KR940009760A - 콘택 접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 콘택 접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판(1), 소자 분리 전연막(2), 워드선(3), 상기 워드선(3)상에 위치 하는 마스크용 산화막(4), 상기 워드선(3)의 스페이서 산화막(5)을 갖고 있는 MOSFET상에 전체적으로 폴리실리콘막(7), 산화방지막(9)을 차례로 증착하고 상기 증착된 산화 방지막(9)의 콘택이 형성될 부위만 남겨두고 일정부분 식각하는 제1단계, 및 상기 제1단계 후에 잔류된 상기 산화방지막(9)을 이용하여 콘택이 형성되지 않는 노출 부위의 상기 폴리실리콘막(7)을 산화시켜 산화된 폴리실리콘막(10)을 형성하고 잔류된 상기 산화방지막(9)을 제거하여 최종적인 패드 폴리실리콘막(11)을 형성하는 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 콘택 제조 공정도.
Claims (1)
- 반도체 기판(1), 소자 분리 전연막(2), 워드선(3), 상기 워드선(3)상에 위치 하는 마스크용 산화막(4), 상기 워드선(3)의 스페이서 산화막(5)을 갖고 있는 MOSFET와 콘텍 접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법에있어서, 상기 MOSFET상에 전체적으로 폴리실리콘막(7), 산화방지막(9)을 차례로 증착하고 상기 증착된 산화 방지막(9)의 콘택이 형성될 부위만 남겨두고 일정부분 식각하는 제1단계, 및 상기 제1단계 후에 잔류된 상기 산화방지막(9)을 이용하여 콘택이 형성되지 않는 노출 부위의 상기 폴리실리콘막(7)을 산화시켜 산화된 폴리실리콘막(10)을 형성하고 잔류된 상기 산화방지막(9)을 제거하여 최종적인 패드 폴리실리콘막(11)을 형성하는 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018847A KR940009760A (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 콘택 접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018847A KR940009760A (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 콘택 접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940009760A true KR940009760A (ko) | 1994-05-24 |
Family
ID=67210373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920018847A KR940009760A (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 콘택 접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940009760A (ko) |
-
1992
- 1992-10-13 KR KR1019920018847A patent/KR940009760A/ko not_active IP Right Cessation
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