KR970003602A - 금속라인 형성을 위한 식각시 금속막의 부식 방지방법 - Google Patents
금속라인 형성을 위한 식각시 금속막의 부식 방지방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조공정 중 금속막 식각후 유기물 제거 식각제에 딥한 후 순수(DI water)에 린스하는 일련의 유기물 제거 공정시 상기 유기물 제거 식각제가 순수와 반응하여 강한 산성을 띠는 물질로 변한 후 공기중의 수분과 접촉하여 부식되는 것을 방지하기 위한 방법에 있어서, 상기 순수에 오존(O3)을 포함시켜 린스하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 반도체 소자 제조공정 중 금속막 식각후 유기물 제거 식각제에 딥한 후 순수(DI water)에 린스하는 일련의 유기물 제거 공정시 상기 유기물 제거 식각제가 순수와 반응하여 강한 산성을 띠는 물질로 변한 후 공기중의 수분과 접촉하여 부식되는 것을 방지하기 위한 방법에 있어서, 상기 순수에 오존(O3)을 포함시켜 린스하는 것을 특징으로 하는 금속라인 형성을 위한 식각시 금속막의 부식 방지방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오존(O3)의 농도는 2 내지 5ppm인 것을 특징으로 하는 금속라인 형성을 위한 식각시 금속막의 부식 방지방법.
- 제2항에 있어서, 상기 순수의 온도는 20 내지 60℃인 것을 특징으로 하는 금속라인 형성을 위한 식각시 금속막의 부식 방지방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019097A KR970003602A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 금속라인 형성을 위한 식각시 금속막의 부식 방지방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019097A KR970003602A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 금속라인 형성을 위한 식각시 금속막의 부식 방지방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003602A true KR970003602A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019097A KR970003602A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 금속라인 형성을 위한 식각시 금속막의 부식 방지방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003602A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019097A patent/KR970003602A/ko not_active Application Discontinuation
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