JP2004319990A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004319990A JP2004319990A JP2004094917A JP2004094917A JP2004319990A JP 2004319990 A JP2004319990 A JP 2004319990A JP 2004094917 A JP2004094917 A JP 2004094917A JP 2004094917 A JP2004094917 A JP 2004094917A JP 2004319990 A JP2004319990 A JP 2004319990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- liquid
- chemical
- substrate
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 回転するウエハWに対し、ウエハWの半径方向に移動する薬液ノズル61により、薬液(DHF)65を供給して薬液の膜を形成する工程と、疎水面の露出により薬液が液滴となる前に、薬液ノズル61に続いてウエハ上の同一半径箇所を通過する純水ノズル62から純水66を供給して、薬液と純水の混合液の膜をウエハの表面全体に形成する工程と、純水ノズルから純水を供給して混合液を除去する工程とを行う。
【選択図】 図1
Description
23 スピンチャック(保持手段)
60 集合ノズル
61 薬液ノズル
62 純水ノズル(リンスノズル,リンス液ノズル)
63 薬液供給管路
64 純水供給管路
65 薬液
66 純水(リンス液)
67 酸化シリコン膜(親水面)
71 モータ(ノズル移動機構)
75 第1のモータ(ノズル移動機構)
76 第2のモータ(ノズル移動機構)
77 ノズル移動機構
80 集合ノズル
81 内筒(薬液ノズル)
82 外筒(純水ノズル,リンスノズル)
91 薬液供給源
92 純水供給源
93 薬液制御バルブ
94 純水制御バルブ(リンス液制御バルブ)
100 CPU(制御手段)
W 半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (17)
- 薬液を回転する被処理基板に供給して、薬液の膜を被処理基板の表面に形成する工程と、
リンス液を回転する上記被処理基板に供給して、薬液とリンス液の混合液の膜を上記被処理基板の表面全面に形成する工程と、
上記被処理基板の表面からリンス液により上記混合液を除去する工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
上記薬液の膜を形成する工程は、薬液を吐出している薬液ノズルを被処理基板の周縁の上方の第1の位置から被処理基板の中心の上方の第2の位置に向けて移動させることにより行われ、
上記混合液の膜を形成する工程は、リンス液を吐出しているリンス液ノズルを、薬液を吐出しており、かつ上記第1の位置から第2の位置に向けて移動している上記薬液ノズルを追いかけるように移動させることにより行われる、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項2記載の基板処理方法において、
上記混合液の膜を形成する工程において、被処理基板の半径方向外側に広がる薬液の膜が破壊されて液滴になる前にリンス液が薬液に混合されることが保証されるような範囲に薬液ノズルとリンス液ノズル間の距離が維持されつつ、リンス液ノズルが薬液ノズルを追いかける、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法において、
上記混合液を除去する工程は、リンス液を供給することにより行われ、この際、リンス液の供給量は、混合液の膜を形成する工程におけるリンス液の供給量より大きい、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項2又は3記載の基板処理方法において、
上記混合液の膜を形成する工程が、
薬液ノズルが被処理基板の中心の上方の第2の位置に到達したときに薬液の供給を停止するステップと、
リンス液ノズルを上記被処理基板の上方に移動させながらリンス液の供給を継続するステップと、を含み、
上記混合液を除去する工程が、
上記リンス液ノズルを上記被処理基板の中心の上方に位置させてリンス液を供給するステップと、
上記被処理基板の回転速度を増大させるステップと、を含む、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項5記載の基板処理方法において、
上記混合液を除去する工程におけるリンス液の供給量は、混合液の膜を形成する工程におけるリンス液の供給量より大きい、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
上記薬液の膜を形成する工程は、被処理基板の中心の上方に位置する薬液ノズルから薬液を吐出させることにより行われ、
上記混合液の膜を形成する工程は、上記被処理基板の中心の上方に位置すると共に、上記薬液ノズルを囲むリンス液ノズルからリンス液を吐出させることにより行われる、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項7記載の基板処理方法において、
上記混合液の膜を形成する工程において、薬液ノズルが薬液の吐出を継続する、ことを特徴とする基板処理方法。 - 被処理基板を保持して回転する保持手段と、
上記保持手段を回転駆動するモータと、
上記保持手段により保持された被処理基板に薬液を供給する薬液ノズルと、
上記保持手段により保持された被処理基板にリンス液を供給するリンス液ノズルと、
上記保持手段により保持された被処理基板に対して上記薬液ノズル及びリンス液ノズルを移動させるノズル移動機構と、
上記薬液ノズルへの薬液の供給を制御する薬液制御バルブと、
上記リンス液ノズルへのリンス液の供給を制御するリンス液制御バルブと、
所定のシーケンスに従い、上記モータ、薬液制御バルブ、リンス液制御バルブ及びノズル移動機構を制御する制御手段と、を具備し、
上記制御手段は、
上記保持手段により保持された上記被処理基板を上記モータを動作させることにより回転させつつ、かつ、上記薬液制御バルブを動作させることにより上記薬液ノズルから薬液を供給しつつ、かつ上記リンス液制御バルブを動作させることにより上記リンス液ノズルからリンス液を供給しつつ、上記ノズル移動機構を制御することにより、上記リンス液ノズルが上記薬液ノズルを追いかけるように両ノズルを上記被処理基板の周縁の上方の第1の位置から被処理基板の中心の上方の第2の位置に向けて移動させる制御と、
上記被処理基板の回転を継続しつつ、かつ被処理基板の中心の上方に位置する上記リンス液ノズルからのリンス液の供給を継続しつつ、上記薬液ノズルが被処理基板の中心の上方の第2の位置に到達したときに上記薬液制御バルブを動作させることにより薬液の供給を停止する制御と、を行うように形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9記載の基板処理装置において、
上記制御手段は、リンス液ノズルからのリンス液の供給を継続する際に、リンス液の供給量がリンス液制御バルブの開度を調節することにより増加するように形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9又は10記載の基板処理装置において、
上記ノズル移動機構は、ノズルアームを含み、このノズルアームには、薬液ノズル及びリンス液ノズルが保持手段により保持された被処理基板の上方に位置しているときに上記リンス液ノズルが上記被処理基板の半径方向に関して上記薬液ノズルの外側に位置するように、薬液ノズル及びリンス液ノズルが取り付けられている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9又は10記載の基板処理装置において、
上記ノズル移動機構は、一対のノズルアームを含み、これらノズルアームには、薬液ノズル及びリンス液ノズルがそれぞれ取り付けられている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9、10又は12記載の基板処理装置において、
上記制御手段は、リンス液ノズルからのリンス液の供給を継続する際に、薬液の膜が破壊されて液滴になる前に膜の形態で半径方向外側に広がる薬液にリンス液が混合することが保証されるような範囲に薬液ノズルとリンス液ノズルとの間の距離が維持されるように、ノズル移動機構を制御するように形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板を保持して回転する保持手段と、
上記保持手段を回転駆動するモータと、
上記保持手段により保持された被処理基板に薬液を供給する薬液ノズルと、
上記保持手段により保持された被処理基板にリンス液を供給するリンス液ノズルと、
上記保持手段により保持された被処理基板に対して上記薬液ノズル及びリンス液ノズルを移動させるノズル移動機構と、
上記薬液ノズルへの薬液の供給を制御する薬液制御バルブと、
上記リンス液ノズルへのリンス液の供給を制御するリンス液制御バルブと、を具備してなり、
上記薬液ノズル及びリンス液ノズルは、内筒及び外筒からなり、内筒は薬液ノズルの役割を果たし、外筒は内筒を囲んでリンス液ノズルの液体通路としての役割を果たす環状隙間を両筒の間に画成する、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14記載の基板処理装置において、
上記外筒の先端は、内筒の先端より下にある、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14記載の基板処理装置において、
上記内筒の先端部は、該内筒の先端に向けて先細となっている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14記載の基板処理装置において、
所定のシーケンスに従い、薬液制御バルブ及びリンス液制御バルブを制御する制御手段を更に具備し、
上記制御手段は、
リンス液を供給することなく、上記薬液制御バルブを動作させることにより、薬液を薬液ノズルから供給する制御と、
その後、少なくとも上記リンス液制御バルブを動作させることにより、薬液及びリンス液を薬液ノズル及びリンス液ノズルから同時に供給する制御と、
その後、少なくとも上記薬液制御バルブを動作させることにより、リンス液の供給を継続したまま薬液の供給を停止する制御と、を行うように形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004094917A JP4236109B2 (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003095582 | 2003-03-31 | ||
JP2004094917A JP4236109B2 (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004319990A true JP2004319990A (ja) | 2004-11-11 |
JP4236109B2 JP4236109B2 (ja) | 2009-03-11 |
Family
ID=33478690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004094917A Expired - Fee Related JP4236109B2 (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4236109B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100442450C (zh) * | 2005-12-05 | 2008-12-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 在集成电路的制造中清洁背部蚀刻的方法 |
JP2009302433A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2010182931A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
JP2010205876A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2013123001A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
TWI471931B (zh) * | 2010-09-27 | 2015-02-01 | Screen Holdings Co Ltd | 基板處理裝置及基板處理方法 |
KR101512642B1 (ko) * | 2009-02-25 | 2015-04-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 처리 방법 및 현상 장치 |
KR20160141248A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101770535B1 (ko) | 2014-03-13 | 2017-08-22 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
JP2018107338A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社Sumco | ウェーハの洗浄方法 |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004094917A patent/JP4236109B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100442450C (zh) * | 2005-12-05 | 2008-12-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 在集成电路的制造中清洁背部蚀刻的方法 |
JP2009302433A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
TWI413159B (zh) * | 2009-02-06 | 2013-10-21 | Tokyo Electron Ltd | 顯影裝置、顯影處理方法、及記憶媒體 |
JP2010182931A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
US8440266B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-05-14 | Tokyo Electron Limited | Developing device, developing method and storage medium |
KR101512642B1 (ko) * | 2009-02-25 | 2015-04-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 처리 방법 및 현상 장치 |
JP2010205876A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI471931B (zh) * | 2010-09-27 | 2015-02-01 | Screen Holdings Co Ltd | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US9396974B2 (en) | 2010-09-27 | 2016-07-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2013123001A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR101770535B1 (ko) | 2014-03-13 | 2017-08-22 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
US10103020B2 (en) | 2014-03-13 | 2018-10-16 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
KR20160141248A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102315660B1 (ko) | 2015-05-29 | 2021-10-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2018107338A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社Sumco | ウェーハの洗浄方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4236109B2 (ja) | 2009-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI698906B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
TW518684B (en) | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus | |
US11501985B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
US8137478B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US8133327B2 (en) | Substrate processing method, storage medium and substrate processing apparatus | |
JP4607755B2 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
US10935825B2 (en) | Substrate processing method | |
JP4732918B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2004119717A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI636158B (zh) | Substrate processing method and substrate processing device | |
TWI775574B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
US7300598B2 (en) | Substrate processing method and apparatus | |
CN108028195B (zh) | 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质 | |
KR20160145495A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
WO2019138694A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4236109B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP5963075B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6489524B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7182880B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JPH11145099A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7437154B2 (ja) | 基板処理装置、および、基板処理方法 | |
JP6593920B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7182879B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7249880B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6536994B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080526 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081211 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141226 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |