KR970010936A - 반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법 - Google Patents

반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 세정액을 개시한다. 본 발명은 반도체 장치의 금속층 세정에 이용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 암모니아수, 메탄올, 불산 및 순수로 구성되는 것을 특징으로 하는 세정액을 제공한다. 본 발명에 의한 세정액은 단순히 각 용액을 혼합하는 것만으로 제조가 가능하고, 세정하는 금속층을 식각 및 손상시키지 않으면서도 폴리머 및 불순물 입자를 제거할 수 있다. 따라서 반도체 장치의 세정 공정을 단순화 시킬 수 있으며 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의하여 세정액의 조성비에 따른 금속층의 부식정도를 도시한 그래프이다.
제2도는 종래의 세정액들과 본 발명에 의한 세정액의 불순물 입자 제거력을 비교한 사진들이다.

Claims (11)

  1. 반도체 장치의 금속층 세정에 이용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 암모니아수, 메탄올, 불산 및 순수로 구성되는 것을 특징으로 하는 세정액.
  2. 제1항에 있어서, 상기 암모니아수는 1% 내지 50%의 순도를 가짐을 특징으로 하는 세정액.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메탄올은 90% 내지 100%의 순도를 가짐을 특징으로 하는 세정액.
  4. 제1항에 있어서, 상기 불산은 1% 내지 60%의 순도를 가짐을 특징으로 하는 세정액.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정액의 혼합비는 암모니아수의 부피 1에 대하여, 메탄올의 부피를 1배 내지 50배로 하고, 순수의 부피를 0.1배 내지 50배로 하며, 불산의 부피는 상기 암모니아수, 메탄올과 순수를 혼합한 용액에 대하여 1 내지 10000피피엠(PPM)인 것을 특징으로 하는 세정액.
  6. 반도체 기판상에 형성되는 금속층의 세정방법에 있어서, 상기 세정방법은 금속층이 형성된 반도체 기판을 암모니아수와 메탄올과 불산 및 순수로 구성된 세정액을 사용하여 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 세정액은 온도를 20℃ 내지 100℃로 하여 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 세정액은 온도 45℃하여 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 세정단계의 세정시간은 8시간 이내로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 세정단계의 세정시간은 10분 이내로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 금속층은 티타늄 또는 티타늄 나이트라이드와 알루미늄 합금의 이중층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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