KR970052823A - 반도체소자의 층간절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 층간절연막 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 그 상부에 도전배선마스크를 이용한 식각공정으로 도전배선을 형성한 다음, 플라즈마 챔버내에서 소정시간 전면식각공정을 실시하여 소정의 경사각도를 갖는 경사면이 도전배성의 상측에 구비되는 도전배선을 형성함으로써 후속공정인 층간절연막의 단차피복성을 향상시켜 보이드에 의해 소자의 특성열화를 방지할 수 있어 반도체소자의 특성, 수율 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체소자의 층간절연막 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 하부절연층이 형성된 반도체기판 상부에 도전배선을 형성하는 공정과, 플라즈마 챔버내에서 소정시간동안 전면식각하여 상기 도전배선의 상측이 소정의 경사각도로 경사진 경사면이 구비되는 도전배선을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 층간절연막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전면식각공정은 화학적 식각성향보다 물리적 식각성향이 큰 식각가스를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 경사각도는 상기 전면식각공정의 가스를 변경으로 조정되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 경사면의 면적은 상기 전면식각공정의 시간을 조정되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052460A KR970052823A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 층간절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052460A KR970052823A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 층간절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052823A true KR970052823A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66646505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950052460A KR970052823A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 층간절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052823A (ko) |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052460A patent/KR970052823A/ko not_active Application Discontinuation
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