KR970052372A - 반도체 장치의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 장치의 금속배선 형성방법에 관하여 기재하고 있다. 이는 반도체 기판 상에 도전층을 형성하는 단계, 상기 도전층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하고 상기 도전층을 부분적으로 식각하여 상기 도전층의 표면에 단자를 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴 및 도전층 표면에 형성된 단차 측면에 폴리머를 이용한 스페이서를 형성하는 단계, 상기 스페이서 및 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 도전층을 식각함으로써 요철모양(凸)의 도전층 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴 및 스페이서를 제거하는 단계, 및 상기 결과물 상에 층간절연층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 요철모양(凸)으로 금속배선을 형성하기 때문에 어스팩트비를 감소시킬 수 있으며, 종래 단차도포성 불량으로 인해 발생되는 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 일실시예에 따른 도전층 패턴 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체 기판 상에 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하고 상기 도전층을 부분적으로 식각하여 상기 도전층의 표면에 단자를 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴 및 도전층 표면에 형성된 단차 측면에 폴리머를 이용한 스페이서를 형성하는 단계; 상기 스페이서 및 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 도전층을 식각함으로써 요철모양(凸)의 도전층 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴 및 스페이서를 제거하는 단계; 및 상기 결과물 상에 층간절연층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 도전층 표면에 단차를 형성하는 단계에서 상기 단차는 상기 도전층 총 두께의 1/3~2/3정도를 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리머를 이용한 스페이서는 CHF3가스 플라즈마를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057168A KR970052372A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057168A KR970052372A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052372A true KR970052372A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057168A KR970052372A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052372A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455657B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-11-06 | 동부전자 주식회사 | 커플링 비율의 증가 및 조절이 용이한 플래쉬 메모리 셀제조 방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057168A patent/KR970052372A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455657B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-11-06 | 동부전자 주식회사 | 커플링 비율의 증가 및 조절이 용이한 플래쉬 메모리 셀제조 방법 |
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