KR970018415A - 반도체소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 금속 배선 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 전체표면상부에 접합층을 형성하고 상기 콘택홀을 매립할 수 있는 텅스텐을 증착한 다음, 상기 콘택홀의 종말점까지 상기 텅스텐을 에치백하, 단차를 갖는 부분에 텅스텐 잔유물이 남기고 전체표면상부에 알루미늄박막을 증착한 다음, 금속배선마스크를 이용한 식각공정으로 상기 알루미늄박막과 텅스텐 잔유물을 식각하여 금속배선을 형성함으로써 상기 콘택홀의 내부에보이드의 발생을 방지하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (7)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 금속배선 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 접함층을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 콘택홀을 매립하도록 텅스텐을 증착하는 공정과, 에치백공정으로 상기 콘택홀의 종말까지 상기 텅스텐을 식각하되, 단차가 형성된 부분에 턴스텐 잔유물이 남는 공정과, 전체표면상부에 알루미늄박막을 일정 두께 형성하는 공정과, 금속배선마스크를 이용하는 식각공정으로 상기 알루미늄박막을 이방성식각하되, 상기 텅스텐 잔유물의 상부까지만 식각하여 알루미늄박막이 남도록 하는 공정과, 계속적으로 남은 알루미늄박막과 텅스텐 잔유물의 식각속도가 같도록 식각공정을 실시하여 텅스턴 잔류물을 제거함으로써 금속배선을 형성하는 공정을 표함하는 반도체소자의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에치백공정은 SF6 가스를 이용한 플라즈마식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에치백공정은 높은 소오스전력과 낮은 바이어스전력을 사용하여 상기 텅스텐 잔유물을 극소화하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이방성공정은 C12가스와 BC13가스의 혼합가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 잔유물 제거공정은 F 와 C1 기를 포함하는 가스조합을 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 잔유물 제거공정은 스퍼터링공정을 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 알루미늄박막은 상기 텅스텐과 식각속도가 같은 금속물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033161A KR970018415A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033161A KR970018415A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018415A true KR970018415A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66582389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950033161A KR970018415A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018415A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990057826A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950033161A patent/KR970018415A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990057826A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
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