KR960017940A - 폴리실리콘 전도막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 폴리실리콘 소오스 가스를 사용하여 불순물이 주입되지 않은 순수 폴리실리콘 막을 예정된 폴리실리콘 전도막 전체두께중 일정두께로 형성하는 단계; 불순물이 소오스 가스를 상기 폴리실리콘 소오스 가스와 같이 공급하여 예정된 폴리실리콘 전체두께가 될때까지 상기 순수 폴리실리콘 막상에 불순물이 주입된 폴리실리콘막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 전도막 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 폴리실리콘 전도막을 콘택 시킬시 실리콘기판과 폴리실리콘 전도막 계면에 발생되는 수소H2）를 방지하여 소자의 특성을 상향시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 본 발명의 일실시예에 따른 폴리실리콘막 콘택 형성 공정도.
Claims (2)
- 폴리실리콘 전도막 형성 방법에 있어서; 폴리실리콘 소오스 가스를 사용하여 불순물이 주입되지 않은 순수 폴리실리콘막을 예정된 폴리실리콘 전도막 전체두께중 일정두께로 형성하는 단계;불순물인 소오스 가스를 상기 폴리실리콘 소오스 가스와 함께 공급하여 예정된 폴리실리콘 전도막 전체두께가 될때까지 상기 순수폴리실리콘막상에 불순물이 주입된 폴리실리콘막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 전도막 형성방법.
- 제1항에서; 상기 불순물이 주입된 폴리실리콘막 형성 이후에 열처리하여 불순물 이온을 활성화하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 전도막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031100A KR960017940A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 폴리실리콘 전도막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031100A KR960017940A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 폴리실리콘 전도막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960017940A true KR960017940A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940031100A KR960017940A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 폴리실리콘 전도막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960017940A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480904B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2005-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반응로및이를이용한단결정실리콘층형성방법 |
-
1994
- 1994-11-24 KR KR1019940031100A patent/KR960017940A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480904B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2005-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반응로및이를이용한단결정실리콘층형성방법 |
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