JPH0864514A

JPH0864514A - 基板処理方法及び装置

Info

Publication number: JPH0864514A
Application number: JP6222447A
Authority: JP
Inventors: Kenji Sugimoto; 憲司杉本; Masaru Kitagawa; 勝北川
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-08-23
Filing date: 1994-08-23
Publication date: 1996-03-08

Abstract

(57)【要約】【目的】基板表面上の感光性樹脂膜を現像・洗浄処理
した後基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させて基板表
面を乾燥させる際に高アスペクト比のレジストパターン
に生じる倒壊現象を、薬液の選定や開発などといった方
法でなく装置的な改良により防止できる方法を提供し、
レジストパターンの微細化技術の進歩に寄与する。【構成】基板を洗浄処理する過程で、少なくとも洗浄
処理の最終もしくは最終に近い段階においてガスが溶解
された洗浄液を使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、フォトリソグラフィ
ーを利用して半導体装置やフォトマスク、液晶表示装置
（ＬＣＤ）などを製造する場合において、半導体ウエ
ハ、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板、ＬＣＤ用ガラス基板等の各種基板（以下、単に「基
板」という）の表面に被着形成された感光性樹脂（フォ
トレジスト）膜を現像処理した後、洗浄処理し、その後
に基板表面を乾燥処理する基板処理方法、並びに、その
方法を実施するために使用される基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は益々高集積化対応す
る傾向があり、この半導体装置は、フォトリソグラフィ
ーを利用して製造されるのであるが、フォトレジスト液
や露光機などに関する技術の進歩により、上記高集積化
に対応したレジストパターンの微細化が可能になった。
レジストパターンが微細化すると、フォトレジスト膜の
厚さは、或る程度（１．０μｍ程度）以上には薄くする
ことができないため、レジストパターンのアスペクト比
（レジスト膜厚／レジストパターンの線幅）が高くなる
傾向がある。

【０００３】アスペクト比は、普通のレジストパターン
では１．５〜３程度であるが、アスペクト比が５〜１０
というように高くなると、基板を現像処理し純水等で洗
浄（リンス）処理した後に基板を乾燥処理する過程で、
レジストパターンの倒壊現象が起こることが知られてい
る。この様子を図５に模式的に示す。図中、１が基板、
２がレジストパターン、３が純水等のリンス液である
が、基板表面の乾燥が進行していくと、隣接するレジス
トパターン２が寄り添うようにして倒壊する。このレジ
ストパターンの倒壊の発生原因については、１９９３年
３月２９日発行（発行所：（社）応用物理学会）の「１
９９３年（平成５年）春季第４０回応用物理学関係連合
講演会講演予稿集第２分冊」の第５０９頁に「現像工程
で発生するレジストパターン倒れの検討」及び「高アス
ペクト比レジストパターンの倒壊機構」の各演題での報
告がある。それらによると、レジストパターン倒壊の原
因は、リンス液の表面張力である、と説明されている。
すなわち、現像・リンス処理直後の、基板表面が十分に
濡れた状態では、レジストパターンの倒壊は起きない
が、リンス液の液面がレジストパターンの上端面に達し
てからリンス液が完全に蒸発するまでの間に、レジスト
パターン間に残留したリンス液の表面張力により、隣接
するレジストパターン同士が互いに引き寄せ合うように
変形して、レジストパターンの倒壊現象が発生すると考
えられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記したような基板の
乾燥処理時におけるレジストパターンの倒壊現象を防止
するには、表面張力の低いリンス液を選定しまた新たに
開発したり、リンス液とフォトレジストとの組合せを選
定し、レジスト表面に対するリンス液の接触角を出来る
だけ１８０°に近付けて、リンス液の表面張力により隣
接レジストパターン間に作用する引き寄せ力を小さくし
たりする、といったことが考えられる。しかしながら、
そのような方法では、高アスペクト比のレジストパター
ンの倒壊現象を完全に防止することは難しい上に、使用
するフォトレジストやリンス液の種類に制約が生じ、感
光性や洗浄性等の特性について、所望の品種が使用でき
ない不都合が生じたりしていた。一方、装置的な改良に
よって上記レジストパターン倒壊現象を防止すること
は、従来全く考えられなかった。

【０００５】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、薬液の選定や開発などといった方法
によらずに、高アスペクト比のレジストパターンの倒壊
現象を防止することができる方法、並びに、その方法を
実施するための装置を提供し、もって、レジストパター
ンの微細化技術の進歩に寄与することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明では、表面に感
光性樹脂膜が被着形成された基板を現像処理した後、洗
浄液（リンス液）を基板へ供給して基板を洗浄処理し、
その後に基板を水平面内において鉛直軸回りに回転させ
て基板表面を乾燥させる基板処理方法において、基板を
洗浄処理する過程で、少なくとも洗浄処理の最終もしく
は最終に近い段階においてガスが溶解された洗浄液を使
用するようにした。

【０００７】上記方法において、少なくとも基板表面を
乾燥させる過程で、基板が置かれた雰囲気を大気圧より
低い圧力に調整するようにしてもよい。ここで言う「大
気圧」とは、この方法を実施するための装置が設置され
る室内の気圧を意味する。

【０００８】また、上記方法において、少なくとも基板
表面を乾燥させる過程で、基板表面に供給された洗浄液
中のガスを過飽和状態としてもよい。

【０００９】また、上記方法を実施するための装置構成
として、密閉可能な処理室と、この処理室内に配設さ
れ、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させる
基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された
現像処理後の基板へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と
を備えた基板処理装置において、前記洗浄液供給手段
に、基板へ供給される洗浄液中にガスを溶解させるガス
溶解手段を付設した。

【００１０】上記構成の装置において、処理室内を減圧
する減圧手段を設けるとともに、基板保持手段によって
基板を水平面内において鉛直軸回りに回転させて基板表
面を乾燥させる過程で前記処理室内が大気圧より低い圧
力となるように前記減圧手段を制御する制御手段を設け
るようにしてもよい。

【００１１】

【作用】上記した構成の基板処理方法によれば、基板の
洗浄処理が終了し基板の乾燥処理（スピンドライ）を開
始しようとする時点において、基板の表面は、窒素、炭
酸ガス等のガスが溶解された純水等の洗浄液で濡れた状
態にある。この状態から基板の回転動作に伴って基板表
面より洗浄液が飛散・蒸発していく過程で、洗浄液中に
溶解されたガスが気泡となって液面方向へ浮上し、液面
から脱気する。この際、隣接するレジストパターン（図
５参照）間の隙間においても気泡の浮上が生じ、その気
泡の浮力により、レジストパターンが傾くのが防止され
る。また、洗浄液中に溶解していたガスが、レジストパ
ターンの近傍で気泡となって発生することにより、基板
表面に被着形成された感光性樹脂（フォトレジスト）膜
に対する洗浄液の接触角が大きくなる。このため、洗浄
液の表面張力によって生じる、隣接したレジストパター
ン同士を互いに引き寄せ合う力が小さくなる。これらの
作用により、高アスペクト比のレジストパターンの倒壊
現象が防止されることとなる。

【００１２】また、基板表面を乾燥処理する過程で、基
板表面が置かれた雰囲気を大気圧より低い圧力に調整す
るようにしたときは、レジストパターンの倒壊現象の防
止効果がより大きくなる。すなわち、基板表面が置かれ
た雰囲気が減圧状態とされることにより、洗浄液中にお
ける気泡の発生が促進されるので、気泡の浮力によりレ
ジストパターンの傾きを防止する上記作用が一層顕著に
奏されることとなる。また、雰囲気の圧力の如何によ
り、図６に示すように、固体面５上に置かれた洗浄液、
例えば純水の形態が変化する。すなわち、雰囲気が減圧
状態にあるときは、図６（ａ）に示したように、純水の
液滴4aはほぼ球形となり、雰囲気が大気圧下にあるとき
は、図６（ｂ）に示したように、純水の液滴4bは半球状
となり、また、雰囲気が陽圧状態にあるときは、図６
（ｃ）に示したように、純水の液滴4cは皿状となる。こ
のように、雰囲気の圧力が変わることにより、純水と固
体面との接触面積が変化し、固体面に対する純水の接触
角が変化することになる。従って、乾燥過程において、
表面が純水で濡らされた基板の置かれた雰囲気が大気圧
より低い圧力に調整されると、基板表面に被着形成され
た感光性樹脂膜に対する純水の接触角が大きくなる。こ
のため、上記したように、隣接したレジストパターン同
士を互いに引き寄せ合う力が小さくなり、高アスペクト
比のレジストパターンの倒壊現象がより確実に防止され
ることとなる。

【００１３】また、洗浄液中のガスを過飽和状態とした
ときは、気泡の発生が促進され、高アスペクト比のレジ
ストパターンの倒壊現象がより確実に防止されることと
なる。

【００１４】そして、上記した構成の基板処理装置で
は、洗浄液供給手段によって基板へ供給される洗浄液中
に、ガス溶解手段によってガスを溶解させることができ
るので、この装置を使用すると、上記基板処理方法を実
施して上記作用が奏される。

【００１５】また、処理室内を減圧する減圧手段を設
け、この減圧手段を制御手段で制御して、基板表面を乾
燥させる過程で処理室内が大気圧より低い圧力となるよ
うにすると、上記した通り、レジストパターンの倒壊現
象の防止効果がより大きくなる。

【００１６】

【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００１７】図１は、この発明に係る基板処理方法を実
施するために使用される装置の構成の１例を示す概略縦
断面図である。この装置は、現像、洗浄及び乾燥の各処
理を連続して行なうものであり、密閉可能な箱形の処理
室12を備え、その処理室12の内部の中央部に、基板、例
えば半導体ウエハ10を吸着し水平姿勢に保持するスピン
チャック14が配設されている。スピンチャック14の底面
中央部には回転軸16が連接されており、回転軸16は、処
理室12の底壁部に固設された軸受18に回転自在に支持さ
れている。そして、回転軸16の下端部は、処理室12の底
壁部を貫通して処理室12外に設けられたモータ20に連結
されており、モータ20を回転駆動させることにより、ス
ピンチャック14に吸着保持されたウエハ10を水平面内に
おいて鉛直軸回りに回転させるようになっている。ま
た、回転軸16の軸心部には通気路22が形設されており、
通気路22は、配管を介して真空ポンプ24に連通接続され
ている。

【００１８】処理室12の内部上方には、スピンチャック
14に対向するように、現像液供給ノズル26及び純水供給
ノズル28が配設されており、また、処理室12内へクリー
ンエアーを供給するエアー供給ノズル30が配設されてい
る。純水供給ノズル28へ純水を供給する純水供給パイプ
80には、純水中に窒素、炭酸ガス等のガスを溶解させる
ためのガス溶解部82が介挿されている。ガス溶解部82と
しては、例えば、水分子を透過させずに気体分子だけを
透過させる隔膜を備え、その隔膜で隔てられた一方側に
純水を流し、他方側に加圧されたガス、例えば炭酸ガス
を供給して、前記隔膜を通して炭酸ガスを純水中に溶解
させる構成の装置、或いは、密閉容器内へ超音波ノズル
を通して純水を噴霧するとともに、その密閉容器内へガ
ス、例えば炭酸ガスを供給して、純水中に炭酸ガスを溶
解させる構成の装置などが使用される。ガス溶解部82へ
炭酸ガスを供給するシステムは、例えば図２に示すよう
に、炭酸ガスボンベ84をガス溶解部82に配管接続し、そ
の炭酸ガス供給パイプ86にフィルタ88、圧力調整弁90、
圧力計92及び電磁バルブ94を順次介挿して構成される。

【００１９】また、処理室12の内部には、スピンチャッ
ク14及び回転軸16の周囲を囲むとともに処理室12の底壁
部の回転軸16貫通個所を覆うように、筒状をなし下端部
が笠状に広がった遮蔽筒32が配設されている。そして、
処理室12の底壁部の、遮蔽筒32で覆われた領域に、現像
液供給ノズル26や純水供給ノズル28からウエハ10上へ供
給されウエハ10上から流れ落ちた現像液や洗浄液（純
水）を回収するための排出口34が形設されている。この
排出口34は、ドレンパイプ36を介してトラップ38に連通
されている。トラップ38は、前後２段の分室38ａ、38ｂ
に区分されており、後段の分室38ｂに真空ポンプ40が連
通接続されている。そして、真空ポンプ40の吸引動作に
よりトラップ38及びドレンパイプ36を介して処理室12内
を減圧することができるように構成されている。

【００２０】さらに、スピンチャック14を挾んで互いに
対向する処理室12の両側壁部には、密閉構造のウエハ搬
入路42及びウエハ搬出路44がそれぞれ形設されている。
そして、このウエハ搬入路42と処理室12内とを連通させ
る開口46、及びウエハ搬入路42が外界に通じる開口48
は、それぞれ密閉扉50、52により開閉自在に閉止されて
いる。また、ウエハ搬出路44と処理室12内とを連通させ
る開口54、及びウエハ搬出路44が外界に通じる開口56
は、それぞれ密閉扉58、60により開閉自在に閉止されて
いる。尚、ウエハ搬入路42及びウエハ搬出路44は、バル
ブ64が介挿されたパイプ62を介して図示しない窒素ガス
の供給源に接続されており、コンピュータなどからなる
制御装置66によってバルブ64を開閉制御することによ
り、必要に応じてウエハ搬入路42及びウエハ搬出路44に
窒素ガスを供給できるように構成されている。さらに、
制御装置66は、スピンチャック14を回転させるモータ20
の駆動及び停止制御、真空ポンプ24の駆動制御、現像液
供給ノズル26へ現像液を供給するポンプ68の駆動制御、
純水供給ノズル28へ純水を供給するポンプ70の駆動制
御、及び純水供給パイプ80に介挿されたガス溶解部82に
接続された炭酸ガス供給パイプ86に介挿されたバルブ94
の開閉制御、エアー供給ノズル30へエアー供給パイプ72
を通してクリーンエアーを供給する風量可変型ファン74
の駆動制御、及びエアー供給パイプ72に介挿されたバル
ブ76の開閉制御、真空ポンプ40の駆動制御、及びドレン
パイプ36に介挿されたバルブ78の開閉制御、並びに、各
密閉扉50、52、58、60の開閉制御なども行なうように構
成されている。

【００２１】次に、上記した装置を使用して現像、洗浄
及び乾燥の各処理を連続して行なう方法の１例につい
て、図３に示したフローチャート並びに図４に処理室12
内の圧力変化を示したタイムチャートに基づいて説明す
る。

【００２２】まず、ウエハ搬入路42の各密閉扉50、52を
開放し、表面にフォトレジスト膜が被着形成され、露光
作業を済ませたウエハを図示しないウエハ搬入装置によ
り、ウエハ搬入路42を通して処理室12内へ搬入し、その
搬入されたウエハ１をスピンチャック14上に、主要面を
上向きにして水平姿勢で吸着保持させ、その後にウエハ
搬入路42の各密閉扉50、52を閉じて処理室12内を密閉状
態にする（ｔ₀時点）。次に、モータ20を駆動させてス
ピンチャック14を、例えば５０〜１００ｒｐｍ程度の速
度で低速回転させ、スピンチャック14に吸着保持された
ウエハ10を水平面内において鉛直軸回りに回転させる。
尚、このウエハ10の回転開始は、次に説明する現像液供
給後に行なうようにしてもよく、また、必要が無ければ
ウエハ10を停止させたままにしておいてもよい。次に、
ｔ₁時点において、ポンプ68を駆動させて現像液供給ノ
ズル26から現像液をウエハ10表面のフォトレジスト膜上
へ供給し、所要量の現像液がフォトレジスト膜上へ供給
されると、現像液の供給を停止する。そして、場合によ
ってウエハ10の回転を停止させ、引き続きｔ₂時点まで
の所要時間フォトレジスト膜の現像処理を行なう。

【００２３】現像処理が終了すると、ｔ₂時点におい
て、ポンプ70を駆動させて純水供給ノズル28から純水を
ウエハ10上へ供給しつつ、モータ20を駆動させて、ウエ
ハ10を例えば約１，０００ｒｐｍで回転させることによ
りウエハ10を洗浄処理（リンス処理）する。そして、ｔ
₃時点において、ドレンパイプ36に介挿されたバルブ78
を開き、トラップ38の後段の分室38ｂに連通接続された
真空ポンプ40を作動させ、処理室12内を減圧状態にす
る。洗浄処理が終了すると純水供給を停止し、ｔ₇時点
で、モータ20を駆動させてウエハ10を、例えば約３，０
００〜５，０００ｒｐｍの速度で高速回転させ、ウエハ
10を乾燥処理（スピンドライ）する。そして、ｔ₈時点
でモータ20を停止させて乾燥処理を終了し、それと同時
に、真空ポンプ40を停止させ、バルブ76を開いてファン
74を駆動させ、エアー供給パイプ72を通してエアー供給
ノズル30へクリーンエアーを供給し、エアー供給ノズル
30から処理室12内へクリーンエアー（或いは窒素ガス等
の不活性ガス）を流入させ、処理室12内を大気圧に戻
す。そして、ウエハ搬出路44の各密閉扉58、60を開放
し、表面に現像済みのフォトレジスト膜が被着形成され
たウエハ10を図示しないウエハ搬出装置により、ウエハ
搬出路44を通して処理室12外へ搬出し（ｔ₉時点）、そ
の後にウエハ搬出路44の各密閉扉58、60を閉じる。尚、
処理室12内を減圧する過程において、バルブ64を開き、
パイプ62を通してウエハ搬入路42及びウエハ搬出路44へ
窒素ガス（或いはその他の不活性ガス）を供給し、ウエ
ハ搬入路42及びウエハ搬出路44に不活性ガスを充満させ
るようにしてもよい。このようにすることにより、ウエ
ハ搬入路42及びウエハ搬出路44を通して外気が流入する
ことを完全に防止することができる。尚、不活性ガスを
充填する代わりに、ウエハ搬入路42及びウエハ搬出路44
も同時に減圧させるようにしてもよい。

【００２４】以上のようにして現像、洗浄及び乾燥の各
処理が行なわれるが、洗浄処理工程において、少なくと
もその最終段階もしくは最終に近い段階で、純水供給パ
イプ80に介挿されたガス溶解部82へ炭酸ガスボンベ84か
ら炭酸ガスを供給して、炭酸ガスが飽和状態もしくはそ
れに近い状態まで溶解された純水を純水供給ノズル28か
らウエハ10上へ供給するようにする。例えば、洗浄処理
を開始したｔ₂時点から洗浄処理を終了させるｔ₇時点ま
での全期間Ｔ₁、或いは、真空ポンプ40の作動を開始し
た後のｔ₄時点から洗浄処理を終了させる前のｔ₆時点ま
での期間Ｔ₂（又は洗浄処理を終了させるｔ₇時点までの
期間）、処理室12内が大気圧より低い圧力になり始めた
ｔ₅時点から洗浄処理を終了させる前のｔ₆時点までの期
間Ｔ₃（又は洗浄処理を終了させるｔ₇時点までの期
間）、さらには洗浄処理を終了させる少し前のｔ₆時点
からｔ₇時点までの期間Ｔ₄において、炭酸ガスが溶解さ
れた純水をウエハ10上へ供給するようにする。

【００２５】そして、現像、洗浄及び乾燥の各処理が終
了したウエハが処理室12から搬出されると、次に現像処
理すべきウエハを上記したように処理室12内へ搬入し、
上記した動作を再び繰り返す。以上の一連の動作は、プ
ログラムシーケンスにより自動的に行なわれる。

【００２６】以上のように、洗浄処理工程の最終段階も
しくは最終に近い段階で、炭酸ガスが溶解された純水が
ウエハ10上へ供給されることにより、ウエハ10の表面
は、炭酸ガスが溶解された純水で濡れた状態になる。こ
の状態からウエハ10を高速回転させてウエハ10を乾燥処
理する過程で、純水中に溶解された炭酸ガスが気泡とな
って液面方向へ浮上し、液面から脱気する。そして、処
理室12内が減圧状態とされていることにより、それに伴
って純水中に溶解された炭酸ガスは過飽和の状態とな
り、純水中における気泡の発生が促進される。この際の
気泡の浮力により、レジストパターンが傾くのが防止さ
れる。また、純水中に溶解していた炭酸ガスが気泡とな
って発生してくることにより、ウエハ10表面に被着形成
されたフォトレジスト膜に対する純水の接触角が大きく
なり、このため、フォトレジスト膜上の純水の表面張力
により隣接したレジストパターン同士を互いに引き寄せ
合う力が小さくなる。さらに、ウエハ10を乾燥処理する
過程で処理室12内が減圧状態とされることにより、ウエ
ハ10表面に被着形成されたフォトレジスト膜に対する純
水の接触角がより大きくなるため、隣接したレジストパ
ターン同士を互いに引き寄せ合う力がより小さくなる。
この結果、高アスペクト比のレジストパターンの倒壊現
象が防止されることとなる。

【００２７】尚、上記実施例では、洗浄処理工程の後半
から乾燥処理工程までの期間、処理室12内を減圧状態に
したが、処理室12内を大気圧状態としたままで、ウエハ
10の洗浄処理及び乾燥処理を行なうようにしてもよい。
いずれにしても、純水に溶解させておくガスは十分な量
であることが望ましく、処理室12内を減圧しない場合に
は、溶解されたガスを予め過飽和の状態としてウエハ10
上へ供給することが望ましい。また、現像処理の過程で
処理室12内を大気圧より高い圧力に調整し、乾燥処理の
過程では上記したように処理室12内を減圧状態としたり
大気圧状態としたりするようにしてもよい。すなわち、
処理室12内へウエハ10が搬入されてスピンチャック14上
に吸着保持され、ウエハ搬入路42の各密閉扉50、52が閉
じられて処理室12内が密閉状態にされると（ｔ₀時
点）、バルブ76を開いた状態でファン74を駆動させるこ
とにより、エアー供給パイプ72を通してエアー供給ノズ
ル30へクリーンエアーを送給し、エアー供給ノズル30か
ら処理室12内へクリーンエアーを送り込む。このとき、
ドレンパイプ76に介挿されたバルブ78を閉じておくよう
にする。このようにして完全に密閉された状態の処理室
12内へクリーンエアーが供給されることにより、処理室
12内は大気圧より高い圧力、例えば０．５kg／cm²程度
高い圧力（陽圧）となる。この状態で、ｔ₁時点におい
て上記と同様の操作を行なってｔ₂時点までフォトレジ
スト膜の現像処理を行なう。そして、現像処理が終了す
ると、ｔ₂時点においてファン74を停止させて処理室12
内へのクリーンエアーの供給を止めるとともに、ドレン
パイプ36に介挿されたバルブ78を開き、処理室12内を大
気圧状態に復帰させる。以後は上記と同様の操作を行な
って、ウエハ10を洗浄及び乾燥処理する。このように、
現像処理時に処理室12内を陽圧状態とすることにより、
現像液に対するフォトレジスト膜面の濡れ性が良好にな
り、フォトレジスト膜上へ供給された現像液がフォトレ
ジスト膜面と馴染み易くなってフォトレジスト膜での液
弾きが無くなる。この結果、フォトレジスト膜面の全体
にわたり現像液が広がり易くなって、フォトレジスト膜
上へ供給される現像液の量が比較的少なくても、フォト
レジスト膜の全面を覆うように現像液が液盛りされるこ
とになる。

【００２８】

【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る基板処理方
法によれば、薬液の選定や開発などといった方法ではな
くて装置的な改良により、高アスペクト比のレジストパ
ターンの倒壊現象を防止することができ、この発明は、
レジストパターンの微細化技術の進歩に大いに寄与し得
るものである。

【００２９】また、請求項２及び請求項３に記載の各発
明では、高アスペクト比のレジストパターンの倒壊現象
をより確実に防止することができる。

【００３０】請求項４に記載の基板処理装置を使用すれ
ば、請求項１に記載の方法を好適に実施して、上記効果
を達成することができる。

【００３１】また、請求項５に記載の発明では、請求項
２に記載の方法を好適に実施して、上記効果を達成する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するために
使用される基板処理装置の構成の１例を示す概略縦断面
図である。

【図２】図１に示した基板処理装置における純水供給手
段の構成の１例を示す概略配管図である。

【図３】この発明に係る基板処理方法における一連の処
理操作の１例を示すフローチャートである。

【図４】図２に示した一連の基板処理操作における処理
室内の圧力変化を示すとともに、基板の洗浄処理工程に
おいてガス溶存純水を使用する時期を説明するためのタ
イムチャートである。

【図５】高アスペクト比のレジストパターンの倒壊現象
について説明するための模式図である。

【図６】雰囲気の圧力の如何によって固体面上に置かれ
た洗浄液（純水）の形態が変化することを説明するため
の模式図である。

【符号の説明】

10 半導体ウエハ 12 処理室 14 スピンチャック 16 回転軸 20 モータ 26 現像液供給ノズル 28 純水供給ノズル 36 ドレンパイプ 38 トラップ 40 真空ポンプ 66 制御装置 78 ドレンパイプに介挿されたバルブ 80 純水供給パイプ 82 ガス溶解部 84 炭酸ガスボンベ 86 炭酸ガス供給パイプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に感光性樹脂膜が被着形成された基
板を現像処理した後、洗浄液を基板へ供給して基板を洗
浄処理し、その後に基板を水平面内において鉛直軸回り
に回転させて基板表面を乾燥処理する基板処理方法にお
いて、基板を洗浄処理する過程で、少なくとも洗浄処理の最終
もしくは最終に近い段階においてガスが溶解された洗浄
液を使用することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】少なくとも基板表面を乾燥処理する過程
で、基板が置かれた雰囲気を大気圧より低い圧力に調整
する請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】少なくとも基板表面を乾燥処理する過程
で、基板表面に供給された洗浄液中のガスを過飽和状態
とする請求項１又は請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】密閉可能な処理室と、この処理室内に配設され、基板を水平姿勢に保持して鉛
直軸回りに回転させる基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された現像処理後の基板
へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えた基板処理
装置において、前記洗浄液供給手段に、基板へ供給される洗浄液中にガ
スを溶解させるガス溶解手段を付設したことを特徴とす
る基板処理装置。
【請求項５】処理室内を減圧する減圧手段が設けられ
るとともに、基板保持手段によって基板を水平面内において鉛直軸回
りに回転させて基板表面を乾燥させる過程で前記処理室
内が大気圧より低い圧力となるように前記減圧手段を制
御する制御手段が設けられた請求項４記載の基板処理装
置。