KR970054396A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 폴리실리콘층을 마스크로 하여 이온을 주입하고, PSG막을 마스크로 하여 중앙 부분을 식각하여 냄으로써 N+형 확산 영역을 형성하여 공정 과정에서 마스크수를 줄이는 효과가 있는 반도체 장치 및 그 제조방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 전력 MOSFET의 구조를 도시한 단면도이다.
Claims (2)
- 기판에 형성되어 있는 제1전도형 웰, 상기 제1전도형 웰 안에 형성되어 있는 제2전도형 확산 영역을 포함하며, 상기 제2전도형 확산 영역의 측면, 상기 제1전도형 웰의 중앙 부분이 식각되어 있는 반도체 장치.
- 반도체 기판의 일부에 게이트 산화막과 폴리실리콘을 형성하는 제1단계, 상기 기판에 제1도전형 웰을 형성하는 제2단계, PSG막을 층적하고, 상기 제1도전형 웰의 중앙 부분 위에 형성되어 있는 상기 PSG막을 제거하는 제3단계, 상기 제1도전형 웰 중앙 부분 위에 제2도전형의 확산 영역을 형성하는 제4단계, 상기 PSG막을 마스크로 하여 상기 제2도전형의 확산 영역 중앙부분을 제거하는 제5단계를 포함하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950062008A KR970054396A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950062008A KR970054396A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054396A true KR970054396A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66620612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950062008A KR970054396A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054396A (ko) |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950062008A patent/KR970054396A/ko not_active Application Discontinuation
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