CN108028195B - 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，能够适当地保留存在于去除对象膜下的基底膜、例如包含SiO2的膜。

Description

基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
技术领域
本发明涉及一种对在基板的周缘部分形成的膜进行湿蚀刻的技术。
背景技术
在半导体器件的制造中，进行利用药液从半导体晶圆等基板的包含斜面部的周缘部分去除不需要的膜的斜面蚀刻这样的工序。在应去除的膜的下层经常存在应保留的膜。在该情况下，在应去除的膜相对于应保留的膜的蚀刻选择比不足够高的情况下，为了使应保留的膜的蚀刻量最小，需要将蚀刻率抑制得低。
在专利文献1中公开了以下一种基板处理方法：在进行斜面蚀刻时，在想要提高蚀刻率时，从第一喷嘴向旋转的基板的周缘部分供给高浓度的药液例如氢氟酸，在想要抑制蚀刻率时，从第一喷嘴向旋转的基板的周缘部分供给高浓度的药液，并且从第二喷嘴向基板的周缘部分供给纯水(DIW)来稀释从第一喷嘴供给的药液。
但是，通过氢氟酸与纯水的组合来控制蚀刻率的方法不能应用于去除对象膜包含SiGe、非晶硅、多晶硅的情况。
专利文献1：日本特开2008-47629号公报
发明内容
本发明的目的在于提供如下一种技术：在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，适当地保留存在于去除对象膜下的包含SiO2等的基底膜。
根据本发明的一个实施方式，提供一种基板处理方法，对基板的周缘部分进行处理，所述基板处理方法包括以下工序：基板旋转工序，保持基板并使该基板旋转，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有包含硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质的去除对象膜；第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。
根据本发明的其它实施方式，提供一种存储有程序的存储介质，该程序在由构成基板处理装置的控制装置的计算机执行时，使所述控制装置控制所述基板处理装置来执行上述的基板处理方法。
根据本发明的另一个实施方式，提供一种基板处理装置，用于对基板进行处理，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有由硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质构成的去除对象膜，所述基板处理装置具备：基板保持机构，其保持基板并使该基板旋转；处理液供给部，其向由所述基板保持机构保持的基板的周缘部分供给含有氢氟酸和硝酸的处理液；以及控制部，其控制所述基板保持机构和所述处理液供给部，其中，所述处理液供给部构成为能够供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，并且能够供给以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸的第二处理液，所述控制部控制所述基板保持机构来使所述基板旋转，且控制所述处理液供给部来使所述处理液供给部向正在旋转的所述基板的周缘部分供给所述第一处理液，之后，使所述处理液供给部向正在旋转的所述基板的周缘部分供给所述第二处理液。
根据上述的本发明的实施方式，在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，能够适当地保留存在于去除对象膜下的基底膜。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的俯视图。
图2是示出图1的基板处理系统中包含的处理单元的概要结构的纵截面图。
图3是示出晶圆上形成的膜的一例的概要截面图。
图4是示出晶圆上形成的膜的其它例的概要截面图。
图5是更加详细地示出图3和图4所示的膜的结构的概要截面图。
图6是用于说明处理液向晶圆的供给以及处理液在晶圆上的流动的概要截面图。
图7是示出第一氟硝酸处理工序和第二氟硝酸处理工序结束后的膜的状态的概要截面图。
图8是对如图4所示那样形成有膜的情况下的处理方法进行说明的概要截面图。
图9是用于对在实验中使用的晶圆进行说明的概要截面图。
图10是示出实验中的蚀刻后的膜的状态的示意图。
具体实施方式
图1是示出本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。以下，为了使位置关系明确，对互相正交的X轴、Y轴以及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3相邻地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称为晶圆W)以水平状态收纳。
搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转，基板搬送装置13使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间搬送晶圆W。
处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转，基板搬送装置17使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆W。
处理单元16用于对由基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读出并执行存储部19中存储的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，上述程序既可以是被记录在能够由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质被安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆W从载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置17将载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出并将其搬入到处理单元16中。
在利用处理单元16对被搬入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板搬送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出并将其载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。
参照图2来说明处理单元16的结构。处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。
基板保持机构30具有基板保持部31、轴部32以及驱动部33。驱动部33经由轴部32使基板保持部31旋转，由此，被基板保持部31水平保持的晶圆W绕铅垂轴线进行旋转。基板保持部31例如包含真空卡盘。
处理流体供给部(处理液供给部)40具有：药液喷嘴41，其向晶圆W的上表面周缘部分供给氟硝酸；冲洗喷嘴42，其向晶圆W的上表面周缘部分供给作为冲洗液的例如纯水(DIW)；以及预处理喷嘴43，其向晶圆W的上表面周缘部分供给作为预处理液的有机清洗剂(例如SC-1、SPM)。
药液喷嘴41与第一氟硝酸供给源44a和第二氟硝酸供给源45a相连接。第一氟硝酸供给源44a用于供给氢氟酸多(例如体积比为HF：HNO3＝1：10)的氟硝酸。第二氟硝酸供给源45a用于供给硝酸多(例如体积比为HF：HNO3＝1：100)的氟硝酸。在第一氟硝酸供给源44a与药液喷嘴41之间的管路上设置有流量调整阀44b和开闭阀44c，在第二氟硝酸供给源45a与药液喷嘴41之间的管路上设置有流量调整阀45b和开闭阀45c。因而，能够向药液喷嘴41选择性地且以受到控制的流量供给氢氟酸多的氟硝酸或硝酸多的氟硝酸。
冲洗喷嘴42经由设置有流量调整阀46b和开闭阀46c的管路而与纯水供给源46a相连接。预处理喷嘴43经由设置有流量调整阀47b和开闭阀47c的管路而与预处理液供给源47a相连接。
药液喷嘴41、冲洗喷嘴42以及预处理喷嘴43由未图示的喷嘴臂保持，能够在图2所示的晶圆W周缘部分上方的处理位置与比回收杯50靠半径方向外侧的待机位置之间移动。
也可以将用于向晶圆W供给氢氟酸多的氟硝酸的药液喷嘴与用于向晶圆W供给硝酸多的氟硝酸的药液喷嘴分开地设置。
回收杯50用于收集在被供给到旋转的晶圆W之后从晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部设置有排液口51和排气口52，其中，该排液口51用于将由回收杯50收集到的处理液向处理单元16的外部排出，该排气口52用于将回收杯50内的气氛向处理单元16的外部排出。
为了防止从药液喷嘴41、冲洗喷嘴42以及预处理喷嘴43喷出的液体附着于晶圆W的中央部而设置顶板60。通过未图示的移动机构，顶板60能够在图2所示的晶圆W的表面(上表面)的附近上方的处理位置与从该处理位置退避的退避位置之间移动。经由设置于顶板60的中央的气体供给通路61向顶板60与晶圆W之间的间隙62供给吹扫气体例如氮气。吹扫气体从间隙62向半径方向外侧流出，来防止液体附着于晶圆W的中央部。
为了防止液体附着于晶圆的背面中央部而设置底板64。底板64能够被作为回收杯的一部分设置。通过向底板64与晶圆W之间的间隙65供给吹扫气体例如氮气，并且使该吹扫气体从间隙65向半径方向外侧流出，能够防止液体附着于晶圆W的背面的中央部。
如图2所示，处理流体供给部40也可以还具有：药液喷嘴41’，其向晶圆W的下表面周缘部分供给氟硝酸；冲洗喷嘴42’，其向晶圆W的下表面周缘部分供给作为冲洗液的例如纯水(DIW)；以及预处理喷嘴43’，其向晶圆W的下表面周缘部分供给作为预处理液的有机清洗剂。在该情况下，对喷嘴41’、42’、43’设置与附属于上述的喷嘴41、42、43的处理液供给机构相同的处理液供给机构。
该结构在如图3所示那样在作为处理对象的晶圆W的表面和背面的周缘部分整体形成有去除对象膜(SiGe膜)的情况下是有效的。如图4所示，在仅在晶圆W的表面和晶圆背面的斜面部附近形成有去除对象膜(SiGe膜)的情况下，也可以不设置喷嘴41’(在后文记述详细内容)。
接着，对使用上述的处理单元16进行的晶圆W的处理(斜面蚀刻)进行说明。以下所说明的各工序在控制装置4的控制下自动地进行。此时，控制装置4执行存储部19中保存的控制程序，来使处理单元16的各构成要素进行动作，以实现在存储部19所保存的处理制程中定义的处理参数。
如图3或图4所示，处理对象基板(以下也称为“晶圆”)是在硅晶圆101上形成有作为下层的SiO2膜102和作为上层的SiGe膜103的基板。如图5所示，SiGe膜103由于成膜方法而具有多层构造，自下至上依次具有第一层103a、第二层103b以及第三层103c。由于成膜方法，越靠上侧的层，Ge的组成比越高。在此，SiO2膜102和SiGe膜103均通过批量式的成膜装置形成，如图3所示那样在晶圆W的表面和背面的整个区域连续地形成。
首先，晶圆W被搬入到处理单元16，被保持部31以水平姿势保持。
[晶圆旋转工序]
之后，使晶圆W绕铅垂轴线旋转。使晶圆W在直到后述的一系列工序结束为止的期间内持续地旋转。
[有机物去除工序]
接着，如图6所示，从预处理喷嘴43、43’向正在旋转的晶圆W的表面(器件形成面)的包含斜面部WB的晶圆W的周缘部分内的位置P1、P2供给SC-1。SC-1绕到晶圆W的端缘WE(被称为Apex的部分)。因此，位置P1、P2之间的区域A全部被SC-1液(PL)覆盖。利用SC-1液去除附着于作为晶圆W的蚀刻对象部位的区域A的有机物。最终，SC-1由于离心力从晶圆W脱离并飞散。此外，在以下的向晶圆W供给液体的各工序中，液体(氟硝酸和DIW)的移动与上述SC-1的移动相同，因此省略重复说明。
[第一冲洗工序]
在停止从预处理喷嘴43、43’喷出SC-1液之后，从冲洗喷嘴42、42’向正在旋转的晶圆W上的位置P1、P2供给DIW。由此，残留在晶圆正面及背面的周缘部分的SC-1液和反应生成物被洗掉。
[第一氟硝酸处理工序(第一处理工序)]
在停止从冲洗喷嘴42、42’喷出DIW之后，以预先决定的流量从药液喷嘴41、41’向正在旋转的晶圆W上的位置P1、P2供给氢氟酸多的氟硝酸。
利用下述的机理对SiGe膜103进行蚀刻。
首先，利用氟硝酸中含有的硝酸，按照下述反应式将SiGe膜103中的Si氧化而使其成为氧化硅，
Si+2HNO3→SiO2+2HNO2
接着，利用氟硝酸中含有的氢氟酸，按照下述反应式将氧化硅溶解。
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O
氢氟酸多的氟硝酸以比较高的蚀刻率对SiGe膜103进行蚀刻。以如图7的(a)所示那样将SiGe膜103的Ge多的上层(第二层103b和第三层103c)大致全部去除所需要的时间来进行该第一氟硝酸处理工序。该所需要的时间能够预先通过实验来求出。作为一例，第三层103c的膜厚为1100nm～1700nm，第二层103b的膜厚为270nm～550nm，此时的第一氟硝酸处理工序的处理时间为约80秒。
[第二冲洗工序]
在停止从药液喷嘴41、41’喷出氟硝酸之后，从冲洗喷嘴42、42’向正在旋转的晶圆W上的位置P1、P2供给DIW。由此，残留在晶圆正面及背面的周缘部分的氟硝酸和反应生成物被洗掉。
[第二氟硝酸处理工序(第二处理工序)]
在停止从冲洗喷嘴42、42’喷出DIW之后，以预先决定的流量从药液喷嘴41、41’向正在旋转的晶圆W上的位置P1、P2供给硝酸多的氟硝酸。硝酸多的氟硝酸以比较低的蚀刻率对SiGe膜103进行蚀刻。以将SiGe膜103的Si多的下层(第一层103a)全部去除所需要的时间来进行该第二氟硝酸处理工序。该所需要的时间能够预先通过实验来求出。作为一例，第一层的膜厚为70nm，此时的第二氟硝酸处理工序的处理时间为约120秒。
在SiGe膜103被去除而露出基底的SiO2膜102的部位，SiO2膜102也被氟硝酸蚀刻，但利用硝酸多的氟硝酸对SiO2膜102进行蚀刻的蚀刻率也比较低。因此，即使直至在整个区域A中SiGe膜103被完全去除为止持续利用氟硝酸进行蚀刻，也能够将SiO2膜102的损伤抑制得低。
[第三冲洗工序]
在停止从药液喷嘴41、41’喷出氟硝酸之后，从冲洗喷嘴42、42’向正在旋转的晶圆W上的位置P1、P2供给DIW。由此，残留在晶圆正面及背面的周缘部分的氟硝酸和反应生成物被洗掉。
[甩干工序]
在停止从冲洗喷嘴42、42’喷出DIW之后，优选的是，进行使晶圆W的转速增加来利用离心力将晶圆W上残留的DIW甩掉的甩干。既可以在甩干工序之前将晶圆W上残留的DIW置换为从未图示的溶剂喷嘴供给的IPA(异丙醇)等干燥用有机溶剂，也可以在进行甩干工序时将从未图示的气体喷嘴供给的氮气或干燥空气等干燥气体吹到处理对象部位的附近。
根据上述的实施方式，在对SiGe膜103进行蚀刻时，通过将氢氟酸/硝酸混合比不同的氟硝酸分开使用，能够在短时间内结束蚀刻，并且能够抑制基底膜的损伤。即，通过最初使用氢氟酸多的氟硝酸来以高蚀刻率进行蚀刻，能够在短时间内将SiGe膜103的大部分去除。然后，通过使用硝酸多的氟硝酸以低蚀刻率对薄薄地残留的SiGe膜103进行蚀刻，即使基底的SiO2膜102露出，也能够抑制露出的该SiO2膜102的损伤。近年来，存在形成比以往的厚度厚的厚度为2μm～3μm左右的SiGe膜的情况，在这种情况下，为了不对基底造成损伤地在短时间内去除斜面部的SiGe膜，上述技术是有益的。
在上述实施方式中，上侧的膜是SiGe膜，下侧的膜(基底)是SiO2膜(硅氧化膜)，但并不限定于此。例如，上侧的膜也可以由优选利用氟硝酸进行蚀刻的其它材料、例如非晶硅、多晶硅形成。即，根据上述实施方式，在上侧的膜和下侧的膜(基底)这两方均为易于被氟硝酸蚀刻的材料的情况下，能够抑制下侧的膜(基底)的损伤并且在短时间内去除上侧的膜。另外，下侧的膜也可以是SiN膜等其它材料。
另外，根据上述实施方式，在氟硝酸处理工序(第一氟硝酸处理工序)之前进行了有机物去除工序，因此能够通过第一氟硝酸处理工序和第二氟硝酸处理工序均匀地进行蚀刻。SiGe膜、非晶硅膜、多晶硅膜等应利用氟硝酸蚀刻的膜的表面上附着的有机物妨碍氟硝酸与膜的反应，因此导致蚀刻不均匀。通过预先去除这种有机物，能够均匀地进行氟硝酸蚀刻。
在上述实施方式中，向相同的部位供给氟硝酸、有机清洗剂(SC-1)、冲洗液，但也可以将有机清洗剂的供给位置设定在比氟硝酸的供给位置稍靠半径方向的内侧的位置，将冲洗液的供给位置设定在比有机清洗剂的供给位置稍靠半径方向的内侧的位置。
在上述实施方式中，成为处理对象的基板是半导体晶圆，但并不限定于此，也可以是玻璃基板、陶瓷基板等，在利用氟硝酸对这种基板上形成的膜进行蚀刻时，也能够使用上述的方法。
此外，在例如在单片式处理装置中在基座上形成有SiGe膜的情况下，除了如图4所示那样在晶圆W的表面整体形成SiGe膜以外，还在晶圆W的端缘WE和晶圆W背面的斜面部附着比较薄的膜。在比晶圆W的背面的斜面部靠中心侧的区域不形成SiGe膜。在该情况下，能够按照以下的过程进行第一氟硝酸处理工序之后的处理(第一氟硝酸处理工序之前的工序可以与上述的实施方式同样地进行)。
首先，如图8的(a)所示，仅向晶圆表面的上述的位置P1供给氢氟酸多的氟硝酸，对处于晶圆表面的周缘部分的SiGe膜进行蚀刻，并且利用在被供给到晶圆表面之后由于表面张力绕到晶圆背面侧的氟硝酸来对处于晶圆端缘WE和晶圆背面的斜面部的SiGe膜进行蚀刻。此时，能够通过适当调节氟硝酸的供给流量和晶圆W的转速来调节被氟硝酸覆盖的范围。当继续进行蚀刻时，处于晶圆端缘WE和晶圆背面的斜面部的比较薄的SiGe膜的上层(例如上述的第二层103b和第三层103c)首先消失。当这样时，在SiGe膜的下层(例如上述的第一层103a和第二层103b)消失之前，如图8的(b)所示那样从冲洗喷嘴42’向晶圆背面的上述的位置P2供给DIW，利用绕向晶圆表面侧的DIW来阻止要绕向晶圆的端缘WE和背面的氟硝酸。由此，使对处于晶圆端缘WE和晶圆背面的斜面部的SiGe膜的蚀刻停止。之后，当处于晶圆表面的周缘部分的SiGe膜的上层消失时，向上述的位置P1供给硝酸多的氟硝酸，氟硝酸再次如图8的(a)所示那样覆盖晶圆表面的周缘部分、端缘WE以及背面的斜面部WB，进行蚀刻，直到SiGe膜的下层完全消失为止。
以下，说明用于对在使用氟硝酸对非晶硅膜进行蚀刻之前进行的有机物去除工序的效果进行确认的实验的结果。准备如图9所示那样在硅晶圆101上形成有作为下层的SiN膜104和非晶硅膜105的被处理基板(以下也称为“晶圆”)。使该晶圆以水平姿势绕铅垂方向轴线旋转，从图2所示的预处理喷嘴43、43’向晶圆周缘部分供给SC-1液来进行有机物去除工序，之后，从冲洗喷嘴42、42’向晶圆周缘部分供给DIW来进行冲洗工序，之后，从药液喷嘴41、41’向晶圆周缘部分供给氟硝酸来进行将从晶圆的端缘(Apex)WE起至沿半径方向靠内侧大致2.5mm～3mm左右的位置为止的非晶硅膜5去除的氟硝酸处理工序，之后再次进行冲洗工序，最后进行甩干工序。将该例设为实施例。作为比较例，进行了从上述一系列工序中省去了有机物去除工序和第一次冲洗工序的处理。
在图10中用解说图示出利用扫描型电子显微镜对处理后的晶圆的斜面部进行拍摄所得到的图像的副本。将沿着晶圆的周缘部分连续地拍摄到的图像展开，使得圆弧状的晶圆端缘(Apex)WE的轮廓成为直线。图10的“E”是蚀刻范围，锯齿状的线是非晶硅膜105的外周缘的轮廓。在不存在有机物去除工序的情况下，如图10的(a)所示，在非晶硅膜105的外周缘的轮廓中能够观察到大的凹凸。另一方面，在存在有机物去除工序的情况下，如图10的(b)所示，在非晶硅膜105的外周缘的轮廓中观察不到大的凹凸。即，能够确认通过在氟硝酸处理工序之前进行有机物去除工序，能够利用氟硝酸对非晶硅膜105均匀地进行蚀刻。

Claims (8)

1.一种基板处理方法，对基板的周缘部分进行处理，所述基板处理方法的特征在于，包括以下工序：
基板旋转工序，保持基板并使该基板旋转，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有包含硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质的去除对象膜；
第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及
第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
还具备预处理工序，该预处理工序在所述第一处理工序之前，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给有机清洗剂。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述去除对象膜包含上层和下层，其中，该下层比所述上层靠下且比所述上层薄，
以蚀刻所述上层的时间来执行所述第一处理工序，
以蚀刻所述下层的时间来执行所述第二处理工序。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
还具有冲洗工序，该冲洗工序在所述第一处理工序结束后且所述第二处理工序开始前，使用纯水来进行所述基板的冲洗。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板在所述去除对象膜下具有包含二氧化硅的基底膜。
6.一种存储有程序的存储介质，该程序在由构成基板处理装置的控制装置的计算机执行时，使所述控制装置控制所述基板处理装置来执行根据权利要求1所述的基板处理方法。
7.一种基板处理装置，用于对基板进行处理，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有包含硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质的去除对象膜，所述基板处理装置的特征在于，具备：
基板保持机构，其保持基板并使该基板旋转；
处理液供给部，其向由所述基板保持机构保持的基板的周缘部分供给含有氢氟酸和硝酸的处理液；以及
控制部，其控制所述基板保持机构和所述处理液供给部，
其中，所述处理液供给部构成为能够供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，并且能够供给以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸的第二处理液，
所述控制部控制所述基板保持机构来使所述基板旋转，且控制所述处理液供给部来使所述处理液供给部向正在旋转的所述基板的周缘部分供给所述第一处理液，之后，使所述处理液供给部向正在旋转的所述基板的周缘部分供给所述第二处理液。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部构成为还能够向由所述基板保持机构保持的基板的周缘部分供给有机清洗剂，所述控制部在供给所述第一处理液之前使所述处理液供给部向正在旋转的所述基板的周缘部分供给所述有机清洗剂。
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