KR980005650A - 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치에 있어서, 반도체 기판상에 소정의 실리콘 조성비를 갖는 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막상에 소정의 금속배선을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 상기 제1절연막과 실리콘 조성비가 동일한 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막상에 상기 제2절연막보다 실리콘 조성비가 높은 제3절연막을 형성하는 단계; 상기 제3절연막상에 콘택홀 형성을 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 식각장벽으로 소정가스 분위기에서 경사식각하여 제1 및 제2절연막과 제3절연막의 기울기가 서로 다른 이중 경사를 갖는 콘택홀 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 상 ·하부 전도막간의 절연막인 플라즈마 산화막을 증착 조건을 달리하여 각각 실리콘과 산소의 조성비가 다른 막을 증착하여 콘택홀 형성을 위한 식각 공정시 서로 다른 이중 경사를 갖는 콘택홀을 형성함으로써, 충분한 쇼트 마진을 확보할 수 있어 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 콘택홀 형성 공정 단면도이다.
Claims (5)
- 반도체 장치에 있어서, 반도체 기판상에 소정의 실리콘 조성비를 갖는 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막상에 소정의 금속배선을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 상기 제1절연막과 실리콘 조성비가 동일한 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막상에 상기 제2절연막보다 실리콘 조성비가 높은 제3절연막을 형성하는 단계; 상기 제3절연막상에 콘택홀 형성을 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 식각장벽으로 소정가스 분위기에서 경사식각하여 제1및 제2절연막과 제3절연막의 기울기가 서로 다른 이중 경사를 갖는 콘택홀을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연막은 실리콘과 산소의 조성비가 1:2인 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 단계를 포함해서 이루어진 콘택홀 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제3절연막은 실리콘과 산소의 조성비가 1.05 내지 1.5 : 2인 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제3절연막은 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 경사식각을 위한 소정가스는 CF 계열 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026486A KR980005650A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960026486A KR980005650A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005650A true KR980005650A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960026486A KR980005650A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005650A (ko) |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026486A patent/KR980005650A/ko not_active Application Discontinuation
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