KR960005873A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조공정 중 소자간의 전기적 연결을 위한 금속 배선 형성방법에 관한 것으로, 장벽금속막 형성부위에 질화티타늄막(1)을 형성하는 단계; 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 상기 질화티타늄막을 옥시젠 분위기에서 플라즈마 처리함으로써 티타늄-니트로젠-옥시젠 (Ti-N-O)막(2)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 장벽금속막 형성 공정 단면도이다.
Claims (1)
- 장벽금속막을 포함하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 장벽금속막 형성부위에 질화티타늄막(1)을 형성하는 단계; 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 상기 질화티타늄막을 옥시젠 분위기에서 플라즈마 처리함으로써 티타늄-니트로젠-옥시젠 (Ti-N-O)막(2)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016514A KR960005873A (ko) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
| US08/499,791 US5877031A (en) | 1994-07-07 | 1995-07-07 | Method for forming a metallic barrier layer in semiconductor device |
| CN95109193A CN1062978C (zh) | 1994-07-07 | 1995-07-07 | 半导体器件中制作金属阻挡层的方法 |
| GB9513938A GB2291264B (en) | 1994-07-07 | 1995-07-07 | Method for forming a metallic barrier layer in semiconductor device and device made by the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016514A KR960005873A (ko) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960005873A true KR960005873A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66689000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940016514A KR960005873A (ko) | 1994-07-07 | 1994-07-08 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960005873A (ko) |
-
1994
- 1994-07-08 KR KR1019940016514A patent/KR960005873A/ko not_active Application Discontinuation
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