KR960002612A - 폴리실리콘막 세정방법 - Google Patents

폴리실리콘막 세정방법 Download PDF

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KR960002612A
KR960002612A KR1019940015285A KR19940015285A KR960002612A KR 960002612 A KR960002612 A KR 960002612A KR 1019940015285 A KR1019940015285 A KR 1019940015285A KR 19940015285 A KR19940015285 A KR 19940015285A KR 960002612 A KR960002612 A KR 960002612A
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South Korea
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washing
ultrapure water
polysilicon film
film
hydrofluoric acid
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KR1019940015285A
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Inventor
박상훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 실리사이드막 또는 전이금속막을 제조하기 전에 폴리실리콘막을 세정함으로써 실리사이드막 또는 전이금속막 형성 후의 잔류 자연산화막에 의한 필링현상 및 불순물입자 오염 등을 방지하기 위한 폴리실리콘막 세정방법에 관한 것으로 폴리실리콘막을 불산용액을 사용하여 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 불산, 질산, 초산 및 초순수 혼합용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 수산화암모늄, 과산화수소 및 초순수 혼합용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 불산용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척한 후 건조시키는 단계; 소정의 전이금속막을 형성하여 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

폴리실리콘막 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 반도체 소자 제조시 폴리실리콘막 상부에 실리사이드막을 형성하기 전 폴리실리콘막 세정방법에 있어서, 폴리실리콘막을 불산용액을 사용하여 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 불산, 질산, 초산 및 초순수 혼합용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 수산화암모늄, 과산화수소 및 초순수 혼합용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 불산용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척한 후 건조시키는 단계; 소정의 전이금속막을 형성하여 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 불산:질산:초산:초순수는 1:5:5:10의 비율로 혼합된 혼합용액인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 세정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수산화암모늄:과산화수소:초순수는 1:1:5의 비율로 혼합된 혼합용액인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 세정방법.
  4. 반도체 소자 제조시 폴리실리콘막 상부에 실리사이드막을 형성하기 전 폴리실리콘막 세정방법에 있어서, 폴리실리콘막을 불산용액을 사용하여 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 불산, 질산 및 초순수 혼합용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 수산화암모늄, 과산화수소 및 초순수 혼합용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 불산용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척한 후 건조시키는 단계; 소정의 전이금속막을 형성하여 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 세정방법.
  5. 제4항에 있어서, 불산:질산:초순수는 1:1:10의 비율로 혼합된 혼합용액인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 세정방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 수산화암모늄:과산화수소:초순수는 1:1:10의 비율로 혼합된 혼합용액인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827684B1 (ko) * 2001-10-30 2008-05-07 에이펫(주) 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법
KR20180054598A (ko) * 2015-09-16 2018-05-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체

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