KR920001678A - 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 - Google Patents

금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 Download PDF

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KR920001678A
KR920001678A KR1019900008548A KR900008548A KR920001678A KR 920001678 A KR920001678 A KR 920001678A KR 1019900008548 A KR1019900008548 A KR 1019900008548A KR 900008548 A KR900008548 A KR 900008548A KR 920001678 A KR920001678 A KR 920001678A
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KR1019900008548A
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김지범
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음

Description

금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 본 발명의 제조공정에 의한 집적회로의 금속배선 단면도

Claims (1)

  1. 금속배선 형성후 O2플라즈마 공정을 이용하여 금속배선의 표면에 알루미늄 산화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 금속배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900008548A 1990-06-11 1990-06-11 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 KR920001678A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030000964A (ko) * 2001-06-27 2003-01-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030000964A (ko) * 2001-06-27 2003-01-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

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