KR960002487A - 반도체 소자의 콘택홀 단면형상 관측방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 단면형상 관측방법 Download PDF

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KR960002487A
KR960002487A KR1019940013510A KR19940013510A KR960002487A KR 960002487 A KR960002487 A KR 960002487A KR 1019940013510 A KR1019940013510 A KR 1019940013510A KR 19940013510 A KR19940013510 A KR 19940013510A KR 960002487 A KR960002487 A KR 960002487A
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contact hole
sectional shape
cross
semiconductor device
observing
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KR1019940013510A
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안성환
이영철
김상익
구영모
조찬섭
박상호
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 단면형상(profile)을 관측(monitoring)하는 방법에 관한 것으로, 형성된 콘택홀의 단면형상을 정확히 관측하기 위하여 웨이퍼의 임의의 부분에 콘택홀의 패턴이 반쪽만 형성되는 관측용 패턴을 형성하므로써 식각된 단면형상이 포지티브 경사(positive slope)인지 네가티브 경사(negative slope)인지 관측가능하며, 콘택홀 저면이 완전히 식각되었는지 인-라인(in line)에서 CD(Critical Demension) SEM 상으로 관측할 수 있는 콘택홀 단면형상 관측방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 단면형상 관측방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 콘택홀 단면형상을 관측하기 위한 패턴형성 단계를 도시한 소자의 단면 사시도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 단면형상을 관측하는 방법에 있어서, 콘택홀 반쪽면만 설계된 마스크(15)를 사용하여 감광막(14)을 패턴화한 후 인-라인에서 CD SEM상으로 패턴화된 감광막(14)의 단면형상 및 식각상태를 관측하고, 상기 패턴화된 감광막(14)을 식각장벽층으로 하여 절연층(3)에 반쪽의 콘택홀(16)을 형성한 후 인-라인에서 CD SEM상으로 콘택홀(16)의 단면형상 및 식각상태를 관측하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 단면형상 관측방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반쪽의 콘택홀(16)은 소자에서 요구되는 회로와 관계없는 스크라이브 라인상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 단면형상 관측방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940013510A 1994-06-15 1994-06-15 반도체 소자의 콘택홀 단면형상 관측방법 KR960002487A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100807044B1 (ko) * 2006-08-24 2008-02-25 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장치 제조 공정 검사 방법

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