KR970053542A - 반도체 소자의 비아 콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 비아 콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 비아 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 비아홀 형성 후 제거되는 감광막의 선택비를 향상시킬수 있는 식각가스를 사용하는 반도체 소자의 비아 콘택 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기본 전극이 구비된 반도체 기판 상에 제1 금속 배선을 형성하는 단계; 상기 제1금속 배선 상부에 제1금속막 절연막, SOG 및 제2금속간 절연막을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2금속간 절연막 상에 비아홀 식각을 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴에 따라 제1금속간 절연막, SOG 및 제2금속간 절연막을 식각하여 비아 홀을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 및 비아 홀이 형성된 반도체 기판 전면에 제2금속 배선을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 소자의 비아 콘택 형성 방법에 있어서, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계는 식각 가스로 O2/CHF3의 혼합비는 감광막과 SOG의 선택비가 10:1 정도 되도록 하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가)내지 (라)는 본 발명의 반도체 소자의 비아 콘택 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (2)
- 기본 전극이 구비된 반도체 기판상에 제1금속 배선을 형성하는 단계; 상기 제1금속 배선 상부에 제1금속막 절연막, SOG 및 제2금속간 절연막을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2금속간 절연막 상에 비아홀 식각을 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴에 따라 제1금속간 절연막, SOG 및 제2금속간 절연막을 식각하여 비아 홀을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 및 비아 홀이 형성된 반도체 기판 전면에 제2금속 배선을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 소자의 비아 콘택 형성 방법에 있어서, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계는 식각 가스로 C2/CHF3를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비아 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, O2/CHF3의 혼합비는 감광막과 SOG의 선택비가 10:1 정도 되도록 O2와 CHF3를 혼합하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비아 콘택 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056957A KR970053542A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 비아 콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056957A KR970053542A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 비아 콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053542A true KR970053542A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66618240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950056957A KR970053542A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 비아 콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053542A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950056957A patent/KR970053542A/ko not_active Application Discontinuation
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