KR970023796A - 건식 식각세정에 의한 화학 기계적 연마(cmp)의 오염 제거방법 - Google Patents

건식 식각세정에 의한 화학 기계적 연마(cmp)의 오염 제거방법 Download PDF

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Abstract

화학 기계적 연마(CMP) 공정 후의 오염 제거방법에 대하여 기재하고 있다. 본 발명은 반도체 소자 제조방법 중 화학 기계적 연마(CMP)후의 오염 제거방법에 있어서, 스핀 스크러버(Spin Scrubber)공정 이후에 건식식각에 의한 세정공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 오염 제거방법을 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면 CMP공정 후의 오염 제거 방법에 있어서, 오염 물질의 재흡착을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 금속층의 부식을 방지할 수 있다.

Description

건식 식각세정에 의한 화학 기계적 연마(CMP)의 오염 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4A도 및 제4B도는 본 발명의 실시예에 따른 오염 제거공정의 순서를 나타낸 블록도이다.
제5A도 및 제5B도는 본 발명의 실시예에 있어서 건식 식각에 의한 오염제거과정을 나타낸 단면도이다.

Claims (4)

  1. 반도체 소자 제조방법 중 화학 기계적 연마(CMP) 후의 오염 제거방법에 있어서, 스핀 스크러버(Spin Scrubber)공정 이 후에 건식식각에 의한 세정공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 오염 제거 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학 기계적 연마(CMP)가 금속층을 포함하지 않은 물질층에 대해서만 이루어진 경우, 상기 스핀 스크러버 공정과 건식식각에 의한 세정공정 사이에 습식 세정공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 오염 제거방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 습식 세정공정은 HF용액에 의한 식각세정공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 오염 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 건식식각에 의한 세정공정은 아르곤 스퍼터 식각(Ar Sputter Etch) 공정 및 아르곤 전자 싸이크로트론 공명식각(Ar ECR Etch) 공정 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 오염 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950037774A 1995-10-28 1995-10-28 건식 식각제정에 의한 화학 기계적 연마의 오염 제거방법 KR0175021B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100557963B1 (ko) * 2004-07-23 2006-03-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 세정방법

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