KR960002562A - 반도체소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자의 고집적화에 따라 콘택홀의 크기가 감소함으로써 콘택저항이 증가되고 전력소모가 많아 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 저하시켰다. 따라서, 콘택홀 형성시 상기 콘택홀에 의하여 노출된 반도체기판 표면을 불활성기체 분위기에서 식각율이 빠른 기체를 이용한 식각공정으로 거칠게하는 동시에 골을 형성함으로써 콘택물질과 반도체기판의 접촉면적을 확대시켜 콘택저항을 감소시켜 반도체소자의 신뢰성을 향상시키고 전력소모를 감소시켜 에너지효율을 향상시킴으로써 생산성을 향상시키며 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 콘택홀 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (5)
- 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 소자분리절연막 및 게이트전극을 형성하고 불순물 확산영역을 형성한 다음, 평탄화층을 형성하고 그 상부에 콘택마스크를 형성하는 공정과, 상기 콘택마스크를 이용하여 상기 평탄화층을 식각하여 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택마스크를 제거하는 공정과, 불활성기체 분위기에서 가스를 이용하고 일정조건의 식각실에서 식각가공정을 실시함으로써 상기 노출된 반도체기판을 거칠게 하는 동시에 홀을 형성하여 상기 반도체기판의 표면적을 확대시키는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄화층은 플로우가 잘되는 실리콘산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각공정은 실리콘의 식각율이 빠른 기체를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 기체는 불화황(SF6)을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각실은 압력을 500-2000m Torr로 하고 파워(power)를 100W 이하로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014252A KR960002562A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014252A KR960002562A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002562A true KR960002562A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014252A KR960002562A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002562A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100371835B1 (ko) * | 2001-01-12 | 2003-02-12 | 동부전자 주식회사 | 반도체 장치의 배선 제조 방법 |
-
1994
- 1994-06-22 KR KR1019940014252A patent/KR960002562A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100371835B1 (ko) * | 2001-01-12 | 2003-02-12 | 동부전자 주식회사 | 반도체 장치의 배선 제조 방법 |
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