KR940015683A - 금속패턴 형성방법 - Google Patents

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KR940015683A
KR940015683A KR1019920026947A KR920026947A KR940015683A KR 940015683 A KR940015683 A KR 940015683A KR 1019920026947 A KR1019920026947 A KR 1019920026947A KR 920026947 A KR920026947 A KR 920026947A KR 940015683 A KR940015683 A KR 940015683A
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김인철
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한것으로, 특히 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 한 금속식각 공정에 있어서, 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 금속을 식각한 후, 식각용액에 처리하는 공정없이 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법을 제공한다. 따라서, 금속의 부식 및 드는 비용이 적으면서도 공정이 단순하게 금석패턴을 형성할 수 있다.

Description

금속패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 방법에 의한 금속패턴 형성방법을 도시한 순서도, 제2도는 본 발명의 방법에 의한 금속패턴 형성 방법을 도시한 공정도.

Claims (2)

  1. 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 한 금속식각 공정에 있어서, 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 금속을 식각한 후, 식각용액에 처리하는 공정없이 포토레지스트 패턴은 제거하는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 금속을 식각하는 상기 공정은, 금속에 대한 포토레지스트의 선택도를 낮추어 금속을 식각하고, 이 결과물을 패시베이션 한 후, D.I워터에 린스하는것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920026947A 1992-12-30 1992-12-30 금속패턴 형성 방법 KR960007445B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230024861A (ko) * 2021-08-12 2023-02-21 한양대학교 산학협력단 분자선 구조를 갖는 다층 분자막 포토레지스트 및 이의 제조방법

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