KR970003615A - 웨이퍼의 게이트 산화막의 형성을 위한 전처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 웨이퍼상의 게이트 산화막 형성을 위한 전처리 과정으로서 웨이퍼 세정방법을 개시한다. 개시된 방법은 웨이퍼를 순차적으로 황산 세정액, 플루오르화수소산 세정액, 질산 세정액 그리고 끝으로 염산 세정액에 침지시키는 단계를 포함한다. 개신된 방법에 의하면 질산 세정액에 침지시키는 단계를 포함하므로써 웨이퍼로부터 플루오르화물을 완전히 제거할 수 있으므로, 소자의 신뢰도가 크게 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 웨이퍼 표면을 황산세정액으로 세정하고, 플루오르화수소산 세정액으로 세정하고, 끝으로 염산 세정액으로 세정하는 것을 포함하는 웨이퍼의 게이트산화막을 형성을 위한 진처리 방법에 있어서, 플루오르화수소산 세정액에 의한 세정후에, 질산 세정액으로 세정을 실시하여 웨이퍼 표면으로부터 플루오르화물을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 게이트 산화막 형성을 위한 전처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 세정액의 조성이 약 1 : 6부피비의 질산 : 탈이온수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 게이트 산화막 형성을 위한 진처리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950015819A KR970003615A (ko) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 웨이퍼의 게이트 산화막의 형성을 위한 전처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950015819A KR970003615A (ko) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 웨이퍼의 게이트 산화막의 형성을 위한 전처리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003615A true KR970003615A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950015819A KR970003615A (ko) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 웨이퍼의 게이트 산화막의 형성을 위한 전처리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003615A (ko) |
-
1995
- 1995-06-15 KR KR1019950015819A patent/KR970003615A/ko not_active Application Discontinuation
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