KR910005389A - 삽입층 유전체 필름 및 오토-도핑 소오스 필름으로 bpsg/psg 필름을 이용한 제조방법 - Google Patents
삽입층 유전체 필름 및 오토-도핑 소오스 필름으로 bpsg/psg 필름을 이용한 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910005389A KR910005389A KR1019890012568A KR890012568A KR910005389A KR 910005389 A KR910005389 A KR 910005389A KR 1019890012568 A KR1019890012568 A KR 1019890012568A KR 890012568 A KR890012568 A KR 890012568A KR 910005389 A KR910005389 A KR 910005389A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- bpsg
- psg
- auto
- interlayer dielectric
- Prior art date
Links
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 title claims description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 유전체 필름 및 오토 도핑 소오스 필름으로 PSG와 BPSG 필름을 사용한 반도체의 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 그래프.
Claims (1)
- PSG+BPSG디포지션 단계로 온도를 상승시킨 상태에서 PSG 디포지션→BPSG 디포지션→BPSG 디포지션 완료→백필을 실시하고 PSG+BPSG플로우 단계로 온도를 930℃상승시켜 어닐과 백필을 행한 후 통상의 공정을 실시함을 특징으로 하는 삽입층 유전체 필름 및 오토-도핑 소오스 필름으로 BPSG/PSG필름을 이용한 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890012568A KR920007334B1 (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 삽입층 유전체 필름 및 오토-도핑 소오스 필름으로 bpsg/psg 필름을 이용한 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890012568A KR920007334B1 (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 삽입층 유전체 필름 및 오토-도핑 소오스 필름으로 bpsg/psg 필름을 이용한 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910005389A true KR910005389A (ko) | 1991-03-30 |
| KR920007334B1 KR920007334B1 (ko) | 1992-08-31 |
Family
ID=19289497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890012568A KR920007334B1 (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 삽입층 유전체 필름 및 오토-도핑 소오스 필름으로 bpsg/psg 필름을 이용한 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920007334B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399885B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2003-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시메모리소자제조방법 |
-
1989
- 1989-08-31 KR KR1019890012568A patent/KR920007334B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399885B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2003-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시메모리소자제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920007334B1 (ko) | 1992-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920007254A (ko) | 반도체장치 | |
| KR910005389A (ko) | 삽입층 유전체 필름 및 오토-도핑 소오스 필름으로 bpsg/psg 필름을 이용한 제조방법 | |
| KR910013463A (ko) | 반도체 소자의 개구형성방법 | |
| KR920015470A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치용 절연 막 제조방법 | |
| KR920001678A (ko) | 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법 | |
| KR910010625A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR920005326A (ko) | 반도체소자의 노이즈 방지방법 | |
| KR900005571A (ko) | 화합물 반도체장치와 그 제조방법 | |
| KR920001649A (ko) | 폴리에치 잉여물의 제거방법 | |
| KR920005369A (ko) | 리세트 게이트 제조방법 | |
| JPS5317284A (en) | Production of semiconductor device | |
| KR930015084A (ko) | 박막 트랜지스터의 구조와 그 제조방법 | |
| KR910005479A (ko) | 다층 폴리게이트를 이용한 nmos 트랜지스터 제조방법 | |
| KR900002449A (ko) | 반도체 소자의 콘택 배선방법 | |
| KR910008788A (ko) | 커패시터 스토리지 노드의 자동 정렬 접촉방법 | |
| KR880009427A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR910010633A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR920008970A (ko) | Bgccd제조 방법 | |
| KR920003448A (ko) | 바이폴라 소자의 메몰층 형성방법 | |
| KR870006630A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR920003439A (ko) | Peb를 이용한 노치 현상개선 방법 | |
| KR950004594A (ko) | 게이트 단차를 개선한 박막트랜지스터 | |
| KR890016663A (ko) | 스페이스 월 옥사이드를 이용한 dram셀의 제조방법 | |
| KR920008839A (ko) | SiNx/a-Si 계면 형성방법 | |
| KR840001388A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080728 Year of fee payment: 17 |
|
| EXPY | Expiration of term |