KR970030754A - 반도체장치의 라벨 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 라벨 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 보론 질화막을 이용한 반도체장치의 라벨 형성방법에 관한 것으로, 기판상에 산화막, 보론 질화막, 그리고 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트를 라벨이 형성될 영역으로 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 보론 질화막을 식각하는 공정과; 상기 포토레지스트를 제거하고 라벨이 형성될 영역을 제외한 부분의 상기 산화막을 제거하는 공정을 포함하고 있다. 이 방법에 의해서 고집적화된 반도체장치의 제조 공정에 널리 사용되는 CMP공정의 수행과정에서 없어지거나 희미해지는 등의 문제를 발생시키지 않는 반도체장치의 라벨을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2a도 내지 제 2d도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 라벨 형성방법을 보여주는 순차적인 공정도.
Claims (6)
- 기판(10)상에 산화막(12), 보론 질화막(13), 그리고 포토레지스트(14)를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트(14)를 라벨이 형성될 영역으로 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 보론 질화막(13)을 식각하는 공정과; 상기 포토레지스트를 제거하고 라벨이 형성될 영역을 제외한 부분의 상기 산화막(12)을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 라벨 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산화막(12)은 약 300Å∼1000Å 정도의 범위내에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 라벨 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 보론 질화막(13)은 약 300Å∼1000Å 정도의 범위내에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 라벨 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산화막(12)은 열산화막 또는 화학기상 증착 산화막 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 라벨 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 보론 질화막(13)은 플라즈마를 이용한 화학기상 증착의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 라벨 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산화막(12)은 불산이나 BOE용액에 담그는 방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 라벨 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039898A KR970030754A (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 반도체장치의 라벨 형성방법 |
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KR1019950039898A KR970030754A (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 반도체장치의 라벨 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970030754A true KR970030754A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66587037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950039898A KR970030754A (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 반도체장치의 라벨 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970030754A (ko) |
-
1995
- 1995-11-06 KR KR1019950039898A patent/KR970030754A/ko not_active Application Discontinuation
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