KR940016535A - 과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 에칭후 H2O2로 1~10분 후처리하여 린스시의 워터미스트를 감소시켜 파티클 불량을 없애도록 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 반도체 제조공정에서 웨트에천트로 에칭후 린스 세척전에 H2O2로 1~10분 처리함을 특징으로 하는 과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920025204A KR940016535A (ko) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | 과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920025204A KR940016535A (ko) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | 과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940016535A true KR940016535A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67214710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920025204A KR940016535A (ko) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | 과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940016535A (ko) |
-
1992
- 1992-12-23 KR KR1019920025204A patent/KR940016535A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |