KR950021076A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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KR950021076A
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정병태
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법으로서, 실리콘 기판위에 필요한 회로요소를 형성한 후, 이들과 절연을 위하여 실리콘 산화막을 소정 두께로 데포지션하고 포토레지스트로 콘택홀부위를 정의한 후 경사식각을 이용하여 콘택홀부분을 식각하여 제거하는 단계, 실리콘 산화막과 식각선택성이 있는 물질로 콘택홀을 채워서 콘택홀 플러그를 형성하는 단계, 상기 실리콘 산화막을 소정 두께만큼 식각하여 제거하고, 콘택홀플러그를 제거하여 최종 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이렇게 하므로써 스테퍼장비 및 노광장비로서 정의할 수 있는 최소한의 콘택홀 크기보다 더욱 작은 콘택홀을 정확하게 형성할 수 있게 되고 콘택과 이웃선과의 접촉이 일어나는 문제나 오버레이 마진 확보 문제를 해결할 수 있다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 콘택홀 부위의 일부 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 가) 실리콘 기판위에 필요한 회로요소를 형성한 후, 이들과 절연을 위하여 실리콘 산화막을 소정 두께로 데포지션하고 포토레지스트로 콘택홀부위를 정의한 후 경사식각을 이용하여 콘택홀부분을 식각하여 제거하는 단계, 나) 실리콘 산화막과 식각선택성이 있는 물질로 콘택홀을 채워서 콘택홀 플러그를 형성하는 단계, 다) 상기 실리콘 산화막을 소정 두께만큼 식각하여 제거하고, 콘택홀플러그를 제거하여 최종 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다) 단계후에 도전성물질층을 데포지션한 후 패턴형성공정을 실시하여 배선을 형성하는 것이 특징인 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가) 단계에서 실리콘 산화막은 1 내지 1.5㎛두께로 형성하는 것이 특징인 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 나) 단계에서 콘택홀플러그는 실리콘 산화막과 식각선택성이 있는 물질로서 포토레지스트, 또는 실리콘 질화막을 사용하여 웨이퍼 전면에 데포지션하고 에치백하여 형성하는 것이 특징인 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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