KR960019533A - 반도체소자의 미세콘택 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 미세콘택 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 층간절연막을 형성하고 층간절연막 상부에 식각장벽막을 형성한 다음, 식각장벽만 상부에 제1콘택마스크를 이용하여 감광막패턴을 형성하고 감광막패턴을 마스크로하여 식각장벽막패턴을 형성한 다음, 감광막패턴을 제거하고 다른 감광막을 전체표면상부에 형성한 다음, 제2콘택마스크를 이용하여 감광막패턴을 형성하고 식각장벽막패턴과 감광막패턴을 마스크로하여 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 후공정으로 전도체를 이용하여 콘택홀을 통하여 반도체기판에 접속되도록 콘택을 형성함으로써 균일한 미세콘택을 형성하여 반도체소자의 신뢰성 향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 미세콘택 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 레이아웃도,
제5A도 내지 제5E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 미세콘택 형성공정도.

Claims (4)

  1. 반도체기판 상부에 소정의 전도물질을 형성하는 공정과, 전체표면상부를 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막 상부에 식각장벽막을 형성하는 공정과, 상기 식각장벽막 상부에 제1감광막을 형성하는 공정과, 제1콘택마스크를 이용하여 상기 제1감광막을 노광 및 현상하여 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 상기 식각장벽막을 식각함으로써 식각장벽막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 제2감광막을 형성하는 공정과, 제2콘택마스크를 이용하여 상기 제2감광막을 노광 및 현상하여 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 식각장벽막패턴과 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 층간절연막을 식각하고 상기 제2감광막패턴을 제거함으로써 상기 반도체기판 상부에 형성된 상기 전도물질을 노출시키는 균일한 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1콘택마스크와 제2콘택마스크는 각기 다른 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 식각장벽막은 실리콘막 또는 질화막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소정의 전도물질은 소오스 접합영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940030635A 1994-11-21 1994-11-21 반도체 소자의 미세콘택 형성방법 KR0166488B1 (ko)

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