KR970053125A - 실리콘 세정액 및 그를 사용한 반도체 기판의 세정방법 - Google Patents
실리콘 세정액 및 그를 사용한 반도체 기판의 세정방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 65 내지 68중량%의 에틸렌 글리콜, 19 내지 21중량%의 순수(D.I water), 12 내지 14중량%의 불화암모늄 및 0.4 내지 0.6중량%의 불산을 포함하는 실리콘 세정액 및 상기 조성물을 사용하여 반도체 기판을 세정하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘 세정액은 식각시 발생하는 실리콘 불순물에 대하여 우수한 세정효과를 나타내는 동시에 절연층을 과도하게 식각하지 않음으로써 반도체 특성에 손상을 일으키지 않는 등 우수한 효과를 나타낸다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실리콘 세정액을 사용하여 반도체 기판을 세정하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (4)
- 65 내지 68중량%의 에틸렌 글리콜, 19 내지 21중량%의 순수(D.I water), 12 내지 14중량%의 불화암모늄 및 0.4 내지 0.6중량%의 불산을 포함하는 실리콘 세정액.
- 웨이퍼상에 형성된 도전층의 식각시 하부막인 절연층상에 잔류하는 실리콘 불순물을 세정함에 있어서, 65 내지 68중량%의 에틸렌 글리콜, 19 내지 21중량%의 순수(D.I water), 12 내지 14중량%의 불화암모늄 및 0.4 내지 0.6중량%의 불산을 포함하는 실리콘 세정액을 채운 반응조에 기판을 침지시켜 상기 실리콘 불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도전층이 실리콘-함유 알루미늄 합금층이고, 상기 절연층이 PSG막 및 PBSG막으로 구성된 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도전층이 폴리실리콘층이고, 상기 절연층이 열산화막 또는 CVD산화막으로 구성된 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019950066834A KR970053125A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 실리콘 세정액 및 그를 사용한 반도체 기판의 세정방법 |
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ID=66637710
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| KR (1) | KR970053125A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990011638A (ko) * | 1997-07-24 | 1999-02-18 | 윤종용 | 반도체장치의 제조에 이용되는 세정액 |
| KR20040013958A (ko) * | 2002-08-09 | 2004-02-14 | 엘지전자 주식회사 | 티브이 시스템의 외부 입력 전환방법 |
| KR100510446B1 (ko) * | 1998-01-07 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 콘택홀 세정방법 |
| KR100823714B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-04-21 | 삼성전자주식회사 | 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066834A patent/KR970053125A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR100823714B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-04-21 | 삼성전자주식회사 | 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거방법 |
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