KR940016535A - 과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법 - Google Patents

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KR940016535A
KR940016535A KR1019920025204A KR920025204A KR940016535A KR 940016535 A KR940016535 A KR 940016535A KR 1019920025204 A KR1019920025204 A KR 1019920025204A KR 920025204 A KR920025204 A KR 920025204A KR 940016535 A KR940016535 A KR 940016535A
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hydrogen peroxide
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wet etching
rinsing
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KR1019920025204A
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Inventor
최승봉
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 에칭후 H2O2로 1~10분 후처리하여 린스시의 워터미스트를 감소시켜 파티클 불량을 없애도록 한 것이다.

Description

과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 반도체 제조공정에서 웨트에천트로 에칭후 린스 세척전에 H2O2로 1~10분 처리함을 특징으로 하는 과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920025204A 1992-12-23 1992-12-23 과산화수소를 이용한 웨트에칭후 처리방법 KR940016535A (ko)

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