KR920001678A - 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 - Google Patents
금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 본 발명의 제조공정에 의한 집적회로의 금속배선 단면도
Claims (1)
- 금속배선 형성후 O2플라즈마 공정을 이용하여 금속배선의 표면에 알루미늄 산화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 금속배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900008548A KR920001678A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900008548A KR920001678A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920001678A true KR920001678A (ko) | 1992-01-30 |
Family
ID=67482389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900008548A KR920001678A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920001678A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030000964A (ko) * | 2001-06-27 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
-
1990
- 1990-06-11 KR KR1019900008548A patent/KR920001678A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030000964A (ko) * | 2001-06-27 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
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