KR950007007A - 반도체 소자의 자연산화막 제거방법 - Google Patents
반도체 소자의 자연산화막 제거방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 자연산화막을 제거하는 방법을 기술한 것으로, 열산화막상에 존재하는 자연산화막 제거시 소정의 조성비로 이루어진 SC-1세정액으로 자연산화막을 제거하여 열산화막의 두께 감소는 물론 불량 입자를 제거할 수 있는 반도체 소자의 자연산화막을 제거하는 방법이 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 반도체 소자의 열산화막 형성단계를 도시한 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 자연산화막 제거방법에 있어서, 반도체 소자의 제조공정 중 열산화 공정에 의하여 열산화막 형성시, 상기 열산화막상에 존재하는 자연산화막을 NH4OH : H2O2: DIW의 소정의 조성비로 조성된 SC-1 세정액으로 소정의 온도하에서 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 자연산화막 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SC-1 세정액의 조성비는 NH4OH : H2O2: DIW=1 : 1 : 5의 비율로 하고, 온도는 85°로 하여 자연산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 자연산화막 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930015755A KR950007007A (ko) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 반도체 소자의 자연산화막 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930015755A KR950007007A (ko) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 반도체 소자의 자연산화막 제거방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950007007A true KR950007007A (ko) | 1995-03-21 |
Family
ID=66817629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930015755A KR950007007A (ko) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 반도체 소자의 자연산화막 제거방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950007007A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100253583B1 (ko) * | 1997-04-21 | 2000-04-15 | 김영환 | 접합형 에스. 오. 아이 웨이퍼 제조방법 |
-
1993
- 1993-08-13 KR KR1019930015755A patent/KR950007007A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100253583B1 (ko) * | 1997-04-21 | 2000-04-15 | 김영환 | 접합형 에스. 오. 아이 웨이퍼 제조방법 |
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