KR950021190A - 반도체 소자 세정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조공정중 오염입자를 제거하기 위한 세정(cleaning) 방법에 관한 것으로, 특히 순수(DI Water)를 이용한 세정시 순수에 적정 농도로 알콜, 예를 들면 이소프로필 알콜을 혼합하여 수분을 휘발시킴으로서 오염입자로 인한 소자의 특성 및 수율저하를 막을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 순수를 이용한 세정(DI water cleaning)시 순수에 적정 농도로 알콜을 혼합하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 알콜은 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 세정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930030840A KR950021190A (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 반도체 소자 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930030840A KR950021190A (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 반도체 소자 세정방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950021190A true KR950021190A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66853643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930030840A KR950021190A (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 반도체 소자 세정방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950021190A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100474856B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-03-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 세정 방법 |
-
1993
- 1993-12-29 KR KR1019930030840A patent/KR950021190A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100474856B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-03-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 세정 방법 |
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