KR970066725A - 저온 린스 공정을 통한 불화수소산 에칭의 급랭법 - Google Patents

저온 린스 공정을 통한 불화수소산 에칭의 급랭법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 한 실시 양태는 반도체 웨이퍼를 1차 온도로 유지된 에칭제로부터 제거하는 단계와, 반도체 웨이퍼를 1차 온도보다 적어도 5℃ 더 저온인 2차 온도에 있는 린스 용액으로 린스하는 단계로 이루어진 웨이퍼 위의 절연체 층의 에칭을 급작스럽게 중단하는 방법이다. 바람직하게는, 절연체 층은 TEOS, BPSG, PSG, 열성장 산화물 및 그 중 어느 것의 배합물로 이루어진다. 바람직하게는, 1차 온도는 대략 25℃이고 2차 온도는 대략 0 내지 5℃이거나, 또는 1차 온도는 대략 70 내지 90℃이고 2차 온도는 대략 10 내지 30℃이다. 바람직하게는, 에칭제는 완충되거나 또는 완충되지 않은 HF 산으로 이루어지고, 린스 용액은 탈 이온수로 이루어진다. 바람직하게는, 2차 온도는 1차 온도보다 적어도 15℃ 더 저온이다.

Description

저온 린스 공정을 통한 불화수소산 에칭의 급랭법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 완충되거나 완충되지 않은 0.49%의 HF을 사용하여 TEOS를 에칭하는 특성을 설명한다.

Claims (14)

  1. 반도체 웨이퍼를 1차 온도로 유지된 에칭제로부터 제거하는 단계와, 반도체 웨이퍼를 1차 온도보다 적어도 5℃ 더 저온인 2차 온도에 있는 린스 용액으로 린스하는 단계로 이루어진 웨이퍼 위의 절연체 층의 에칭을 급작스럽게 중단시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 언급된 절연체 층이 TEOS, BPSG, PSG, 열성장 산화물 및 그 중 어느 것의 배합물로 구성된 군으로부터 선택된 물질로 이루어진 방법.
  3. 제1항에 있어서, 언급된 1차 온도가 대략 25℃인 방법.
  4. 제3항에 있어서, 언급된 2차 온도가 대략 0 내지 5℃인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 언급된 1차 온도가 대략 70 내지 90℃인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 언급된 2차 온도가 대략 10 내지 30℃인 방법.
  7. 제1항에 있어서, 언급된 에칭제가 완충되거나 또는 완충되지 않은 불화수소(HF) 산인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 언급된 린스 용액이 탈 이온수로 이루어진 방법.
  9. 제1항에 있어서, 언급된 2차 온도가 1차 온도보다 적어도 15℃ 더 저온인 방법.
  10. 반도체 웨이퍼를 1차 온도에 있는 HF에칭 용액에 주입하는 단계, HF에칭 용액으로부터 반도체 웨이퍼를 제거하는 단계, 언급된 반도체 웨이퍼 위에 남아있는 잔류 HF에칭 용액에 의해 에칭되는 것을 급작스럽게 중단시키기 위해 1차 온도보다 적어도 20℃더 저온인 2차 온도에 있는 린스 용액 중에서 반도체 웨이퍼를 린스하는 단계로 이루어진, 반도체 웨이퍼 위에 전기 소자를 조립하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 언급된 1차 온도가 대략 70 내지 90℃인 방법.
  12. 제11항에 있어서, 언급된 2차 온도가 대략 10 내지 30℃인 방법.
  13. 제10항에 있어서, 언급된 HF에칭 용액이 완충되거나 또는 완충되지 않은 불화수소(HF)산으로 이루어진 방법.
  14. 제10항에 있어서, 언급된 린스 용액이 탈 이온수로 이루어진 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970007415A 1996-03-07 1997-03-06 저온 린스 공정을 통한 불화수소산 에칭의 급랭법 KR970066725A (ko)

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