KR950021190A - 반도체 소자 세정방법 - Google Patents

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KR950021190A
KR950021190A KR1019930030840A KR930030840A KR950021190A KR 950021190 A KR950021190 A KR 950021190A KR 1019930030840 A KR1019930030840 A KR 1019930030840A KR 930030840 A KR930030840 A KR 930030840A KR 950021190 A KR950021190 A KR 950021190A
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KR
South Korea
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semiconductor device
cleaning method
alcohol
device cleaning
cleaning
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Application number
KR1019930030840A
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English (en)
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김정회
이근호
구영모
김세정
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조공정중 오염입자를 제거하기 위한 세정(cleaning) 방법에 관한 것으로, 특히 순수(DI Water)를 이용한 세정시 순수에 적정 농도로 알콜, 예를 들면 이소프로필 알콜을 혼합하여 수분을 휘발시킴으로서 오염입자로 인한 소자의 특성 및 수율저하를 막을 수 있다.

Description

반도체 소자 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 순수를 이용한 세정(DI water cleaning)시 순수에 적정 농도로 알콜을 혼합하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알콜은 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930030840A 1993-12-29 1993-12-29 반도체 소자 세정방법 KR950021190A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100474856B1 (ko) * 2001-12-29 2005-03-08 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 세정 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100474856B1 (ko) * 2001-12-29 2005-03-08 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 세정 방법

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