KR930005118A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR930005118A
KR930005118A KR1019910014441A KR910014441A KR930005118A KR 930005118 A KR930005118 A KR 930005118A KR 1019910014441 A KR1019910014441 A KR 1019910014441A KR 910014441 A KR910014441 A KR 910014441A KR 930005118 A KR930005118 A KR 930005118A
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semiconductor device
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insulating film
etch
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KR1019910014441A
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Inventor
박선후
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김광호
삼성전자 주식회사
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내용 없음.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2H도는 본 발명에 의한 블랭킷텅스텐 공정순서를 나타낸 도면.

Claims (6)

  1. 반도체기판상에 형성된 절연막의 소정영역에 콘택홀이 형성되어 있는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 콘택홀내부 및 절연막상에 부착층을 형성하는 공정과, 상기 부착층상에 CVD텅스텐막을 증착한 후 경사에 치하는 것을 수회 반복하여 상기 콘택홀을 매몰시키는 공정 및, 에치백에 의하여 상기 콘택홀이외의 부분에 형성된 CVD 텅스텐막을 제거하는 공정이 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 부착층은 TiN막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 경사에치는 상기 반도체기판의 각도를 조절하면서 회전시켜 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 경사에치에 사용되는 에치가스는 SF6인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 경사에치는 ECR 에치방식에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910014441A 1991-08-21 1991-08-21 반도체 장치의 제조방법 KR930005118A (ko)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000003479A (ko) * 1998-06-29 2000-01-15 김영환 반도체 소자의 게이트전극 형성방법
KR100321707B1 (ko) * 1998-06-29 2002-03-08 박종섭 반도체소자의게이트전극형성방법
KR20020023264A (ko) * 2002-01-08 2002-03-28 윤은혁 자수직물을 이용한 기모직물 제조방법
KR20030035877A (ko) * 2001-10-31 2003-05-09 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체장치의 제조방법

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