内側空間とは、図１０に示すように、処理室５１に設けられたシャッター５８と処理室６１に設けられたシャッター６８とを開放することにより、開口部２６０を介して連続した空間となる。したがって、シャッター５８とシャッター６８とを同時に開放した状態にすることにより、後述する搬送ユニット６６によって乾燥処理ユニット１００と冷却処理ユニット２００との間で基板Ｗを授受することができる。
【０１０８】
収容器２０５は、処理室６１の内側に設けられており、その内部で冷却処理が実施される。図９に示すように、収容器２０５は、上部蓋２１５とベース部２１７とから構成されている。上部蓋２１５は、その下部に開口部を有する略円筒状の部材である。また、上部蓋２１５は、昇降機構２１６と接続されており、当該開口部の高さがベース部２１７の上面位置と略同一となる位置を下端位置として上下方向に昇降可能に設けられている。
【０１０９】
さらに、ベース部２１７と上部蓋２１５とが接触する部分には図示を省略する密閉機構が設けられている。これにより、上部蓋２１５の内面とベース部２１７とによって囲まれる空間の雰囲気（以下、「収容器内雰囲気」とも呼ぶ）２１０は、処理室６１内の雰囲気から密閉される。したがって、昇降機構２１６によって上部蓋２１５を下端位置まで下降させて当該密閉機構によって収容器内雰囲気２１０を密閉するとともに、後述するポンプ２５３によって収容器内雰囲気２１０を外部に排出することによって、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とすることができる。
【０１１０】
冷却プレート２１２は、ベース部２１７上に固定して設けられた略円柱状の部材である。冷却プレート２１２の上面には、複数（具体的には３以上）の支持ピン２１１が立設されており、基板Ｗは当該複数の支持ピン２１１に支持されることによって静置して保持される。この複数の支持ピン２１１は、図示を省略する昇降機構によって各支持ピン２１１の上端位置が略同一高さとなるように連動して上昇・下降可能に設けられている。したがって、上部蓋２１５を上昇させるとともに、支持ピン２１１を上昇させて基板Ｗを受渡し位置まで上昇させることによって、冷却プレート２１２と後述する搬送ユニット６６との間で基板Ｗの授受を行うことができる（図１１参照）。
【０１１１】
また、冷却プレート２１２によって基板Ｗを冷却する際には、支持ピン２１１を下降させる、これにより、冷却プレート２１２の上面と基板Ｗと裏面を近接、または接触させることができる。そのため、基板Ｗから冷却プレート２１２に向かって熱の移動が生じて基板Ｗを冷却することができる。
【０１１２】
また、冷却プレート２１２の内部には、冷却管２１２ａが配設されている。図１２に示すように、冷却管２１２ａは、その表面積を増加させるため、冷却プレート２１２の内部を複数回折り返すように蛇行して配設されている。また、冷却管２１２ａの一端は、配管２１８ａおよびバルブ２１９ｃを介して冷却媒体供給源２１９ａに連通されている。また、冷却管２１２ａの他端は、配管２１８ｂを介して排液ドレイン２１９ｂに連通されている。そのため、バルブ２１９ｃを開放することによって、冷却管２１２ａに冷却媒体を供給することができる。そのため、冷却管２１２ａに供給された冷却媒体が冷却プレート２１２の上面を介して基板Ｗと熱交換（基板Ｗから冷却媒体への熱移動）することができ、基板Ｗの冷却することができる。そして、熱交換に使用された冷却媒体は、冷却管２１２ａから排液ドレイン２１９ｂに排出される。
【０１１３】
なお、本実施の形態では、冷却媒体として水を使用しているが、これに限定されるものでなく、熱伝導の高い流体であれば他のものであっても良い。また、図１２では、冷却管２１２ａにおいて熱交換に使用された冷却媒体は排液ドレイン２１９ｂに排出されているが、これに限定されるものでなく、配管２１８ｂから排出された冷却媒体を基板Ｗを冷却するのに必要とされる温度まで冷却し、再度、冷却管２１２ａに供給して冷却処理に使用してもよい。さらに、冷却プレート２１２では、上述のように冷却構造として冷却媒体を冷却管２１２ａに供給する構造を採用しているが、ペルチェ素子などを利用してもよい。
【０１１４】
また、略円筒形状を有する上部蓋２１５の軸心付近であって、当該上部蓋２１５の内側上部付近には、基板Ｗに向けてプロセスガスを吐出する吐出ノズル２３１が設けられている。図９に示すように、吐出ノズル２３１は、配管２３２およびバルブ２３５を介してプロセスガス供給源２３７に連通されている。そのため、バルブ２３５を開放することによって収容器２０５内にプロセスガスを供給することができ、収容器内雰囲気２１０をプロセスガス雰囲気とすることができる。なお、本実施の形態では、プロセスガスとして窒素ガスを使用しているが、化学的に安定なガス（不活性ガス）であれば、ヘリウムガスやアルゴンガスを使用してもよい。
【０１１５】
ベース部２１７には、図９に示すように、２つの排気口２５１が設けられている。そして、これら排気口２５１は、配管２５２、ポンプ２５３およびバルブ２５５を介して排気ドレイン２５７と連通接続されている。したがって、収容器２０５内を密閉状態にするとともに、バルブ２５５を開放しつつポンプ１５３を動作させ、収容器内雰囲気２１０を収容器２０５外部に排出することによって、収容器内雰囲気１１０を減圧雰囲気とすることができる。
【０１１６】
図８、図９に示すように、処理室６１内のシャッター６８と収容器２０５との間には、基板Ｗを搬送する搬送ユニット６６が配設されている。搬送ユニット６６は、乾燥処理ユニット１００の収容器１０５と冷却処理ユニット２００の収容器２０５との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットである。
【０１１７】
搬送ユニット６６のアーム６７ａは、アーム支持部６７ｂの上部に取り付けられ、図示を省略する回転機構によって軸Ｊを中心に矢印ＡＲ４方向に回転することができる。また、アーム６７ａは、軸Ｊからアーム６７ａの先端方向（矢印ＡＲ３方向）に伸縮自在に設けられている。そのため、シャッター５８、６８を開放するとともに、アーム６７ａを回転および伸縮されることによって、乾燥処理ユニット１００の収容器１０５と冷却処理ユニット２００の収容器２０５との間で基板Ｗを搬送することができる。
【０１１８】
＜３．２．基板処理手順＞
ここでは、本実施の形態の基板処理装置５００によって基板Ｗに付着したポリマー残渣を除去する基板処理の手順について説明する。基板処理装置５００による処理は、主として、（１）除去処理部２０において、基板Ｗに付着したポリマ残渣を除去する除去工程と、（２）乾燥処理部５０の乾燥処理ユニット１００において基板Ｗを加熱する加熱工程と、（３）乾燥処理部５０の冷却処理ユニット２００において基板Ｗを冷却する冷却工程とから構成される。
【０１１９】
なお、除去処理部２０における除去工程は、第１の実施の形態において説明済みである。そこで、本実施の形態では、乾燥処理部５０における加熱工程および冷却工程について説明する。
【０１２０】
除去処理部２０におけるポリマ除去処理が完了した基板Ｗは、搬送ユニット２６によって受渡し台４９に載置される。そして、当該基板Ｗは搬送ユニット５６によって受渡し台４９から持ち出され、いずれかの乾燥処理ユニット１００に搬入される。すなわち、乾燥処理ユニット１００において、処理室５１のシャッター５９が開放されるとともに、収容器１０５の上部蓋１１５を昇降機構１１６によって矢印ＡＲ１方向に上昇させることによって、搬送ユニット５６から上昇した状態の支持ピン１１１に基板Ｗが支持される（図４参照）。そして、シャッター５９を閉鎖するとともに、上部蓋１１５を下降させて収容器１０５内の気密性を確保する。
【０１２１】
収容器１０５内に基板Ｗが支持されると、第２の実施の形態と同様に、収容器１０５内において加熱プレート１１２による基板Ｗの乾燥処理が実行される。
【０１２２】
図１３は、本実施の形態の加熱工程における加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。図１３(a)〜(d)の横軸は、時刻ｔに対応し、図１３(a)の縦軸は、各時刻ｔにおける加熱プレート１１２の出力（電力）Ｗｈに、図１３(b)の縦軸は、各時刻ｔにおけるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐに、図１３(c)の縦軸は各時刻ｔにおけるポンプ１５３の出力Ｗｐに、図１３(d)の縦軸は各時刻ｔにおける収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐにそれぞれ対応する。
【０１２３】
乾燥処理を開始する時刻ｔ31より前の時点において、ポンプ１５３の出力値Ｗｐは「ゼロ」であるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは大気圧とほぼ等しい値Ｐ３１となる。また、加熱プレート１１２の出力値Ｗｈは、一定値Ｗｈ31に設定されている。さらに、バルブ１３５は閉鎖されているため、プロセスガスの供給量Ｖｐは「ゼロ」である。さらに、収容器１０５内はプロセスガス雰囲気とされている。
【０１２４】
時刻ｔ31において、ポンプ１５３の基板Ｗｐは、「ゼロ」からＷｐ31に向かって徐々に増加する。これにより、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排出されるため、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐは、値Ｐ31から徐々に低下して減圧雰囲気となる。
【０１２５】
また、時刻ｔ31において、制御部９０によって加熱プレート１１２の出力値Ｗｈが、Ｗｈ31に設定される。これにより、加熱プレート１１２の出力値Ｗｈは、「ゼロ」からＷｈ31に向かって徐々に増加し、加熱プレート１１２の上面が昇温する。そのため、加熱プレート１１２の上面から基板Ｗの裏面に向けて熱移動が生じ、基板Ｗ温度が上昇する。
【０１２６】
なお、本実施の形態では、第２の実施の形態と同様に、バックエンド工程での乾燥処理を対象としている。そのため、基板Ｗを加熱して乾燥してもウォータマークの影響をほとんど受けず、良好に基板Ｗを乾燥することができる。
【０１２７】
また、第２の実施の形態と同様に、乾燥工程が開始される時刻ｔ31より前の時点において、収容器１０５内には不活性なプロセスガスが供給され、収容器内雰囲気１１０の酸素はプロセスガスと置換されて、収容器内雰囲気１１０には低酸素雰囲気が形成されている。そのため、基板Ｗ温度が昇温しても基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【０１２８】
さらに、第２の実施の形態と同様に、基板Ｗを加熱して乾燥させる際、基板Ｗの温度は、純水の沸点より高い摂氏２００度から、低酸素雰囲気であっても配線パターンが酸化する温度よりも低い摂氏３００度までの範囲内（好ましくは、摂氏２４０度から２６０度までの範囲内）としている。
【０１２９】
続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ32となる時刻ｔ32において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが「ゼロ」に設定される。これにより、収容器内雰囲気１１０が収容器１０５の外部に排出されるのが停止されて収容器内雰囲気１１０の圧力が一定値Ｐ32に保持されつつ、加熱プレート１１２の出力Ｗｈは、一定値Ｗｈ31に保持される。
【０１３０】
すなわち、時刻ｔ32からｔ34において、収容器内雰囲気１１０にはプロセスガスが供給されず、また、ポンプ１５３の出力Ｗが「ゼロ」に設定されており、収容器内雰囲気１１０は、排気ドレイン１５７に排出されないため、収容器内雰囲気１１０の圧力は、一定値Ｐ32に保持される。また、時刻ｔ32からｔ34において、基板Ｗは加熱され続ける。これにより、収容器１０５内の上部から下部に向かって流れる気流を抑制することができる。
【０１３１】
そのため、第２の実施の形態と同様に、基板Ｗ付近の雰囲気がゆらぐことを防止し、加熱プレート１１２から基板Ｗへの熱移動を良好に行うことができる。その結果、基板Ｗを効率的に加熱することができ、基板Ｗ上に付着した水分だけでなく、基板Ｗ上に形成された微細パターンのライン間およびホール内部やレジスト膜の内部に侵入した水分をも効率的に乾燥することができる。
【０１３２】
なお、収容器内雰囲気１１０の圧力を一定値に保持する時間Ｔ3（時刻ｔ32から時刻ｔ34までの時間）は、基板Ｗの材料や収容器内雰囲気１１０の圧力等によって定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【０１３３】
続いて、時刻ｔ32から時間Ｔ3だけ経過した時刻ｔ34において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によってＷｐ31に設定されると、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｗｐ31となる。これにより、収容器内雰囲気１１０に含まれる水分の蒸気は、ポンプ１５３によって排気ドレインに排出される。
【０１３４】
さらに、基板Ｗから水分の蒸発が完了した時刻ｔ35において、ポンプ１５３の出力ＷｐをＷｐ31に保持した状態で、図９に示すバルブ１３５が開放される。これにより、収容器内雰囲気１１０に供給されるプロセスガスの単位時間あたりの供給量ＶＰが、「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｖｐ31となる。そのため、収容器内雰囲気１１０に含まれる水分の蒸気は、プロセスガスと置換されて排気ドレイン１５７に排出される。
【０１３５】
また、基板Ｗから水分の蒸発が完了した時刻ｔ35において、加熱プレート１１２の出力Ｗｈが制御部９０によって「ゼロ」に設定される。これにより、加熱プレート１１２の出力ＷｈがＷｈ31から徐々に減少して「ゼロ」になる。
【０１３６】
続いて、収容器内雰囲気１１０の有機溶剤の蒸気がほぼ排気ドレイン１５７に排出された時刻ｔ36において、ポンプ１５３の出力Ｗｐが制御部９０によって「ゼロ」に設定され、ポンプ１５３の出力Ｗｐは、Ｗ31から徐々に減少して「ゼロ」となる。これにより、収容器内雰囲気１１０の圧力は増加する。続いて、収容器内雰囲気１１０の圧力ＰがＰ34となる時刻ｔ37においてバルブ１３５が閉鎖されてプロセスガスの供給が停止される。そして、収容器内雰囲気１１０の圧力Ｐが値Ｐ32となる時刻ｔ38において、乾燥処理ユニット１００による乾燥処理が完了する。
【０１３７】
乾燥処理ユニット１００での乾燥処理が完了すると、加熱された基板Ｗは、搬送ユニット６６によって乾燥処理ユニット１００から冷却処理ユニット２００に搬送される。まず、搬送ユニット６６によって乾燥処理ユニット１００の処理室５１から基板Ｗが搬出される。すなわち、処理室５１のシャッター５８および処理室６１のシャッター６８が開放されて、処理室５１の内側空間と処理室６１の内側空間とが開口部２６０を介して連通する。
【０１３８】
次に、昇降機構１１６によって収容器１０５の上部蓋１１５が矢印ＡＲ１方向に上昇し、支持ピン１１１が上昇するとともに、搬送ユニット６６のアーム６７ａが回転および伸縮することによって、基板Ｗが加熱プレート１１２からアーム６７ａに授受される（図１０参照）。そして、処理室５１から搬送ユニット６６が処理室５１から退避すると、上部蓋１１５が下降するとともに、シャッター５８、６８が閉鎖される。
【０１３９】
続いて、搬送ユニット６６によって冷却処理ユニット２００の収容器２０５に基板Ｗが搬入される。すなわち、昇降機構２１６によって収容器２０５の上部蓋２１５が矢印ＡＲ２方向に上昇し、支持ピン２１１が上昇するとともに、搬送ユニット６６のアーム６７ａが回転および伸縮することによって、基板Ｗがアーム６７ａから冷却プレート２１２に授受される（図１１参照）。そして、上部蓋２１５の下方から搬送ユニット６６が退避すると、上部蓋２１５が下降し、上部蓋２１５とベース部２１７との接合部に配設された密閉機構（図示省略）によって収容器２０５が密閉される。
【０１４０】
続いて、支持ピン２１１が下降して基板の裏面と冷却プレート２１２の上面とが接触または近接（本実施の形態では接触）することによって基板Ｗの冷却工程が開始される。図１４は、冷却媒体供給源２１９ａ（図１２参照）から供給される冷却媒体の供給量およびプロセスガス供給源２３７（図９参照）から供給されるプロセスガスの供給量と、収容器内雰囲気２１０の圧力との関係を示したものである。図１４(a)〜(c)の横軸は、時刻ｔに対応し、図１４(a)の縦軸は各時刻ｔにおける冷却媒体の単位時間あたりの供給量Ｖｃに、図１４(b)の縦軸は各時刻ｔにおけるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐに、また、図１４(c)の縦軸は各時刻ｔにおける収容器内雰囲気２１０の圧力Ｐにそれぞれ対応する。
【０１４１】
なお、冷却処理を開始する時刻ｔ41より前の時点において、プロセスガス供給源２３７から供給されるプロセスガスを収容器内雰囲気２１０に供給するとともに、ポンプ２５３によって収容器内雰囲気２１０が排気ドレイン２５７に排出されている。これにより、収容器２０５内に存在していた酸素はプロセスガスと置換されて、収容器２０５内には、プロセスガスで満たされた減圧雰囲気（すなわち減圧された低酸素雰囲気）が形成されている。また、時刻ｔ41より前の時点において、バルブ２１９ｃは閉鎖されている。そのため、冷却プレート２１２の冷却管２１２ａには冷却媒体が供給されていない。
【０１４２】
時刻ｔ41において、バルブ２１９ｃが開放されて、冷却媒体供給源２１９ａから冷却管２１２ａに供給される冷却媒体の単位時間あたりの供給量Ｖｃが「ゼロ」からＶｃ41に向かって徐々に増加する。これにより、基板Ｗの熱は、冷却プレート２１２の上面を介して冷却管２１２ａに供給される冷却媒体に移動するため、基板Ｗは冷却される。また、時刻ｔ４１からｔ４５において、ポンプ２５３の出力Ｗｐは「ゼロ」であり、また、プロセスガス供給源２３７から収容器内雰囲気２１０に供給されるプロセスガスの単位時間あたりの供給量Ｖｐは「ゼロ」であるため、収容器内雰囲気２１０は、収容器２０５外部に排出されず、収容器内雰囲気２１０の圧力は一定値Ｐ42に保持されている。
【０１４３】
これにより、収容器２０５の上部から下部に向かって流れる気流を抑制することができる。そのため、基板Ｗ付近の雰囲気がゆらぐことを防止して冷却プレート２１２から基板Ｗへの熱移動を良好に行うことができ、その結果、基板Ｗを効率的に冷却することができる。
【０１４４】
なお、収容器内雰囲気２１０の圧力を一定値Ｐ42に保持して基板Ｗを冷却する時間Ｔ4（時刻ｔ41からｔ45までの時間）は、基板Ｗの材料や収容器内雰囲気１１０の圧力等によって定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【０１４５】
また、本実施の形態では、前述のように、減圧された低酸素雰囲気にて加熱された基板Ｗを冷却している。そのため、基板Ｗ温度が高温であっても基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【０１４６】
次に、時刻ｔ41から時間Ｔ4だけ経過した時刻ｔ45において、バルブ２３５が開放される。これにより、収容器内雰囲気２１０に供給されるプロセスガスの単位時間当たりの供給量Ｖｐが「ゼロ」から徐々に増加して一定値Ｖｐ41となる。そのため、収容器内雰囲気１１０にプロセスガスが供給されて、収容器内雰囲気１１０の圧力が急速に増加する。
【０１４７】
続いて、収容器内雰囲気２１０の圧力ＰがＰ43となる時刻ｔ47において、バルブ２３５が閉鎖されることによって、収容器内雰囲気２１０に対するプロセスガスの供給が停止するとともに、バルブ２１９ｃが閉鎖されることによって冷却管２１２ａに対する冷却媒体の供給が停止する。そして、収容器内雰囲気２１０の圧力Ｐが大気圧とほぼ等しい値Ｐ41となる時刻ｔ48において冷却処理が完了する。
【０１４８】
冷却処理ユニット２００での冷却処理が完了すると、基板処理がすべて完了するため、当該処理済みの基板Ｗは搬出部１３に向かって搬送される。具体的には、昇降機構２１６によって上部蓋２１５を矢印ＡＲ２方向に上昇させ、冷却プレート２１２に立設されたの支持ピン２１１を上昇させることによって基板Ｗを上昇させるとともに、シャッター６９を開放する。
【０１４９】
次に、支持ピン２１１に支持された基板Ｗが、搬送ユニット５６によって冷却処理ユニット２００から搬出される。続いて、冷却処理ユニット２００から搬出された処理済みの基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、受渡し台４９、搬送ユニット２６、受渡し台１９、搬入搬出機構１７を介して、搬出部１３に載置されているキャリアＣに搬入される。そして、基板処理が終了した基板Ｗを配置するキャリアＣは、図示を省略する搬送機構によって基板処理装置１外に搬出される。
【０１５０】
＜３．３．第３の実施の形態における基板処理装置の利点＞
第３の実施の形態では、乾燥処理ユニット１００において、収容器内雰囲気１１０を減圧された低酸素雰囲気とし、基板Ｗを加熱して乾燥させるとともに、冷却処理ユニット２００において、収容器内雰囲気２１０を減圧された低酸素雰囲気とし、乾燥処理ユニット１００で加熱された基板Ｗを冷却する。そのため、基板Ｗを加熱および冷却する際に、基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【０１５１】
＜４．第４の実施の形態＞
続いて、第４の実施の形態における基板処理装置について説明する。なお、本実施の形態の基板処理装置のハードウェア構成は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、後述するように、乾燥処理部５０に含まれる搬送ユニット５６が冷却構造を有する点を除き、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様である。そこで、本実施の形態では、この相違点を中心に説明する。
【０１５２】
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施の形態では説明を省略する。
【０１５３】
＜４．１．乾燥処理部の構成＞
図１５は、第４の実施の形態の搬送ユニット５６が有するアーム５７ａの先端部５７ｃを模式的に示す上面図である。アーム５７ａは、第１の実施の形態で説明したように、アーム５７ａの長手方向に伸縮自在に設けられており、Ｚ軸と略平行な回転軸を中心に回転可能に設けられている。したがって、搬送ユニット５６は、アーム５７ａを回転および伸縮し、基板Ｗをアーム５７ａの先端部５７ｃの上面と接触して載置することによって、４つの乾燥処理ユニット１００のそれぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台４９に対して基板Ｗを授受することができる。なお、基板Ｗをアーム５７ａの先端部５７ｃに載置する際、図示を省略する吸着機構によって基板Ｗをアーム５７ａの先端部に真空吸着して保持してもよい。
【０１５４】
本実施の形態では、冷却媒体によって基板Ｗを冷却する冷却構造を採用している。アーム５７ａの先端部５７ｃの内部には、図１５に示すように、冷却管３３４が配設されている。冷却管３３４は、その表面積を増加させるため、アーム５７ａの先端部５７ｃの内部を複数回折り返すように蛇行して配設されている。また、冷却管３３４の一端は、配管３３２を介して冷却媒体供給源３３７に連通されており、他端は、配管３３３を介して排液ドレイン３３８に連通されている。そのため、冷却管３３４に冷却媒体を供給することによってアーム５７ａの先端部５７ｃの上面に載置された基板Ｗを効率的に冷却することができる。
【０１５５】
すなわち、蛇行して配設された冷却管３３４に供給された冷却媒体がアーム５７ａの先端部５７ｃの上面を介して基板Ｗと熱交換（基板Ｗから冷却媒体への熱移動）を行うことができる。また、熱交換に使用されて加温された冷却媒体は、冷却管３３４から排液ドレイン３３８に排出される。そのため、基板Ｗの冷却には加温されていない冷却媒体を使用することができ、基板Ｗを効率的に冷却することができる。
【０１５６】
なお、本実施の形態では、冷却媒体として水を使用しているが、これに限定されるものでなく、熱交換に適している流体であれば他のものであっても良い。また、本実施の形態において、アーム５７ａの先端部５７ｃの内部に配設された冷却管３３４には、その上面に基板Ｗが載置されているいないに関わらず、常に冷却媒体が供給されているが、これに限定されるものでなく、接触または非接触センサによってアーム５７ａの先端部５７ｃに基板Ｗが載置されたことが検知された場合に、冷却管３３４に対して冷却媒体を供給するようにしてもよい。
【０１５７】
また、図１５に示すように、冷却管３３４において熱交換に使用された冷却媒体は排液ドレイン２１９ｂに排出されて廃棄されているが、これに限定されるものでなく、配管３３３から排出された冷却媒体を基板Ｗを冷却するのに必要とされる温度まで冷却し、再度、冷却管３３４に供給して冷却処理に使用してもよい。さらに、アーム５７ａの先端部５７ｃでは、上述のように冷却構造として冷却媒体を冷却管３３４に供給する構造を採用しているが、ペルチェ素子などの電子的冷却素子を利用してもよい。
【０１５８】
また、図１５に示すように、アーム５７ａの先端部５７ｃには、基板Ｗの裏面の中心部付近と接触するように接触式の温度計３３５（例えば、測温抵抗体によって構成される温度計）が配置されている。これにより、基板Ｗの温度を正確にモニタリングすることができる。
【０１５９】
＜４．２．基板処理手順＞
ここでは、本実施の形態の基板処理装置によって基板Ｗに付着したポリマー残渣を除去する基板処理の手順について説明する。本実施の形態の基板処理は、主として、（１）除去処理部２０において、基板Ｗに付着したポリマ残渣を除去する除去工程と、（２）乾燥処理部５０の乾燥処理ユニット１００において基板Ｗを加熱する加熱工程と、（３）乾燥処理部５０の搬送ユニット５６に基板Ｗを載置して冷却する冷却工程とから構成される。
【０１６０】
なお、除去処理部２０における除去工程は、第１の実施の形態において説明済みである。また、乾燥処理部５０の乾燥処理ユニット１００における加熱工程は、第２の実施の形態において説明済みである。そこで、本実施の形態では、乾燥処理部５０の搬送ユニット５６における基板Ｗの冷却工程について説明する。
【０１６１】
乾燥処理ユニット１００にて乾燥処理が完了すると、加熱された基板Ｗは、搬送ユニット５６が有する冷却構造によって冷却される。冷却工程では、まず、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けてプロセスガスが吐出される。続いて、加熱プレート１１２に立設された支持ピン１１１を上昇させて基板Ｗを受渡し位置まで上昇させ、昇降機構１１６によって上部蓋１１５を矢印ＡＲ１方向に上昇させるとともに、シャッター５９が開放される。これにより、上部蓋１１５を上昇させても基板Ｗ付近の雰囲気をプロセスガス雰囲気に維持することができ、基板Ｗ付近を低酸素雰囲気とすることができる。
【０１６２】
次に、アーム５７ａを伸張することによって、アーム５７ａの先端部５７ｃを加熱プレート１１２の上方まで移動させる。そして、支持ピン１１１に支持された基板Ｗを、冷却媒体が供給され続けているアーム５７ａの先端部５７ｃの上面に載置する。これにより、加熱によって昇温した基板Ｗから冷却管３３４の冷却媒体に向けて熱移動が生じて基板Ｗの温度は急激に降温する。なお、このときも、基板Ｗに向けてプロセスガスが吐出され続けている。
【０１６３】
このように、本実施の形態では、アーム５７ａに設けられた冷却構造によって基板Ｗを冷却する際、基板Ｗ付近を低酸素雰囲気とすることができる。そのため、冷却時に基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。また、本実施の形態では、搬送ユニット５６によって基板Ｗを乾燥処理ユニット１００から搬出する作業とともに、基板Ｗを冷却することができる。すなわち、基板Ｗの搬出作業と冷却工程とを同時に実施することができる。そのため、基板処理全体としてサイクルタイムを減少することができる。
【０１６４】
続いて、温度計３３５によって基板Ｗが所定の温度になったことが検出されると、冷却された基板Ｗは、搬送ユニット５６から受渡し台４９に授受されて冷却処理を終了する。ここで、本実施の形態では、温度計３３５によって測定される基板Ｗの温度に基づいて冷却処理を行っているが、これに限定されるものでなく、例えば、一定時間だけ基板Ｗをアーム５７ａの先端部５７ｃに載置して冷却してもよい。なお、基板Ｗを冷却する時間は、基板Ｗの大きさや基板Ｗ上に形成された微細パターンの材料等により定まる値であり、予め実験等によって求めてもよい。
【０１６５】
そして、第１の実施の形態と同様に、受渡し台４９、搬送ユニット２６、受渡し台１９、搬入搬出機構１７を介して、搬出部１３に載置されているキャリアＣに搬入される。そして、基板処理が終了した基板Ｗを配置するキャリアＣは、図示を省略する搬送機構によって基板処理装置１外に搬出される。
【０１６６】
＜４．３．第４の実施の形態における基板処理装置の利点＞
第４の実施の形態では、乾燥処理ユニット１００において、収容器内雰囲気１１０を減圧された低酸素雰囲気として基板Ｗを加熱して乾燥させ、続いて、乾燥処理ユニット１００から基板Ｗを搬出する作業を行う際に、合わせて搬送ユニット５６に設けられた冷却構造によって基板Ｗを冷却することができるため、基板処理のサイクルタイムを低減することができる。
【０１６７】
また、第４の実施の形態では、低酸素雰囲気にて基板Ｗを冷却することができる。そのため、冷却処理時に基板Ｗ上に形成されたＡｌやＣｕ等の配線パターンに使用される金属が酸化されることを防止できる。
【０１６８】
＜５．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【０１６９】
（１）第１ないし第４の実施の形態において、基板Ｗを乾燥させる場合、（Ａ）減圧雰囲気にて基板Ｗに対して有機溶剤の蒸気を吐出して乾燥する乾燥処理と、（Ｂ）減圧雰囲気にて基板Ｗを加熱して乾燥する乾燥処理とのどちらか一方を使用して基板Ｗを乾燥させる手順について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、（Ｂ）の加熱による乾燥処理を施した後に、（Ａ）の有機溶剤の蒸気による乾燥処理を順次実施してもよいし、また、処理順序を入れ替えて、（Ａ）の乾燥処理を実施した後、（Ｂ）の乾燥処理を実施してもよい。
【０１７０】
（２）また、第１ないし第４の実施の形態において、プロセスガスを吐出する吐出ノズル１３１、２３１は、それぞれ収容器１０５および収容器２０５の内側上部に配設されているが、これに限定されるものでなく、上部蓋１１５および上部蓋２１５の下部に配設し、基板Ｗ上面付近にプロセスガスが供給されるようにしてもよい。
【０１７１】
（３）第１、第２および第４の実施の形態の除去処理ユニット３０、乾燥処理ユニット１００は平面的に配置されているが、これに限定されるものでなく、高さ方向（Ｚ軸方向）に積層して配置してもよい。また第３の実施の形態の除去処理ユニット３０、および乾燥処理ユニット１００と冷却処理ユニット２００とを１組とするユニット対も同様に、高さ方向に積層して配置してもよい。これにより、基板処理装置の床面積を縮小することができる。
【０１７２】
（４）第２および第４の実施の形態では、収容器１０５内および収容器２０５内の圧力（以下、「収容器内圧力」とも呼ぶ）を一定に保持して基板Ｗを冷却する際、予め実験等によって求めた時間だけ冷却し、続いて、収容器１０５内および収容器２０５内にプロセスガスを供給することによって収容器内圧力が大気圧と略同一となるようにしているが、これに限定されるものでなく、接触式の温度計や非接触式の温度計を使用して基板Ｗの温度を計測し、当該温度に基づいて、プロセスガスを供給するタイミングを決定してもよい。
【０１７３】
（５）第１の実施の形態において、吐出ノズル１４１から基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を吐出して、基板Ｗに付着した水分を有機溶剤の蒸気と置換することによって基板Ｗを乾燥させているが、これに限定されるものでなく、有機溶剤の蒸気を吐出する代わりに液体状の有機溶剤を霧状にして基板Ｗに吐出してもよい。
【０１７４】
（６）第２の実施の形態において、冷却ガス供給源１６７から供給される冷却ガスと、プロセスガス供給源１３７から供給されるプロセスガスとは、共通の吐出ノズル１３１から収容器１０５内に向けて供給されるが、これに限定されるものでない。例えば、吐出ノズル１３１、１４１の他に追加の吐出ノズルを設けてルを設け、吐出ノズル１３１からは冷却ガスが、また、当該他の追加の吐出ノズルからはプロセスガスがそれぞれ吐出されるようにしてもよい。
【０１７５】
（７）第３の実施の形態において、収容器２０５内に配置された吐出ノズル２３１と冷却プレート２１２上に支持された基板Ｗとの間に、第１の実施の形態で説明した拡散板１２０を配置してもよい。これにより、吐出ノズル２３１から吐出されるプロセスガスを拡散することができるため、収容器内雰囲気２１０を効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【０１７６】
（８）また、第３の実施の形態の乾燥処理部５０では、２つの乾燥処理ユニット１００と２つの冷却処理ユニット２００とにより構成されているが、乾燥処理ユニット１００および冷却処理ユニット２００の数が同数なら、それぞれのユニット数は２つに限定されない。
【０１７７】
（９）さらに、第３の実施の形態の冷却構造では、冷却工程が実施する場合には、冷却管２１２ａに対して冷却媒体を供給し、また、冷却工程が実施されていない場合には、冷却管２１２ａに対して冷却媒体を供給しない方式を採用しているが、これに限定されるものではない。例えば、冷却媒体を廃棄せず再利用する冷却構造を採用する場合には、第３の実施の形態のように、バルブ２１９ｃによって冷却管２１２ａに冷却媒体を供給するタイミングを制御することなく、常に冷却媒体を供給し続ける冷却方式を採用してもよい。このような構成を取ることにより、制御部９０の処理負担を軽減することができる。
【０１７８】
（１０）第４の実施の形態において、アーム５７ａの先端部５７ｃの内部に配設された冷却管３３４には、常に冷却媒体が供給されているが、これに限定されるものでなく、接触または非接触センサによってアーム５７ａの先端部５７ｃに基板Ｗが載置されたことが検知された場合に、冷却管３３４に対して冷却媒体を供給するようにしてもよい。
【０１７９】
（１１）また、第４の実施の形態において、アーム５７ａの先端部５７ｃに載置された基板Ｗの温度を測定する際、接触式の温度計が使用されているが、これに限定されるものでなく、非接触式の温度計（例えば、放射温度計）を使用してもよい。
【０１８０】
【発明の効果】
請求項１ないし請求項４に記載の発明によれば、収容器内を減圧雰囲気として基板付近に有機溶剤を含む雰囲気を形成することにより、基板上に形成されたライン間およびホール内部に入り込んだ純水や基板上に形成された膜の内部の純水が有機溶剤と置換する。そのため、目的にあわせて内部を効率的に乾燥することができる。
【０１８１】
特に、請求項２に記載の発明によれば、拡散板の表面に設けられた複数の貫通孔を通過した有機溶剤は、拡散して基板付近に到達する。そのため、基板付近をさらに効率的に有機溶剤の雰囲気とすることができる。
【０１８２】
また、請求項１ないし請求項３に記載の発明によれば、有機溶剤を吐出した後、一定時間、収容器内の圧力を略同一に保持することにより、基板上に形成されたライン間およびホール内部に入り込んだ純水や基板上に形成された膜の内部の純水と有機溶剤との置換効率を向上させることができるため、さらに効率的に基板を乾燥することができる。
【０１８３】
特に、請求項３に記載の発明によれば、有機溶剤が純水より表面張力が小さく、さらに蒸発潜熱の小さいイソプロピルアルコールであるため、効率的に基板を乾燥することができる。
【０１８４】
また、請求項４ないし請求項９に記載の発明によれば、第１の収容器内にプロセスガスを吐出しつつ減圧することにより、第１の保持手段に保持された基板を低酸素かつ減圧された雰囲気で基板を加熱して乾燥することができる。そのため、加熱する際に基板が酸化されることを防止しつつ、効率的に基板を乾燥することができる。
【０１８５】
特に、請求項５に記載の発明によれば、第１の収容器内において、加熱された基板を低酸素雰囲気にて冷却することができるため、冷却処理においても基板が酸化することを防止できる。
【０１８６】
特に、請求項６に記載の発明によれば、プロセスガス雰囲気とされた第１の収容器内にて、冷却ガスを基板に向けて吐出することによって基板を冷却することができる。そのため、冷却する際に基板が酸化されることを防止できる。
【０１８７】
特に、請求項７に記載の発明によれば、第１の搬送手段を第１の保持手段の付近に移動させ、基板を冷却することにより、低酸素雰囲気にて基板を冷却することができるため、冷却の際に基板が酸化されることを防止できる。
【０１８８】
特に、請求項８に記載の発明によれば、加熱された基板を減圧雰囲気とされた第２の収容器内にて冷却することができるため、冷却の際に基板が酸化されることを防止できる。
【０１８９】
特に、請求項９に記載の発明によれば、基板を摂氏２００度から摂氏３００度の範囲で加熱するため、加熱の際に基板上に形成された膜が酸化することを防止できる。
【０１９０】
また、請求項４ないし請求項９に記載の発明によれば、第１の収容器内を減圧し、一定時間、当該第１の収容器内の圧力を略同一にしつつ、基板を加熱することにより、基板上に形成されたライン間およびホール内部に入り込んだ純水や基板上に形成された膜の内部の水分を安定して蒸発することができるため、さらに効率的に基板を乾燥することができる。
【０１９１】
また、請求項１０に記載の発明によれば、（１）収容器内を減圧雰囲気とし、基板付近に有機溶剤を含む雰囲気を形成して基板を乾燥する処理と、（２）プロセスガス雰囲気として減圧するとともに、保持手段に保持された基板を減圧された収容器内にて加熱して乾燥する処理とを能動化させることができる。そのため、基板上に形成された膜の種類に応じて、それぞれの乾燥処理を選択することができきる。
【０１９２】
特に、請求項１１に記載の発明によれば、有機溶剤吐出手段と加熱手段とを排他的に能動化させることができる。そのため、有機溶剤が防爆性を有する場合であっても、安全に乾燥処理を実施することができる。
【０１９３】
さらに、請求項１２および請求項１３に記載の発明によれば、基板処理装置が請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の乾燥処理装置を備えているため、回転振切り手段によって洗浄液の振切りを済ませた後の基板を受け入れて、請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発明と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図２】第１の実施の形態における乾燥処理ユニットを模式的に示す正面図である。
【図３】第１の実施の形態における乾燥処理ユニットを模式的に示す正面図
【図４】第１の実施の形態における拡散板を模式的に示す上面図である。
である。
【図５】第１の実施の形態におけるイソプロピルアルコールの供給量、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における冷却ガスの供給量、加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングとチャンバ内雰囲気の圧力とを示す図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態における基板処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図８】第３の実施の形態における乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットを模式的に示す上面図である。
【図９】図８の乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットをＶ−Ｖ線から見た断面を示す図である。
【図１０】図８の乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットをＶ−Ｖ線から見た断面を示す図である。
【図１１】図８の乾燥処理ユニットおよび冷却ユニットをＶ−Ｖ線から見た断面を示す図である。
【図１２】第３の実施の形態における冷却プレートを模式的に示す上面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態における加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態における加熱プレートの出力、プロセスガスの供給量およびポンプの出力の制御タイミングと収容器内雰囲気の圧力とを示す図である。
【図１５】本発明の第４の実施の形態における搬送ユニットのアームを模式的に示す上面図である。
【符号の説明】
１、５００ 基板処理装置
１０ インデクサ
２０ 除去処理部
４０ インターフェース
５０ 乾燥処理部
５１、６１ 処理室
５８、５９、６８、６９ シャッター
９０ 制御部
１００ 乾燥処理ユニット
１１２ 加熱プレート
１２０ 拡散板１２０
１４７ 有機溶媒供給源
１５３、２５３ ポンプ
１６７ 冷却ガス供給源
２００ 冷却処理ユニット
２１２ 冷却プレート
２６０ 開口部
３３７ 冷却媒体供給源
Ｃ カセット
Ｗ 基板
Claims (13)
- 表面に付着した洗浄液を回転運動によって振切った後の基板を乾燥させる乾燥処理装置であって、
(a) 収容器と、
(b) 前記収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する保持手段と、
(c) 前記収容器内に有機溶剤を吐出して、前記基板付近に有機溶剤を含む雰囲気を形成する有機溶剤吐出手段と、
(d) 前記収容器内を排気して減圧雰囲気とする減圧手段と、
(e) 前記有機溶剤吐出手段と前記減圧手段とを制御して、
前記減圧手段を動作させて前記収容器内を減圧雰囲気とし、
減圧雰囲気の前記収容器内に有機溶剤を吐出した後、
前記有機溶剤の蒸気の吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記収容器内を略同一圧力に保持し、
前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させる制御手段と、
を備えることを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項１に記載の乾燥処理装置であって、
前記収容器内に配置され、表面に複数の貫通孔を有する拡散板、
をさらに備え、
前記拡散板は、前記有機溶剤吐出手段と前記保持手段との間に配置されることを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項１または請求項２に記載の乾燥処理装置において、
前記有機溶剤は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする乾燥処理装置。 - 表面に付着した洗浄液を回転運動によって振切った後の基板を乾燥させる乾燥処理装置であって、
(a) 第１の収容器と、
(b) 前記第１の収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する第１の保持手段と、
(c) 前記第１の収容器内に設けられ、前記第１の保持手段に保持された前記基板を加熱する加熱手段と、
(d) 前記第１の収容器内にプロセスガスを吐出する第１のプロセスガス吐出手段と、
(e) 前記第１の収容器内を減圧する第１の減圧手段と、
(f) 前記第１のプロセスガス吐出手段と、前記減圧手段と、を制御して、
前記減圧手段を動作させて前記第１の収容器内を低酸素雰囲気とし、
前記プロセスガスの吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記第１の収容器内を略同一圧力に保持し、
前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させる制御手段と、
を備え、
前記加熱手段は、前記プロセスガスの吐出によって低酸素雰囲気とされた前記第１の収容器内にて前記基板を加熱することを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項４に記載の乾燥処理装置であって、
(g) 前記加熱手段によって加熱された基板を低酸素雰囲気とされた前記第１の収容器内にて冷却する冷却手段、
をさらに備えることを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項５に記載の乾燥処理装置であって、
前記冷却手段は、
前記第１の収容器内に設けられ、前記第１の保持手段によって気体雰囲気中で保持された基板に向けて冷却ガスを吐出する冷却ガス吐出手段、
を備えることを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項５に記載の乾燥処理装置であって、
前記冷却手段は、前記第１の収容器外と前記第１の保持手段との間で前記基板を授受して搬送する第１の搬送手段に設けられており、前記第１の保持手段付近に前記第１の搬送手段を移動させて前記基板を冷却することを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項５に記載の乾燥処理装置であって、
前記冷却手段は、
(g-1) 第２の収容器と、
(g-2) 前記第２の収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する第２の保持手段と、
(g-3) 前記第２の収容器内に設けられ、前記第２の保持手段によって保持された前記基板を冷却する冷却部と、
(g-4) 前記第２の収容器内にプロセスガスを吐出する第２のプロセスガス吐出手段と、
(g-5) 前記第２の収容器内を減圧する第２の減圧手段と、
を備えることを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の乾燥処理装置であって、
前記加熱手段によって、基板を摂氏２００度から摂氏３００度の範囲で加熱することを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項１に記載の乾燥処理装置であって、
(f) 前記収容器内に設けられ、前記保持手段に保持された前記基板を加熱する加熱手段と、
(g) 前記収容器内にプロセスガスを吐出するプロセスガス吐出手段と、
をさらに備え、
前記制御手段は、さらに、前記第１のプロセスガス吐出手段と、前記減圧手段と、を制御して、
前記減圧手段を動作させて前記収容器内を低酸素雰囲気とし、
前記プロセスガスの吐出を停止し、かつ、前記減圧手段による排気を停止して、一定時間、前記収容器内を略同一圧力に保持し、
前記一定時間経過後に前記減圧手段を動作させ、
前記加熱手段は、前記プロセスガスの吐出によって低酸素雰囲気とされた前記収容器内にて前記基板を加熱することを特徴とする乾燥処理装置。 - 請求項１０に記載の乾燥処理装置であって、
前記有機溶剤吐出手段と前記加熱手段とを排他的に能動化させる排他的制御手段、
をさらに備えることを特徴とする乾燥処理装置。 - 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
(a) 基板表面の洗浄液を回転によって振切る回転振切り手段を備える第１の装置と、
(b) 前記第１の装置の外部に設けられて、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の乾燥処理装置として構成された第２の装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１２に記載の基板処理装置であって、
前記乾燥処理装置は、バックエンド工程にて使用することを特徴とする基板処理装置。
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